本发明涉及显示技术领域，特别是指一种显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置。
背景技术：
基于tft-lcd(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，薄膜晶体管液晶显示器)技术的ads(advancedsuperdimensionswitch，高级超维场转换技术)型黑白显示器包括阵列基板和与阵列基板对盒设置的显示基板，与ads彩色显示器的彩膜基板相比，显示基板上少了彩色光阻层。因此对盒成液晶显示面板后，显示基板与tft基板间的距离被拉近了2～3μm。这样导致的问题是，显示基板黑矩阵里残留的离子与tft的电极之间易形成耦合电场，使得显示残像加重。
现有的解决方案是显示基板的黑矩阵采用高阻抗类型，但是这样需要开发新的材料，增加了液晶显示面板的生产成本，并且造成产能的下降。
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置，能够在不增加显示基板成本的前提下避免耦合电场的形成。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
一方面，提供一种显示基板的制作方法，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成透明导电层；
在所述透明导电层上形成黑矩阵的图形。
进一步地，所述在所述透明导电层上形成黑矩阵的图形之后，所述方法还包括：
在形成有所述黑矩阵的衬底基板上形成平坦层；
在所述平坦层上形成隔垫物。
进一步地，所述透明导电层的厚度为100～200埃。
本发明实施例还提供了一种显示基板，包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的透明导电层；
位于所述透明导电层上的黑矩阵的图形。
进一步地，还包括：
覆盖所述黑矩阵的平坦层；
位于所述平坦层上的隔垫物。
进一步地，所述透明导电层的厚度为100～200埃。
本发明实施例还提供了一种显示面板，包括如上所述的显示基板和与所述显示基板对盒设置的阵列基板，所述显示基板的透明导电层通过导电结构与所述阵列基板上的预设接地点连接。
进一步地，所述显示基板的黑矩阵与所述阵列基板之间的距离小于预设阈值。
进一步地，所述导电结构为将所述显示基板和所述阵列基板封装在一起的导电封框胶。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
本发明的实施例具有以下有益效果：
上述方案中，在显示基板的黑矩阵和衬底基板之间形成有整面的透明导电层，在将显示基板与阵列基板对盒成显示面板后，通过导电结构将显示基板的透明导电层与阵列基板的预设接地点连接，这样可以保证黑矩阵的电势为0v，避免了黑矩阵与阵列基板的电极之间耦合电场的形成，解决了耦合电场导致的残像问题。同时，因透明导电层是整面分布，兼具了屏蔽外部电磁场的作用，因此显示基板背面同功能的透明导电层可以去除，不会额外增加显示基板的成本。本发明的技术方案可有效解决黑矩阵光阻离子导致的ads黑白显示器的残像问题，且与现有方案相比，不需开发新材料、不会增加显示基板的成本。
附图说明
图1为现有的彩色液晶显示面板的结构示意图；
图2为现有的黑白液晶显示面板的结构示意图；
图3-图8为本发明实施例显示基板的制作流程示意图；
图9为本发明实施例显示面板的结构示意图。
附图标记
1透明导电层
2、7衬底基板
3黑矩阵
4彩色光阻层
5隔垫物
6薄膜晶体管阵列层
8导电封框胶
9平坦层
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
图1为现有的彩色液晶显示面板的结构示意图，如图1所示，现有的彩色液晶显示面板包括相对设置的彩膜基板和阵列基板，彩膜基板包括衬底基板2，位于衬底基板2上的黑矩阵3和彩色光阻层4，在衬底基板2背向阵列基板的一侧设置有透明导电层1，在彩色光阻层4上设置有隔垫物5，阵列基板包括衬底基板7和位于衬底基板7上的薄膜晶体管阵列层6，其中，薄膜晶体管阵列层6与黑矩阵3之间的距离为a。
图2为现有的黑白液晶显示面板的结构示意图，如图2所示，现有的黑白液晶显示面板包括相对设置的显示基板和阵列基板，显示基板包括衬底基板2，位于衬底基板2上的黑矩阵3，在衬底基板2背向阵列基板的一侧设置有透明导电层1，在黑矩阵3上设置有隔垫物5，阵列基板包括衬底基板7和位于衬底基板7上的薄膜晶体管阵列层6，其中，薄膜晶体管阵列层6与黑矩阵3之间的距离为b。与彩色液晶显示面板的彩膜基板相比，显示基板上少了彩色光阻层4，因此，b小于a，差距在2～3μm。薄膜晶体管阵列层6与黑矩阵3的间距缩短之后，显示基板黑矩阵3里残留的离子与薄膜晶体管阵列层6的电极之间易形成耦合电场，影响了ads模式的液晶旋转规律，在画面切换时，形成imagesticking(即残像问题)；现有改善方案是，开发高阻抗的黑矩阵3材料，减弱黑矩阵3中离子的强度，从而削弱耦合电场。缺点是：新开发材料导致产品成本增加，并且材料料种类增加会影响产品产能。
为了解决上述问题，本发明的实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置，能够在不增加显示基板成本的前提下避免耦合电场的形成。
本发明实施例提供一种显示基板的制作方法，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成透明导电层；
在所述透明导电层上形成黑矩阵的图形。
本实施例中，在显示基板的黑矩阵和衬底基板之间形成有整面的透明导电层，在将显示基板与阵列基板对盒成显示面板后，可以通过导电结构将显示基板的透明导电层与阵列基板的预设接地点连接，这样可以保证黑矩阵的电势为0v，避免了黑矩阵与阵列基板的电极之间耦合电场的形成，解决了耦合电场导致的残像问题。同时，因透明导电层是整面分布，兼具了屏蔽外部电磁场的作用，因此显示基板背面同功能的透明导电层可以去除，不会额外增加显示基板的成本。本发明的技术方案可有效解决黑矩阵光阻离子导致的ads黑白显示器的残像问题，且与现有方案相比，不需开发新材料、不会增加显示基板的成本。
进一步地，所述在所述透明导电层上形成黑矩阵的图形之后，所述方法还包括：
在形成有所述黑矩阵的衬底基板上形成平坦层，其中，平坦层可以为后续制程提供平坦的表面；
在所述平坦层上形成隔垫物。
下面结合附图以及具体的实施例对本发明的显示基板的制作方法进行详细介绍，本实施例的显示基板的制作方法包括以下步骤：
步骤1、如图3和图4所示，提供一衬底基板2，在衬底基板2上形成整面的透明导电层1；
其中，图3为截面图，图4为俯视图。
衬底基板2可为玻璃基板或石英基板。具体地，在衬底基板2上通过溅射或热蒸发的方法沉积整面的透明导电层1。透明导电层1可以是ito、izo或者其他的透明金属氧化物，如果透明导电层1的厚度过高，会使得显示基板的厚度过高，如果透明导电层1的厚度过小，则透明导电层1的导电性能会比较差，优选地，将透明导电层1的厚度设为100～200埃。
步骤2、如图5和图6所示，在透明导电层1上形成黑矩阵3的图形；
其中，图5为截面图，图6为俯视图。
在透明导电层1上沉积一层黑矩阵材料，在黑矩阵材料上涂覆一层光刻胶，采用掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应黑矩阵3的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的黑矩阵材料，剥离剩余的光刻胶，形成黑矩阵3的图形，黑矩阵3限定出多个像素区域。
在黑矩阵材料采用感光材料时，直接利用掩模板对黑矩阵材料进行曝光，形成黑矩阵材料保留区域和黑矩阵材料未保留区域，进行显影处理，黑矩阵材料未保留区域的黑矩阵材料被完全去除，形成黑矩阵3的图形，黑矩阵3限定出多个像素区域。
步骤3、如图7和图8所示，形成平坦层9和隔垫物5；
其中，图7为截面图，图8为俯视图。
具体地，可以采用磁控溅射、热蒸发、pecvd或其它成膜方法沉积无机材料形成平坦层9，平坦层9可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，具体地，平坦层9材料可以是sinx，siox或si(on)x。进一步地，还可以通过涂覆工艺形成一层有机树脂作为平坦层9，有机树脂可以是苯并环丁烯。
在平坦层9上涂覆一层隔垫物材料，在隔垫物材料上涂覆一层光刻胶，采用掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应隔垫物5的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的隔垫物材料，剥离剩余的光刻胶，形成隔垫物5的图形，隔垫物5用于维持显示基板与阵列基板之间的盒厚。
另外，在隔垫物材料采用感光材料时，直接利用掩模板对隔垫物材料进行曝光，形成隔垫物材料保留区域和隔垫物材料未保留区域，进行显影处理，隔垫物材料未保留区域的隔垫物材料被完全去除，形成隔垫物5的图形。
经过上述步骤1-3即可得到本实施例的显示基板。
本发明实施例还提供了一种显示基板，包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的透明导电层；
位于所述透明导电层上的黑矩阵的图形。
本实施例中，在显示基板的黑矩阵和衬底基板之间形成有整面的透明导电层，在将显示基板与阵列基板对盒成显示面板后，可以通过导电结构将显示基板的透明导电层与阵列基板的预设接地点连接，这样可以保证黑矩阵的电势为0v，避免了黑矩阵与阵列基板的电极之间耦合电场的形成，解决了耦合电场导致的残像问题。同时，因透明导电层是整面分布，兼具了屏蔽外部电磁场的作用，因此显示基板背面同功能的透明导电层可以去除，不会额外增加显示基板的成本。本发明的技术方案可有效解决黑矩阵光阻离子导致的ads黑白显示器的残像问题，且与现有方案相比，不需开发新材料、不会增加显示基板的成本。
进一步地，显示基板还包括：
覆盖所述黑矩阵的平坦层，平坦层可以为后续制程提供平坦的表面；
位于所述平坦层上的隔垫物。
如果透明导电层的厚度过高，会使得显示基板的厚度过高，如果透明导电层的厚度过小，则透明导电层的导电性能会比较差，优选地，将透明导电层的厚度设为100～200埃。
本发明实施例还提供了一种显示面板，包括如上所述的显示基板和与所述显示基板对盒设置的阵列基板，所述显示基板的透明导电层通过导电结构与所述阵列基板上的预设接地点连接。
本实施例中，在显示基板的黑矩阵和衬底基板之间形成有整面的透明导电层，在将显示基板与阵列基板对盒成显示面板后，通过导电结构将显示基板的透明导电层与阵列基板的预设接地点连接，这样可以保证黑矩阵的电势为0v，避免了黑矩阵与阵列基板的电极之间耦合电场的形成，解决了耦合电场导致的残像问题。同时，因透明导电层是整面分布，兼具了屏蔽外部电磁场的作用，因此显示基板背面同功能的透明导电层可以去除，不会额外增加显示基板的成本。本发明的技术方案可有效解决黑矩阵光阻离子导致的ads黑白显示器的残像问题，且与现有方案相比，不需开发新材料、不会增加显示基板的成本。
进一步地，所述显示基板的黑矩阵与所述阵列基板之间的距离小于预设阈值，预设阈值可以为3.3μm。由于显示基板上省去了彩色色阻层，因此黑矩阵与所述阵列基板之间的距离比较小，可以使得显示面板的盒厚比较小。
具体实施例中，如图9所示，所述导电结构为将所述显示基板和所述阵列基板封装在一起的导电封框胶8，导电封框胶8与透明导电层1和薄膜晶体管阵列层6中的预设接地点分别连接，具体地，可与薄膜晶体管阵列层6中的公共电极连接，从而保证黑矩阵的电势为0v。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示面板。所述显示装置可以为：液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
在本发明各方法实施例中，所述各步骤的序号并不能用于限定各步骤的先后顺序，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，对各步骤的先后变化也在本发明的保护范围之内。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。