;1的环。优选地，考虑这些设定中的至少两个、尤其至少三个、尤其所有这些设定的组合。
[0132]光瞳的这种密集填充可确保在区域布置的优化期间考虑每个区域22的位置。为了优化区域22的布置，可针对不同设定和/或节距在各个情况中计算成像参数(归一化的成像对数斜率，远心误差)。随后，为了计算布置的适应度，可在各个情况中使用这些参数的最差值。如果相应确定的适应度比区域22的先前布置大，则新布置为最佳。
[0133]图13示出用于评估随标准数量变化的成像质量的参数的展开。在该情况中，曲线40代表NILS场分布的百倍。曲线41代表远心度分布。对于所有场点，远心度在底部的单位数mrad范围内。远心误差对于所有场点尤其具有小于lOmrad、尤其小于7mrad、尤其至多4mrad的最大值。曲线42代表归一化图像对数斜率(NILS)的分布。对于所有场点，NILS值为至少2、尤其至少2.3。
[0134]曲线43和44各分别代表第一区域22之间最大和最小的最小距离的十倍。
[0135]曲线45代表区域22的位置在各循环偏移的以照明光瞳半径的百分比σ )表示的值。区域22的位置的变化在优化期间动态适配。该动态适配尤其依据所谓的1/5成功法则来进行。这具有以下结果:算法快速收敛。如果进程已接近最佳，则变化逐渐减小。在所示示例中，变化最初为0.1mo，即照明光瞳的半径的1/100%。大约从第50循环开始，变化小于0.0lm σ。
[0136]如从图13在质量上可辨别的，算法在小于100个循环之后收敛。
[0137]根据本发明的方法使得可确保成像性能对于所有相关照明设定和/或节距均达到预定义最小值。尤其可针对所有相关设定和/或节距优化成像性能。优化尤其可进行为使得成像性能基本上独立于照明设定和/或节距。
[0138]图14a示出第一区域22在反射镜20上的另一优化布置。图14b示出与图14a对应的O衍射级46和土 Ist衍射级47的像的分布。在该情况中，识别出遮挡的衍射级48的像，即与根据图14a的布置的第一区域22之一重叠的衍射级的像。如质量上可辨别的，遮挡的衍射级48的比例远小于10%、尤其小于3%、尤其小于1%。
[0139]图14b的结果再次总结在图14c和14d中。图14c对照辐射通道绘制了 0、lst和-1st衍射级相对于指定辐射通道的关于I归一化的强度的强度。在非遮挡的情况中，零衍射级的强度为0.5，± Ist衍射级的强度为0.333。换言之，位于0.5或0.333处的入口对应于与第一区域22之一至少部分重叠的(即，被遮挡的)辐射通道。根据图14c的分布总结在图14d中。如从这些图可推断的，O衍射级基本上不与第一区域22重叠。而且，仅一小部分土 Ist衍射级被区域22遮挡。
[0140]根据本发明的另一实施例，为了精细调节光瞳中的强度分布，单独第一区域22的布置可稍微变化，以部分遮挡相应光瞳斑的强度的一部分，即减小该光瞳斑的强度。
[0141]另外，根据一个有利的实施例，如果单独照明通道的衍射级被遮挡，即该衍射级入射在第一区域22之一上，则可调节该单独照明通道的光束路径。这尤其在可开关分面反射镜16、18的情况中是可能的。
[0142]在根据图4的反射镜20与光瞳分面反射镜18的组合的一个特别有利的发展中，这两个反射镜20、18实施为单一光学部件。它们尤其实施为微机电系统(MEMS)，其具有包含多个单独反射镜的阵列(多镜阵列，MMA)。关于这种微反射镜和其驱动的细节，应参考DE10 2009 034 502 Al。在这种MEMS的情况中，微反射镜至布置在第一区域22中的光瞳分面19以及至像场投射光学单元9的反射镜Mi的第二区域23的分配可以可变方式来设置。换言之，驱动位置，即第一区域22的布置成为可能。而且，微反射镜的倾斜以及因此第一区域22的倾斜是可调的。在该实施例中，第一区域22因此在投射曝光设备I运行期间以可变方式，即以可位移方式布置在反射镜20上。
[0143]作为用于投射曝光设备中的替代例，根据本发明的反射镜20还可用于检查设备，尤其由于检查反射式光刻掩模或用于检查曝光的晶片基板。在该情况中，投射光学单元9的像场10构成检查设备的检查物场。
【主权项】
1.具有分片总表面区(24)的反射镜(20)，包含: a.多个第一区域(22);以及 b.至少一个第二辐射反射式区域(23)， c.其中，所述第一区域分别在结构上由所述至少一个第二区域定界且因此被周向环绕， d.其中，所述第一区域(22)非周期地布置，并且 e.其中，所述第一区域(22)具有在Imm至20mm范围内的直径。
2.根据权利要求1所述的反射镜(20)，其特征在于所述第一区域(22)布置为使得，从栅格的顶点上的所有所述第一区域(22)的布置开始，所述第一区域(22)的至少10%以关于所述顶点偏离它们直径的至少一半的方式布置。
3.根据前述权利要求中任一项的反射镜(20)，其特征在于，从位于栅格的顶点的布置开始，所述第一区域(22)以关于所述顶点偏离所述栅格的相邻顶点之间的平均距离的至多一半的方式布置。
4.根据前述权利要求中任一项的反射镜(20)，其特征在于，所述第一区域(22)以均匀分布的方式布置，使得它们在直径小于所述反射镜(20)的直径的50%的区域中的局部密度偏离所述第一区域在整个反射镜(20)上的平均密度至多30%。
5.根据前述权利要求中任一项的反射镜(20)，其特征在于，所述第一区域(22)的数量为至少100。
6.根据前述权利要求中任一项的反射镜(20)，其特征在于，所述第一区域(22)的全体具有一表面区，其组成所述反射镜(20)的总表面区(24)的至多30%。
7.根据前述权利要求中任一项的反射镜(20)，其特征在于，所述第一区域(22)为辐射透射式的。
8.光学部件(33)，包含: a.根据前述权利要求中任一项的至少一个反射镜(20)， b.用于调节所述至少一个反射镜(20)的调节装置(32)。
9.根据权利要求8的光学部件(33)，其特征在于，所述光学部件具有根据权利要求1至7中任一项的至少两个反射镜(20)，所述至少两个反射镜(20)通过所述调节装置(32)而能够更换。
10.用于将物场(5)成像至像场(10)的投射光学单元(9)，包含根据权利要求1至7中任一项的反射镜。
11.光学系统(27)，包含: a.照明光学单元(4)，以照明辐射(14)照明物场(5)，以及 b.根据权利要求10的投射光学单元(9)， c.其中，所述反射镜(20)的第一区域(22)布置在所述照明光学单元(4)的光束路径中，并且 d.其中，所述反射镜(20)的至少一个第二区域(23)布置在所述投射光学单元(9)的光束路径中。
12.根据权利要求11的光学系统(27)，其特征在于，所述光学系统具有物方数值孔径(NAO)和主光线角(CRA)，其中，arcsin (NAO)彡CRA适用。
13.用于微光刻的投射曝光设备(I)，包含: a.辐射源(3)，以及 b.根据权利要求11或12的光学系统(27)。
14.用于优化根据权利要求1至7中任一项的反射镜(20)的设计的方法，包含以下步骤: a.预定义所述反射镜(20)的起始设计，其具有所述反射镜(20)的多个第一区域位于栅格的顶点的布置， b.预定义适应函数(f)，用于评估具有该类型反射镜(20)的投射光学单元(9)的成像质量， c.预定义至少一个目标值和终止标准， d.根据预定义算法改变所述第一区域(22)的布置直至达到至少一个预定义目标值或所述终止标准为止。
15.用于制造微结构或纳米结构部件的方法，包含以下步骤: -提供掩模母版(7)， -提供具有光敏涂层的晶片(12)， -借助于根据权利要求13的投射曝光设备(I)，将所述掩模母版(7)的至少一部分投射至所述晶片(12)， -将曝光的光敏涂层显影在所述晶片(12)上。
【专利摘要】具有分片总表面区的反射镜，其中分片形成非周期布置。
【IPC分类】G03F7-20
【公开号】CN104641296
【申请号】CN201380048023
【发明人】I.萨恩杰, J.劳夫, M.恩德雷斯, T.艾森曼
【申请人】卡尔蔡司Smt有限责任公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年8月30日
【公告号】DE102012216502A1, EP2895920A2, US20150160561, WO2014040866A2, WO2014040866A3