一种暗场掩模板的制作方法

本实用新型涉及微电子工艺领域。更具体地，涉及一种暗场掩模板。

背景技术：

在微电子工艺领域中，通常按照感光材料的不同可以将掩模板分为亮场掩模板和暗场掩模板，亮场掩模板上的图形由不透光区域组成，掩模板大部分区域透光，而暗场掩模板上的图形由透光区域组成，所以掩模板大部分区域被铬层覆盖，而铬层是不透光的，这就容易造成光刻人员在看掩模板光刻时视野很小，无法看清硅片上的图形，从而大大降低了光刻对准效率和精准度，最终导致器件的成品率减小。

在特征尺寸小的情况下，由于暗场掩模板光刻比较困难。图1为现有的光刻对准标记，即一次性通过十字形的对准标记来对准掩模板与晶圆，这种方法虽然可以实现光刻对准，但是对于窄线条暗场掩模板来说，透光区域很小，所以光刻员透过掩模板看到的晶圆片上的区域很小，在晶圆片上找到已做好的十字标记是非常耗时耗力的，而且即使找到也很难精确对准。该对准方法使得光刻生产效率低下，严重影响产率。

因此，需要提供一种高效实现精确对准的暗场掩模板。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种能够解决较小尺寸暗场掩模板光刻时的对准问题的暗场掩模板。

为达到上述目的，本实用新型采用下述技术方案：

一种暗场掩模板，该掩模板包括：

观察区，布置为镂空状，用于透过其观察待光刻晶圆上的图形，并用于寻找待光刻晶圆上的用于粗对准的标识和用于精确对准的标识；

粗对准区，包括用于粗对准的图形，用于粗对准的图形布置为与待光刻晶圆上的、用于粗对准的标识相对应；以及

精确对准区，包括用于精确对准的图形，用于精确对准的图形布置为与待光刻晶圆上的、用于精确对准的标识相对应。

可选地，待光刻晶圆上的、用于粗对准的标识为其它已用于光刻的版图层版号标识，待光刻晶圆上用于精确对准的标识为其它几次光刻时分别形成的十字标记。

可选地，粗对准区中的用于粗对准的图形为镂空的，当进行粗对准时，粗对准区中用于粗对准的图形套在待光刻晶圆上的、用于粗对准的标识上。

可选地，精确对准区中用于精确对准的图形为凸状，当用于精确对准时，精确对准区中的用于精确对准的图形放于待光刻晶圆上的、用于精确对准的标识中。

可选地，粗对准区中的用于粗对准的图形为凸状，当进行粗对准时，粗对准区中用于粗对准的图形放于待刻晶圆上的、用于粗对准的标识中。

可选地，精确对准区中的用于精确对准的图形为镂空的，当进行精确对准时，精确对准区中用于精确对准的图形套在待刻晶圆上的、用于精确对准的标识中。

可选地，当进行精确对准后，精确对准区中包括的与待光刻晶圆上的、用于精确对准的标识相对应的图形距离待光刻晶圆上的、用于精确对准的标识1至2μm。

本实用新型的有益效果如下：

本实用新型所述技术方案能够在使用暗场掩模板进行光刻时，快速找到进行掩模板与晶圆对准的标识，并完成高效精确的对准。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明：

图1为现有技术中用于掩模板的对准标记的实例图；以及

图2为示例性示出本公开的暗场掩模板的示意图。

具体实施方式

为了更清楚地说明本实用新型，下面结合优选实施例和附图对本实用新型做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本实用新型的保护范围。

图2为示例性示出本公开的暗场掩模板10的示意图。

为了表述的清楚，图中省略了暗场掩模板10上用于光刻的图案，仅示意性地示出了用于本公开中的用于对准的版图插花部分。

如图2所示，本公开的暗场掩模板10包括观察区101、粗对准区103和精确对准区105。

其中，观察区101为内部被切割出矩形的图形区，即，观察区101成矩形孔状，用于观察待光刻晶圆上的图形，并用于用户透过观察区101寻找待光刻晶圆上用于粗对准的标识和用于精确对准的标识。

粗对准区103被布置为内嵌与待光刻晶圆上的用于粗对准的标识相对应的图形的矩形区，优选地，待光刻晶圆上用于粗对准的标识可以为其它已用于光刻的版图层版号标识，具体地，该版图层版号标识可以是标示次序的数字，则相应地，暗场掩模板10上光刻对准的粗对准区中的图形也为标示次序的数字。如图2所示，分别用1至5来表示第一至第五此光刻的掩模板。也就是，每次光刻时，相应地在待光刻晶圆上形成该层掩模板的版号标识。在本实施例中，待光刻晶圆上用于粗对准的标识为反相设计，为凸状。将用于光刻的暗场掩模板10上的粗对准区中的与待光刻晶圆上用于粗对准的标识为与之对应的图形状通孔。使得粗对准时，暗场掩模板10上的粗对准区103可以套在待光刻晶圆上的用于粗对准的标识上。

在待光刻晶圆上通过观察区找到粗对准区103是容易地，并且将粗对准区103与待光刻晶圆上用于粗对准的标识套在一起也是容易地，但这样形成的对准并不精确，需要更微小精细的对准标识来进行微调。

在本公开中，精确对准区105为用于微调精确度的对准区域。精确对准区105包括与待光刻晶圆上用于精确对准的标识相对应的图形。精确对准区105可以为反相设计的凸状。与其对应地，在待光刻晶圆上具有形状与精确对准区105中的图形相对应的图形孔。优选地，待光刻晶圆上用于精确对准的图形为其它几次光刻时分别形成的十字标记，也就是，每次光刻时，在待光刻晶圆上增加一个十字标记。相应地，精确对准区105中用于精确对准的图形也为十字标记。在精确对准时，将精确对准区105中的标识放在待光刻晶圆上用于精确对准的标识中。然后对两者之间的相对位置进行微调。示例性地，当待光刻晶圆上用于精确对准的标识为十字标记时，调整暗场掩模板10上精确对准区105中的图形与包围它的待光刻晶圆上用于精确对准的十字标记之间的距离，优选地，距离待光刻晶圆上用于精确对准的十字标记1至2μm。

应理解，图2中所示的观察区101、粗对准区103和精确对准区105之间的布局和相对位置均是实例性的，并不用于限制本公开，实际应用中，将根据需要以及根据暗场掩模板10中用于光刻的图案的位置调整它们在暗场掩模板10中的布局，以及各个区域的尺寸。此外，粗对准区103与精确对准区105中所布置的，与待光刻晶圆上用于粗对准和用于精确对准的标识相对应的标识并不限于实施例中描述的形式，其他可以便于标示多次光刻的版图号和便于进行微调的图形也是可行的，本领域技术人员仅需要简单调整暗场掩模板10以及多次光刻时在待光刻晶圆上光刻的对准标识的形状即可。

应理解，粗对准区103与精确对准区105中用于对准的图形形态并不限于此，即，粗对准区103中用于粗对准的图形可以是镂空的，也可以是凸状的，精确对准区105中用于精确对准的图形可以是凸状的，也可以是镂空的，只要它们分别与待光刻晶圆中用于粗对准的标识和用于精确对准的标识相对应即可。

下面结合微电子制造的工艺流程的具体过程，描述本公开的暗场掩模板的应用，其中为了方便描述，待光刻晶圆中用于粗对准的标识为其它版图层的版号标识，待光刻晶圆中用于精确对准的标识为十字标记。应理解，本公开并不限于此，其它能够满足粗对准和精确对准的图形也是可以的。

在设计中，首先，通过第一次、第二次、第三次、第四次和第五次光刻在待光刻晶圆上形成前五次光刻工序的版图层标号标识，以及需要和暗场掩模板10光刻对准的十字标记。

其次，使用暗场掩模板光刻，通过观察区101找到待光刻晶圆上的插花位置，并查看已在待光刻晶圆上加工完成的其它版图层的版号标识和十字标记的图形。

然后，利用粗对准区103将内嵌有与待光刻晶圆上的其它版图层的版号标识的图形套在已在待光刻晶圆上加工完成的前五次工序的版图层的版号标识上，完成粗对准。

最后，确认精确对准区105的十字标记已放进几次光刻形成的十字对准标记内，并令精确对准区105中的图形距离待光刻晶圆上用于精确对准的十字标识1至2μm。

显然，本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本实用新型的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之列。