像素结构的制作方法

本发明涉及一种像素结构。

背景技术：

随着消费性电子及通信产品的发展，液晶显示器(liquidcrystaldisplay，lcd)已广泛地应用于液晶电视、笔记本电脑、台式电脑，以及智能手机(smartphone)等产品。但随着液晶显示器的像素分辨率不断提升的发展，各像素单元的尺寸必须愈来愈小。目前仍有受限于工艺极限与元件的配置设计相关的议题需要克服。

技术实现要素：

本发明涉及一种像素结构，其可具有较高的开口率。

根据本发明的一实施例，提出一种像素结构，其包括第一像素、第二像素、数据线及黑矩阵层。第一像素包括第一色阻。第二像素包括第二色阻。第一色阻与第二色阻排列在第一方向上。数据线包括延伸在第二方向上的第一线段与第二线段。第一方向与第二方向彼此交错。黑矩阵层包括第一黑部件。第一黑部件与第一线段重叠，且未与第二线段重叠。第一色阻与第二色阻彼此堆叠以形成交叠区域。交叠区域重叠于第二线段上，而设置于第一黑部件上的第一色阻与第二色阻彼此不交叠。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合说明书附图详细说明如下：

附图说明

图1是依照本发明的一实施例的像素结构的主动元件阵列基板的示意图。

图2是依照本发明的一实施例的像素结构的彩色滤光基板的示意图。

图3是依照本发明的一实施例的像素结构的剖面图。

图4示出依照本发明的一实施例的像素结构的色阻、黑矩阵层与数据线的配置示意图。

图5是依照本发明的另一实施例的像素结构的彩色滤光基板的示意图。

图6示出依照本发明的另一实施例的像素结构的色阻、黑矩阵层与数据线的配置示意图。

图7是依照本发明的另一实施例的像素结构的剖面图。

图8示出依照本发明的再一实施例的像素结构的剖面图。

图9示出依照本发明的再一实施例的像素结构的剖面图。

图10示出依照本发明的再一实施例的像素结构的剖面图。

图11显示一实施例中彩色滤光基板在第一黑部件附近的剖面图。

图12显示一实施例中彩色滤光基板在第二黑部件附近的剖面图。

附图标记说明：

102、202、302、402、502：像素结构

104、304、404、504：主动元件阵列基板

106、206：彩色滤光基板

cl1、cl2：信号线

112：第一基板

114：第一绝缘层

116：第二绝缘层

118：第二基板

120：电极层

bl、bl'：黑色材料层

bm、bm'、bm”：黑矩阵层

bm1、bm1’：第一黑部件

bm2、bm2'、bm2a：第二黑部件

bmk：遮光干部

bm1ts1、bm2ts2：上表面

bmw1、bmw2：尺寸

ce1：第一共通电极

ce2：第二共通电极

cee1：第一共通电极元件

cee2：第二共通电极元件

ce1s1、ce2s2：侧边

ces：共通电极线

cf1：第一色阻

cf2：第二色阻

cf3：第三色阻

cf4：第四色阻

ch1：第一通道层

ch2：第二通道层

ch3：第三通道层

d1：第一方向

d2：第二方向

d3：垂直投影方向

de1：第一漏极

de2：第二漏极

de3：第三漏极

dl、dl1、dl2：数据线

dlp1：第一线段

dlp2：第二线段

dls1、dls3、bm1s1、bm2s1、bmks1：第一侧边

dls2、dls4、bm1s2、bm2s2、bmks2：第二侧边

bm1s3：第三侧边

bmw1、bmw2、dlw1、dlw2：尺寸

lc：显示介质

g1：第一栅极

g2：第二栅极

g3：第三栅极

p1：第一像素

p2：第二像素

p3：第三像素

p4：第四像素

ov：交叠区域

q：间距

pe1：第一像素电极

pe2：第二像素电极

pe3：第三像素电极

pe4：第四像素电极

ps：间隔元件

se1：第一源极

se2：第二源极

se3：第三源极

sl：扫描线

sp1、sp1'：第一子像素

sp2、sp2'：第二子像素

sp3、sp3'：第三子像素

sp4、sp4'：第四子像素

t1：第一开关元件

t2：第二开关元件

t3：第三开关元件

t4：第四开关元件

t5：第五开关元件

t6：第六开关元件

v1、v2、v3、v4：接触窗

具体实施方式

在下文中将参照附图更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例，而不脱离本发明的构思或范围。

本文参考作为理想化实施例的示意图的截面图来描述示例性实施例。因此，可以预期到作为例如制造技术及/或公差的结果的图示的形状变化。因此，本文所述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙及/或非线性特征。此外，所示的锐角可以是圆的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不是旨在示出区域的精确形状，并且不是旨在限制权利要求的范围。

以下是以一些实施例做说明。须注意的是，本公开并非显示出所有可能的实施例，未于本公开提出的其他实施方式也可能可以应用。再者，附图上的尺寸比例并非按照实际产品等比例绘制。因此，说明书和图示内容仅作叙述实施例之用，而非作为限缩本公开保护范围之用。另外，实施例中的叙述，例如细节结构、工艺步骤和材料应用等等，仅为举例说明之用，并非对本公开欲保护的范围做限缩。实施例的步骤和结构各的细节可在不脱离本公开的构思和范围内根据实际应用工艺的需要而加以变化与修饰。以下是以相同/类似的符号表示相同/类似的元件做说明。

请参照图1至图4。图1为依照本发明的一实施例的像素结构的主动元件阵列基板的示意图。图2为像素结构的彩色滤光基板的示意图。图3为像素结构的剖面图。图4示出像素结构的色阻、黑矩阵层与数据线的配置示意图。图3可对应图1、图2与图4的结构中的ab剖面线区域。为求简单了解，图2与图4中是以透视第二基板的方式呈现在其下方的元件配置。

请参照图1至图4。像素结构102可包括多个像素，例如包括第一像素p1、第二像素p2、第三像素p3及第四像素p4。第一像素p1及第二像素p2排列在第一方向d1上。第三像素p3及第四像素p4排列在第一方向d1上。第一像素p1及第三像素p3排列在第二方向d2上。第二像素p2及第四像素p4排列在第二方向d2上。第一方向d1与第二方向d2彼此交错。一实施例中，第一方向d1是实质上垂直第二方向d2。例如第一方向d1为x方向，且第二方向d2为y方向。第一像素p1包括排列在第二方向d2上的第一子像素sp1与第二子像素sp2。第二像素p2包括排列在第二方向d2上的第三子像素sp3与第四子像素sp4。第三像素p3包括排列在第二方向d2上的第一子像素sp1'与第二子像素sp2'。第四像素p4包括排列在第二方向d2上的第三子像素sp3'与第四子像素sp4'。

请参照图1。第一像素p1包括第一子像素sp1、第二子像素sp2、第一开关元件t1、第二开关元件t2以及第三开关元件t3。第一子像素sp1包括第一像素电极pe1。第二子像素sp2包括第二像素电极pe2。第二像素p2包括第三子像素sp3、第四子像素sp4、第四开关元件t4、第五开关元件t5以及第六开关元件t6。第三子像素sp3包括第三像素电极pe3。第四子像素sp4包括第四像素电极pe4。第一像素电极pe1、第二像素电极pe2、第三像素电极pe3、第四像素电极pe4可为透明电极层(例如氧化铟锡等)、反射电极层或是半穿透半反射电极层。第一像素电极pe1、第二像素电极pe2、第三像素电极pe3、第四像素电极pe4可设置配向图案(配向狭缝或配向凸起)。

请参照图1与图3。在本实施例中，第一开关元件t1、第二开关元件t2以及第三开关元件t3设置于第一基板112上。第一开关元件t1包含第一栅极g1、第一通道层ch1、第一源极se1与第一漏极de1。第一栅极g1与扫描线sl电性连接，且第一源极se1与数据线dl1电性连接。第二开关元件t2包含第二栅极g2、第二通道层ch2、第二源极se2与第二漏极de2。第二栅极g2与扫描线sl电性连接，且第二源极se2通过第一源极se1与数据线dl1电性连接。第一通道层ch1与第二通道层ch2可为同一半导体图案。第三开关元件t3包含第三栅极g3、第三通道层ch3、第三源极se3与第三漏极de3。第三栅极g3与扫描线sl电性连接，第三源极se3与第二漏极de2连接，且第三漏极de3与信号线cl1电性连接。同样的，在本实施例中，第四开关元件t4、第五开关元件t5以及第六开关元件t6设置于第一基板112上。第四开关元件t4电性连接于扫描线sl与数据线dl2。第五开关元件t5电性连接于扫描线sl与数据线dl2。第六开关元件t6电性连接于扫描线sl与信号线cl2。再者，关于第四开关元件t4、第五开关元件t5或第六开关元件t6的细节结构类似于前述的第一开关元件t1、第二开关元件t2或第三开关元件t3，在此不再赘述。在本实施例中，扫描线sl沿第一方向d1延伸；数据线dl1、dl2沿第二方向d2延伸；信号线cl1、cl2沿第二方向d2延伸。扫描线sl与数据线dl1、dl2彼此交错；扫描线sl与信号线cl1、cl2彼此交错。

在本实施例中，第一像素电极pe1通过接触窗v1与第一开关元件t1的第一漏极de1电性连接。第二像素电极pe2通过接触窗v2与第二开关元件t2的第二漏极de2电性连接。第三像素电极pe3通过接触窗v3与第三开关元件t3电性连接。第四像素电极pe4通过接触窗v4与第四开关元件t4电性连接。

请再参照图1，第一像素p1还包括第一共通电极ce1。第二像素p2还包括第二共通电极ce2。第一共通电极ce1沿第二方向d2延伸，第二共通电极ce2沿第二方向d2延伸。第一共通电极ce1与第二共通电极ce2电性连接于共通电极线ces，其中共通电极线ces沿第一方向d1延伸。在本实施例中，第一共通电极ce1、第二共通电极ce2与共通电极线ces电性连接到第一电压，信号线cl1、cl2电性连接到第二电压。在一实施例中，第一电压可不同于第二电压，借此像素结构的穿透率可以大幅提升。

在本实施例中，第一共通电极ce1与第一像素电极pe1在垂直投影方向d3(例如z方向)上部分重叠；第一共通电极ce1并未延伸至第二子像素sp2，第一共通电极ce1在垂直投影方向d3上并未与第二像素电极pe2重叠，亦即第二子像素sp2并不具有共通电极。第二共通电极ce2与第三像素电极pe3在垂直投影方向d3(例如z方向)上部分重叠；第二共通电极ce2并未延伸至第四子像素sp4，第二共通电极ce2在垂直投影方向d3上并未与第四像素电极pe4重叠，亦即第四子像素sp4并不具有共通电极。

数据线dl1包括延伸在第二方向d2上的第一线段dlp1与第二线段dlp2。第一线段dlp1在第一像素电极pe1及第三像素电极pe3之间。第二线段dlp2在第二像素电极pe2及第四像素电极pe4之间。第一共通电极ce1与第二共通电极ce2分别设置于第一线段dlp1的相对的第一侧边dls1与第二侧边dls2。

请参照图2，在一实施例中，彩色滤光基板106可包括黑矩阵层bm及色阻。色阻例如第一像素p1的第一色阻cf1、第二像素p2的第二色阻cf2、第三像素p3的第三色阻cf3、第四像素p4的第四色阻cf4等。第一色阻cf1与第二色阻cf2排列在第一方向d1上。黑矩阵层bm包括遮光干部bmk以及第一黑部件bm1。遮光干部bmk延伸在第一方向d1上。遮光干部bmk包括相对的第一侧边bmks1与第二侧边bmks2。第一黑部件bm1从遮光干部bmk的第一侧边bmks1延伸在第二方向d2上。第一黑部件bm1包括第一侧边bm1s1、第二侧边bm1s2与第三侧边bm1s3，第三侧边bm1s3在相对的第一侧边bm1s1与第二侧边bm1s2之间。第一色阻cf1在第一黑部件bm1的第一侧边bm1s1。第二色阻cf2在第一黑部件bm1的第二侧边bm1s2。第一色阻cf1与第二色阻cf2在垂直投影方向d3上与第一黑部件bm1重叠的部分是以一间距q彼此隔开。在本实施例中，第一色阻cf1与第二色阻cf2是在遮光干部bmk的第二侧边bmks2侧彼此堆叠以形成交叠区域ov，但不以此为限，第一色阻cf1与第二色阻cf2是在遮光干部bmk的第二侧边bmks2侧彼此也可以彼此不堆叠。第一色阻cf1、第二色阻cf2、第三色阻cf3与第四色阻cf4可包括不同颜色的色阻。在一实施例中，第一色阻cf1与第三色阻cf3为相同颜色的色阻，第二色阻cf2与第四色阻cf4为相同颜色的色阻。例如但不限于，第一色阻cf1与第三色阻cf3为绿色色阻，第二色阻cf2与第四色阻cf4为蓝色色阻。

请参照图3。主动元件阵列基板104包括第一基板112。第一基板112包括但不限于玻璃基板。第一共通电极元件cee1(包括共通电极线ces、第一共通电极ce1及第二共通电极ce2)、扫描线sl、第二共通电极元件cee2设置在第一基板112上。一实施例中，第一共通电极元件cee1、扫描线sl、第二共通电极元件cee2可包括相同的导电材料，或可利用相同工艺同时形成，例如为第一金属层。第一绝缘层114设置在第一共通电极元件cee1、扫描线sl、第二共通电极元件cee2上。通道层，例如第二通道层ch2，可设置在第一绝缘层114上。第二源极se2与第二漏极de2可设置在第二通道层ch2上。数据线dl(例如包含数据线dl1、dl2)可设置在第一绝缘层114上。在一实施例中，数据线dl、第二源极se2与第二漏极de2可包括相同的导电材料，或可利用相同工艺同时形成，例如为第二金属层。第二绝缘层116可设置在第一绝缘层114、数据线dl、第二源极se2与第二漏极de2上。像素电极可设置在第二绝缘层116上。例如第一像素p1的第一像素电极pe1和第二像素电极pe2以及第二像素p2的第三像素电极pe3和第四像素电极pe4等设置在第二绝缘层116上。

请参照图3，彩色滤光基板106包括第二基板118。第二基板118包括但不限于玻璃基板。黑矩阵层bm与色阻(第一色阻cf1和第二色阻cf2)设置在第二基板118上。例如黑矩阵层bm的遮光干部bmk与第一黑部件bm1设置在第二基板118上。第一黑部件bm1可包括上表面bm1ts1。上表面bm1ts1在第一侧边bm1s1与第二侧边bm1s2之间。上表面bm1ts1可为平坦表面。第一色阻cf1堆叠在第一黑部件bm1的第一侧边bm1s1与上表面bm1ts1。第二色阻cf2堆叠在第一黑部件bm1的第二侧边bm1s2与上表面bm1ts1。堆叠在第一黑部件bm1的上表面bm1ts1的第一色阻cf1与第二色阻cf2是彼此不交叠，并以间距q彼此隔开。电极层120可设置在黑矩阵层bm与色阻上。电极层120可为透明电极层(例如氧化铟锡等)。

请参照图3，主动元件阵列基板104与彩色滤光基板106是相对设置，且显示介质lc设置在主动元件阵列基板104与彩色滤光基板106之间。显示介质lc包括液晶层。间隔元件ps可设置在主动元件阵列基板104与彩色滤光基板106之间，用以隔开主动元件阵列基板104与彩色滤光基板106。于此，垂直投影方向d3可为垂直于第一基板112或第二基板118的表面的方向。

请参照图3，第一共通电极ce1与第二共通电极ce2是在垂直投影方向d3上与第一黑部件bm1重叠。第一黑部件bm1与第一共通电极ce1可在垂直投影方向d3上部分重叠第一像素电极pe1。第一黑部件bm1与第二共通电极ce2可在垂直投影方向d3上部分重叠第三像素电极pe3。第一黑部件bm1的第一侧边bm1s1可对准第一共通电极ce1的远离第一线段dlp1的侧边ce1s1。第一黑部件bm1的第二侧边bm1s2可对准第二共通电极ce2的远离第一线段dlp1的侧边ce2s2。遮光干部bmk可遮蔽薄膜晶体管，例如包括第一开关元件t1(图1)、第二开关元件t2、与第三开关元件t3(图1)。

请参照图3，第一黑部件bm1在第一方向d1上的尺寸bmw1(例如宽度)大于第一线段dlp1在第一方向d1上的尺寸dlw1(例如宽度)。在一实施例中，第一线段dlp1在第一方向d1上的尺寸dlw1(例如宽度)与第二线段dlp2在第一方向d1上的尺寸dlw2(例如宽度)可实质上相同。亦即第一黑部件bm1在第一方向d1上的尺寸bmw1(例如宽度)大于第二线段dlp2在第一方向d1上的尺寸dlw2(例如宽度)。

请参照图3与图4，第一黑部件bm1与数据线dl1的第一线段dlp1在垂直投影方向d3上重叠，且未与数据线dl1的第二线段dlp2重叠。第一黑部件bm1的第一侧边bm1s1与第二侧边bm1s2分别在第一线段dlp1的第一侧边dls1与第二侧边dls2的外侧。此实施例中，数据线dl1的第二线段dlp2在垂直投影方向d3上并未与黑矩阵层bm重叠。第一色阻cf1与第二色阻cf2的交叠区域ov与数据线dl1的第二线段dlp2在垂直投影方向d3上是至少部分重叠。

在实施例的像素结构102中，第二子像素sp2的第二像素电极pe2及第四子像素sp4的第四像素电极pe4之间并未配置黑矩阵层。一比较例中，黑矩阵层(未显示)包括设置在第二子像素sp2的第二像素电极pe2及第四子像素sp4的第四像素电极pe4之间的一黑矩阵部分，且此黑矩阵部分与第一黑部件bm1皆等宽，造成大面积的遮蔽范围。因此跟比较例的像素结构相比，本发明的实施例的像素结构102可具有较高的开口率。

请参照图5至图7。图5为根据另一实施例的像素结构的彩色滤光基板的示意图。图6示出像素结构的色阻、黑矩阵层与数据线的配置示意图。图7为像素结构的剖面图，其可沿图5、图6中的cd线绘制。像素结构202的主动元件阵列基板104可类似图1所示的主动元件阵列基板104。像素结构202与图3所示的像素结构102类似，差异在于像素结构202的彩色滤光基板206的黑矩阵层bm'还包括第二黑部件bm2。

请参照图5与图6，遮光干部bmk可连接在第二黑部件bm2与第一黑部件bm1之间。第二黑部件bm2可从遮光干部bmk的第二侧边bmks2沿第二方向d2延伸。第二黑部件bm2包括相对的第一侧边bm2s1与第二侧边bm2s2。

请参照图7，第二黑部件bm2设置在第二基板118上。第二黑部件bm2可包括上表面bm2ts2。上表面bm2ts2在第一侧边bm2s1与第二侧边bm2s2之间。上表面bm2ts2可为平坦表面。第一色阻cf1堆叠在第二黑部件bm2的第一侧边bm2s1与上表面bm2ts2。第二色阻cf2堆叠在第二黑部件bm2的第二侧边bm2s2与上表面bm2ts2。第一色阻cf1与第二色阻cf2是在第二黑部件bm2的上表面bm2ts2上彼此堆叠以形成交叠区域ov。第二黑部件bm2在垂直投影方向d3上不重叠第一共通电极ce1及第二共通电极ce2。第一黑部件bm1在第一方向d1上的尺寸bmw1(例如宽度)大于第二黑部件bm2在第一方向d1上的尺寸bmw2(例如宽度)。第二黑部件bm2在第一方向d1上的尺寸bmw2(例如宽度)是等于或小于第二线段dlp2在第一方向d1上的尺寸dlw2(例如宽度)。

请参照图6与图7，第二黑部件bm2与数据线dl1的第二线段dlp2在垂直投影方向d3上重叠，且第二黑部件bm2与第一色阻cf1及第二色阻cf2的交叠区域ov重叠。第二线段dlp2具有相对的第一侧边dls3与第二侧边dls4。在一实施例中，第二线段dlp2的第一侧边dls3是对准第二黑部件bm2的第一侧边bm2s1。或者，第二线段dlp2的第一侧边dls3在第二黑部件bm2的第一侧边bm2s1外侧，亦即第二线段dlp2的第一侧边dls3在垂直投影方向d3上未重叠第二黑部件bm2。第二线段dlp2的第二侧边dls4是对准第二黑部件bm2的第二侧边bm2s2。或者，第二线段dlp2的第二侧边dls4在第二黑部件bm2的第二侧边bm2s2外侧，亦即第二线段dlp2的第二侧边dls4在垂直投影方向d3上并未重叠第二黑部件bm2。第一色阻cf1与第二色阻cf2的交叠区域ov与数据线dl1的第二线段dlp2在垂直投影方向d3上是至少部分重叠。在本实施例中，第二黑部件bm2在垂直投影方向d3上与第二子像素sp2的第二像素电极pe2以及第四子像素sp4的第四像素电极pe4部分重叠。

在实施例的像素结构202中，黑矩阵层bm'其设置在第二子像素sp2的第二像素电极pe2及第四子像素sp4的第四像素电极pe4之间的第二黑部件bm2的宽度较第一黑部件bm1窄。一比较例中，黑矩阵层(未显示)其设置在两相邻的子像素之间的黑矩阵部分皆等宽，造成大面积的遮蔽范围。因此跟比较例的像素结构相比，本发明的实施例的像素结构202可具有较高的开口率，例如至少提高开口率5％以上。

请参照图8。图8为像素结构302的剖面图。像素结构302可类似图7所示的像素结构202，差异在于像素结构302的主动元件阵列基板304包括黑色材料层bl。黑色材料层bl可设置在第一绝缘层114之上，覆盖于第二开关元件t2上。第二绝缘层116可设置在黑色材料层bl上。在一实施例中，黑色材料层bl的概念亦可应用至例如图3所示的像素结构102中。

请参照图9。图9为像素结构402的剖面图。像素结构402可类似图8所示的像素结构302，差异在于像素结构402的主动元件阵列基板404的黑色材料层bl'包含图8中黑色材料层bl的遮光作用以及图8中间隔元件ps的作用。一实施例中，黑色材料层bl'的概念亦可应用至例如图3所示的像素结构中。

请参照图10。图10为像素结构502的剖面图。像素结构502可类似图7所示的像素结构202，差异在于像素结构502的主动元件阵列基板504中，黑矩阵层bm”的第二黑部件bm2a在垂直投影方向d3上未与第二子像素sp2的第二像素电极pe2以及第四子像素sp4的第四像素电极pe4重叠。更详而言之，第二黑部件bm2a及/或数据线dl1的第二线段dlp2在垂直投影方向d3上未与第二像素电极pe2以及第四像素电极pe4重叠。此概念亦可例如应用至类似图7、图8、图9的像素结构。

请参照图11。图11显示一实施例中彩色滤光基板在第一黑部件bm1’附近的剖面图。第一黑部件bm1’的第一侧边bm1s1与第二侧边bm1s2可为倾斜的侧壁，且第一黑部件bm1’具有往远离第二基板118的方向逐渐变窄的梯形形状。第一黑部件bm1’的相对边缘可分别为第一侧边bm1s1与第二侧边bm1s2邻接第二基板118的边缘。在一实施例中，第一黑部件bm1’的相对边缘对于其它元件的配置关系可类似如图3、图7、图10中所述第一黑部件bm1的第一侧边bm1s1与第二侧边bm1s2对于其它元件的配置关系。

请参照图12。图12显示一实施例中彩色滤光基板在第二黑部件bm2'附近的剖面图。第二黑部件bm2'的第一侧边bm2s1与第二侧边bm2s2可为倾斜的侧壁，且第二黑部件bm2'具有往远离第二基板118的方向逐渐变窄的梯形形状。第二黑部件bm2'的相对边缘可分别为第一侧边bm2s1与第二侧边bm2s2邻接第二基板118。在一实施例中，第二黑部件bm2'的相对边缘对于其它元件的配置关系可类似如图7中所述第二黑部件bm2的第一侧边bm2s1与第二侧边bm2s2对于其它元件的配置关系。例如当以第二黑部件bm2'取代第二黑部件bm2时，第二黑部件bm2'的相对两边缘是实质上分别对准第二线段dlp2的第一侧边dls3与第二侧边dls4。

综上所述，本发明的实施例的像素结构中，第二子像素的第二像素电极及第四子像素的第四像素电极之间并未配置黑矩阵层；或者，黑矩阵层具有第二黑部件设置于第二子像素的第二像素电极及第四子像素的第四像素电极之间，且第二黑部件的宽度比设置在第一子像素的第一像素电极及第三子像素的第三像素电极之间的第一黑部件窄。因此，本发明的实施例的像素结构可具有较高的开口率。

综上所述，虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的构思和范围内，当可作各种的变动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。