平面中。在图1中，y轴向右延伸。在图1中，Z轴向下延伸。在投射曝光设备1的整 体描述中，该Z方向垂直于像面21延伸。在关于光源2或照明光学组件的描述中，该Z方 向沿着该EUV光的主传播方向延伸。
[0035] 在根据图1的投射曝光设备1中，在照明光3的光束路径中，场分面反射镜8为第 一分面反射镜，而光瞳分面反射镜9为第二分面反射镜。分面反射镜8、9还可互换它们的 功能。因此，第一分面反射镜8可为光瞳分面反射镜，那么其布置在投射光学单元16的光 瞳平面中或与其共辆的平面中，而第二分面反射镜9可为场分面反射镜，那么其布置在光 学共辆于物面15的场平面中。
[0036] 在投射曝光期间，掩模母版与晶片两者均通过对应地致动掩模母版位移驱动器19 和晶片位移驱动器24而在图1的y方向上W同步方式被扫描。在该投射曝光期间，该晶片 W通常为600mm/s的扫描速度在y方向上被扫描。两个位移驱动器19、24的同步扫描可独 立于扫描装置6的扫描操作来进行。
[0037] 场分面的长侧垂直于扫描方向y。场分面的x/y长宽比对应于狭缝状物场14的 x/y长宽比，其同样地具有矩形或弯曲的设计。
[003引扫描装置6中扫描反射镜，其W掠过方式反射可用福射束3,并可绕平行于图1的X轴延伸的直线扫描轴线25和与直线扫描轴线垂直并位于图1的yz平面中的直线进给轴 线26倾斜。两个轴线25、26均位于扫描装置6的反射镜表面27上。
[0039] EUV光源2具有原始偏振设定装置28,为了设定原始输出光束30的偏振（参照 图2)，原始偏振设定装置在EUV产生装置2c中对电子束化施加偏转效果。原始偏振设定 装置28通过对应地布置波荡器2c的偏转磁体29来实现。该些偏转磁体29布置成使得 EUV原始输出光束30具有圆形偏振（参照图2)，其在图2中由适当的偏振符号31 (圆形箭 头）来表示。用于实现圆形偏振的EUV输出光束的偏转磁体29的对应布置在上面已引用 的化indler参考文献中得到描述。该波荡器的波荡器磁体的选择性调节可有针对性地用 于从线性切换到圆形偏振的EUV光。在此，原始偏振设定装置28同时可充当在EUV原始输 出光束30的圆形偏振和EUV原始输出光束30的线性偏振之间进行切换的切换单元。
[0040] 作为波荡器2c的组件的一些偏转磁体29在图1中示意性地示出。
[0041] 另外，EUV光源2具有偏振设定装置32,为了设定可用输出光束3的偏振，偏振设 定装置相对于偏振方向对原始输出光束30施加线性偏振效果。
[0042] 图2示出偏振设定装置32的变型例。该偏振设定装置具有第一EUV偏转反射镜 33,其布鲁斯特入射角的范围中操作，该偏振设定装置具有布置在第一EUV偏转反射镜下 游的另一个EUV偏转反射镜34,其同样地在原始输出光束30的布鲁斯特入射角的范围中操 作。偏转反射镜33和34的入射平面一致。
[0043] 由第二偏转反射镜34反射的可用输出光束3垂直于偏转反射镜33、34的入射平 面线性地偏振，即平行于图2的X轴，其由适当的偏振符号（在圆圈内的交叉）表示。
[0044] 两个偏转反射镜33、34由偏振设定装置32的共同支撑体36支撑，其方式并未进 一步详细叙述，并相对彼此固定地布置。借助旋转驱动器37,支撑体36可绕与原始输出光 束20在偏振设定装置32的第一偏转反射镜33上的入射轴一致的旋转轴线38旋转。支撑 体36的旋转可使原始输出光束30在偏转反射镜33、34上的入射平面相应地旋转，可用输 出光束3的线性偏振方向相应地旋转。
[0045] 在第二偏转反射镜34处偏转之后，可用输出光束3在与原始输出光束30相同的 方向上传播。
[0046] 根据图2的偏振设定装置32具有正好两个偏转反射镜33、34。在于第二偏转反射 镜34处偏转之后，可用输出光束3平行于原始输出光束30传播。
[0047] 由于在偏转反射镜33和34处的双重布鲁斯特反射，利用可用输出光束2的强度 与平行于设定线性蓋底抽薪的偏振分量可用输出光束3的线性偏振利用可用输出光束3的 强度与平行于设定的线性偏振的偏振分量（相对于垂直于设定的线性偏振的偏振分量的 强度）之间的高对比度来实现。
[0048] 图3示出偏振设定装置39的变型例，其可代替偏振设定装置32。对应于那些已 经在W上参照图2做解释的那些组件的组件W相同的参考符号来表示，并且不再做详细讨 论。
[0049] 偏振设定装置39包括具有反射镜表面40、41、42的S个EUV偏转反射镜。第一反 射镜表面40和第S反射镜表面42是组合了S个反射镜中的两个反射镜的EUV偏转棱镜43 的组件，在该EUV偏转棱镜中，两个腿侧表面（leg-sideSU计ace)用作反射镜表面40、42。 在反射镜表面40至42处的反射均发生在相同的入射平面内，在所示偏振设定装置39的旋 转位置上，该入射平面与yz平面一致。
[0化日]在反射镜表面40和42处的反射，即在偏转棱镜43处的反射发生在布鲁斯特入射 角的范围内。在EUV偏转反射镜44的反射镜表面41处的反射接近于垂直入射发生。或者， 可设计在反射镜表面40至42处的所有=个反射均具有在60°范围内的入射角。该布鲁斯 特入射角位于40°与47°之间的范围内，特别是在45°的范围内。根据反射镜表面40至 42处的多层反射层设计，该布鲁斯特入射角可偏离45°，例如为43°。
[0051] 在该情况下，两个反射镜表面40、42之间的角度不会像根据图3的实施例那样位 于90°的范围内，而是在120°的范围内。
[0化2] 偏转棱镜43和偏转反射镜44再一次地一起由支撑体36支撑。
[0化3] 在于第=偏转反射镜42处反射之后，可用输出光束3沿原始输出光束30的入射 轴传播到偏振设定装置39的第一偏转反射镜40。因此，偏振设定装置39绕旋转轴线38的 用于指定可用输出光束3的线性偏振方向的旋转并不会导致可用输出光束3的光束偏移。 [0054] 除了偏转棱镜43外，还可使用彼此分开布置的两个单独的反射镜，它们的反射镜 表面根据反射镜表面40和42取向。
[0化5] 还可使用具有多于S个的反射镜表面的偏振设定装置的另一变型例。
[0化6] 上述偏振设定装置的变型例还可W是投射曝光设备1的照明光学单元5的组件。 该在图4中示意性描述。对应于已经在上面参照图1至3做解释的组件和功能由相同的参 考符号表示，且不再详细讨论。在该实施例中，EUV光源2产生圆形偏振的EUV原始输出光 束30。然后，后者由偏振设定装置44进行线性偏振，使得得到线性偏振的可用输出光束3。 如上所述，那么所述光束造成物场14的切线偏振照明。
[0化7] 在图4的示意性示例中，偏振设定装置44布置在W掠过方式操作的EUV反射镜12 的前方。或者，偏振设定装置44还可直接布置在物场14前方。在照明光学单元5的一个 变型例中，还可省略W掠过方式操作的EUV反射镜镜12。
[005引下面根据图5和6更详细地描述偏振设定装置44的两个变型例。对应于已经在 上面参照图1至4所述的那些组件的组件再一次地W相同参考符号表示，且将不再详细地 讨论。
[0化9] 在根据图5的实施例的照明光学单元5的情况下，第一分面反射镜8具有多个单 独反射镜45,多个单独反射镜提供用于将照明光30i的部分束引导至物场或照明场14的 照明通道。在根据图5的照明光学单元5中，省略了第二分面反射镜9之后的EUV反射镜。 单独反射镜45布置在单独反射镜支撑件46上。单独反射镜支撑件46具有关于圆形偏振 的原始照明光线30的入射轴线k的旋转对称设计，入射轴线平行于Z轴延伸。单独反射镜 支撑件46设计有平行于xy平面布置的圆形支撑面47。在空间上，单独反射镜支撑件46位 于入射的原始照明光30与物场14之间。
[0060] 单独反射镜45可具有正方形或长方形反射表面，其紧密地布置装在单独反射镜 支撑件46上。还可利用其它形式的单独反射镜，其能够W尽可能小的间隙覆盖第一分面反 射镜8的反射表面。该些替代的单独反射镜形状从镶嵌的数学理论中可知。在本文中，参 考在US2011/0001947A1指定的参考文献。
[0061] 根据第一分面反射镜8的实施例，单独反射镜45具有在例如100 y m X 100 y m到 例如5mm X 5mm的范围内的x/y范围。单独反射镜45可成形为它们对原始照明光30具有 聚焦效果。
[0062] 单独反射镜45可具有位于单独反射镜支撑件46上的布置，单独反射镜支撑件关 于原始照明光30的入射轴k旋转对称。举例来说，该布置可实施为单独反射镜支撑件46 上的多个单独反射镜45的同屯、环，其中，该单独反射镜布置的中屯、与原始照明光30的入射 轴k与支撑面47的交叉点一致。
[0063] 在根据图5的子午截面中W示例性方式示出四个单独反射镜45。在第一分面反射 镜8的真实实施例中，单独反射镜45的数目更大。总体上，第一分面反射镜8具有几百到 几千个单独反射镜45。
[0064] 取决于第一分面反射镜8的实施例，第一分面反射镜8的由单独反射镜45的反射 表面构成的整体反射表面具有例如300mm X 300mm或600mm X 600mm的范围。
[00化]单独反射镜45均分别连接到致动器48,用于单独地偏转入射照明光30,如图5中 基于最上方所示的单独反射镜45所指示的。致动器48布置在各单独反射镜45的远离单 独反射镜45反射侧的一侧上。例如，致动器48可实施成压电致动器。该种致动器的实施 例可从微反射镜阵列的设计中得知。
[0066] 致动器48W未示出的方式连接至中央控制装置48a，通过中央控制装置，致动器 48可被致动成单独地倾斜单独反射镜镜45。
[0067] 单独反射镜45均可绕两个