述通过使用根据本发明另一示范性实施例的制造液晶显示器 的液晶单元的方法形成的液晶显示器。
[0105] 图12是示出根据本发明的液晶显示器的一个像素的示范性实施例的等效电路 图。
[0106] 参照图12,LCD包括；信号线，包括多条栅极线化、多条成对的数据线DLa和化b、 W及多条存储电极线化；W及连接到信号线的多个像素PX。LCD还包括下显示面板100和 上显不面板200W及插设在两者之间的浓晶层3。
[0107] 根据一示范性实施例，每个像素PX包括一对子像素PXa和P甜。子像素PXa和P甜 包括开关元件化和卵W及液晶电容器Clca和Clcb、存储电容器Csta和Cs忧。
[0108] 根据示范性实施例，开关元件化和卵可每个为S端子元件诸如薄膜晶体管等，其 提供在下显示面板100上并包括与栅极线化连接的控制端子、与数据线DLa和化b连接的 输入端子、W及与液晶电容器Clca和Clcb及存储电容器Csta和Cs忧连接的输出端子。
[0109] 根据一示范性实施例，液晶电容器Clca和Clcb包括子像素电极191a和19化W 及公共电极270作为两个端子，插设在其间的液晶层3通过电介质材料形成。
[0110] 根据一示范性实施例，起到液晶电容器Clca和Clcb的辅助作用的存储电容器 Csta和Cs忧通过将存储电极线化与提供在下显示面板100上的子像素电极191a和19化 彼此交叠且使绝缘体插设在其间而构造。预定电压诸如公共电压Vcom等施加到存储电极 线化。
[0111] 根据一示范性实施例，充在液晶电容器Clca和Clcb中的电压设定为呈现稍微的 差异。例如，施加到液晶电容器Clca的数据电压可设定为小于或高于施加到液晶电容器 Clcb的数据电压。因此，通过适当地调整液晶电容器Clca和Clcb的电压，从LCD的侧面观 看的图像可W呈现得比从前方观看的图像更近，从而改善LCD的侧视性。
[0112] 现在将参照图13和图14更详细地描述根据本发明的液晶显示器的另一示范性实 施例。
[0113] 具体地，图13是根据本发明一示范性实施例的液晶显示器的布图图；图14是沿图 13的线XIV-XIV取得的剖视图。
[0114] 参照图13和图14,浓晶显不器包括彼此面对的下显不面板100和上显不面板200 W及插设在两个显示面板100和200之间的液晶层3。
[0115] 首先，将描述下显示面板100的示范性实施例。
[0116] 多条栅极线121W及多条存储电极线131和135形成在绝缘基板110上。
[0117] 根据一示范性实施例，栅极线121传输栅极信号并基本沿水平方向延伸。每条栅 极线121包括向上突出的多个第一栅极电极124a和第二栅极电极124bW及向下突出的突 起 122。
[0118] 存储电极线131和135包括基本平行于栅极线121延伸的主干131和环型存储电 极135。部分存储电极135的宽度延伸，存储电极线131和135的形状和布局可改变为各种 形式。
[0119] 如图14所示的栅极绝缘层140形成在栅极线121化及存储电极线131和135上。 由非晶或晶体娃制成的多个半导体154a和154b形成在栅极绝缘层140上。
[0120] 根据一示范性实施例，多个成对的欧姆接触163a、163b、165a和16化分别形成在 半导体154a和154b上。欧姆接触163a、163b、165a和16化可W例如由诸如娃化物或渗杂 有高浓度n型杂质的n+氨化非晶娃制成。
[0121] 多条成对的数据线171a和17化W及多个成对的第一漏极电极175a和第二漏极 电极17化可形成在欧姆接触163a、163b、165a和16化W及栅极绝缘层140上。
[0122] 根据一示范性实施例，数据线171a和17化传输数据信号并可基本沿垂直方向延 伸W交叉栅极线121和存储电极线的主干131。数据线171a和17化包括朝向第一栅极电极 124a和第二栅极电极124b延伸W弯曲成U形的第一源极电极173a和第二源极电极173b。 第一源极电极173a和第二源极电极173b分别在第一栅极电极124a和第二栅极电极124b 的基础上面对第一漏极电极175a和第二漏极电极17化。
[0123] 根据一示范性实施例，第一漏极电极175a和第二漏极电极17化从分别被第一源 极电极173a和第二源极电极173b包围的端部向上延伸，另一端部可具有大尺寸W用于连 接其它层。
[0124] 除了第一漏极电极175a和第二漏极电极17化之外数据线171a和17化的形状和 布局可根据需要而改变。
[0125] 第一栅极电极124a、第一源极电极173a和第一漏极电极175a与第一半导体154a 一起形成第一开关元件化（例如薄膜晶体管（TFT))，第二栅极电极124b、第二源极电极 173b和第二漏极电极17化与第二半导体154b-起形成第二开关元件卵（例如TFT)。 [01%] 根据一示范性实施例，开关元件化和卵的沟道分别形成在第一源极电极173a 与第一漏极电极175a之间的第一半导体154a中和在第二源极电极173b与第二漏极电极 17化之间的第二半导体154b中。
[0127] 根据一示范性实施例，欧姆接触163a、163b、165a和16化仅提供在其下的半导体 154a和154b与其上的数据线171a和17化及漏极电极175a和17化之间，减少其间的接触 电阻。除了源极电极173a和173b与漏极电极175a和17化之间的空间之外，被暴露而没 有被数据线171a和17化及漏极电极175a和17化覆盖的部分提供在半导体154a和154b 中。
[0128] 根据一示范性实施例，由例如娃氮化物或娃氧化物制成的下纯化层18化可形成 在数据线171a和17化、漏极电极175a和17化W及半导体154a和154b的暴露部分上。
[0129] 此外，根据一示范性实施例，滤色器230可形成在下纯化层18化上。滤色器230 在像素的长度方向上伸长。滤色器230可通过使用光刻工艺或使用喷墨印刷法形成。如果 滤色器230通过喷墨印刷法形成，则还可W形成用于容纳滤色器等的分隔物。
[0130] 此外，上纯化层180q形成在滤色器230上。根据示范性实施例，上纯化层180q可 由无机绝缘物或有机绝缘物制成，并可包括平坦表面。无机绝缘物的示例可包括娃氮化物 和娃氧化物。有机绝缘物可具有光敏性且其介电常数可为约4.0或更小。多个像素电极 191形成在上纯化层180q上。
[0131] 根据一示范性实施例，每个像素电极191包括第一子像素电极191a和第二子像素 电极19化，其彼此分隔开，间隙95插设于其间。间隙95与存储电极135交叠W防止由于间 隙95引起的光泄露。间隙95可根据纹理的形状而弯曲。两个子像素电极191a和19化的 上部和下部彼此晒合，间隙95通过弯曲部插设在其间。
[0132] 此外，第一子像素电极191a的下角部（corner)可具有在第一漏极电极175a与第 二漏极电极17化之间的边界线上凹入的基本四边形形状。
[0133] 第一子像素电极191a包括突起195a，突起195a朝向第一漏极电极175a突出并通 过接触孔185a与第一漏极电极175a物理地和电地连接。
[0134] 此外，第二子像素电极19化包括沿数据线171a和17化延伸的一对分支196。根 据示范性实施例，分支196位于第一子像素电极191a与数据线171a和17化之间并连接到 在第一子像素电极191a的底部的连接器197。因此，第一子像素电极191a被第二子像素电 极19化、分支196和连接器197围绕。根据本发明一示范性实施例，第二子像素电极19化 的分支196之一包括突起19化。突起19化通过接触孔18化与第二漏极电极17化物理地 和电地连接。
[0135] 根据一示范性实施例，被第二子像素电极19化占据的尺寸可大于被第一子像素 电极191a占据的尺寸。因此，第二子像素电极19化的尺寸可为第一子像素电极191a的尺 寸的约1.0至约2. 2倍大。
[0136] 第二子像素电极19化的上边界线与前一栅极线的突起122交叠W形成存储电容 器。
[0137] 配向层11形成在像素电极191上。
[0138] 接着，现在将描述根据本发明一示范性实施例的上显示面板200。
[0139] 进一步如所示，防止光泄露的遮光构件220形成在上显示面板200中的透明绝缘 基板210上。遮光构件220沿数据线171a和17化形成并包括与薄膜晶体管对应的部分。 在本发明的示范性实施例中，不形成与栅极线121交叠的遮光构件220,但是可进一步形成 与栅极线121对应的遮光构件220。
[0140] 在本发明一示范性实施例中，遮光构件220形成在上基板上，但是可形成在下基 板上。
[0141] 公共电极270形成在遮光构件220的整个表面上，配向层21形成在公共电极270 上。
[0142] 根据本发明一示范性实施例，图13和图14所示的液晶显示器的像素通过上述图 2和图3的光配向方法来配向，并包括配向在不同方向上的多个小域化至Dd。在本发明一 示范性实施例中，分别对应于第一子像素电极191a和第二子像素电极19化的小域化至Dd 如图13所示地形成，但是小域化至Dd可W形成为对应于像素电极191。也就是说，小域 化至Dd中的两个域形成在对应于第一子像素电极191a的区域中，该些域中的其余两个域 形成在第二子像素电极19化中。
[0143] 在W上示范性实施例中，四个域形成为具有循环型布局，其中光配向方向沿一个 方向前进。
[0144] 然而，现在将描述通过使用各种掩模形成各种布局的方法。
[0145] 图15和图16是用于描述根据本发明的光配向方法的另一示范性实施例的图。
[0146] 图15的光配向方法与图1和图2所示的光配向方法相同。然而，包括遮光区域和 透射区域的掩模M用在如图1和图2所示的第二光配向操作中，但是在根据图15的光配向 方法的第二光配向操作中，光配向操作使用包括透反（transflective)区域的掩模M来进 行。使用包括透反区域的掩模的光配向可仅对下显示面板或上显示面板之一进行，或者可 对两显示面板都进行。
[0147] 更具体地，首先，第一照射区R1通过对配向层10进行第一光配向操作而形成，如 图15所示。根据一示范性实施例，照射UV波长在约270皿至约360皿的范围，UV的照射 能量在约ImJ至约5000mJ的范围。
[0148] 在第一光配向操作中，光沿第一方向照射并线性偏振，第一方向可W为任意方向。
[0149] 当进行第一光配向操作时，液晶分子的配向方向被倾斜为相对于基板表面包括第 一极角0 1，如图15所示。
[0150] 接着，如图16所示，设置对应于部分配向层10的掩模M。此外，用线性偏振光进行 第二光配向操作W形成第二照射区R2,第二照射区R2具有不同于第一角0 1的极角0 2和 0 3。掩模M包括不透射光的遮光区域、仅透射部分光的透反区域W及透射全部光的透射区 域。在第二光配向操作期间，光沿与第一方向相反