光学邻近修正方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种光学邻近修正方法。
【背景技术】
[0002] 光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，其能够实现将图形从掩模版 中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。在光刻工艺过程中，首先，通过曝光 步骤，光线通过掩模版中透光的区域照射至涂覆了光刻胶的硅片上，并与光刻胶发生光化 学反应；接着，通过显影步骤，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度，形成光刻 图案，实现掩模版图案的转移；然后，通过刻蚀步骤，基于光刻胶层所形成的图案对硅片进 行刻蚀，将掩模版图案进一步转移至硅片上。
[0003] 在形成掩膜版图形的过程中，一般是根据最终形成的刻蚀图形，设计出光刻胶层 上的曝光目标图形；然后再根据所述曝光目标图形，通过0PC模型计算得到最终需要在掩 膜版上形成的图形。
[0004] 但是由于存在光学邻近效应，光刻机台的曝光能力受到光刻分辨率的限制，对于 尺寸小于光刻分辨率的曝光目标图形，在实际的曝光过程中，是没有办法在光刻胶层上形 成与该曝光目标图形尺寸相同的曝光图形的。
[0005] 所以需要在设计阶段，根据光刻机台的分辨率，对曝光目标图形进行合适的补偿， 形成可曝光目标图形，然后根据所述可曝光目标图形形成合适的掩膜版图形。现有技术通 常会通过对照机台的光刻分辨率限制表，通过减小曝光目标图形的宽度，进而增大相邻曝 光目标图形之间的间距使不可曝光的目标图形转换成可曝光目标图形。
[0006] 所述光刻分辨率限制表是对不同宽度，不同间距图形，进行曝光后，根据图形的曝 光效果得到的表格，表格的横纵坐标分别为在光刻胶上形成的曝光图形的宽度以及相邻曝 光图形之间的间距。所述光刻分辨率限制表包括可曝光区域和不可曝光区域，所述可曝光 区域是指在光刻胶上可以形成的曝光图形的尺寸范围；而不可曝光区域内的图形的尺寸范 围则不能在光刻胶上形成。现有技术可以通过降低曝光目标图形的宽度，将不可曝光区域 内的曝光目标图形移至可曝光区域。
[0007] 但是，曝光目标图形尺寸的改变会导致后续以所述图形化光刻胶层为掩膜进行刻 蚀形成的刻蚀图形尺寸与设计尺寸之间有一定的偏差，可能会最终形成的半导体器件的性 能造成影响。
【发明内容】
[0008] 本发明解决的问题是提供一种光学邻近修正的方法，避免对半导体器件的性能造 成影响。
[0009] 为解决上述问题，本发明提供一种光学邻近修正的方法，包括：根据图形长度、宽 度以及相邻图形之间的间距，建立光刻分辨率限制表，所述光刻分辨率限制表包括可曝光 区域和不可曝光区域；提供当前层图形和相邻层图形，所述当前层图形中包括若干当前层 子图形，所述相邻层图形包括若干相邻层子图形，并且将所述当前层图形和相邻层图形重 叠，形成重叠图形；确定所述当前层图形中的坏边，所述坏边所在的当前层子图形作为第一 待修正子图形，所述第一待修正子图形具有第一宽度，所述坏边与相邻当前层子图形之间 具有第一间距，所述第一宽度和第一间距位于光刻分辨率限制表中的不可曝光区域，并且， 在重叠图形中，所述坏边与部分相邻层子图形相交或间距小于预设值，所述部分相邻层子 图形作为第一相邻层子图形；在所述坏边上加入切分点，所述切分点分别位于第一相邻层 子图形的上方和下方，所述切分点之间的部分坏边作为第一线段，坏边的其余部分作为第 二线段；移动所述第二线段，使第一待修正子图形中第二线段的相对边与第二线段之间具 有第二宽度，第二线段与相邻当前层子图形之间具有第二间距，所述第二宽度和第二间距 位于光刻分辨率限制表中的可曝光区域；根据所述第一线段的长度，对照光刻分辨率限制 表，将第一线段移动相应的距离，使第一待修正子图形中第一线段的相对边与第一线段之 间具有第三宽度，第一线段与相邻当前层子图形之间具有第三间距，所述第三宽度和第三 间距位于第一线段的长度所对应的光刻分辨率限制表中的可曝光区域。
[0010] 可选的，所述第二宽度小于第一宽度，第三宽度大于第二宽度。
[0011] 可选的，所述切分点与第一相邻层子图形之间的垂直距离为〇~100nm。
[0012] 可选的，所述预设值为30nm~50nm。
[0013] 可选的，所述第一线段与相邻层子图形之间的间距为0~30nm。
[0014] 可选的，所述光刻分辨率限制表的建立方法包括：提供掩膜图形，所述掩膜图形上 具有若干不同宽度和间距的子图形，所述子图形为掩膜图形的遮光区域；对所述掩膜图形 进行曝光，得到曝光图形，所述曝光图形包括若干曝光子图形；以所述曝光子图形的宽度和 相邻曝光子图形之间的间距分别作为横坐标和纵坐标，建立光刻分辨率限制表，所述曝光 子图形的宽度、所述曝光子图形与相邻的子图形之间的间距位于所述光刻分辨率限制表中 的可曝光区域，而其余未形成的曝光图形的尺寸区域为光刻分辨率限制表中的不可曝光区 域。
[0015] 可选的，根据不同长度的曝光子图形，分别建立不同的光刻分辨率限制表。
[0016] 可选的，所述光刻分辨率限制表的曝光子图形的宽度范围为50nm~6000nm，相邻 曝光子图形之间的间距为40nm~300nm。
[0017] 可选的，建立所述光刻分辨率限制表的曝光子图形的长度范围为50nm~6000nm。
[0018] 可选的，所述光刻分辨率限制表的数量为四个，包括：第一光刻分辨率限制表，建 立所述第一光刻分辨率限制表所采用的第一曝光子图形具有第一长度，所述第一长度范围 为lOOOnrn~6000nm;第二光刻分辨率限制表，建立所述第二光刻分辨率限制表所采用的第 二曝光子图形具有第二长度，所述第二长度范围为500nm~lOOOnrn;第三光刻分辨率限制 表，建立所述第三光刻分辨率限制表所采用的第三曝光子图形具有第三长度，所述第三长 度范围为150nm~500nm;第四刻分辨率限制表，建立所述第四刻分辨率限制表所采用的第 四曝光子图形具有第四长度，所述第四长度范围为50nm~150nm。
[0019] 可选的，移动所述第二线段的方法包括：对照第一光刻分辨率限制表，将第二线 段移动最小距离，使第一待修正子图形中第二线段的相对边与第二线段之间的第二宽度， 第二线段与相邻当前层子图形之间的第二间距，位于第一光刻分辨率限制表中的可曝光区 域。
[0020] 可选的，移动所述第一线段的方法包括：根据第一线段的长度，选择对应的光刻分 辨率限制表，所述对应的光刻分辨率限制表所采用的曝光子图形的长度与所述第一线段的 长度最接近或相同；判断所述第一线段的长度与第一宽度是否位于所述对应的光刻分辨率 限制表中的可曝光区域；若位于可曝光区域内，则保持所述第一线段不动；若位于不可曝 光区域内，则对照所述对应的光刻分辨率限制表，将第一线段移动最少的距离，使第一线段 与相邻的当前层子图形之间的距离减小至可曝光区域内。
[0021] 可选的，还包括：确定所述图形中的待修正边，所述待修正边所在的当前层子图形 作为第二待修正子图形，所述第二待修正子图形的宽度以及所述待修正边与相邻当前层子 图形之间的间距位于光刻分辨率限制表中的不可曝光区域。
[0022] 可选的，还包括：移动所述待修正边，使所述第二待修正子图形的宽度、所述待修 正边与相邻当前层子图形之间的间距，位于光刻分辨率限制表中的可曝光区域。
[0023] 与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
[0024] 本发明的技术方案中，首先建立光刻分辨率限制表，所述光刻分辨率限制表包括 可曝光区域和不可曝光区域；然后找出当前层图形中的坏边，所述坏边所在的当前层子图 形为第一待修正图形，所述第一待修正子图形位于光刻分辨率限制表面中的不可曝光区 域，并且，所述坏边与部分相邻层子图形相交或间距小于预设值。本发明的技术方案中，通 过在所述坏边上加入位于相邻层子图形上方和下方的切分点，将坏边拆分为与相邻层子图 形接近或相交的第一线段，以及远离所述相邻层子图形的第二线段，对于第一线段和第二 线段分别对照不同的光刻分辨率限制表，进行移动，从而使第一待修正子图形进入光刻分 辨率限制表中的可曝光区域。由于第一线段的长度较小，与第一线段的长度相对应的光刻 分辨率限制表中的可曝光区域大于第一光刻分辨率限制表中的可曝光区域，所以第一线段 移动的距离小于第二线段移动的最小距离就可以使所述第一待修正子图形进入可曝光区 域内，从而可以避免或尽量减少相邻层子图形与第一待修正子图形之间的重叠面积的变 化，从而使得采用上述方法进行修正后的图形作为曝光目标图形而形成的半导体器件性能 不会受到影响或者影响不大。
[0025] 进一步，所述切分点分别位于相邻层子图形的上方和下方，使相邻层子图形中距 离第一线段最近的边长的长度、或者与第一线段相交部分的长度都小于第一线段的长度， 可以避免光刻过程中由于对准误差造成相邻层子图形与当前层子图形之间重叠面积发生 变化。
【附图说明】
[0026] 图1是本发明的实施例中建立第一光刻分辨率限制表采用的第一曝光子图形的 示意图；
[0027] 图2至图3是本发明的实施例中建立第二光刻分辨率限制表采用的第二曝光子图 形的不意图；
[0028] 图4是本发明的实施例中建立第三光刻分辨率限制表采用的第三曝光子图形的 示意图；
[0029] 图5是本发明的实施例中建立第四光刻分辨率限制表采用的第四曝光子图形的 示意图；
[0030] 图6至图8是本发明的一个实施例的进行光学邻近修正的示意图；
[0031] 图9至图12是本发明的一个实施例的进行光学邻近修正的示意图；
[0032] 图13至图14是本发明的一个实施例的进行光学邻近修正的示意图；
[0033] 图15至图16是本发明的一个实施例的进行光学邻近修正的示意图；
[0034] 图17至图18是本发明的一个实施例的进行光学邻近修正的示意图。
【具体实施方式】
[0035] 如【背景技术】中所述，通过改变曝光目标图形的宽度，使所述曝光目标图形从不可 曝光图形变成可曝光图形，导致与该曝光目标图形对应的待刻蚀材料层被刻蚀后的尺寸与 设计尺