显示装置的制造方法
【专利说明】
[0001] 本申请要求于2013年12月4日提交的第10-2013-0150010号韩国专利申请的优 先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
[0002] 本发明涉及一种显示装置。
【背景技术】
[0003] 显示装置是视觉地显示数据的装置。显示装置可以是例如液晶显示器、电泳显示 器、有机发光显示器、无机EL(电致发光）显示器、场发射显示器、表面传导电子发射体显示 器、等离子体显示器或阴极射线显示器。
[0004] 液晶显不器包括两个显不基板和液晶层，在两个显不基板上形成有例如像素电极 和共电极的电场产生电极，液晶层设置在电场产生电极之间。通过将电压施加到电场产生 电极来产生电场，通过产生的电场来确定液晶层的液晶分子的取向，并且控制入射光的偏 振，从而显示图像。
【发明内容】
[0005] 为了改善低梯度图像的显示质量并且为了降低功耗，在显示高梯度图像的情况 下，一对子像素中的两个子像素可以均工作，在显示低梯度图像的情况下，一对子像素中的 仅一个子像素可以工作。例如，如果假设施加有相对高的电压的子像素为第一子像素，并且 施加有相对低的电压的子像素为第二子像素，则当显示高梯度图像时，第一子像素和第二 子像素可以均工作，当显示低梯度图像时，仅第一子像素可以工作。
[0006] 然而，在使用该方法时，可能难以设置共电压。例如，在显示高梯度图像的情况下， 第一子像素和第二子像素均工作，从而可能导致反冲电压升高，结果，最佳共电压可能降 低。相反，在显示低梯度图像的情况下，仅第一子像素工作，从而可能导致反冲电压降低，结 果，最佳共电压可能升高。
[0007] 在这种情况下，如果基于显示低梯度图像的情况来设置共电压，则在显示高梯度 图像时，正极性和负极性之间的不对称可能增大，并且可能出现诸如以重影和串扰为例的 显示缺陷。因此，可以基于显示高梯度图像的情况来设置共电压。即，共电压可以被设置为 低于在显示低梯度图像时的最佳共电压。
[0008] 然而，如果共电压被设置为低的值，则显示装置的像素区域的中心部分的亮度可 能由于栅极信号的延迟现象而变高。也就是说，在显示装置的像素区域的边缘部分和中心 部分之间可能出现亮度差。
[0009] 根据本发明的示例性实施例，提供了一种能够降低像素区域的边缘部分和中心部 分之间的亮度差异的显示装置。
[0010] 根据本发明的示例性实施例，一种显示装置包括：第一基板；栅极线，设置在第一 基板上并连接到栅极驱动器；参考电压线，设置在第一基板上；数据线，设置在第一基板上 并与栅极线和参考电压线交叉；第一薄膜晶体管，连接到栅极线和数据线并包括第一漏极； 第二薄膜晶体管，包括第二漏极；第三薄膜晶体管，连接到栅极线、参考电压线和第二薄膜 晶体管；像素电极，包括连接到第一薄膜晶体管的第一子像素电极和连接到第二薄膜晶体 管的第二子像素电极。第一漏极与参考电压线叠置，第一漏极与参考电压线彼此叠置的区 域的面积沿朝向栅极驱动器的方向逐渐增大。
[0011] 第二漏极可以与参考电压线叠置，第一漏极与参考电压线彼此叠置的区域的面积 可以大约等于或大于第二漏极与参考电压线彼此叠置的区域的面积。
[0012] 第二漏极与参考电压线彼此叠置的区域的面积在第一基板的整个表面上可以是 恒定的。
[0013] 第二漏极可以与参考电压线叠置，第一漏极与参考电压线彼此叠置的区域的面积 以及第二漏极与参考电压线彼此叠置的区域的面积之差可以沿朝向栅极驱动器的方向逐 渐增大。
[0014] 第一漏极可以包括与参考电压线叠置的第一漏极延伸部分。第一漏极延伸部分可 以包括凸起延伸部分，并且凸起延伸部分的长度可以沿朝向栅极驱动器的方向逐渐增大。
[0015] 第二漏极可以包括与参考电压线叠置的第二漏极延伸部分，第二漏极延伸部分在 第一基板的整个表面上可以具有相同的形状。
[0016] 栅极线和参考电压线可以设置在同一平面上。
[0017] 第二薄膜晶体管的输出端子可以连接到第二子像素电极和第三薄膜晶体管的输 入端子。
[0018] 施加到第二子像素电极的电压可以比施加到第一子像素电极的电压低。
[0019] 第二子像素电极的面积可以大约等于或大于第一子像素电极的面积。
[0020] 第一子像素电极和第二子像素电极可以包括具有水平干部分和与水平干部分交 叉的垂直干部分的交叉干部分以及从交叉干部分延伸的多个精细分支部分。
[0021] 显示装置还可以包括：第二基板，面对第一基板；液晶层，设置在第一基板和第二 基板之间。
[0022] 根据本发明的示例性实施例，一种显示装置包括：基板；栅极线，设置在基板上并 被构造为接收从栅极驱动器施加的栅极信号；参考电压线，设置在基板上并与栅极线分隔 开；数据线，设置在基板上，被构造为接收从数据驱动器施加的数据信号，并与栅极线和参 考电压线交叉；第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，连接到栅极线和数据线；第三薄膜晶 体管，连接到栅极线、参考电压线和第二薄膜晶体管；像素电极，包括连接到第一薄膜晶体 管的第一子像素电极和连接到第二薄膜晶体管的第二子像素电极。第一子像素电极与参考 电压线叠置，第一子像素电极与参考电压线彼此叠置的区域的面积沿朝向栅极驱动器的方 向逐渐增大。
[0023] 参考电压线可以包括与第一子像素电极的边缘部分叠置的保持延伸部分，保持延 伸部分的长度可以沿朝向栅极驱动器的方向逐渐增大。
[0024] 根据本发明的示例性实施例，一种显示装置包括：基板；至少一个像素，设置在基 板上。所述至少一个像素包括第一子像素和第二子像素，施加到第二子像素的电压低于施 加到第一子像素的电压，第一子像素包括第一保持电容器，第一保持电容器的电容朝向基 板的一个边缘部分逐渐增大。
[0025] 第一保持电容器的电容可以在基板的中心部分中最低。
[0026] 第一保持电容器的电容可以在基板的面对所述一个边缘部分的另一个边缘部分 中最低。
[0027] 显示装置还可以包括将栅极信号施加到第一子像素和第二子像素的栅极驱动器。 栅极驱动器可以设置在基板的所述一个边缘处。
[0028] 第二子像素可以包括第二保持电容器。第一保持电容器的电容可以大约等于或大 于第二保持电容器的电容。
[0029] 第二保持电容器的电容可以在基板的整个表面上恒定。
[0030] 根据本发明的示例性实施例，可以减小显示装置的像素区域的边缘部分与中间部 分之间的亮度差异。
【附图说明】
[0031] 通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其它特征将变 得更清楚，在附图中：
[0032] 图1是根据本发明的示例性实施例的显示装置的示意性平面图。
[0033] 图2是根据本发明的示例性实施例的位于图1的显示装置的像素区域中的一个像 素的等效电路图。
[0034] 图3是根据本发明的示例性实施例的施加到图2的像素的信号的波形图。
[0035] 图4是根据本发明的示例性实施例的位于图1的显示装置的区域A中的一个像素 的平面图。
[0036] 图5是根据本发明的示例性实施例的图4的像素的薄膜晶体管区域的放大的平面 图。
[0037] 图6是根据本发明的示例性实施例的沿图5的线VI-VI'截取的剖视图。
[0038] 图7是根据本发明的示例性实施例的位于图1的显示装置的区域B中的一个像素 的薄膜晶体管区域的放大的平面图。
[0039] 图8是根据本发明的示例性实施例的沿图7的线VIII-VIII'截取的剖视图。
[0040] 图9是根据本发明的示例性实施例的位于图1的显示装置的区域C中的一个像素 的薄膜晶体管区域的放大的平面图。
[0041] 图10是根据本发明的示例性实施例的沿图9的线X-X'截取的剖视图。
[0042] 图11是根据本发明的示例性实施例的在显示装置中的被布置在与图1的区域A 对应的位置中的一个像素的平面图。
[0043] 图12是根据本发明的示例性实施例的在图11中的显示装置中的被布置在与图1 的区域B对应的位置中的一个像素的平面图。
[0044] 图13是根据本发明的示例性实施例的在图11中的显示装置中的被布置在与图1 的区域C对应的位置中的一个像素的平面图。
【具体实施方式】
[0045] 在下文中将参照附图更充分地描述本发明的示例性实施例。同样的标号在整个附 图中可以表示同样的元件。
[0046] 将理解的是，当元件或层被称为"在"另一元件或层"上"或者"连接到"另一元件 或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上或者直接连接到所述另一元件或层， 或者可以存在中间元件或中间层。
[0047] 为了方便描述，在这里可使用诸如"在…之下"、"在…下方"、"下面的"、"在…上 方"、"上面的"等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征 的关系。将理解的是，空间相对术语意在包含除了在附图中描述的方位之外的装置在使用 或操作中的不同方位。
[0048] 显示装置是显示图像的装置。显示装置可以是例如液晶显示器、电泳显示器、有机 发光显示器、无机EL(电致发光）显示器、场发射显示器、表面传导电子发射体显示器、等离 子体显示器或者阴极射线显示器。
[0049] 在下文中，本发明的示例性实施例包括液晶显示器。然而，根据本发明的显示装置 不限于此，根据示例性实施例，可以使用各种类型的显示装置。
[0050] 图1是根据本发明的示例性实施例的显示装置的示意性平面图。
[0051] 参照图1，根据示例性实施例的显示装置包括基板S、像素区域PR、栅极驱动器⑶、 栅极线GL、数据驱动器DD和数据线DL。
[0052] 基板S可以是例如绝缘基板。基板S可以是例如刚性基板或柔性基板。
[0053] 像素区域PR位于基板S上，并且包括多个像素。如图1中所示，像素区域PR可以 具有矩形