一种非对称相移光栅的制作方法

本实用新型涉及半导体激光技术领域，具体涉及一种非对称相移光栅。

背景技术：

无论是半导体激光器还是光纤光栅激光器其有效输出的激光功率越高越好。但是大部分激光功率应从调制器方向输出，少量的激光功率从监测器方向输出。如果这些激光器是分立的器件，这可以通过在其监测器一侧端面涂上高反膜，调制器一侧端面涂上增透膜的方法，来合理地分配从两个端面输出的激光。但是有些激光器是无法通过端面镀膜的方法，来改变输出激光的功率比。有人提出将光栅相移偏离激光器中心位置，偏向激光器输出端。但是相移偏离中心位置偏向激光输出端，虽能提高输出端的光功率，但相移偏离中心会加剧空间烧孔效应的影响，降低成品率。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种非对称相移光栅，解决了现有技术中将光栅相移偏离激光器中心位置会加剧空间烧孔效应，降低成品率的技术问题。

为使本实用新型的目的、技术手段和优点更加清楚明白，以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。显然，所描述的实施例仅是

本技术：
一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

根据本实用新型的一个方面，本实用新型实施例提供了一种非对称相移光栅，第一光栅；第二光栅；设置在所述第一光栅与第二光栅之间的相移结构；其中，所述第一光栅包括第一基板以及设置在所述第一基板上的多个第一光栅齿；所述第二光栅包括第二基板以及设置在所述第二基板上的多个第二光栅齿；其中，至少一个所述第一光栅齿的深度与至少一个所述第二光栅齿的深度不同。

在本实用新型一实施例中，在第一方向上，多个所述第一光栅齿的深度依次降低，所述第一方向为从所述第一光栅指向所述第二光栅的方向；在所述第一方向上，多个所述第二光栅齿的深度依次升高。

在本实用新型一实施例中，任意相邻两个所述第一光栅齿的深度之差的绝对值相等。

在本实用新型一实施例中，任意相邻两个所述第二光栅齿的深度之差的绝对值相等，且任意相邻两个所述第二光栅齿的深度之差的绝对值与任意相邻两个所述第一光栅齿的深度之差的绝对值不等。

在本实用新型一实施例中，在所述第一方向上，任意相邻两个所述第一光栅齿的深度之间的绝对值呈第一等差数列。

在本实用新型一实施例中，在所述第一方向上，任意相邻两个所述第二光栅齿的深度之间的绝对值呈第二等差数列，所述第二等差数列的公差与所述第一等差数列的公差不同。

在本实用新型一实施例中，所述第一光栅的长度与所述第二光栅的长度之比大于一且小于二。

在本实用新型一实施例中，所述第一光栅的占空比小于0.5，所述第二光栅的占空比大于0.5，且所述第一光栅的占空比与所述第二光栅的占空比之和不等于一。

在本实用新型一实施例中，所述相移结构的相移量为0、λ/4、λ/8、或λ，λ为相移光栅的输出波长。

本实用新型通采用将光栅分相移结构两侧的光栅分为第一光栅和第二光栅，并通过使得第一光栅和第二光栅的光栅齿的深度不同，实现光栅的非对称性的同时，抑制空间烧孔效应。且当该非对称光栅应用到激光器中时，在断面不镀膜的情况下，还能够增加激光器的有效输出光功率。

附图说明

图1所示为本实用新型一实施例提供的一种非对称相移光栅的结构示意图；

图2所示为本实用新型另一实施例提供的一种非对称相移光栅的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

图1所示为本实用新型一实施例提供的一种非对称相移光栅的结构示意图，如图1所示，该非对称相移光栅，包括：第一光栅1；第二光栅2；设置在第一光栅1与第二光栅2之间的相移结构3；其中，第一光栅1包括第一基板11以及设置在第一基板11上的多个第一光栅齿12；第二光栅2包括第二基板21以及设置在第二基板上的多个第二光栅齿22；其中，至少一个第一光栅齿12的深度h1与至少一个第二光栅齿22的深度h2不同。本实用新型通采用将光栅分相移结构两侧的光栅分为第一光栅1和第二光栅2，并通过使得第一光栅齿12和第二光栅齿22的深度不同，实现光栅的非对称性的同时，抑制空间烧孔效应。且当该非对称光栅应用到激光器中时，在断面不镀膜的情况下，还能够增加激光器的有效输出光功率。

在本实用新型一实施例中，如图2所示，在第一方向上，多个第一光栅齿12的深度h1依次降低，第一方向为从所述第一光栅1指向第二光栅2的方向；在第一方向上，多个第二光栅齿22的深度h2依次升高。在这种情况下，在第一方向上，整个光栅的光栅深度开始逐渐降低然后逐渐升高，在实现光栅的非对称性的同时，进一步抑制空间烧孔效应。

在本实用新型一实施例中，多个第一光栅齿12的深度依次升高的具体实现方式可以为：任意相邻两个第一光栅齿12的深度h1之差的绝对值相等。如此设计，不仅可以实现多个第一光栅齿12的深度依次升高，而且在制作光栅的时候工艺相对简单一些，降低了制备工艺难度。

优选的，为了使得制备光栅的难度进一步降低，任意相邻两个第二光栅齿22的深度h2之差的绝对值也相等，且任意相邻两个第二光栅齿22的深度之差的绝对值与任意相邻两个第一光栅齿12的深度之差的绝对值不等。

在本实用新型一实施例中，在第一方向上，任意相邻两个第一光栅齿12的深度之间的绝对值呈第一等差数列，在这种情况下，第一光栅齿12的深度增加方式更为统一流畅。

优选的，在第一方向上，任意相邻两个第二光栅齿22的深度之间的绝对值呈第二等差数列，第二等差数列的公差与所述第一等差数列的公差不同。

在本实用新型一实施例中，第一光栅1的长度与所述第二光栅2的长度之比大于一且小于二。本实用新型实施例通过将第一光栅1和第二光栅2的长度不同使得整个光栅呈现不对称。

进一步的，第一光栅1的占空比小于0.5，第二光栅2的占空比大于0.5，且第一光栅1的占空比与第二光栅2的占空比之和不等于一，由于第一光栅1的长度大于第二光栅2的长度，那么为了使得该非对称光栅应用在激光器上时，第一光栅1和第二光栅2的发光效率相差不大，因此将第一光栅1的占空比小于第二光栅2的占空比，且第一光栅1的占空比与第二光栅2的占空比之和不等于一，当该非对称光栅应用在激光器上时，第一光栅1和第二光栅2的发光效率相差不大。

在本实用新型一实施例中，相移结构的相移量为0、λ/4、λ/8、或λ，λ为相移光栅的输出波长。

以上所述仅为本实用新型创造的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型创造，凡在本实用新型创造的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本实用新型创造的保护范围之内。

技术特征：

1.一种非对称相移光栅，其特征在于，包括：

第一光栅；

第二光栅；

设置在所述第一光栅与第二光栅之间的相移结构；

其中，所述第一光栅包括第一基板以及设置在所述第一基板上的多个第一光栅齿；

所述第二光栅包括第二基板以及设置在所述第二基板上的多个第二光栅齿；

其中，至少一个所述第一光栅齿的深度与至少一个所述第二光栅齿的深度不同；

在第一方向上，多个所述第一光栅齿的深度依次降低，所述第一方向为从所述第一光栅指向所述第二光栅的方向；

在所述第一方向上，多个所述第二光栅齿的深度依次升高。

2.根据权利要求1所述的非对称相移光栅，其特征在于，任意相邻两个所述第一光栅齿的深度之差的绝对值相等。

3.根据权利要求2所述的非对称相移光栅，其特征在于，任意相邻两个所述第二光栅齿的深度之差的绝对值相等，且任意相邻两个所述第二光栅齿的深度之差的绝对值与任意相邻两个所述第一光栅齿的深度之差的绝对值不等。

4.根据权利要求1所述的非对称相移光栅，其特征在于，在所述第一方向上，任意相邻两个所述第一光栅齿的深度之间的绝对值呈第一等差数列。

5.根据权利要求4所述的非对称相移光栅，其特征在于，在所述第一方向上，任意相邻两个所述第二光栅齿的深度之间的绝对值呈第二等差数列，所述第二等差数列的公差与所述第一等差数列的公差不同。

6.根据权利要求1所述的非对称相移光栅，其特征在于，所述第一光栅的长度与所述第二光栅的长度之比大于一且小于二。

7.根据权利要求6所述的非对称相移光栅，其特征在于，所述第一光栅的占空比小于0.5，所述第二光栅的占空比大于0.5，且所述第一光栅的占空比与所述第二光栅的占空比之和不等于一。

8.根据权利要求1所述的非对称相移光栅，其特征在于，所述相移结构的相移量为0、λ/4、λ/8、或λ，λ为相移光栅的输出波长。

技术总结
本实用新型实施例提供了一种非对称相移光栅，解决了现有技术中将光栅相移偏离激光器中心位置会加剧空间烧孔效应，降低成品率的技术问题；本实用新型通采用将光栅分相移结构两侧的光栅分为第一光栅和第二光栅，并通过使得第一光栅和第二光栅的光栅齿的深度不同，实现光栅的非对称性的同时，抑制空间烧孔效应。且当该非对称光栅应用到激光器中时，在断面不镀膜的情况下，还能够增加激光器的有效输出光功率。

技术研发人员：张永刚;郭丽彬
受保护的技术使用者：天津市光纳电子科技有限公司
技术研发日：2020.04.22
技术公布日：2021.03.23