(M)彡0.8，尤其P(M)彡0.9。
[0035]如上所述，反射镜的第一区域形成投射光学单元的遮挡。第一区域总地形成分片遮挡。
[0036]本发明的另一目的在于改进投射曝光设备的光学系统以及投射曝光设备。
[0037]这些目的通过权利要求11和13的特征来实现。优点对应于上述那些。光学系统尤其使得可以大物方数值孔径(NAO)以及小的主光线角(CRA)照明掩模母版。以下尤其适用:arcsin (NAO)彡CRA，尤其arcs in (NAO)彡2CRA。在该情况中，以下优选适用:CRA彡6°，尤其CRA <3°，尤其CRA <2°，尤其CRAS 1°，尤其CRA = 0°。物方数值孔径(NAO)尤其至少为0.45、尤其至少为0.5、尤其至少为0.6、尤其至少为0.7。光学系统具有最大8:1、尤其最大6: 1、优选最大4:1的缩小率。
[0038]本发明的另一目的在于指定了一种用于优化反射镜设计的方法。
[0039]该目的通过权利要求14的特征来实现。
[0040]本发明首先规定，预定义反射镜的起始设计，其中特定数量的反射镜第一区域布置在栅格顶点上。此外，预定义用于评估具有该类型反射镜的投射光学单元的成像质量的适应函数f。最后，预定义至少一个目标值和终止标准。第一区域的布置然后根据预定义的算法变化直到达到至少一个预定义目标值和/或终止标准。
[0041]如上所述，三角形、正方形、六角形或同心栅格或者彭罗斯镶嵌可充当起始栅格。
[0042]并入适应函数的合适参数包括从以下参数选择的一个或多个:远心性、NILS、NILS场分布。适应函数优选包含这些参数、尤其是所有这些参数的线性组合。
[0043]所谓的演化算法尤其充当用于改变第一区域的布置的算法。所谓的模拟退火也是适合的。优选地，演化策略与确定或至少近似确定收敛的方法组合。
[0044]可在算法中考虑一系列第二或边界条件，例如第一区域分布的均匀性的最小值。
[0045]在最简单的情况中，算法仅包含线性偏移和/或旋转，尤其是旋转0.1°至5°的范围中的角度。这尤其对于优化已呈现的反射镜是有利的，尤其是在结合上述调节装置时。
[0046]本发明的另一目的是指定一种使用投射曝光设备制造部件的方法。
[0047]根据本发明通过根据权利要求15的制造方法实现该目的。
[0048]优点对应于上述那些优点。
【附图说明】
[0049]参考附图，由多个示例实施例的描述，本发明的其它细节和特点变得显而易见。图中:
[0050]图1显示用于EUV光刻的EUV投射曝光设备的部件的示意图；
[0051]图2显示根据图的投射曝光设备的照明光和成像光的光束路径在掩模母版形式的反射式物体的区域中的摘选放大示意图，所述躯体在投射曝光期间成像；
[0052]图3显示类似于图2但具有光束路径的替代路线的照明光和成像光的光束路径的摘选放大示意图；
[0053]图4显示反射镜的实施例的示意图；
[0054]图5显不在投射曝光设备的光束路径中的反射镜布置的不意图；
[0055]图6显示在投射曝光设备的光束路径中的反射镜替代布置的示意图；
[0056]图7显示用于阐明反射镜的可调性的示意图；
[0057]图8a至8c显示反射镜上第一区域的布置的位移和旋转的效应的示意图；
[0058]图9显不反射镜的旋转的效应的另一不意图；
[0059]图10显不反射镜的横向位移的效应的另一不意图；
[0060]图1la至Ilb显示反射镜上第一区域的布置在其优化前和后的示例性示意图，其中第一区域的同心布置充当起始布置；
[0061]图1lc显示用不同衍射级的像填充照明光瞳的示例性示意图，在评估反射镜上第一区域的布置的优化时考虑不同衍射级；
[0062]图12a至12d显示第一区域的可能起始布置的示例性示例；
[0063]图13显示一些成像相关参数在反射镜上第一区域的布置的演化优化期间的分布的示例性示意图；
[0064]图14a显示反射镜上第一区域的优化布置的示例性示意图；
[0065]图14b显示反射镜上零和第一衍射级的像，遮挡的衍射级被识别出；
[0066]图14c显示根据图14b的衍射级的像的相对强度；
[0067]图14d显示根据图14c的分布的柱状图；以及
[0068]图15a至15c显示用于阐明独立于场的照明光瞳的依赖于场的遮挡的示意图。
【具体实施方式】
[0069]图1以子午截面示意性地显示用于微光刻的投射曝光设备I的部件。在该方面，应附加参考DE 10 2010 041 623 Al和DE 10 2011 086 345.1，上述申请因此完全为本申请的一部分。投射曝光设备I的照明系统I包含与辐射源3并排的照明光学单元4，其用于曝光物面6中的物场5。在该情况中，布置在物场5中的掩模母版7被曝光，上述掩模母版由掩模母版保持器保持，其仅部分示出。
[0070]投射光学单元9用于将物场5成像至像面11中的像场10中。掩模母版7上的结构成像至布置在像面11中的像场10的区域中的晶片12的光敏层上，上述晶片由晶片保持器保持，其同样被示意性地示出。
[0071 ] 辐射源3为发射EUV辐射14的EUV辐射源。EUV辐射源3的发射的使用辐射的波长在5nm至30nm的范围内。用于光刻以及有适合光源可用的其它波长也是可能的，辐射源3可为等离子体源，例如DPP源或LPP源。基于同步加速器的辐射源还可用作辐射源3。关于这种辐射源的信息可由本领域技术人员例如在US 6，859，515 B2中发现。收集器15设置用于聚焦来自EUV辐射源3的EUV辐射14。
[0072]EUV辐射14还称为照明光或照明辐射。
[0073]照明光学单元4包含具有多个场分面17的场分面反射镜16。场分面反射镜16布置在照明光学单元4的关于物面6光学共轭的平面中。EUV辐射14从场分面反射镜16反射至照明光学单元4的光瞳分面反射镜18。光瞳分面反射镜18具有多个光瞳分面19。借助光瞳分面反射镜18，场分面反射镜16的场分面17成像至物场5。
[0074]对于场分面反射镜16的场分面17，存在至少一个在光瞳分面反射镜18上的光瞳分面19。光通道或辐射通道形成在相应场分面17与相应光瞳分面19之间。分面反射镜16、18中至少一个的分面17、19可实施为可开关的。它们尤其以可倾斜方式布置在分面反射镜16、18上。在该情况中，可以可倾斜方式实施仅分面17、19的一部分，例如至多30%、至多50%或至多70%。还可将所有分面17、19以可倾斜方式实施。可开关分面17、19尤其为场分面17。通过倾斜场分面17，可改变场分面至相应光瞳分面19的分配以及因此改变光通道形成。场分面17至相应光瞳分面19的特定分配还称为照明设定。关于具有可倾斜分面17、19的分面反射镜16、18的其它细节，应参考DE 10 2008 009 600 Al。
[0075]关于照明光学单元4的其它细节，应同样参考DE 10 2008 009 600 Al。
[0076]EUV辐射14在照明光学单元4和投射光学单元9中的光束路径，尤其是场分面反射镜16和光瞳分面反射镜18的结构化布置不能从图1获知。
[0077]掩模母版保持器8以受控方式可位移，使得在投射曝光期间，掩模母版7在物面6中在位移方向上是可移动的。相应地，晶片保持器13以受控方式可位移，使得晶片12在像面11中在位移方向上是可移动的。因此，掩模母版7和晶片12—方面可通过物场5扫描，另一方面可通过像场10扫描。位移方向还称为扫描方向。掩模母版7和晶片12在位移方向上的位移优选可彼此同步进行。
[0078]投射光学单元9包含多个投射反射镜Mi,其未示于图1中。投射光学单元9尤其包含至少三个、尤其至少五个投射反射镜Ml至M5。投射光学单元9可尤其具有至少六个、七个或八个投射反射镜Ml至M8。
[0079]在使用投射曝光设备I期间，设置承载对照明光光敏感的涂层的晶片12和掩模母版7。至少一部分掩模母版7随后借助投射曝光设备I投射至晶片12上。在该情况中，掩模母版7用EUV辐射14照明，使得EUV辐射14的主光线(CRA，主光线角)以至多6°、尤其至多3°、尤其至多1°、尤其0°的入射角照在掩模母版7上。在该情况中，入射角限定为用于照明掩模母版7的光线束的主光线与掩模母版7的法线29之间的角。主光线的入射角尤其小于物方数值孔径(NAO)，CRA〈arcsin (ΝΑΟ)。物方数值孔径(NAO)