一种阵列基板及液晶显示面板的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示面板。

背景技术：

随着显示技术的快速发展，各种类型的显示装置逐渐发展起来。其中，液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称LCD)由于具有功耗小、微型化、轻薄等优点，因而得到越来越广泛的应用。

技术实现要素：

本实用新型的实施例提供一种阵列基板及液晶显示面板，可达到降低功耗的目的。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种阵列基板，包括位于显示区的多个亚像素，所述亚像素包括设置在第一衬底上的像素电极和薄膜晶体管；所述阵列基板还包括设置在所述第一衬底上沿第一方向延伸的多条栅线和沿第二方向延伸的多条数据线，所述第一方向和所述第二方向交叉；沿所述第一方向，每个所述亚像素中的所述像素电极通过薄膜晶体管与一条所述数据线电连接；沿所述第二方向，每排所述像素电极中任意相邻两个所述像素电极分别通过所述薄膜晶体管与位于该排像素电极两侧的两条所述数据线电连接。

在一些实施例中，所述阵列基板还包括多条沿所述第二方向延伸的触控信号线；每条所述触控信号线与沿所述第二方向排列的一排所述像素电极在所述第一衬底上的正投影具有重叠区域。

在一些实施例中，所述触控信号线与所述数据线同层同材料。

在一些实施例中，所述阵列基板包括相互绝缘的多个触控电极以及与每个所述触控电极电连接的触控信号线；所述阵列基板还包括设置在相邻所述亚像素之间的非透光区的多个金属图案；一个所述金属图案与一个所述触控电极对应且电连接。

在一些实施例中，所述金属图案包括设置在所述数据线至少一侧的沿所述第二方向延伸的第一金属条以及设置在所述栅线至少一侧的沿所述第一方向延伸的第二金属条。

在一些实施例中，每个所述触控电极包括多个触控子电极，所述触控子电极在所述第一衬底上的正投影与所述栅线和所述数据线在所述第一衬底上的正投影无重叠区域；每个所述触控电极中的多个所述触控子电极通过所述金属图案和所述触控信号线电连接在一起。

在一些实施例中，所述金属图案与所述栅线同层同材料，所述第一金属条包括多个相互断开的第一子金属条；其中，每个所述触控电极中，沿所述第一方向相邻两个所述触控子电极通过所述第二金属条连接在一起，沿所述第二方向相邻两个所述触控子电极通过所述触控信号线连接在一起。

在一些实施例中，每个所述像素电极包括多个沿所述第二方向延伸的狭缝。

另一方面，提供一种液晶显示面板，包括相对设置的阵列基板和对盒基板、以及设置在所述阵列基板和所述对盒基板之间的液晶层，所述阵列基板为上述的阵列基板。

本实用新型实施例提供一种阵列基板及液晶显示面板，阵列基板包括栅线、数据线以及像素电极，由于沿第二方向，每排像素电极中任意相邻两个像素电极分别通过薄膜晶体管与位于该排像素电极两侧的两条数据线电连接，因而当给相邻两条数据线输入极性相反的电压时，沿第一方向和沿第二方向，相邻两个像素电极上施加的电压的极性都是相反的，从而实现了液晶的点翻转。相对于相关技术，由于本实用新型实施例无需给同一根数据线交替输入正电压和负电压，而是给每根数据线输入固定的电压就可以实现点翻转，因而避免了数据线上电压交替变化带来的功耗。因此本实用新型实施例提供的阵列基板可以降低功耗。在阵列基板应用于液晶显示面板时，实现了低功耗液晶显示面板的设计。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种液晶显示装置的结构示意图；

图2a为本实用新型实施例提供的一种侧入式背光模组的结构示意图；

图2b为本实用新型实施例提供的一种直下式背光模组的结构示意图；

图3a为本实用新型实施例提供的一种液晶显示面板的结构示意图；

图3b为相关技术提供的一种阵列基板的结构示意图一；

图4为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图一；

图5为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图二；

图6为相关技术提供的一种阵列基板的结构示意图二；

图7为本实用新型实施例提供的一种触控显示面板的结构示意图；

图8为图7中A处的放大结构示意图一；

图9为图7中A处的放大结构示意图二；

图10为图7中A处的放大结构示意图三；

图11为相关技术提供的一种像素电极的结构示意图；

图12为本实用新型实施例提供的一种像素电极的结构示意图。

附图标记：

1-框架；2-盖板玻璃；3-液晶显示面板；31-显示区；32-周边区；33-亚像素；34-非透光区；4-背光模组；41-光源；42-导光板；43-光学膜片；44-反射片；5-电路板；01-亚像素；10-阵列基板；100-第一衬底；101-栅线；102-数据线；103-像素电极；1031-狭缝；104-薄膜晶体管；105-公共电极；106-第一绝缘层；107-第二绝缘层；108-触控信号线；109-触控电极；1091-触控子电极；110-金属图案；1101-第一金属条；1102-第二金属条；20-对盒基板；200-第二衬底；201-彩色滤光层；202-黑矩阵图案；30-液晶层；40-封框胶；50-上偏光片；60-下偏光片。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型实施例提供一种液晶显示装置，如图1所示，液晶显示装置的主要结构包括框架1、盖板玻璃2、液晶显示面板3、背光模组4以及电路板5等其它电子配件。

其中，框架1的纵截面呈U型，液晶显示面板3、背光模组4、电路板5以及其它电子配件设置于框架1内，背光模组4设置于液晶显示面板3的下方，电路板5设置于背光模组4的下方，盖板玻璃2设置于液晶显示面板3远离背光模组4的一侧。

如图2a所示，背光模组4包括光源41、导光板42以及设置在导光板42出光侧的光学膜片43。在本实用新型实施例中，光学膜片43可以包括扩散片和/或增光膜等。增光膜可以包括棱镜膜(Brightness Enhancement Film，简称BEF)、反射型偏光增亮膜(Dual Brightness Enhancement Film，简称DBEF)等，两者可以结合使用。其中，导光板42的形状可以为楔形或平板形，附图2a以导光板42的形状为楔形为例进行示意。如图2a所示，光源41可以设置在导光板42的侧面，在此情况下，该背光模组4为侧入式背光模组。如图2b所示，光源41也可以设置于导光板42的远离出光侧的一侧，在此情况下，该背光模组4为直下式背光模组。光源41例如可以是发光二极管(Light-Emitting Diode，简称LED)。

在背光模组4为直下式背光模组的情况下，可采用阵列式排布的微小蓝光LED制作成灯板，灯板出光方向对着液晶显示面板3。

在此基础上，如图2a和图2b所示，背光模组4还可以包括反射片44，反射片44设置于导光板42的远离出光侧的一侧。

示例的，如图2b所示，提供一种直下式背光模组，LED作为光源41制作成灯板，在灯板的上方设置有光学膜片43，光源41的下方设置有反射片44。

如图1和图3a所示，液晶显示面板3包括相对设置的阵列基板10和对盒基板20、以及设置在阵列基板10和对盒基板20之间的液晶层30。如图1所示，阵列基板10和对盒基板20通过封框胶40粘贴在一起，从而将液晶层30限定在封框胶40围成的区域内。

如图3b所示，阵列基板10包括显示区31和非显示区32，显示区31包括多个亚像素33，亚像素33包括设置在第一衬底上的像素电极103以及薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)104，阵列基板10还包括沿第一方向延伸的多条栅线(Gate)101和沿第二方向延伸的多条数据线(Data)102，第一方向和第二方向交叉。像素电极103通过薄膜晶体管104与数据线102电连接。薄膜晶体管104包括源极、漏极、有源层、栅极以及栅绝缘层。沿第一方向，位于同一行的亚像素33中TFT104的栅极与一根栅线101连接；沿第二方向，位于同一列的亚像素33中TFT104的源极与一根数据线102连接，薄膜晶体管104的漏极与像素电极103电连接。

在此基础上，在一些实施例中，如图3a所示，阵列基板10还包括设置在第一衬底100上的公共电极105。像素电极103和公共电极105可以设置在同一层，在此情况下，像素电极103和公共电极105均为包括多个条状子电极的梳齿结构。像素电极103和公共电极105也可以设置在不同层，在此情况下，如图3a所示，像素电极103和公共电极105之间设置有第一绝缘层106。在公共电极105设置在薄膜晶体管104和像素电极103之间的情况下，如图3a所示，公共电极105与薄膜晶体管104之间还设置有第二绝缘层107。在阵列基板10包括公共电极105和像素电极103的情况下，公共电极105和像素电极103产生的水平电场驱动液晶层30中的液晶分子转动。在另一些实施例中，对盒基板20包括公共电极105。在对盒基板20包括公共电极105，阵列基板10包括像素电极103的情况下，公共电极105和像素电极103产生的竖直电场驱动液晶层30中的液晶分子转动。

为了实现彩色显示，液晶显示面板3还包括彩色滤光层，彩色滤光层包括红色光阻单元、绿色光阻单元以及蓝色光阻单元。

在一些实施例中，如图3a所示，对盒基板20包括设置在第二衬底200上的彩色滤光层201，在此情况下，对盒基板20也可以称为彩膜基板。其中，红色光阻单元、绿色光阻单元以及蓝色光阻单元分别与阵列基板10上的亚像素一一正对。此处，沿液晶显示面板3的厚度方向，正对的二者在第一衬底100上的投影重叠。示例的，沿第一方向，红色光阻单元、绿色光阻单元以及蓝色光阻单元周期性排布，沿第二方向，红色光阻单元呈列设置、绿色光阻单元呈列设置、蓝色光阻单元呈列设置。

在此基础上，如图3a所示，为了避免从相邻亚像素33出射的光相互串扰，对盒基板20还可以包括黑矩阵图案202(Black Matrix，简称BM)。示例的，黑矩阵图案202包括多条平行的第一遮光条和多条平行的第二遮光条，多条第一遮光条和多条第二遮光条围成的多个网格，每个网格围成的区域为一个亚像素所在区域。

在另一些实施例中，阵列基板10包括彩色滤光层201，红色光阻单元、绿色光阻单元以及蓝色光阻单元分别位于不同的子像素中。在此情况下，阵列基板可以称为COA基板(Color filter on Array，彩色滤光层整合于阵列基板上)。示例的，沿第一方向，包括红色光阻单元的亚像素、包括绿色光阻单元的亚像素以及包括蓝色光阻单元的亚像素周期性排布，沿第二方向，包括红色光阻单元的亚像素呈列设置、包括绿色光阻单元的亚像素呈列设置、包括蓝色光阻单元的亚像素呈列设置。

在阵列基板10包括彩色滤光层201的情况下，可以是阵列基板10包括设置在第一衬底100上的黑矩阵图案202；也可以是对盒基板20包括设置在第二衬底200上的黑矩阵图案202。

如图3a所示，液晶显示面板3还包括设置在对盒基板20背离液晶层30一侧的上偏光片50和设置在阵列基板10背离液晶层30一侧的下偏光片60，上偏光片50和下偏光片60的透光轴相互垂直或者平行。

基于图3a的液晶显示面板3的结构，以上偏光片50和下偏光片60的透光轴相互垂直为例，当该液晶显示面板3应用于液晶显示装置时，该液晶显示装置的显示原理为：背光模组4发出白光，经过下偏光片60形成有特定偏振方向的白色偏振光，射入液晶显示面板3中，被彩色滤光层201过滤形成红绿蓝三色的偏振光。当该偏振光的偏振方向与上偏光片50的偏振方向垂直时，偏振光不能穿过上偏光片；当该偏振光的偏振方向与上偏光片50的偏振方向平行时，偏振光可以穿过上偏光片50，此时出射光的光强最强。由于液晶分子对偏振光有旋光特性，特定的分子排布方向可使该偏振光的偏振方向发生改变，当液晶分子的排布方向受像素电极103和公共电极105之间产生的电场控制发生旋转时，通过液晶分子的偏振光方向也发生改变，从而可以控制偏振光从上偏光片50出射的多少。当像素电极103和公共电极105根据施加在各自电极上的电信号有规律的控制液晶分子旋转时，红绿蓝亚像素的光就会有规律的透过上偏光片50，最终形成彩色图像。上述光路传播顺序为：从背光模组4出射、依次透过下偏光片60、阵列基板10、液晶层30、对盒基板20、上偏光片50。

基于上述液晶显示装置的结构，相关技术在设计阵列基板10时，如图3b所示，阵列基板10包括位于显示区31的多个亚像素33，亚像素33包括设置在第一衬底上的像素电极130和薄膜晶体管104；阵列基板10还包括设置在第一衬底上沿第一方向延伸的多条栅线101和沿第二方向延伸的多条数据线102；沿第二方向，每排亚像素33中的像素电极103通过薄膜晶体管104与同一条数据线102电连接。考虑到若液晶分子一直在某一固定电压下工作，则液晶分子的特性会发生固化，去除这个固定电压后，液晶分子无法再响应其它电压的变化，且液晶的寿命会降低。

为解决该问题，可采用液晶点(Dot)翻转，也可以称为Z-inversion(Z-翻转)的方式，即给每条数据线102交替输入正电压和负电压，且在同一时刻，相邻两条数据线102上输入电压的极性相反。这样一来，沿第一方向和沿第二方向，相邻两个像素电极103上施加的电压的极性都是相反的，从而可以使液晶分子在正极性像素电压和负极性像素电压的交替驱动下偏转。示例的，如图3b所示，在第一时刻，数据线102a上施加的电压为+5v，数据线102b上施加的电压为-5V；在第二时刻，数据线102a上施加的电压为-5v，数据线102b上施加的电压为+5V。

然而，给数据线102交替输入正电压和负电压时，由于数据线102上的电压需要从正电压下降到负电压或者从负电压上升到正电压，因而会大幅度增加功耗。

基于此，本实用新型实施例提供一种阵列基板10，如图4所示，包括位于显示区31的多个亚像素33，亚像素33包括设置在第一衬底上的像素电极103和薄膜晶体管104；阵列基板10还包括设置在第一衬底上沿第一方向延伸的多条栅线101和沿第二方向延伸的多条数据线102，第一方向和第二方向交叉；沿第一方向，每个亚像素33中的像素电极103通过薄膜晶体管104与一条数据线102电连接；沿第二方向，每排像素电极103中任意相邻两个像素电极103分别通过薄膜晶体管104与位于该排像素电极两侧的两条数据线102电连接。

在一些实施例中，第一方向和第二方向垂直。在另一些实施例中，第一方向和第二方向之间的夹角为锐角。

参考图3b，相关技术中，沿第二方向，每排亚像素33中薄膜晶体管104设置在数据线102的同一侧。而本实用新型实施例中，参考图4，针对任一条数据线102，沿第二方向任意相邻两排的亚像素33中的薄膜晶体管104设置在数据线102两侧，因而本实用新型实施例实现了薄膜晶体管104Z-inversion的像素结构。

本实用新型实施例提供一种阵列基板10，阵列基板10包括栅线101、数据线102以及像素电极103，由于沿第二方向，每排像素电极103中任意相邻两个像素电极103分别通过薄膜晶体管104与位于该排像素电极两侧的两条数据线102电连接，因而当给相邻两条数据线102输入极性相反的电压时，沿第一方向和沿第二方向，相邻两个像素电极103上施加的电压的极性都是相反的，从而实现了液晶的点翻转。相对于相关技术，由于本实用新型实施例无需给同一根数据线102交替输入正电压和负电压，而是给每根数据线102输入固定的电压就可以实现点翻转，因而避免了数据线102上电压交替变化带来的功耗。因此本实用新型实施例提供的阵列基板10可以降低功耗。在阵列基板10应用于液晶显示面板时，实现了低功耗液晶显示面板的设计。

可选的，在阵列基板10应用于触控显示面板的情况下，如图5所示，本实用新型实施例提供的阵列基板还包括多条沿第二方向延伸的触控信号线(Tx)108；每条触控信号线108与沿第二方向排列的一排像素电极103在第一衬底100上的正投影具有重叠区域。

此处，触控信号线108的材料为金属材料，例如铜(Ag)、银(Ag)或铝(Al)等。

可以理解的是，触控显示面板还包括触控电极，触控电极与触控信号线电108连接。通过触控信号线108向触控电极提供触控驱动信号，并接收触控感应信号，从而对触控位置进行识别。

示例的，触控电极可以设置在该阵列基板10中。当然，触控电极也可以设置在与该阵列基板10对盒的对盒基板中。

在此情况下，上述触控显示面板为完全嵌入式(Full In Cell，简称FIC)触控显示面板。FIC触控显示面板是指将触摸面板功能嵌入到液晶像素中的方法，即在显示面板内部嵌入触摸传感器功能。由于FIC触控显示面板具有集成化、轻薄、低成本、低功耗等优势，因而FIC触控显示面板是未来触控技术发展的方向。

此处，每条触控信号线108与沿第二方向排列的一排像素电极103在第一衬底上的正投影具有重叠区域，即，触控信号线108经过沿第二方向排列的一排亚像素33。

在一些实施例中，触控信号线108与数据线102同层同材料，这样可以同时制作触控信号线108和数据线102。

触控信号线108与数据线102同层同材料，即，对同一导电薄膜进行构图(构图包括涂覆光刻胶、掩膜曝光、显影以及刻蚀等工艺)形成触控信号线108和数据线102，从而简化了阵列基板的制作工艺。

在另一些实施例中，触控信号线108与数据线102设置在不同层，即分别通过对不同的导电薄膜进行构图形成触控信号线108和数据线102。

相对如图6所示，将数据线102和触控信号线108均设置在相邻亚像素33之间的非透光区34，而为了遮挡数据线102和触控信号线108，则设置的黑矩阵图案202中遮光条沿第一方向的宽度会增加，从而降低了开口率。本实用新型实施例中，由于触控信号线108与沿第二方向排列的一排像素电极103在第一衬底100上的正投影具有重叠区域，因而在设计黑矩阵图案202时，只需考虑将数据线102遮挡住即可，无需考虑遮挡触控信号线108，这样一来，设置的黑矩阵图案202中遮光条的沿第一方向的宽度减小，从而可以提高开口率。

在此基础上，如图6所示，在将数据线102和触控信号线108均设置在相邻亚像素33之间的非透光区34，且数据线102与触控信号线108同层制作的情况下，无法实现沿第二方向，每排像素电极103中任意相邻两个像素电极103分别通过薄膜晶体管104与位于该排像素电极两侧的两条数据线102电连接，即无法实现薄膜晶体管104的Z-inversion。这是因为若沿第二方向，每排像素电极103中任意相邻两个像素电极103分别通过薄膜晶体管104与位于该排像素电极两侧的两条数据线102电连接，则数据线102一侧的像素电极103与数据线102电连接时必然会出现短路。而本实用新型实施例中，由于触控信号线108经过沿第二方向排列的一排亚像素33，因而在制作阵列基板10时，沿第二方向，每排像素电极103中任意相邻两个像素电极103可以分别通过薄膜晶体管104与位于该排像素电极两侧的两条数据线102电连接时，不会出现短路，从而可以实现薄膜晶体管104的Z-inversion。

可选的，如图7所示，在阵列基板10包括触控信号线108的基础上，阵列基板10还包括相互绝缘的多个触控电极(Touch Sensor)109，触控电极109与触控信号线108电连接。在此基础上，如图8所示，阵列基板10还包括设置在相邻亚像素33之间的非透光区34的多个金属图案110；一个金属图案110与一个触控电极109对应且电连接。

需要说明的是，图8以一个金属图案110为例进行示意。

可选的，本实用新型实施例中，触控电极109还可以复用为公共电极(Vcom)，相应的，触控信号线108还可以复用为公共电极线。基于此，在触控阶段，触控信号线108向触控电极109提供触控驱动信号，并接收触控反馈信号；在显示阶段，触控信号线108向触控电极109提供Vcom信号，提供显示时公共电极需要的信号。当触控电极109复用为公共电极，触控信号线108复用为公共电极线时，减小了阵列基板10的厚度，在阵列基板10应用于触控显示面板时，减小了触控显示面板的厚度。

在触控电极109复用为公共电极的情况下，在一些实施例中，制作阵列基板10时，可以依次制作触控电极109、栅线101、有源层、数据线102、绝缘层和像素电极103。其中，栅极和栅线101同时制作，源极、漏极和数据线102同时制作。此外，可以利用一张SSM(Single Slit Mask)掩膜板同时对半导体图案和导电薄膜进行构图，以形成有源层和源极、漏极、数据线。

此处，对于金属图案110的材料不进行限定，例如可以为铜、银或铝等。

在此基础上，对于触控电极109的材料不进行限定，触控电极109的材料例如可以为氧化铟锡(Indium tin oxide，简称ITO)或氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，简称IZO)等透明导电材料。

本实用新型实施例中，阵列基板10包括金属图案110，金属图案110与触控电极109电连接，相当于给触控电极109并联了一个电阻，因而可以降低触控电极109的电阻，减小了触控信号线108的负载(load)，有利于触控响应。此外，在触控电极109复用为公共电极的情况下，相当于降低了公共电极的电阻。

对于金属图案110的形状不进行限定，在一些实施例中，如图8所示，金属图案110呈类似网格状，金属图案110包括沿第二方向延伸的第一金属条(Shield Bar，简称S/B)1101和沿第一方向延伸的第二金属条1102。在此情况下，可以是第一金属条1101和第二金属条1102在第一衬底100上的正投影与栅线101和数据线102在第一衬底100上的正投影具有重叠区域；也可以是第一金属条1101和第二金属条1102在第一衬底100上的正投影与栅线101和数据线102在第一衬底100上的正投影无重叠区域。

基于上述，作为一种可实施的方式，如图9所示，金属图案110包括设置在数据线102至少一侧的沿第二方向延伸的第一金属条1101以及设置在栅线101至少一侧的沿第一方向延伸的第二金属条1102。

此处，可以在数据线102的一侧设置第一金属条1101；也可以在数据线102的两侧均设置第一金属条1101。可以在栅线101的一侧设置第二金属条1102；也可以在栅线101的两侧均设置第二金属条1102。附图9以在数据线102的两侧均设置第一金属条1101，在栅线1101的一侧设置第二金属条1102为例进行示意。

本实用新型实施例中，金属图案110包括设置在数据线102至少一侧的第一金属条1101以及设置在栅线101至少一侧的第二金属条1102，由于金属图案110与栅线101和数据线102均无重叠区域，因而避免可金属图案110影响栅线101和数据线102上的信号。此外，由于第一金属条1101和第二金属条1102还可以起到遮光的作用，因而将第一金属条1101设置在数据线102的至少一侧，可以对从数据线102侧边出射的光进行遮挡，将第二金属条1102设置在栅线101的至少一侧，可以对从栅线101侧边出射的光进行遮挡。基于此，在设置有第一金属条1101和第二金属条1102的区域可以不设置黑矩阵图案202，利用第一金属条1101和第二金属条1102来达到遮光的目的。

考虑到若触控电极109与数据线102、栅线101在第一衬底100上的正投影具有重叠区域，则触控电极109上的信号可能会影响数据线102和栅线101上的信号。因此，在本实用新型的一些实施例中，如图10所示，每个触控电极109包括多个触控子电极1091，触控子电极1091在第一衬底100上的正投影与栅线101和数据线102在第一衬底100上的正投影无重叠区域；每个触控电极109中的多个触控子电极1091通过金属图案110和触控信号线108电连接在一起。

此处，针对阵列基板10上的多个亚像素33，可以是每个亚像素33均设置有触控子电极1091；也可以是部分亚像素33设置有触控子电极1091，部分亚像素33不设置触控子电极1091。

此外，一个触控电极109与多条触控信号线108电连接在一起。

由于数据线102和栅线101在第一衬底100上的正投影均与触控子电极1091在第一衬底100上的正投影无重叠区域，这样一来，便避免了触控电极109影响数据线102和栅线101上的信号。在此基础上，相对于触控电极109中多个触控子电极1091通过与触控电极109同层制作的导电线连接在一起，由于触控电极109的材料一般为ITO或IZO等，因而导电线上的电阻较大，而本实用新型实施例中，通过金属图案110和触控信号线108将触控电极109中多个触控子电极1091连接在一起，由于金属图案110的电阻小于ITO或IZO的电阻，因而可以避免增大触控电极109的电阻。

需要说明的是，金属图案110可以单独制作，不与阵列基板10上已有的图案层同层制作。金属图案110也可以和阵列基板10上已有的图案层同层制作。示例的，金属图案110可以与栅线101同层制作，即金属图案110与栅线101同层同材料。当金属图案110与栅线101同层同材料时，可以同时制作金属图案110和栅线101，从而简化了阵列基板10的制作工艺。

在金属图案110与栅线101同层同材料的情况下，可以理解的是金属图案110和栅线101无重叠区域，因此设计第一金属条1101时，如图10所示，第一金属条1101包括多个相互断开的第一子金属条；即第一金属条1101沿第二方向延伸，在经过栅线101的位置处断开。其中，如图10所示，每个触控电极109中，沿第一方向相邻两个触控子电极1091通过第二金属条1102连接在一起，沿第二方向相邻两个触控子电极1091通过触控信号线108连接在一起。

为了降低像素电极103的电阻，如图11所示，像素电极103上设置有多个狭缝1031(slit)，狭缝1031沿第一方向延伸。在阵列基板10包括像素电极103和公共电极的情况下，为了能够使液晶分子在像素电极103和公共电极产生的水平电场的驱动下沿水平方向偏转，液晶分子的初始取向应与像素电极103和公共电极产生的电场的方向垂直。这样一来，液晶分子的初始取向与像素电极103上的狭缝1031的延伸方向平行。由于液晶显示面板3中通过取向层的取向来确定液晶分子的初始取向，因此取向层的取向(也可称为Rubbing方向)与狭缝1031延伸方向平行，即取向层的取向与数据线102垂直。取向层的制作过程是先形成取向薄膜，再利用取向布对取向薄膜进行取向，形成取向层。由于取向层的取向与数据线102垂直，因而在利用取向布对取向薄膜进行取向形成取向层时，取向布沿第一方向移动。由于取向薄膜在设置有数据线102的区域是不平坦的，因而取向布沿第一方向移动经过设置有数据线102的区域时，会出现取向盲区(Rubbing Shadow)区域，由于液晶在Rubbing Shadow区域不受控制，因而会出现漏光的现象。为了避免漏光，在设计黑矩阵图案202时需要增加黑矩阵图案202中遮光条沿第一方向的宽度来遮挡由于Rubbing Shadow区域导致的漏光区域。然而，增加黑矩阵图案202中遮光条的宽度会导致开口率下降。

基于上述，可选的，如图12所示，每个像素电极103包括多个沿第二方向延伸的狭缝1031。

此处，狭缝1031沿第二方向延伸指的是狭缝1031整体上沿第二方向延伸。在一些实施例中，像素电极103包括一个畴，在此情况下，狭缝1031为直线状；在另一些实施例中，像素电极103划分两个畴，在此情况下，如图12所示，每条狭缝1031包括第一子狭缝和第二子狭缝，第一子狭缝和第二子狭缝的夹角θ为钝角。

由于狭缝1031沿第二方向延伸，取向层的取向与狭缝1031延伸方向平行，因而取向层的取向沿第二方向延伸，因此利用取向布对取向薄膜进行取向时，取向布沿第二方向移动，这样一来，便避免了产生Rubbing Shadow区域。由于无Rubbing Shadow区域产生的漏光问题，因而黑矩阵图案202中遮光条沿第一方向的宽度可以设计的更窄，进而可以有效提高开口率。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。