路403内置于驱动器IC302。此 外，也可以通过在复位时和写入时改变电流DAC输出的电流的极性来实现复位电路403的 功能。此外，也可以代替复位TFT501而使用TFT以外的开关元件。
[0092] [4]发光块402的滚动驱动
[0093] 接着，说明发光块402的滚动驱动（对0LED201的复位、采样以及保持动作）。
[0094] 在图6中，水平同步信号（H_Sync)在从下降沿至下一个下降沿为止的期间成为 主扫描期间。复位电路403与水平同步信号的下降沿同步地对复位TFT501进行接通断开。 选择电路401还与水平同步信号的下降沿同步地对选择TFT512依次进行接通断开。
[0095] 关于各电容器521选择TFT512被接通的期间全都由复位TFT501被接通的复位期 间、和该复位期间继续的采样期间构成。在复位期间中，电容器521的第一端子被复位为复 位电位。若复位TFT501被断开而成为采样期间，则通过电流DAC400向该电容器521写入 电荷。
[0096] 在选择TFT512被断开的期间（保持期间）中，写入至电容器521的电荷原样保持 (hold)。若相应于该电荷量的栅极电压被施加给驱动TFT522,则相应于该电荷量的驱动电 流被供应给0LED201。0LED201直至下一个复位期间为止维持原样的发光状态（发光量）。
[0097] 100个选择TFT512通过移位寄存器511依次被接通断开，电流DAC400与其同步地 使输出电流量变化。这样，向100个电容器521依次写入电荷，100个0LED201分别以期望 的发光量发光。
[0098] [5]电流DAC400的电荷的写入动作
[0099] 接着，说明电流DAC400的电荷的写入动作。
[0100] 如图7所示，驱动器IC302内置有150个电流DAC400,对每个电流DAC400设置有 输入写入数据的存储器701。存储器701的存储容量全都是8比特X6字，在采样期间中每 10纳秒输出6次写入数据（数字信号）。存储器701能够在该10纳秒的写入期间的每个 中输出不同的写入数据。
[0101] 此外，电流DAC400是8比特的电流DAC，将对51 μ A进行255分割的0. 2 μ A设为 ILSB (Least Significant Bit，最低有效位）。即，电流DAC400在每次来自存储器701的写 入数据增加 ILSB时使电流DAC400的输出电流量增加0. 2 μ A而向电容器521输出。电容 器521的静电电容全都是0. 5pF。
[0102] 通过来自电流DAC400的输出电流，在电容器521的第一、第二端子间产生的电压、 换言之驱动TFT522的栅极电压Vg通过
[0105] 而算出。在此，I,(j = 1，……，6)是第j个写入期间中的输出电流。T是每个写 入期间的输出时间，在本实施方式中为10纳秒。此外，C是电容器521的静电电容。
[0106] 例如，若在一次写入期间（10纳秒）中流过最小的输出电流0.2μΑ，则在电容器 521的第一、第二端子间产生的电压Vg成为
[0107]【数2】
[0108] 4mV = (0· 2 μ A) X (10 纳秒）/0· 5pF。
[0109] 此外，若在6个写入期间中连续流过最大的输出电流51 μ A，则产生
[0110] 【数3】
[0111] 6120mV = (51 μΑ) X (10 纳秒）X6 次/0· 5pF
[0112] 的电压Vg。
[0113] 若使得电压Vg的最大成为6000mV以上，使得最小成为6mV以下，则实现1000灰 度，能够将浓度不均抑制为不能视觉辨认的程度，但根据本实施方式的结构，由于最大电压 成为6120mV，最小电压成为4mV，因此能够充分地抑制浓度不均。
[0114] 图8是例示写入数据的表。如上述那样，在采样期间中，在每6个写入期间中，8 比特的写入数据从存储器701被写入至电流DAC400。此外，该8比特之中的各比特从LSB 至 MSB (Most Significant Bit，最高有效位）按顺序与 0.2 μ Α、0· 4 μ Α、0· 8 μ A、1.6 μ A、 3· 2 μ Α、6· 4 μ Α、12. 8 μ A 以及 25. 6 μ A 的电流量对应。
[0115] 在图8中，在第一次以及第二次写入期间中，在写入数据中8比特全部被设置，因 此电流DAC400输出电流量51.0μΑ。不用说，为
[0116] 【数4】
[0117] 51. 0 μ A = 0· 2 μ Α+0. 4 μ Α+0. 8 μ Α+1. 6 μ Α+3. 2 μ Α+6. 4 μ Α+12. 8 μ Α+25. 6 μ Α。
[0118] 在第三次写入数据中，第一比特被清除，因此电流DAC400输出的电流量成为
[0119] 【数5】
[0120] 50. 8 μ A = 0· 4 μ Α+0· 8 μ Α+1· 6 μ Α+3· 2 μ Α+6· 4 μ A+12. 8 μ A+25. 6 μ A。
[0121] 同样，在第四次写入数据中第一比特和第二比特被清除，因此输出电流量成为 50.4μΑ。第五次、第六次输出电流量也同样地被算出。根据这些输出电流量，使用式（1) 算出的栅极电压Vg成为6000mV。
[0122] 图9是例示电流DAC400的电荷的写入动作的定时图。在图9的例子中，图8的表 所示的数据被写入。首先，若选择TFT512被断开，且复位TFT501被接通，从而成为复位期 间，则在电容器521中保持的电位被复位。在图9的例子中，通过上次的写入而成为6000mV 的栅极电压Vg被复位至OmV (接地电位）。由此，0LED201熄灭。
[0123] 接着，若复位TFT501被断开，从而成为采样期间，则电流分为六次从电流DAC400 各输出10纳秒。每个写入期间的输出电流量如图8所示。通过该电流输出，在电容器521 中电荷依次累积，0LED201的发光光量也与其配合而增大。0LED201最终根据通过6000mV 的栅极电压Vg供应的驱动电流而发光。
[0124] 如上述那样，由于栅极电压Vg的精度为4mV，因此能够将0LED201的光量不均抑制 为人不能视觉辨认的3%以下。之后，若选择TFT512被断开，从而成为保持期间，则栅极电 压Vg被原样保持，0LED201维持发光状态。
[0125] 以上，如说明的那样，根据本实施方式，将采样期间分割为多个写入期间，在每个 写入期间改变电流DAC400的输出电流量而进行写入，因此能够不受到电源布线531中的电 压降低的影响地，使用8比特这样的低比特的电流DAC来实现低成本化，且实现1000灰度 这样的宽DR(Dynamic Range，动态范围）、高精度的写入。
[0126] [6]变形例
[0127] 以上，基于实施方式说明了本发明，但本发明当然不限定于上述的实施方式，能够 实施以下那样的变形例。
[0128] (1)如图3所示，0LED -PH关于主扫描方向成为长条，在其一端侧配置驱动器 IC302。因此，离驱动器IC302最近的电容器521和最远的电容器521中，从驱动器IC302 至选择电路401的写入布线530的布线长度产生约30cm的差，存在由于其间的布线电容的 差异而产生0LED201的发光光量不均的顾虑。
[0129] 对于这样的问题，也可以对驱动器IC302追加校正电路，对电流DAC400的输出电 流量进行校正，从而防止0LED201的光量不均。
[0130] 图10是表示本变形例所涉及的驱动器IC302的主要结构的图。如图10所示，本 变形例所涉及的驱动器IC302除了电流DAC400、存储器701之外还具备校正电路1000。在 上述实施方式中使用存储容量为8比特X6字的存储器701，相对于此，本变形例所涉及的 存储器1001是存储容量为8比特X 8字的存储器，在采样期间中每10纳秒，输出8次写入 数据。
[0131] 校正电路1000若接受控制部102的亮度信号输出部输出的数字亮度信号，则根据 是应写入至哪一个存储器1001的数字亮度信号而对数字亮度信号进行校正。该校正也可 以使用将1至150的存储器1001或电流DAC的序号和亮度值设为变量的函数、或将1至 15000的0LED201的序号和亮度值设为变量的函数来进行，也可以通过参照LUT(Look Up Table，查找表）而进行。
[0132] 在从电流DAC400至电容器521的布线电容C'相对于电容器521的电容C充分小 的情况下，电流DAC400的输出电流量与写入至电容器521的电压Vg之间的关系如上述式 (1)所示。但是，若该布线电容C'变大到不能忽略，则栅极电压Vg成为
[0135] 因此，例如，在从离驱动器IC302最近的0LED201开始每数15个发光块402,布线 电容就增加 1%的情况下，如下式⑶那样，若电流DAC400的输出电流量也以发光块402为 单位而增加，则能够对栅极电压Vg进行校正。
[0138] 在此，C_是至离驱动器IC302最近的电容器521为止的布线电容。此外，η是将 离驱动器IC302最近的发光块402设为第0号，从离驱动器IC302近的发光块起按顺序分 配的发光块402的序号。<