本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种OPC数据收集方法及OPC数据收集装置。
背景技术：
随着半导体制造技术的不断成熟发展，当集成电路的关键特征尺寸降到一定程度时，例如，当芯片的特征尺寸降低到小于光刻光源的波长时，由于衍射和干涉效应导致晶圆上的图形与掩膜版上的图形出现不同程度的变形和偏差，这种现象称为光学邻近效应(Optical Proximity Effect，OPE)。
为了抵消光刻过程中光学邻近效应的影响，一种有效的方法是光学邻近修正(Optical Proximity Correction，OPC)，使形成在掩膜版上的图形是经过光学邻近修正后的图形。之后将掩膜版上的图形转移到光刻胶层上时，就会因光学邻近效应而得到理想的图形。在OPC方法中，需要采用测试掩膜版在晶圆表面进行曝光处理，通过测量实际曝光后在晶圆上所获得的曝光图形的尺寸，来获得测试数据(即OPC数据收集)，为后续建立OPC模型奠定基础。
在OPC过程中，往往需要量测晶圆上大量的曝光图形尺寸，而曝光图形在晶圆上构成大量的重复图形模块。现有技术中，为了获得OPC数据，一般是对每一个重复的图形模块定义一个原点，然后根据该图形模块中需要量测的图形相对于该原点的位置对该图形进行定位捕捉。由于重复图形模块的数量巨大，这样的定位捕捉方式不仅工作量巨大、费时费力，还易造成数据的混淆，影响最终的校正结果。
因此，如何高效、准确的获取OPC数据，提高光刻工艺的效率，是目前亟待解决的技术问题。
技术实现要素：
本发明提供一种OPC数据收集方法及OPC数据收集装置，用以解决现有的OPC数据收集效率低的问题，进而提高晶圆光刻工艺的效率。
为了解决上述问题，本发明提供了一种OPC数据收集方法，包括如下步骤：
提供一版图，所述版图中包括多个图形模块，每个图形模块中包括多个图形；
定义一个参考点于所述版图；
获取所有图形模块中的待量测图形相对于所述参考点的位置信息。
优选的，定义一个参考点于所述版图的具体步骤包括：
获取目标曝光区域的位置信息，所述目标曝光区域包括多个待量测图形；
定义一个参考点于所述目标曝光区域内。
优选的，定义一个参考点于所述目标曝光区域内的具体步骤包括：
定义一个参考点于所述目标曝光区域的边缘。
优选的，获取所有图形模块中的待量测图形相对于所述参考点的位置信息的具体步骤包括：
获取待量测图形在所述版图的位置信息；
计算所述待量测图形相对于所述参考点的坐标，所述待量测图形相对于所述参考点的坐标是根据所述参考点在所述版图中的位置信息与所述待量测图形在所述版图中的位置信息计算得到的。
优选的，获取待量测图形在所述版图中的位置信息的具体步骤包括：
获取所述待量测图形所在的目标图形模块在所述版图中的位置信息、以及所述待量测图形相对于所述目标图形模块的位置信息；
计算所述待量测图形在所述版图的位置信息，所述待量测图形在所述版图的位置信息是根据所述待量测图形所在的目标图形模块在所述版图的位置信息、以及所述待量测图形相对于所述目标图形模块的位置信息计算得到的。
为了解决上述问题，本发明还提供了一种OPC数据收集装置，包括：
定义模块，用于在版图定义一个参考点，所述版图中包括多个图形模块，每个图形模块中包括多个图形；
获取模块，连接定义模块，用于获取所有图形模块中的待量测图形相对于所述参考点的位置信息。
优选的，所述定义模块包括：
处理单元，用于获取目标曝光区域的位置信息，所述目标曝光区域包括多个待量测图形；
定义单元，连接所述处理单元，用于在所述目标曝光区域内定义一个参考点。
优选的，所述参考点位于所述目标曝光区域的边缘。
优选的，所述获取模块包括：
获取单元，用于获取待量测图形在所述版图的位置信息；
计算单元，连接所述获取单元，用于根据所述参考点在所述版图的位置信息与所述待量测图形在所述版图的位置信息计算所述待量测图形相对于所述参考点的坐标。
优选的，所述获取单元用于获取所述待量测图形所在的目标图形模块在所述版图的位置信息、以及所述待量测图形相对于所述目标图形模块的位置信息，并根据所述待量测图形所在的目标图形模块在所述版图中的位置信息、以及所述待量测图形相对于所述目标图形模块的位置信息计算所述待量测图形在所述版图的位置信息。
本发明提供的OPC数据收集方法及OPC数据收集装置，通过在晶圆表面定义且仅定义一个参考点，所述晶圆表面上所有图形模块中待量测图形的位置信息都是根据该参考点的位置计算得到的。相较于传统的针对每个图形模块定义一个原点的方式，本发明大大提高了待量测图形位置计算的效率，简化了OPC数据收集方式，缩短了OPC数据收集时间。
附图说明
附图1是本发明具体实施方式中OPC数据收集方法流程图；
附图2是本发明具体实施方式中一版图的结构示意图；
附图3是附图2中虚线圈内的图形模块的放大结构示意图；
附图4是本发明具体实施方式中OPC数据收集装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的OPC数据收集方法及OPC数据收集装置的具体实施方式做详细说明。
本具体实施方式提供了一种OPC数据收集方法，附图1是本发明具体实施方式中OPC数据收集方法流程图。如图1所示，本具体实施方式提供的OPC数据收集方法，包括如下步骤：
步骤S11，提供一版图20，所述版图20中包括多个图形模块21，每个图形模块21中包括多个图形211。附图2是本发明具体实施方式中一版图的结构示意图，附图3是附图2中虚线圈内的图形模块的放大结构示意图。所述版图20，是指与晶圆上待制作的半导体器件结构对应的几何图形组合。在OPC校正过程中，通过采用所述版图20进行曝光，以在晶圆表面获得曝光后的图形；然后通过比较晶圆上的图形与所述版图20上的图形之间的差异，建立邻近校正模型。如图2、3所示，所述版图20中包括多个重复的图形模块21，而每一图形模块21中又包括多个图形211。
步骤S12，定义一个参考点于所述版图20。与传统的OPC数据获取方式不同，本具体实施方式在收集OPC数据的过程中，针对整个版图20，只定义一个参考点O。例如，在图2中，可以将参考点O的坐标设为(x0，y0)。
步骤S13，获取所有图形模块21中的待量测图形相对于所述参考点O的位置信息。
由于在OPC校正过程中，采用光刻工艺将版图上的图形转移到晶圆上时，各图形之间、各图形模块之间的相对位置关系是不会发生改变的，之所以要对一些特定的图形进行量测，是因为在所述晶圆表面采用光刻胶曝光的过程中，由于光的干涉或者衍射现象，使得晶圆表面形成的图形与所述版图上的图形之间存在一定的偏差，通过对具有偏差的图形形状进行量测，来建立模型模拟这种偏差。要实现对所述晶圆表面形成的图形进行量测，首先需要获取该待量测图形在所述晶圆表面的位置，而由于光刻过程不会改变各图形以及各图形模块之间的相对位置关系，只要获取待量测图形在版图上的位置，即可相应得到待量测图形在晶圆表面的位置。
现有技术中，对于每个重复的图形模块分别设置原点，然后计算与每个原点对应的图形模块中待量测图形的坐标，导致计算量较大，降低了OPC校正的效率。在本具体实施方式的版图中仅定义了一个参考点，所有待量测图形的坐标都是根据这一个参考点计算出来的，无需重复定义原点，极大的提高了OPC数据的收集效率。
为了简化计算步骤，优选的，获取所有图形模块21中的待量测图形相对于所述参考点O的位置信息的具体步骤包括：
(S13-1)获取待量测图形在所述版图20中的位置信息；
(S13-2)计算所述待量测图形相对于所述参考点O的坐标，所述待量测图形相对于所述参考点O的坐标是根据所述参考点O在所述版图20中的位置信息与所述待量测图形在所述版图20中的位置信息计算得到的。
更优选的，获取待量测图形在所述版图20中的位置信息的具体步骤包括：
(S13-1-1)获取所述待量测图形所在的目标图形模块在所述版图中的位置信息、以及所述待量测图形相对于所述目标图形模块的位置信息；
(S13-1-2)计算所述待量测图形在所述版图20的位置信息，所述待量测图形在所述版图20的位置信息是根据所述待量测图形所在的目标图形模块在所述版图20的位置信息、以及所述待量测图形相对于所述目标图形模块的位置信息计算得到的。
举例来说，如图2、3所示，在所述版图20中的一个图形模块21的边缘定义所述参考点O的坐标为(x0，y0)，由于所述版图20中各个图形模块之间的相对位置关系在版图设计时已经确定，因此，可以得到图中A点的坐标为(x0+x1，y0+2y1)；同时，由于每个图形模块内的多个图形211之间的相对位置关系在版图设计时也已经确定，因此，可以得到图中图形B的坐标为(x0+x1+x2，y0+2y1+y2)，以及图中图形C的坐标为(x0+x1+x3，y0+2y1+y3)。
另外，由于所述版图20中的若干个所述图形模块21的内部结构相同，即每一所述图形模块21为一重复结构单元，所述版图20包括呈阵列排布的若干个重复结构单元。因而，采用本具体实施方式提供的方法，只需计算一个所述图形模块21内待量测图形相对于所述参考点O的位置信息，根据各图形模块之间的相对位置关系，即可得到其他图形模块中与所述待量测图形位置相对应的图形相对于所述参考点O的位置信息，从而进一步提高了OPC数据收集时间。例如：在所述图形模块21中计算得到图形B的坐标后，根据所述版图20中图形模块21与图形模块22之间的相对位置关系，即可快速得到所述图形模块22内与图形B在图形模块21内的相对位置相同的图形相对于所述参考点O的位置信息。
本具体实施方式中，所述参考点在所述版图中的具体位置，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，本具体实施方式对此不作限定。优选的，定义一个参考点于所述版图的具体步骤包括：
(S12-1)获取目标曝光区域的位置信息，所述目标曝光区域包括多个待量测图形；
(S12-2)定义一个参考点O于所述目标曝光区域内。
由于在OPC校正过程中，用户可以根据需要在量测仪器中预先设定易发生光学邻近效应的区域，即所述目标曝光区域，所述目标曝光区域可能位于所述晶圆的边缘、或者中间。虽然相对于整个晶圆来说，目标曝光区域的设置可以减少OPC数据获取的范围，但是，所述目标曝光区域中仍然包括多个图形模块。本具体实施方式将参考点设置于所述目标曝光区域内，能够进一步减少计算量，提高OPC数据收集的效率。
具体来说，在图形量测开始后，首先根据预先设置于所述晶圆表面的标识确定所述目标曝光区域的位置；然后，在所述版图20中与所述目标曝光区域的位置对应的区域内设置所述参考点O。
更优选的，定义一个参考点于所述目标曝光区域内的具体步骤包括：定义一个参考点于所述目标曝光区域的边缘。这样，在量测过程中，根据所述目标曝光区域的位置，可以快速找到参考点的位置，进而快速获取待量测图形相对于参考点的坐标。
为了进一步提高OPC数据获取效率，优选的，以所述版图20中的一图形211作为所述参考点。这样，一方面无需另外定义参考点，简化OPC数据获取步骤；另一方面，由于所述版图20中各图形之间的相对位置在版图设计时已确定，以一图形作为参考点，可以进一步简化待量测图形坐标的计算步骤。
为了解决上述问题，本具体实施方式还提供了一种OPC数据收集装置，附图4是本发明具体实施方式中OPC数据收集装置的结构示意图，本具体实施方式中的版图以及图形模块的结构示意图参考图2、3。如图2、3、4所示，本具体实施方式提供的OPC数据收集装置，包括定义模块41和获取模块42。
所述定义模块41，用于在版20定义一个参考点O，所述版图20中包括多个图形模块21，每个图形模块21中包括多个图形211；所述获取模块42，连接定义模块41，用于获取所有图形模块21中的待量测图形相对于所述参考点O的位置信息。
优选的，所述定义模块41包括：处理单元411，用于获取目标曝光区域的位置信息，所述目标曝光区域包括多个待量测图形；定义单元412，连接所述处理单元411，用于在所述目标曝光区域内定义一个参考点。更优选的，所述参考点位于所述目标曝光区域的边缘。
优选的，所述获取模块42包括：获取单元421，用于获取待量测图形在所述版图的位置信息；计算单元422，连接所述获取单元421，用于根据所述参考点O在所述版图20的位置信息与所述待量测图形在所述版图的位置信息计算所述待量测图形相对于所述参考点O的坐标。更优选的，所述获取单元421用于获取所述待量测图形所在的目标图形模块在所述版图20的位置信息、以及所述待量测图形相对于所述目标图形模块的位置信息，并根据所述待量测图形所在的目标图形模块在所述版图中的位置信息、以及所述待量测图形相对于所述目标图形模块的位置信息计算所述待量测图形在所述版图20的位置信息。
本具体实施方式提供的OPC数据收集方法及OPC数据收集装置，通过在晶圆表面定义且仅定义一个参考点，所述晶圆表面上所有图形模块中待量测图形的位置信息都是根据该参考点的位置计算得到的。相较于传统的针对每个图形模块定义一个原点的方式，本发明大大提高了待量测图形位置计算的效率，简化了OPC数据收集方式，缩短了OPC数据收集时间。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。