寸之间有一定的偏差，可能会对芯片中半导体器件的性能造成影响。
[0036] 研究发现，以多晶硅层作为刻蚀材料层，形成多晶硅栅极的过程中，降低刻蚀多晶 硅层的曝光目标的宽度，会使得最终形成的多晶硅栅极的宽度下降，从而导致所述多晶硅 栅极所在的晶体管的沟道宽度下降，从而影响晶体管的饱和电流等电性参数，影响晶体管 的性能；而原本应该形成被多晶娃栅极表面完全包围的金属插塞，由于多晶娃栅极宽度的 减小，也只能部分位于所述多晶硅栅极的表面，造成接触电阻升高、漏电等问题。
[0037] 并且，随着半导体工艺节点的不断下降，还会在所述曝光目标图形中加入可曝光 的散射图形，以提高工艺窗口。这就导致相邻曝光目标子图形之间的间距进一步的下降，造 成需要对更多的曝光目标子图形进行光学邻近修正进行图形补偿，以使得所述曝光目标子 图形能够在光刻胶上形成，这就会使的对半导体器件性能的影响更为显著。所以需要寻找 一种既能够让曝光目标图形成为可曝光图形，又能尽量不影响半导体器件性能的光学邻近 修正方法。
[0038] 本发明的实施例中，通过对当前层图形的坏边进行分段处理，既能够将不可曝光 的当前层子图形变为可曝光图形，又能够不影响以所述当前层图形作为曝光目标图形所形 成的半导体器件的性能。
[0039] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明 的具体实施例做详细的说明。
[0040] 首先，根据图形长度、宽度以及相邻图形之间的间距，建立光刻分辨率限制表，所 述光刻分辨率限制表包括可曝光区域和不可曝光区域。
[0041] 具体的，所述光刻分辨率限制表的建立方法包括：提供掩膜图形，所述掩膜图形上 具有若干不同宽度和间距的子图形，所述子图形为掩膜图形的遮光区域；对所述掩膜图形 进行曝光，得到曝光图形，所述曝光图形包括若干曝光子图形；以所述曝光子图形的宽度和 相邻曝光子图形之间的间距分别作为横坐标和纵坐标，建立光刻分辨率限制表，所述曝光 子图形的宽度、所述曝光子图形与相邻的子图形之间的间距位于所述光刻分辨率限制表中 的可曝光区域，而其余未形成的曝光图形的尺寸区域为光刻分辨率限制表中的不可曝光区 域。
[0042] 所述光刻分辨率限制表的曝光子图形的宽度范围为50nm~6000nm，相邻曝光子 图形之间的间距为40nm~300nm。
[0043] 并且，根据不同长度的曝光子图形，分别建立不同的光刻分辨率限制表，建立所述 光刻分辨率限制表的曝光子图形的长度范围为50nm~6000nm。
[0044] 本实施例中，以进行多晶硅层刻蚀的曝光目标图形为例，建立光刻分辨率限制表 中的曝光子图形皆为长条状图形。本实施例中，根据曝光子图形的不同长度一共建立4个 不同的光刻分辨率限制表。
[0045]请参考图1，图1为建立第一光刻分辨率限制表所采用的第一曝光图形中的第一 曝光子图形的不意图。
[0046] 所述第一曝光子图形101具有宽度L1，相邻第一曝光子图形101之间的间距为 S1，所述第一曝光子图形101具有第一高度H1。所述宽度L1的范围为50~6000nm，所述 间距S1的范围为40nm~300nm，所述第一高度H1的范围为lOOOnm~6000nm。所述第一 曝光图形中的不同第一曝光子图形可以具有不同的宽度L1和间距S1。
[0047] 根据所述第一曝光图形，以所述第一曝光子图形的宽度L1和相邻第一曝光子图 形之间的间距S1分别作为横坐标和纵坐标，根据曝光结果建立第一光刻分辨率限制表，请 参考表1。
[0048]
【主权项】
1. 一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括： 根据图形长度、宽度以及相邻图形之间的间距，建立光刻分辨率限制表，所述光刻分辨 率限制表包括可曝光区域和不可曝光区域； 提供当前层图形和相邻层图形，所述当前层图形中包括若干当前层子图形，所述相 邻层图形包括若干相邻层子图形，并且将所述当前层图形和相邻层图形重叠，形成重叠图 形； 确定所述当前层图形中的坏边，所述坏边所在的当前层子图形作为第一待修正子图 形，所述第一待修正子图形具有第一宽度，所述坏边与相邻当前层子图形之间具有第一间 距，所述第一宽度和第一间距位于光刻分辨率限制表中的不可曝光区域，并且，在重叠图形 中，所述坏边与部分相邻层子图形相交或间距小于预设值，所述部分相邻层子图形作为第 一相邻层子图形； 在所述坏边上加入切分点，所述切分点分别位于第一相邻层子图形的上方和下方，所 述切分点之间的部分坏边作为第一线段，坏边的其余部分作为第二线段； 移动所述第二线段，使第一待修正子图形中第二线段的相对边与第二线段之间具有第 二宽度，第二线段与相邻当前层子图形之间具有第二间距，所述第二宽度和第二间距位于 光刻分辨率限制表中的可曝光区域； 根据所述第一线段的长度，对照光刻分辨率限制表，将第一线段移动相应的距离，使第 一待修正子图形中第一线段的相对边与第一线段之间具有第三宽度，第一线段与相邻当前 层子图形之间具有第三间距，所述第三宽度和第三间距位于第一线段的长度所对应的光刻 分辨率限制表中的可曝光区域。
2. 根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第二宽度小于第一宽 度，第三宽度大于第二宽度。
3. 根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述切分点与第一相邻层 子图形之间的垂直距离为〇~l〇〇nm。
4. 根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述预设值为30nm~ 50nm〇
5. 根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一线段与相邻层子 图形之间的间距为0~30nm。
6. 根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述光刻分辨率限制表的 建立方法包括：提供掩膜图形，所述掩膜图形上具有若干不同宽度和间距的子图形，所述子 图形为掩膜图形的遮光区域；对所述掩膜图形进行曝光，得到曝光图形，所述曝光图形包括 若干曝光子图形；以所述曝光子图形的宽度和相邻曝光子图形之间的间距分别作为横坐标 和纵坐标，建立光刻分辨率限制表，所述曝光子图形的宽度、所述曝光子图形与相邻的子图 形之间的间距位于所述光刻分辨率限制表中的可曝光区域，而其余未形成的曝光图形的尺 寸区域为光刻分辨率限制表中的不可曝光区域。
7. 根据权利要求6所述的光学邻近修正方法，其特征在于，根据不同长度的曝光子图 形，分别建立不同的光刻分辨率限制表。
8. 根据权利要求6所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述光刻分辨率限制表的 曝光子图形的宽度范围为50nm~6000nm，相邻曝光子图形之间的间距为40nm~300nm。
9. 根据权利要求7所述的光学邻近修正方法，其特征在于，建立所述光刻分辨率限制 表的曝光子图形的长度范围为50nm~6000nm。
10. 根据权利要求9所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述光刻分辨率限制表的 数量为四个，包括：第一光刻分辨率限制表，建立所述第一光刻分辨率限制表所采用的第一 曝光子图形具有第一长度，所述第一长度范围为1000 nm~6000nm ;第二光刻分辨率限制 表，建立所述第二光刻分辨率限制表所采用的第二曝光子图形具有第二长度，所述第二长 度范围为500nm~1000 nm ;第三光刻分辨率限制表，建立所述第三光刻分辨率限制表所采 用的第三曝光子图形具有第三长度，所述第三长度范围为150nm~500nm ;第四刻分辨率限 制表，建立所述第四刻分辨率限制表所采用的第四曝光子图形具有第四长度，所述第四长 度范围为50nm~150nm。
11. 根据权利要求10所述的光学邻近修正方法，其特征在于，移动所述第二线段的方 法包括：对照第一光刻分辨率限制表，将第二线段移动最小距离，使第一待修正子图形中第 二线段的相对边与第二线段之间的第二宽度，第二线段与相邻当前层子图形之间的第二间 距，位于第一光刻分辨率限制表中的可曝光区域。
12. 根据权利要求10所述的光学邻近修正方法，其特征在于，移动所述第一线段的方 法包括：根据第一线段的长度，选择对应的光刻分辨率限制表，所述对应的光刻分辨率限制 表所采用的曝光子图形的长度与所述第一线段的长度最接近或相同；判断所述第一线段的 长度与第一宽度是否位于所述对应的光刻分辨率限制表中的可曝光区域；若位于可曝光区 域内，则保持所述第一线段不动；若位于不可曝光区域内，则对照所述对应的光刻分辨率限 制表，将第一线段移动最少的距离，使第一线段与相邻的当前层子图形之间的距离减小至 可曝光区域内。
13. 根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，还包括：确定所述图形中 的待修正边，所述待修正边所在的当前层子图形作为第二待修正子图形，所述第二待修正 子图形的宽度以及所述待修正边与相邻当前层子图形之间的间距位于光刻分辨率限制表 中的不可曝光区域。
14. 根据权利要求13所述的光学邻近修正方法，其特征在于，还包括：移动所述待修正 边，使所述第二待修正子图形的宽度、所述待修正边与相邻当前层子图形之间的间距，位于 光刻分辨率限制表中的可曝光区域。
【专利摘要】一种光学邻近修正方法，所述光学邻近修正方法包括：建立光刻分辨率限制表，光刻分辨率限制表包括可曝光区域和不可曝光区域；提供当前层图形和相邻层图形，并且将当前层图形和相邻层图形重叠，形成重叠图形；确定当前层图形中的坏边；在坏边上加入切分点，切分点分别位于第一相邻层子图形的上方和下方，切分点之间的部分坏边作为第一线段，坏边的其余部分作为第二线段；移动第二线段，使第一待修正子图形中第二线段的相对边与第二线段之间具有第二宽度，第二线段与相邻当前层子图形之间具有第二间距，第二宽度和第二间距位于光刻分辨率限制表中的可曝光区域；根据所述第一线段的长度，将第一线段移动相应的距离。可以避免影响半导体器件的性能。
【IPC分类】G03F7-20, G03F1-36
【公开号】CN104749899
【申请号】CN201310745648
【发明人】王铁柱
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年12月30日