侧在y方向（扫描方向）上延伸。
[0096] 照明光学单元5布置成中间焦点55经由照明通道成像到光瞳分面62所在的空间 区域中，照明通道分别由单独反射镜57中的至少一个和场分面60中的至少一个形成，并引 导照明光3的部分光束。因此，中间焦点图像63可在各光瞳分面62上产生。根据有多少 个单独反射镜57有助于相应照明通道，该中间焦点图像63可产生为在相应光瞳分面62上 产生的若干中间焦点图像的重叠（由于照明光3经由单独反射镜57的相应一个引导）。在 此，中间焦点图像63不必正好产生在相应照明通道的光瞳分面62上。只要相应光瞳分面 62位于中间焦点图像63的范围中，使得更特别地，中间焦点图像63完全安置在光瞳分面 62上即可。
[0097] 根据光瞳分面62是否为传输光学单元（将场分面60成像到物场14中）的一部 分，光瞳分面62可具有一成像效果，即特别具有凹面设计，或者设计成纯偏转反射镜或平 面镜。光瞳分面62能够支持校正非球面，W校正照明光学单元5的成像缺陷。
[009引单独反射镜57的数量至少与场分面60的数量一样多。在根据图6的实施例中， 单独反射镜57的数量实际上远大于场分面60的数量，特别地，为十倍或甚至更多。照明光 学单元5实施成使得单独反射镜阵列56并未成像在场分面60上，也未成像在光瞳分面62 上。
[0099] 场分面60和光瞳分面62布置成照明通道相应固定地分配给分面对60、62，照明通 道在各情况下由场分面60的正好一个和光瞳分面62的正好一个形成，并相应地对准W引 导照明光3的部分束3i，场分面60和光瞳分面62是分面对60、62的一部分。因此，照明光 束路径64从场分面反射镜8固定地限定在照明光学单元5中。照明的变化仅通过倾斜单 独反射镜阵列56的单独反射镜57来实现，其中单独反射镜阵列56用于选择通过原始照明 光30照射（可选地部分地）哪个场分面60。
[0100] 在根据图6的照明光学单元5中，光瞳分面反射镜9的光瞳分面62具有平面设计。 凹面反射镜65形式的中继光学单元充当传输光学单元，用于将场分面反射镜8的场分面60 成像在物场14中。
[0101] 在照明光学单元5中，光瞳分面62的反射表面可选地设计成校正非球面，W通过 凹面反射镜65校正该成像的成像缺陷。
[0102] 在根据图6的照明光学单元5的照明光束路径64中，照明光3经由场分面反射镜 支撑件61的通路开口66在凹面反射镜65和物场14之间被引导，经由通路开口，照明光3 还在照明光束路径64中在光瞳分面反射镜9和凹面反射镜65之间被引导。
[010引此外，在根据图6的照明光学单元中，原始照明光30在中间焦点55和单独反射镜 阵列56之间被引导通过通路开口 66。
[0104] 根据图6的场分面反射镜8与光瞳分面反射镜9再一次实现了照明光学单元5的 偏振设定装置44。使用根据图6的偏振设定装置44,如上所述，当照明物场14时，同样可 实现切向偏振分布。举例来说，根据图6的绘制平面，当福射在物场14前方时，照明光3i的 部分束相应地为S偏振。
[010引对于处于5皿与30皿之间的范围内的所使用的EUV波长，EUV反射镜表面均能够 承载高度反射的涂层。该涂层可为多层涂层。多层涂层可设计成两种不同涂层材料的交替 性多层，例如为钢/娃双层的序列。
[0106] 在使用投射曝光设备1制造微结构或纳米结构组件时，初始提供掩模母版17和晶 片22。随后，借助投射曝光设备1将掩模母版17上的结构投射到晶片22的光敏层上。通 过显影该光敏层，在晶片22上产生微结构或纳米结构，因此，制成微结构或纳米结构组件， 例如存储器巧片形式的半导体组件。
【主权项】
1. 产生用于投射光刻的投射曝光设备（1)的EUV照明光的可用输出光束（3)的EUV光 源（2, 53)， -具有产生EUV原始输出光束（30)的EUV产生装置（2c)， -其中，所述EUV原始输出光束（30)为圆形偏振（31)， -具有偏振设定装置（32 ;39)，其关于偏振方向对所述原始输出光束（30)具有线性偏 振效果，以设定所述可用输出光束（3)的偏振。
2. 如权利要求1所述的EUV光源， _具有电子束供应装置（2a)， -其中，通过所述电子束供应装置（2a)给所述EUV产生装置（2c)供应电子束（2b)。
3. 如权利要求1或2所述的EUV光源，其特征在于，所述偏振设定装置（32 ;39)具有在 所述原始输出光束（30)的布鲁斯特入射角的范围内操作的至少一个EUV偏转反射镜（33， 34;40,41，42)，其中，￡-偏转反射镜能够绕与所述原始输出光束（30)的入射轴线一致的 轴线旋转，以用于旋转入射平面的目的。
4. 如权利要求3所述的EUV光源，其特征在于，所述偏振设定装置（32 ;39)具有至少两 个￡-偏转反射镜（33,34;40,41，42)，其中，在于所述偏振设定装置（32;39)的最后一个 EUV偏转反射镜（34 ;42)处偏转之后，所述可用输出光束（3)在与所述原始输出光束（30) 相同的方向上传播。
5. 如权利要求4所述的EUV光源，其特征在于，所述偏振设定装置（32 ;39)具有正好 两个EUV偏转反射镜（33, 34)，其中，在于第二EUV偏转反射镜（34)处偏转之后，所述可用 输出光束（3)平行于所述原始输出光束（30)传播。
6. 如权利要求1至5任一项所述的EUV光源，其特征在于，所述偏振设定装置（39)具 有至少三个EUV偏转反射镜（40至42)，其中，在于第三EUV偏转反射镜（42)处偏转之后， 所述可用输出光束（3)沿所述原始输出光束（30)的入射轴线（38)传播。
7. 如权利要求1至6任一项所述的EUV光源，其特征在于，所述偏振设定装置（39)具 有EUV偏转棱镜（43)，所述EUV偏转棱镜的两个侧表面（40,42)充当反射镜表面。
8. 如权利要求3至7任一项所述的EUV光源，其特征在于，所述偏振设定装置（39)具 有正好三个EUV偏转反射镜（40至42)，其中，所有三个EUV偏转反射镜（40至42)均在所 述原始输出光束（30)的布鲁斯特入射角的范围内。
9. 用于投射曝光设备的照明系统， -具有如权利要求1至8任一项所述的EUV光源（2 ;53)， -具有照明光学单元（5)，所述照明光学单元用于使用所述可用输出光束（3)照明位于 掩模母版平面（15)中的照明场（14)。
10. 用于投射曝光设备的照明系统， -具有EUV光源（2 ;53)，产生用于投射光刻的EUV照明光的可用输出光束（3)， -具有产生EUV原始输出光束（30)的EUV产生装置（2c)， 一其中，所述EUV原始输出光束（30)为圆形偏振（31)的， -具有照明光学单元（5)，用于使用所述可用输出光束（3)照明位于掩模母版平面（15) 中的照明场（14)， -其中，所述照明光学单元（5)具有偏振设定装置（44)，所述偏振设定装置关于偏振 方向对所述EUV原始输出光束（30)具有线性偏振效果，以设定所述可用输出光束（3)的偏 振。
11. 如权利要求1至8任一项所述的EUV光源（2 ;53)以及作为如权利要求9或10所 述的照明系统的组件的EUV光源（2 ;53)，其特征在于，所述EUV光源（2 ;53)实施为具有切 换单元（28)，所述切换单元用于在所述EUV原始输出光束（30)的圆形偏振和线性偏振之间 切换。
12. 用于投射曝光设备的光学系统， -具有如权利要求9或10所述的照明系统，以及 -具有投射光学单元（16)，用于将照明场（14)成像到像场（20)中。
13. 用于EUV光刻的投射曝光设备（1)， -具有如权利要求1至8任一项或权利要求11所述的EUV光源， -具有如权利要求12所述的光学系统， _具有掩模母版保持器（18)，用于将掩模母版（17)保持在要用所述光学系统的照明光 (3)照射的掩模母版平面（15)中， -具有投射光学单元（16)，用于将照明场（14)成像到像面（21)的像场（20)中， -具有晶片保持器（23)，用于将晶片（22)保持在所述像面（21)中，使得在投射曝光的 情况下，布置在所述照明场（14)中的掩模母版结构成像在布置于所述像场（20)中的晶片 部分上。
14. 用于制造结构化组件的方法，包含以下方法步骤： _提供掩模母版（17)和晶片（22)， -借助如权利要求13所述的投射曝光设备（1)将所述掩模母版（17)上的结构投射在 所述晶片（22)的光敏层上， -在所述晶片（22)上产生微结构或纳米结构。
15. 根据如权利要求14所述的方法制造的结构化组件。
【专利摘要】一种产生用于投射光刻的投射曝光设备(1)的EUV照明光的可用输出光束(3)的EUV光源(2)。该光源(2)具有产生EUV原始输出光束的EUV产生装置(2c)。该EUV原始输出光束为圆形偏振。为了设定可用输出光束(3)的偏振，相对于偏振方向，偏振设定装置(32；39)对原始输出光束具有线性偏振效果。这导致提供改进的输出光束以用于分辨率最优照明的EUV光源。
【IPC分类】G02B27-28, H05H7-04, G03F7-20, G21K1-06
【公开号】CN104718500
【申请号】CN201380054067
【发明人】I.桑格, M.莫尔, C.亨纳克斯, J.劳夫, D.克拉默
【申请人】卡尔蔡司Smt有限责任公司
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2013年10月22日
【公告号】DE102012219936A1, EP2915007A1, US20150173163, WO2014067812A1