一种显示面板的制作方法

本申请适用于显示设备技术领域，更具体地说，是涉及一种显示面板。

背景技术：

va(verticalalignment，垂直配向)显示以其宽视角、高对比度和无须摩擦配向等优势，成为显示设备用tft-lcd(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，薄膜晶体管液晶显示器)的常见显示模式。

为了提高va型显示器的视角，会设计一种8domain(畴)的画素结构，分mainpixel(主画素)和subpixel(子画素)。通常采用三颗tft(thinfilmtransistor，薄膜晶体管)的结构设计，通过第三颗tft将tft基板的子画素上的部分电荷释放到array(阵列)侧的走线上，从而实现8畴结构，进而提高显示器的良率。在上述电荷的转移设计中，需要将第三颗tft的漏极与array侧的第一层金属(metal1)相连以形成通路。目前，往往采用深浅孔来实现电性连通。深浅孔由于地形高低的差异，通常会影响讯号的导通性，从而影响显示面板的良率和信赖性。

申请内容

本申请的一个目的在于提供一种显示面板，包括但不限于改良基板制程、提升显示面板良率。

为实现上述目的，本申请采用的技术方案是：提供一种显示面板，包括：

第一基板，包括扫描线、数据线、第一主动开关和多个画素，各所述画素包括主画素电极和子画素电极，各所述画素的两侧分别设有所述数据线，所述扫描线与各所述数据线垂直不相交，所述主画素电极设于所述扫描线的一侧，所述子画素电极设于所述扫描线的另一侧；

第二基板，与所述第一基板相对设置，设有第二公共电极；

间隔物，设于所述第二基板，所述间隔物上设有与所述第二公共电极连接的第一导电层；

其中，所述子画素电极与所述第二公共电极通过所述第一主动开关连接，所述第一基板上于所述第一主动开关的位置处开设有过孔，所述过孔处设有与所述第一主动开关电连接的透明导电层，所述间隔物抵推所述第一导电层与所述透明导电层相连。

在一个实施例中，所述第二基板包括第二基层，所述第二公共电极设于所述第二基层上，所述第二公共电极和所述第一导电层为一体结构。

在一个实施例中，所述第二基层与所述第二公共电极之间设有黑色矩阵。

在一个实施例中，所述黑色矩阵与所述第二公共电极之间设有彩色滤光片。

在一个实施例中，所述第一基板包括第一基层、设于所述第一基层上的第一金属层、设于所述第一金属层上的栅绝缘层、设于所述栅绝缘层上的硅岛层、设于所述硅岛层上的第二金属层和第三金属层，以及钝化层，所述第二金属层和所述第三金属层同层间隔设置，所述钝化层将所述硅岛层、所述第二金属层和所述第三金属层包裹。

在一个实施例中，所述过孔开设于所述钝化层上，所述过孔与所述第二金属层对应设置。

在一个实施例中，所述第一基板还包括第二主动开关和第三主动开关，所述第二主动开关分别与所述子画素电极和所述数据线电性相连，所述第三主动开关分别与所述第二主动开关和所述主画素电极电性相连。

在一个实施例中，所述第二主动开关为呈u形结构的开关；所述第三主动开关为呈u形结构的开关。

在一个实施例中，所述透明导电层和所述主画素电极以及所述子画素电极在同一制程中一次成型。

本申请的另一目的在于提供一种显示面板，包括：

第一基板，包括扫描线、数据线、第一主动开关和多个画素，各所述画素包括主画素电极和子画素电极，各所述画素的两侧分别设有所述数据线，所述扫描线与各所述数据线垂直不相交，所述主画素电极设于所述扫描线的一侧，所述子画素电极设于所述扫描线的另一侧；

第二基板，与所述第一基板相对设置，包括第二基层和设于所述基层上的第二公共电极；

间隔物，设于所述第二基板，所述第二公共电极覆盖所述间隔物；

其中，所述子画素电极与所述第二公共电极通过所述第一主动开关连接，所述第一主动开关包括源极和漏极，所述第一主动开关上设有钝化层，所述钝化层于所述漏极的位置开设有过孔，所述过孔处设有透明导电层，所述间隔物抵推所述第二公共电极与所述透明导电层。

本申请实施例通过在第一基板上于第一主动开关的位置处开设有过孔，过孔处设置有透明导电层，间隔物的一端抵推第一导电层与该透明导电层相连，因此第一主动开关可将信号依次经透明导电层和间隔物传递至第二基板的第二公共电极上，因而无需设置深浅孔，再通过深浅孔实现第一主动开关与公共电极线之间的连接，从而可避免因深浅孔地形高低的差异导致电性连通不良的现象，进而提升显示面板的良率。同时，由于深浅孔通常设置于扫描线和主画素电极之间，占用一定空间，影响开口率。本申请由于取消了深浅孔，进而可节约扫描线和主画素电极之间的占用面积，提升开口率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或对比例技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为对比例提供的显示面板的结构示意图；

图2为图1中深浅孔处的截面示意图；

图3为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的第一主动开关的部分结构示意图；

图5为本申请实施例提供的第一主动开关的截面示意图；

图6为本申请实施例提供的显示面板的电路原理图。

其中，图中各附图主要标记：

1-第一基板；10-透明导电层；100-第一基层；11-第一金属层；12-栅绝缘层；13-硅岛层；14-第二金属层；15-第三金属层；16-钝化层；160-过孔；17-第一主动开关；18-第二主动开关；19-第三主动开关；

2-第二基板；21-第二公共电极；22-黑色矩阵；23-彩色滤光片；24-第二基层；

3-间隔物；31-第一导电层；

4-主画素电极；5-子画素电极；6-扫描线；7-数据线；8-深浅孔；9-第一公共电极。

具体实施方式

为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。

此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

请一并参阅图3至图6，现对本申请实施例提供的显示面板进行说明。该显示面板包括第一基板1、与第一基板1间隔平行设置的第二基板2和设于第一基板1与第二基板2之间的间隔物3。第一基板1包括多条数据线7、多条与数据线7垂直且不相交的扫描线6、以及多个画素，每个画素包括：设于两根数据线7之间且位于扫描线6一侧的子画素电极5、设于两根数据线7之间且位于扫描线6另一侧的主画素电极4，其中，子画素电极5通过第一主动开关17与第二基板2的第二公共电极21电性相连。第一基板1上于第一主动开关17的位置处开设有过孔160，过孔160处设有透明导电层10，间隔物3的一端设有和第二公共电极21连接的第一导电层31，间隔物3的一端抵推该第一导电层31与透明导电层10电性相连，另一端与第二基板2电性相连。

可选地，该过孔160开设在与第一主动开关17的漏极对应的位置处，从而可减少布设的走线长度，增加信号传递效果和效率。在其它实施例中，过孔160也可以设置在其它位置处，如设置在与第一主动开关17的源极对应的位置处等，在此不作唯一限定。

请一并参阅图1和图2对比例提供的显示面板，该显示面板在第一基板1上开设有深浅孔8，该深浅孔8具体开设在扫描线6与主画素电极4之间，第一主动开关17的漏极通过该深浅孔8与第一基板1的第一公共电极9形成电性连接。深浅孔8由于地形高低的差异，对成膜、曝光等制程，还有讯号的导通性都会有一定的影响，从而影响显示面板的良率和信赖性。同时，深浅孔8占用扫描线6和主画素电极4之间的空间，使开口率降低。

本申请实施例通过在第一基板1于第一主动开关17的位置处开设有过孔160，过孔160处设置有透明导电层10，间隔物3的一端抵推第一导电层31与该透明导电层10相连，进而与第二公共电极21相连。因此第一主动开关17的漏极可将信号依次经透明导电层10和间隔物3传递至第二基板2的第二公共电极21上，因而无需设置深浅孔8，再通过深浅孔8将实现第一主动开关17与公共电极线之间的连接，从而可避免因深浅孔8地形高低的差异导致成膜不良、电性连通不良的现象，进而提升显示面板的良率。同时，由于取消了深浅孔8，过孔160不占用扫描线6和主画素电极4之间的空间，而仅对应第一主动开关17的区域，进而提升了开口率。

可选地，上述透明导电层10和主画素电极4以及子画素电极5可以在同一制程中一次成型。

在一个实施例中，请一并参阅图3至图5，作为本申请实施例提供的显示面板的一种具体实施方式，第一导电层31与第二公共电极21一体成型，也就是说，可以将第一导电层31与第二公共电极21统称为第二公共电极。具体地，第一主动开关17的漏极与设置在过孔160中的透明导电层10接触以形成电性连接，透明导电层10与间隔物3的第一导电层31相接触以形成电性连连接，进而与第二公共电极21形成电性连接；第一主动开关17的源极与子画素电极5电性连接，第一导电层31环绕设于间隔物3的外侧壁上。此结构，第一主动开关17的漏极可依次经透明导电层10与第二基板2的第二公共电极21电性连通，第一主动开关17可将信号传递至第二公共电极21上，从而可取消深浅孔8的设计，从而提高产品的良率。

在一个实施例中，请一并参阅图3至图5，作为本申请实施例提供的显示面板的一种具体实施方式，第二基板2包括第二基层24、设置于第二基层24上的黑色矩阵22。此结构，通过在第二基板2上设置黑矩阵，一方面可遮蔽由于扫描线6、数据线7等结构，以及数据线7附近的液晶紊乱而引起出射光不可控的漏光，提高显示图案的色纯度；另一方面，作为显示区与四周机械框架的过渡区以改善视觉效果。

在一个实施例中，请一并参阅图3至图5，作为本申请实施例提供的显示面板的一种具体实施方式，黑色矩阵22与第二公共电极21之间设有彩色滤光片23。具体地，第二基板2可作为cf基板，彩色滤光片23可通过选色通带及显示器的最大输出功率对显示器进行反差增强。通过此结构，可以增加显示面板的色彩效果，进而提高显示器的显示效果。

在一个实施例中，请一并参阅图3至图5，作为本申请实施例提供的显示面板的一种具体实施方式，第一基板1包括第一基层100，设置于第一基层100上的第一金属层11、设于第一金属层11上的栅绝缘层12、设于栅绝缘层12上的硅岛层13、设于硅岛层13上的第二金属层14和第三金属层15，以及设置于第二金属层14、第三金属层15以及裸露的栅绝缘层12上的钝化层16，第二金属层14和第三金属层15同层且间隔设置，钝化层16将硅岛层13、第二金属层14和第三金属层15包覆。其中，第一金属层11用于形成第一公共电极9和扫描线6。第二金属层14和第三金属层15可用于形成第一主动开关17。钝化层16对应第一主动开关17的漏极处开设过孔160。

具体地，第三金属层15可作为第一主动开关17的源极，第二金属层14可作为第一主动开关17的漏极，第二金属层14的宽度大于第三金属层15的宽度。

在一个实施例中，请一并参阅图3至图5，作为本申请实施例提供的显示面板的一种具体实施方式，过孔160开设于钝化层16上，过孔160与第二金属层14对应设置。具体地，通过将过孔160设置在与第二金属层14对应的钝化层16上，由于第二金属层14的宽度大于第三金属层15的宽度，因此可尽量增大过孔160的开设面积，从而增加第一主动开关17与透明导电层10之间的贴合面积，提高信号电荷之间的传递面积和传递速率。此结构，第一主动开关17的漏极可通过过孔160与透明导电层10电性连接，从而可减少漏极走线的长度，减少制程，降低成本。

在一个实施例中，请一并参阅图3至图5，作为本申请实施例提供的显示面板的一种具体实施方式，第一基板1还包括第二主动开关18和第三主动开关19，第一主动开关17、第二主动开关18和第三主动开关19可以在同一制程中成型，具体可以通过对同一金属层进行蚀刻得到。第二主动开关18分别与子画素电极5和数据线7电性相连，第三主动开关19分别与第二主动开关18和主画素电极4电性相连。具体地，第二主动开关18的源极与数据线7电性相连，第二主动开关18的漏极与子画素电极5电性相连；第三主动开关19的源极与第二主动开关18的源极相连，第三主动开关19的漏极与主画素电极4电性相连，第二主动开关18的栅极与所述第三主动开关19的栅极分别与扫描线6电性相连。此结构，通过第一主动开关17、第二主动开关18和第三主动开关19的设计，从而可实现3t画素结构设计，8畴画素的设计可提高va型液晶显示器的视角。

在一个实施例中，请一并参阅图3至图5，作为本申请实施例提供的显示面板的一种具体实施方式，第二主动开关18和第三主动开关19均为呈u形结构的开关。具体地，提高开态电流的方法一般是增加沟道宽度，若采用源漏极对称的tft结构增加沟道宽度，一方面会增加tft所占面积，降低画素开口率；另一方面会增加寄生电容，增大扫描线6和数据线7阻抗的同时影响tft的品质特性。此结构，u型结构的第二主动开关18和第三主动开关19既能增加各自的沟道宽度，又能有效控制各自的面积和寄生电容的大小，从而提高产品的品质。采用u型结构设计，沟道宽度增加一倍，tft面积并没有倍增，关态时的寄生电容也基本保持不变。在其它实施例中，第二主动开关18和第三主动开关19也可以为其它结构开关，在此不作唯一限定。

可选地，透明导电层10和第二公共电极21可以为材料和厚度均相同的导电层，该导电层可选为氧化铟锡(indiumtinoxide，简称ito)层；也可以为材料和厚度均不同的导电层，如各导电层具有不同的厚度、导电率等，在此不作唯一限定。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。