显示装置以及电子设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明的一个实施方式涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置或电子设备。本发明的一个实施方式例如涉及一种反射液晶显示装置。本发明的一个实施方式涉及一种具有COA结构的反射液晶显示装置。
[0002]注意，“显示装置”这术语是指包括显示元件的装置。此外，例如，显示装置还包括用来驱动多个像素的驱动电路。并且，显示装置包括形成在其他衬底上的控制电路、电源电路、信号生成电路等。
【背景技术】
[0003]随着近年来便携式信息终端如智能手机等的迅速普及，性能的提高也很快。便携式信息终端的屏幕尺寸增大，且分辨率得到提高，最近有些信息终端的分辨率已超过了300pp1
[0004]一般而言，液晶显示装置通过在显示区域中使用分别设置有相应滤色器的RGB子像素来进行彩色显示。随着分辨率的提高，有源矩阵衬底(设置有用来驱动像素的元件(如晶体管)的衬底)与设置有滤色器的对置衬底之间的对准精度已被视为问题。鉴于该问题，将滤色器形成于有源矩阵衬底一侧的所谓的阵列上彩色滤色器(COA-color filter onarray)结构受到注目。
[0005]作为具有COA结构的液晶显示装置，反射液晶显示装置已被公开，其中，该反射液晶显示装置在TFT衬底一侧包括滤色器、像素电极以及反射层，并且，从对置衬底一侧入射的光穿过像素电极及滤色器并被像素电极和滤色器之下方的反射层反射而返回到对置衬底一侧(例如，参照专利文献I及专利文献2)。
[0006][专利文献]
[0007][专利文献I]日本公开的专利申请N0.2000-187209
[0008][专利文献2]日本公开的专利申请N0.2004-219515
【发明内容】
[0009]在专利文献I所公开的结构中，滤色器层直接形成在用作反射电极的金属层上，因此，在将反射率高的材料如铝或铝合金等用于金属层的情况下，当通过光刻工序形成滤色器层时，该金属层在显影滤色器层期间被碱性显影液腐蚀，导致反射率下降。此外，作为液晶元件的一个电极使用的透明电极直接连接到用作反射电极的金属层，所以该金属层的氧化引起透明电极与反射电极之间的接触故障。
[0010]在专利文献2所公开的结构中，反射层具有铝等金属和透明导电材料的叠层结构以防止在与后面形成的像素电极的接触区域表面氧化。当在反射层的最表面配置这种透明导电材料时，会引起问题(例如，反射率下降、根据入射光的波长而反射光被着色)，这导致显示质量的降低。另外，在专利文献2所公开的结构中，需要将反射层及滤色器层形成于TFT衬底上而出现生产率低的问题。
[0011]鉴于上述问题，本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种能够实现良好的显示的新颖显示装置。本发明的一个实施方式的另一目的是提供一种生产率得到提高的新颖显示装置。本发明的一个实施方式的再一目的是提供一种能够实现良好的反射显示的新颖显示装置。本发明的一个实施方式的其他目的是提供一种能够实现良好的反射显示的具有COA结构的新颖显示装置。
[0012]注意，这些目的的描述并不妨碍其他目的的存在。在本发明的一个实施方式中并不需要实现所有上述目的。从说明书、附图、权利要求书等的描述中将明了并可以从中得出上述目的以外的目的。
[0013]本发明的一个实施方式是一种显示装置，该显示装置包括:晶体管，其包括栅电极层、栅电极层上的栅极绝缘层、栅极绝缘层上的半导体层、和在栅极绝缘层及半导体层上的源电极层及漏电极层；与源电极层及漏电极层同一平面上的反射电极层；与反射电极层重叠的着色层；与着色层重叠的像素电极层；以及连接于源电极层和漏电极层中的一个的抗氧化导电层。该像素电极层通过抗氧化导电层连接到所述晶体管。
[0014]如上所述，本发明的一个实施方式的显示装置包括形成在与晶体管的源电极层及漏电极层同一平面上的反射电极层。反射区域中的反射电极层是具有高反射率的导电层。在晶体管与像素电极层之间的接触区域中，抗氧化导电层被形成于具有高反射率的导电层上。抗氧化导电层可以减少像素电极层与源电极层及漏电极层之间的接触故障。
[0015]换言之，在本发明的一个实施方式的显示装置中，在反射区域中使用具有高反射率的导电层，并在晶体管与像素电极层之间的接触区域中使用抗氧化导电层，因此，该显示装置成为一种能够实现良好的反射显示、使晶体管与像素电极层之间的接触故障得到降低的新颖显示装置。
[0016]在本发明的一个实施方式中，可以提供一种能够实现良好显示的新颖显示装置。再者，在本发明的一个实施方式中，可以提供一种生产率得到提高的新颖显示装置。再者，在本发明的一个实施方式中，可以提供一种能够实现良好的反射显示的新颖显示装置。再者，在本发明的一个实施方式中，可以提供一种能够实现良好的反射显示的具有COA结构的新颖显示装置。
【附图说明】
[0017]在附图中:
[0018]图1A和IB是显示装置的俯视示意图以及截面图；
[0019]图2A至2D是示出显示装置的制造方法的截面图；
[0020]图3A至3D是示出显示装置的制造方法的截面图；
[0021]图4A至4C是示出显示装置的制造方法的截面图；
[0022]图5A和5B是显示装置的俯视示意图以及截面图；
[0023]图6A至6D是示出显示装置的制造方法的截面图；
[0024]图7A至7D是示出显示装置的制造方法的截面图；
[0025]图8是显示装置的截面图；
[0026]图9A和9B是示出显示装置的电路图；
[0027]图10示出显示模块；以及
[0028]图1IA至IIH各示出电子设备。
【具体实施方式】
[0029]以下，将参照附图对实施方式进行说明。注意，实施方式可以用各种方式来实现。本领域的技术人员将会容易地理解一个事实，就是在不脱离本发明的宗旨及范围的情况下可以以各种形式改变方式和详细内容。因此，本发明不应该被解释为仅限于下面的实施方式的说明。
[0030]在各附图中，在有些情况下为了清楚起见，夸大表示其大小、层厚度或区域。因此，本发明的实施方式并不限定于这种尺寸。注意，各附图是示出理想的例子的示意图，并且，本发明的实施方式不局限于附图所示的形状或数值。例如，可以包括如下:因噪声或定时偏差引起的信号、电压或电流的变动。
[0031]注意，在本说明书中，序数词如“第一”、“第二”及“第三”是为了避免结构要素的混淆而使用的，而该序数词不是在数字上限制形成要素。
[0032]注意，在本说明书中，“A与B连接”或“A连接于B”除了意味着A与B相互直接连接的情况以外，还意味着A与B相互电连接的情况。在此，“A与B电连接”或“A电连接于B”这描述意味着如下情况:当在A与B之间存在有具有任意电学作用的对象物时，能够在A和B之间发送并接收电信号。
[0033]注意，在本说明书中，为了便于参照【附图说明】形成要素之间的位置关系，而使用“上”及“下”等说明配置的词句。另外，在适当时，根据描述各形成要素的方向改变形成要素之间的位置关系。因此，其位置关系不局限于用本说明书所使用的词句所描述的，而是可以根据情况适当地使用其他词句来进行说明。
[0034]注意，在附图中，框图中的各电路块的布局指明了用于说明目的的位置关系。因此，即便在附图示出在不同的电路块中实现不同的功能时，实际的电路或区域也可以被配置为使得在相同的电路或区域中实现不同的功能。此外，附图中的框图的各电路块的功能是为了说明而指定的。由此，即便在示出一个电路块时，实际的电路或区域也可以被配置为使得在该一个电路块中进行的处理在多个电路块中进行。
[0035]实施方式I
[0036]在本实施方式中，将参照图1A和1B、图2A至2D、图3A至3D及图4A至4C来说明本发明的一个实施方式的显示装置。
[0037]图1A是本发明的一个实施方式的显示装置的例子的俯视图。图1B是对应于沿着图1A中的点划线Xl-Yl的截面的截面图。在示出显示装置中的像素部的一部分的图1A的俯视图中，为了避免繁杂而部分省略了部件，如栅极绝缘层及着色层等。
[0038]在图1A中，晶体管150包括用作栅电极层的导电层104a、栅极绝缘层(在图1A中未图示)、其中形成沟道区的半导体层108、和用作源电极层及漏电极层的导电层110b_l及导电层110b_2(在图1A中未图示)。半导体层108形成于栅极绝缘层上。抗氧化导电层IlOc形成于导电层110b_2上。因为导电层110b_2和抗氧化导电层IlOc具有大致相同的形状，所以在图1A中看不到导电层110b_2。注意，可以将抗氧化导电层IlOc用作源电极层或漏电极层的一部分。
[0039]再者，导电层104b和导电层110b_3隔着栅极绝缘层层叠，导电层104b经与用作栅电极层的导电层104a同一工序形成，而导电层110b_3经与用作源电极层及漏电极层的导电层110b_l及110b_2同一工序形成。导电层104b、栅极绝缘层以及导电层110b_3形成电容器152。
[0040]用作源电极层或漏电极层的一部分的抗氧化导电层IlOc在开口 132中连接到像素电极层118。像素电极层118在开口 134中连接到导电层104b。
[0041]在图1A中，连接于导电层110b_l的布线(以下，为方便起见而称为源极线)和连接于导电层104a的布线(以下，为方便起见而称为栅极线)彼此交叉的区域的面积优选较小。减小在上述两个布线交叉处该源极线的面积和该栅极线的面积，可以降低可能在源极线和栅极线之间产生的寄生电容。
[0042]导电层110b_3被配置以与着色层(在图1A中未图示)及像素电极层118重叠。液晶层(在图1A中未图示)被配置于像素电极层118上。注意，导电层110b_3用作反射电极层。
[0043]在图1A所示的结构中，进入显示装置的光(主要是外部光)至少穿过液晶层、着色层及像素电极层而被导电层110b_3反射。换言之，本实施方式的显示装置可以使用被用作反射电极层的导电层110b_3所反射的光来进行彩色显示。
[0044]在反射区域中用作反射电极层的导电层110b_3具有高反射率。在晶体管150与像素电极层118之间的接触区域中，抗氧化导电层IlOc被形成于导电层110b_2上。该导电层IlOc可以减少用作源电极层或漏电极层的导电层110b_2与像素电极层118之间的接触故障。
[0045]换言之，在本发明的一个实施方式的显示装置中，在反射区域中使用具有高反射率的导电层，并在与像素电极层的接触区域中使用抗氧化导电层，因此，该显示装置成为一种能够实现良好的反射显示以及使晶体管与像素电极层之间的接触故障得到降低的新颖显示装置。
[0046]在此，参照图1B更具体地说明图1A所示的显示装置。
[0047]图1B所不的显不装置包括:第一衬底102 ;形成在第一衬底102上的导电层104a及104b ;形成在第一衬底102、导电层