电子照相感光体、处理盒和成像装置的制造方法

文档序号:10653288阅读:337来源:国知局
电子照相感光体、处理盒和成像装置的制造方法
【专利摘要】本发明提供了电子照相感光体、包括该电子照相感光体的处理盒及成像装置,该电子照相感光体包括导电性基体,以及单层型感光层,其设置在所述导电性基体上并且包含粘合剂树脂、选自羟基镓酞菁颜料和氯镓酞菁颜料的至少一种电荷产生材料、在说明书中定义的第一电子传输材料、在说明书中定义的第二电子传输材料以及在说明书中定义的空穴传输材料,其中相对于100重量份的所述感光层的总固形物含量,全部电子传输材料的总含量大于或等于4重量份,并且在35℃至50℃的温度和0.5Hz的频率的条件下测量动态粘弹性时获得的平均损失弹性模量E"小于或等于1.000×106。本发明的电子照相感光层抑制了在高温高湿环境下重复成像时出现色斑。
【专利说明】
电子照相感光体、处理盒和成像装置
技术领域
[0001] 本发明设及电子照相感光体、处理盒和成像装置。
【背景技术】
[0002] 在专利文献1公开的处理盒和成像装置中,感光体是感光鼓,包括作为支撑件的 圆柱形刚体,初级差转印单元是漉式初级转印漉,介于中间转印带和感光鼓之间的接触压 力P[N/cm2],介于感光鼓和中间转印带的表面之间的摩擦系数,感光鼓的表面的塑性应变 强度Hp[N/mm2] W及中间转印带的表面的塑性应变强度Hi[N/mm2]满足特定的关系。
[0003] 在专利文献2公开的电子照相感光体中,包含特定的酿类化合物的感光层设置在 导电性基体上。
[0004] 专利文献3公开的电子照相感光体中,通用的硬度值是150至220,弹性变形率为 48 % 至 65%。
[0005] [专利文献 1] JP-A-2004-0295:M
[0006] [专利文献 2] JP-A-5-000992
[0007] [专利文献 3] JP-A-2005-250455

【发明内容】

[0008] 本发明的一个目的在于提供一种电子照相感光体,包括单层型型感光层,所述单 层型感光层包含:粘合剂树脂、至少一种选自径基嫁献菁颜料和氯嫁献菁颜料的电荷产生 材料、由式(1)表不的第一电子传输材料和由式(3)表不的空穴传输材料,相对于100重 量份的所述感光层的总固形物含量,全部电子传输材料的总含量大于或等于4重量份,其 中,相比于电子照相感光体包括不包含由式(2)表示的第二电子传输材料的感光层的情 况或者在35°C至50°C的溫度和0. 5化的频率的条件下测量的平均损失弹性模量E"高于 1. OOOX IO6的感光层的情况,所述电子照相感光层抑制了在高溫高湿环境下重复成像时出 现色斑。
[0009] 上述目的是通过W下构造实现的。
[0010] 根据本发明的第一方面,提供了一种电子照相感光体,包括: W11] 导电性基体,W及
[0012] 单层型感光层,其设置在所述导电性基体上并且包含粘合剂树脂、选自径基嫁献 菁颜料和氯嫁献菁颜料的至少一种的电荷产生材料、由W下式(1)表示的第一电子传输材 料、由W下式(2)表示的第二电子传输材料W及由W下式(3)表示的空穴传输材料,
[0013] 其中相对于100重量份的所述感光层的总固形物含量,全部电子传输材料的总含 量大于或等于4重量份,并且在35°C至50°C的溫度和0. 5化的频率的条件下测定动态粘弹 性时,所述感光层的平均损失弹性模量E"小于或等于1. OOOX 1〇6:
[0014]
[001引其中Rii、护、R"、RM、Ris、Ri哺R "各自独立地表示氨原子、面原子、烷基、烷氧基、 芳基或芳烷基,Ris表示烷基、-L i9-0-R2°、芳基或芳烷基,L"表示亚烷基,并且R 2°表示烷基; [0016]
[0017] 其中R2\ R1234、R5呀日R67各自独立地表示氨原子、烷基、烷氧基、面原子或苯基;W及
[0018]
其中Ri、R2、R3、R4、R哺R 6各自独立地表示氨原子、烷基、烷氧基、苯氧基、面原子、 或可具有选自烷基、烷氧基和面原子的取代基的苯基,并且P和q各自独立表示0或1。 2 根据本发明的第二方面,在根据第一方面的电子成像感光体中,单层型感光层的 平均损失弹性模量E"是小于或等于8. 0 X 1〇5。 3 根据本发明的第=方面,在根据第一方面的电子成像感光体中,电荷产生材料是V 型径基嫁献菁颜料。 4 根据本发明的第四方面,在根据第一方面的电子成像感光体中,空穴传输材料是 其中式(3)中的P和q各自表示1的空穴传输材料。 5 根据本发明的第五方面,在根据第一方面的电子成像感光体中,第一电子传输材 料是由式(1)表示的电子传输材料,其中Ris表示芳烷基或具有5至10个碳原子的支链烧 基。 6 根据本发明的第六方面,在根据第一方面的电子成像感光体中,第二电子传输材 料是由式似表示的电子传输材料,其中r至R6中的至少一者表示具有4个碳原子的支 链烷基。 7 根据本发明的第屯方面,在根据第一方面的电子成像感光体中,第一电子传输材 料与第二电子传输材料的重量比(式(I)的第一电子传输材料/式(2)的第二电子传输材 料)是2/1至4/1。
[00%] 根据本发明的第八方面,提供了一种能够从成像装置中拆卸下来的处理盒,包 括:
[0027] 根据第一至屯方面所述的电子照相感光体。
[0028] 根据本发明的第九方面,提供了一种成像装置,包括:
[0029] 根据第一至屯方面所述的电子照相感光体;
[0030] 充电单元,其对所述电子照相感光体的表面进行充电;
[0031] 静电潜像形成单元,其在已经带电的所述电子照相感光体的表面上形成静电潜 像;
[0032] 显影单元,其利用包含调色剂的显影剂将形成于所述电子照相感光体表面上的静 电潜像显影,W形成调色剂图像;W及
[0033] 转印单元,其将所述调色剂图像转印到记录介质的表面。
[0034] 根据本发明的第一或第二方面,提供了一种电子照相感光体,包括单层型感光层, 其中所述单层型感光层包含粘合剂树脂、至少一种电荷产生材料、由W下式(1)表示的第 一电子传输材料W及由W下式(3)表示的空穴传输材料,所述电荷产生材料选自径基嫁献 菁颜料和氯嫁献菁颜料,并且相对于100重量份的所述感光层的总固形物含量,全部电子 传输材料的总含量大于或等于4重量份,其中,相比于电子照相感光体包括不包含由式(2) 表示的第二电子传输材料的感光层的情况或者在35°C至50°C的溫度和0. 5化的频率的条 件下测量的平均损失弹性模量E"高于1. OOOX 1〇6的感光层的情况,所述电子照相感光层 抑制了在高溫高湿环境下重复成像时出现色斑,。
[0035] 根据本发明的第=方面,提供了一种电子照相感光体,其中,与仅使用氯嫁献菁颜 料作为电荷产生材料的情况相比,灵敏度更高。
[0036] 根据本发明的第四方面,提供了一种电子照相感光体,其中,与仅使用示例性化合 物(3-21)作为由式(3)表示的空穴传输材料的情况相比,灵敏度更高。
[0037] 根据本发明的第五方面,提供了一种电子照相感光体,其中,与仅使用示例性化合 物(1-2)、示例性化合物(1-11)、或示例性化合物(1-17)作为由式(1)表示的电子传输材 料的情况相比,灵敏度更高。
[0038] 根据本发明的第六和第屯方面,提供了与电子照相感光体分别不具有第六方面和 第屯方面所述的构造的情况相比,灵敏度更高的电子照相感光。
[0039] 根据本发明的第八或第九方面,提供了一种处理盒或成像装置,其中,电子照相感 光体包括单层型感光层,所述单层型感光层包含粘合剂树脂、至少一种电荷产生材料、由W 下式(1)表不的第一电子传输材料和由W下式(3)表不的空穴传输材料,所述电荷产生材 料选自径基嫁献菁颜料和氯嫁献菁颜料,其中相对于100重量份的所述感光层的总固形物 含量,全部电子传输材料的总含量大于或等于4重量份,与电子成像感光体包括不包含由 式(2)表示的电子传输材料的感光层的情况相比,或者在35°C至50°C的溫度和0. 5化的频 率的条件下测量的平均损失弹性模量E"高于1. 000 X 1〇6的感光层被施用于处理盒或成像 装置的情况相比,该处理盒或成像装置抑制了在高溫高湿环境下重复成像时出现色斑。
【附图说明】 W40] 将基于W下附图对本发明的示例性实施方案进行详细说明,其中:
[0041] 图1是示出根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体的示意性部分截面图;
[0042] 图2是示出根据本发明示例性实施方案的成像装置的示意性构造图;W及
[0043] 图3是示出根据本发明另一示例性实施方案的成像装置的示意性构造图。
【具体实施方式】 W44] 下面将详细说明作为本发明的例子的示例性实施方案。 W45] 电子照相感光体
[0046] 根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体为带正电的有机感光体(下文有 时称为简称为"感光体"或"单层型感光体"),其包括导电性基体和位于导电性基体上的单 层型感光层。
[0047] 接着,在单层型感光层中,包含粘结剂树脂、选自径基嫁献菁颜料和氯嫁献菁颜料 的至少一种电荷产生材料(在下文称为"特定电荷产生材料")、由式(1)表示的第一电子 传输材料(下文称为"式(1)的第一电子传输材料")、由式(2)表不的第二电子传输材料 (下文称为"式(2)的第二电子传输材料")和由式(3)表示的空穴传输材料(下文称为"式 (3)的空穴传输材料"),相对于100重量份的所述感光层的总固形物含量,全部电子传输材 料的总含量大于或等于4重量份,并且在35°C至50°C的溫度和0. 5化的频率的条件下测量 的平均损失弹性模量E"小于或等于1. OOOX 1〇6。
[0048] 此外,单层型感光层为具有空穴传输性质和电子传输性W及电荷产生能力的感光 层。 W例通过上述构造,根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体抑制了在高溫高湿 环境下(例如,在28°C和85%的环境中)重复成像时出现色斑(例如,在不希望出现图像 的部分出现虚像)。猜测原因如下。
[0050] 首先,单层型感光体在单层型感光层中包含电荷产生材料、空穴传输材料和电子 传输材料,因此不能获得与包括层叠感光层的有机感光体相同的灵敏度,所W需要更高的 灵敏度。
[0051] 从运一点考虑,在包含特定电荷产生材料、式(1)的第一电子传输材料W及式(3) 的空穴传输材料的单层型感光层中,灵敏度易于提高。
[0052] 但是,该单层型感光层耐热性低,因此,当在高溫高湿环境(例如,在28°C和85% 的环境中)重复成像时,出现色斑。特别是,相对于100重量份的感光层的总固形物含量, 全部电子传输材料的总含量大于或等于4重量份W提高所述单层型感光层的灵敏度时,所 述单层型感光层的耐热性降低,易于出现色斑。
[0053] 据认为,运是因为当单层型感光层的耐热性降低时,所述单层型感光层的机械性 随着环境溫湿度发生变化,也就是说,据认为,当在特定溫度范围内单层型感光层的损失弹 性模量高,在高溫高湿环境(例如28°C和85%的环境)中重复成像时,则出现色斑。另一 方面,通过单层型感光层中电子传输材料的类型和含量能够改变损失弹性模量。
[0054] 因此,包含特定的电荷产生材料、式(1)的第一电子传输材料W及式(3)的空穴传 输材料的单层感光层包含具有高耐热性的式(2)的第二电子传输材料。然后,在包括35°C 至50°C的溫度和0. 5化的频率的条件下测量动态粘弹性时,单层型感光层的平均损失弹性 模量E"为小于或等于1.000Xl〇6。因此,其中包含特定的电荷产生材料、式(1)的第一电子 传输材料W及式(3)的空穴传输材料的并且相对于100重量份的感光层的总固形物含量, 全部电子传输材料的总含量大于或等于4重量份的单层型感光层的耐热性有所升高。
[0055] 通过W上描述,据推测,根据本发明示例性实施方案的感光体抑制了在高溫高湿 环境(例如28°C和85%的环境)下重复成像时出现色斑。
[0056] 此外,在本发明示例性实施方案的感光体中,单层型感光层包含特定的电荷产生 材料、式(1)的第一电子传输材料W及式(3)的空穴传输材料,因此灵敏度升高。也就是说, 根据本发明示例性实施方案的感光体,同时实现了高灵敏度并抑制了在高溫高湿环境下出 现色斑。
[0057] 此处,从抑制出现色斑的角度考虑,单层型感光层的平均损失弹性模量E"优选为 小于或等于8. OX 105。
[0058] 通过W下方法测定单层型感光层的平均损失弹性模量E"。首先,厚度为22 y m和 大小为5mmX30mm的测量样品是从测量目标感光体的单层型感光层中取样的。此外,可W 使用单层型感光层用涂布液来制备测量样品。
[0059] 接着,利用动态粘弹性测量装置DMS6100(由Se化O Instruments公司制造)测定 测量样品的动态弹性,由此获得平均损失弹性模量E"。测量条件包括张力模式、0. 5化的频 率,溫度W l〇°C /分钟的升溫速率从35°C升至5(TC。由此获得平均损失弹性模量E"作为 共计30个数据(其是溫度从35°C升至50°C的同时测量的)的平均值。 W60] 下文将结合附图对本示例性实施方案的电子照相感光体进行详细描述。
[0061] 图1示意性地示出了根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体10的一部分 的截面图。
[0062] 图1中示出的电子照相感光体10包括(例如)导电性基体3、然后依次位于导电 性基体3上的底涂层1和单层型感光层2。
[0063] 此外,底涂层1是根据需要设置的层。旨P,单层型感光层2可W直接设置在导电性 基体3上,或隔着底涂层1设置在导电性基体3上。 W64] 此外,还可W设置其它层。具体来说,例如,根据需要可W在单层型感光层2上设 置保护层。
[0065] 下文将对根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体的各层进行详细说明。此 夕F,省略符号进行说明。
[0066] 导电性基体
[0067] 导电性基体的例子包括使用了金属(如侣、铜、锋、铭、儀、钢、饥、铜、金和销)及其 合金(如不诱钢)的金属板、金属鼓和金属带。此外,导电性基体的其它例子包括涂覆、沉 积或层叠有导电性化合物(如导电性聚合物和氧化铜)、金属(如侣、钮和金)或其合金的 纸、树脂膜和带。术语"导电性"是指体积电阻率小于l〇"Qcm。
[0068] 当在激光打印机中使用电子照相感光体时,为了防止在用激光照射时形成的干设 条纹,优选将导电性基体的表面粗糖化使之具有0. 04 y m至0. 5 y m的中屯、线平均粗糖度 (Ra)。此外,当将非相干光用作光源时,用于防止干设条纹的表面粗糖化并没有特别的必要 性,但是由于抑制了由导电性基体表面上的凹凸不平引起的缺陷的产生,因而适于实现更 长的使用寿命。
[0069] 表面粗糖化方法的例子包括将研磨机悬浮于水中并喷射悬浮液至支承体上的湿 式巧磨、通过按压导电性基体与旋转磨石接触并连续过程的无屯、磨削、W及阳极氧化处理 等。
[0070] 用于表面粗糖化的方法的其它例子包括:通过在导电性基体的表面上形成其中分 散有导电性或半导电性颗粒的树脂层,从而通过分散在该层中的颗粒实现表面粗糖化,而 不将导电性基体的表面粗糖化的表面粗糖化方法。
[0071] 在通过阳极氧化进行的表面粗糖化处理中,通过其中金属(例如侣)导电性基体 作为阳极在电解液中被阳极氧化的阳极氧化处理,从而在导电性基体的表面上形成氧化 膜。电解液的例子包括硫酸溶液和草酸溶液。然而,通过阳极氧化而没有加 W改性所形成 的多孔阳极氧化膜是具有化学活性的,易于被污染,根据环境的不同电阻变化大。因此,优 选进行密封处理,在该密封处理中,在加压水蒸汽或沸水中(其中可W加入金属盐如儀盐) 通过由水合反应引起的体积膨胀来密封阳极氧化膜的细孔,从而将阳极氧化物转化为更稳 定的水合氧化物。
[0072] 阳极氧化膜的膜厚优选为0. 3 ym至15 ym。当阳极氧化膜的厚度在上述范围内 时,趋向于发挥对于注入的阻挡性,并且趋向于抑制由于重复使用而引起的残留电势的增 加。
[0073] 可W用酸性处理溶液或勃姆石处理对导电性基体进行处理。
[0074] 利用酸性处理液的处理如下进行。首先,制备包含憐酸、铭酸和氨氣酸的酸性处理 液。酸性处理液中憐酸、铭酸和氨氣酸的混合比(例如)为10重量%至11重量%的憐酸、 3重量%至5重量%的铭酸和0. 5重量%至2重量%的氨氣酸。总酸性成分的浓度优选为 13.5重量%至18重量%的范围。处理溫度优选为(例如)42°(:至48°(:。膜的膜厚优选为 0. 3 Ji m 至 15 Ji m。
[00巧]勃姆石处理是运样进行的:将基体浸没在溫度为90°C至100°C的纯水中5分钟至 60分钟,或者使基体与溫度为90°C至120°C的热水蒸汽接触5分钟至60分钟。膜厚度优选 为0. 1 ym至5 ym。可W使用对膜溶解性低的电解液(例如己二酸、棚酸、棚酸盐、憐酸盐、 邻苯二甲酸盐、马来酸盐、苯甲酸盐、酒石酸盐和巧樣酸盐溶液)对膜进一步进行阳极氧化 处理。 W76] 底涂层
[0077] 底涂层为(例如)包括无机颗粒和粘结剂树脂的层。
[0078] 无机颗粒的例子包括粉末电阻(体积电阻率)约为IO2 Q cm至1〇11 Q cm的无机颗 粒。
[0079] 其中,作为具有上述电阻值的无机颗粒,优选诸如氧化锡颗粒、氧化铁颗粒、氧化 锋颗粒、和氧化错颗粒之类的无机颗粒,更优选氧化锋颗粒。
[0080] 通过邸T法测定的无机颗粒的比表面积优选为(例如)10m7g W上。
[0081] 无机颗粒的体积平均粒径优选为(例如)50nm至2000nm(更优选60nm至1000 nm)。
[0082] 无机颗粒相对于粘结剂树脂的含量优选为(例如)10重量%至80重量%,更优选 为40重量%至80重量%。
[0083] 无机颗粒可W是经过表面处理的无机颗粒。可W组合使用两种或更多种经过不同 的表面处理或具有不同粒径的无机颗粒。
[0084] 表面处理剂的例子包括硅烷偶联剂、铁酸醋偶联剂、侣偶联剂和表面活性剂。硅烷 偶联剂是特别优选的,并且具有氨基的硅烷偶联剂是更优选的。
[00化]具有氨基的硅烷偶联剂的例子包括3-氨基丙基S乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙 基)-3-氨基丙基S甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷和 N,N-双(2-径乙基)-3-氨基丙基S乙氧基硅烷,但不限于此。
[0086] 可使用运些硅烷偶联剂中的两种或多种的混合物。例如,具有氨基的硅烷偶联 剂可与另外的硅烷偶联剂组合使用。硅烷偶联剂的其它例子包括:乙締基=甲氧基硅烷、 3-甲基丙締酷氧基丙基-S (2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基S甲氧 基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基二甲氧基硅烷、乙締基二乙酷氧基硅烷、3-琉基丙基二甲氧 基硅烷、3-氨基丙基S乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基S甲氧基硅烷、N-2-(氨 基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N, N-双(2-径乙基)-3-氨基丙基二乙氧基硅烷 和3-氯丙基=甲氧基硅烷,但不限于此。
[0087] 使用表面处理剂进行表面处理的方法可为已知方法中的任意一种方法,并且可W 是干法或湿法。
[0088] 用于处理的表面处理剂相对于无机颗粒的量优选为(例如)0. 5重量%至10重 量%。
[0089] 在此,从电特性的长期稳定性和载流子阻挡性(carrier blocking properties) 优异的角度考虑,底涂层中优选包含无机颗粒和电子受体化合物(受体化合物)。
[0090] 电子受体化合物的例子包括电子传输材料,包括(例如):酿类化合物,如 四氯苯酿和四漠苯酿;四氯基酿二甲烧化合物;巧酬类化合物,如2, 4, 7-=硝基巧酬 和2, 4, 5, 7-四硝基-9-巧酬;嗯二挫类化合物,如2-(4-联苯基)-5-(4-叔下基苯 基)-1,3,4-嗯二挫、2, 5-双(4-糞基)-1,3,4-嗯二挫W及2, 5-双(4-二乙基氨基 苯基)-1,3,4-嗯二挫;氧杂蔥酬类化合物;嚷吩类化合物;W及联苯酿类化合物,如 3, 3',5, 5'-四叔下基联苯酿。
[0091] 特别是,作为电子受体化合物,具有蔥酿结构的化合物是优选的。作为具有蔥酿结 构的电子受体化合物,优选径基蔥酿类化合物、氨基蔥酿类化合物和氨基径基蔥酿类化合 物等,并且具体来说,蔥酿、茜素、酿茜、蔥绛酪、红紫素等是特别优选的。
[0092] 电子受体化合物可与无机颗粒一起分散包含在底涂层中,或可W附着在无机颗粒 的表面而被包含在底涂层中。
[0093] 将电子受体化合物附着至无机颗粒表面的方法的例子包括干法和湿法。
[0094] 干法为运样一种将电子受体化合物附着至无机颗粒表面的方法,其中在用具有高 剪切力的混合机等揽拌无机颗粒的同时,直接或W电子受体化合物溶解于有机溶剂中的溶 液的形式将电子受体化合物滴加到无机颗粒上,或将其与干燥空气或氮气一起喷到无机颗 粒上。电子受体化合物的滴加或喷雾优选在不高于溶剂沸点的溫度下进行。在将电子受体 化合物滴加或喷雾后,可W进一步对无机颗粒在100°c W上的溫度下进行烘烤。烘烤可W在 能够获得所需的电子照相特性的任意溫度和时间下进行,而没有限制。
[0095] 湿法为运样一种将电子受体化合物附着到无机颗粒表面的方法,其中利用揽拌、 超声波、砂磨机、娠磨机、球磨机等将无机颗粒分散于溶剂中,之后添加电子受体化合物,并 进一步揽拌或分散混合物,之后除去溶剂。作为除去溶剂的方法,通过过滤或蒸馈来除去溶 剂。在除去溶剂后,可W进一步对颗粒在IOCTCW上的溫度下进行烘烤。烘烤可W在能够获 得所需的电子照相特性的任意溫度和时间下进行,而没有限制。在湿法中,可W在添加表面 处理剂之前除去无机颗粒中所含的水分,并且除去水分的方法的例子包括通过揽拌加热溶 剂中的无机颗粒来除去水分的方法、或通过与溶剂共沸来除去水分的方法。
[0096] 此外,可W在使用表面处理剂对无机颗粒进行表面处理之前或之后进行电子受体 化合物的附着,电子受体化合物的附着也可W与利用表面处理剂进行的表面处理同时进 行。
[0097] 电子受体化合物相对于无机颗粒的含量优选为(例如)0.0 l重量%至20重量%, 更优选为0.0 l重量%至10重量%。
[009引底涂层中使用的粘结剂树脂的例子包括已知材料,包括(例如)已知的高分子化 合物如缩醒树脂(如聚乙締醇缩下醒)、聚乙締醇树脂、聚乙締醇缩醒树脂、酪蛋白树脂、聚 酷胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨醋树脂、聚醋树脂、不饱和聚酸树脂、甲基丙締酸树脂、丙 締酸树脂、聚氯乙締树脂、聚醋酸乙締醋树脂、氯乙締-醋酸乙締醋-马来酸酢树脂、有机娃 树脂、有机娃-醇酸树脂、脈醒树脂、酪树脂、酪醒树脂、=聚氯胺树脂、氨基甲酸乙醋树脂、 醇酸树脂和环氧树脂;错馨合物;铁馨合物;侣馨合物;铁醇盐化合物;有机铁化合物;W 及硅烷偶联剂。
[0099] 底涂层中所用的粘结剂树脂的其它例子包括具有电荷传输基团的电荷传输树脂 和导电性树脂(例如聚苯胺)。
[0100] 其中,不溶于上层的涂布溶剂的树脂适合作为底涂层中所用的粘结剂树脂,并且 特别合适的是:通过热固性树脂反应而得到的树脂,所述热固性树脂例如为脈醒树脂、酪树 月旨、酪醒树脂、=聚氯胺树脂、氨基甲酸乙醋树脂、不饱和聚醋树脂、醇酸树脂和环氧树脂; W及通过使选自由聚酷胺树脂、聚醋树脂、聚酸树脂、甲基丙締酸树脂、丙締酸树脂、聚乙締 醇树脂W及聚乙締醇缩醒树脂构成的组中的至少一种树脂与固化剂反应而得到的树脂。 阳101] 在运些粘结剂树脂W两种或更多种组合使用的情况下,混合比例酌情而定。 阳102] 可W在底涂层中加入各种添加剂W提高电特性、环境稳定性或图像质量。 阳103] 添加剂的例子包括已知的材料,例如,多环缩合型或偶氮型电子传输颜料、错馨合 物、铁馨合物、侣馨合物、铁醇盐化合物、有机铁化合物和硅烷偶联剂。还可W将用于上述无 机颗粒的表面处理的硅烷偶联剂加入到底涂层中作为添加剂。
[0104] 作为添加剂的硅烷偶联剂的例子包括乙締基S甲氧基硅烷、3-甲基丙締酷氧基丙 基-S (2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基S甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧 基丙基二甲氧基硅烷、乙締基二乙酷氧基硅烷、3-琉基丙基二甲氧基硅烷、3-氨基丙基二 乙氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨基丙基S甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨基丙基甲基 甲氧基硅烷、N, N-双(2-径乙基)-3-氨基丙基二乙氧基硅烷和3-氯丙基二甲氧基硅烷。 阳1化]错馨合物的例子包括下醇错、乙酷乙酸乙醋错、S乙醇胺错、乙酷丙酬下醇错、乙 酷乙酸乙醋下醇错、醋酸错、草酸错、乳酸错、麟酸错、辛酸错、环烧酸错、十二酸错、硬脂酸 错、异硬脂酸错、甲基丙締酸下醇错、硬脂酸下醇错和异硬脂酸下醇错。 阳106] 铁馨合物的例子包括铁酸四异丙醋、铁酸四正下醋、铁酸下醋二聚物、四(2-乙基 己基)铁酸醋、乙酷丙酬铁、聚乙酷丙酬铁、辛二醇铁、乳酸铁的锭盐、乳酸铁、乳酸铁的乙 基醋、=乙醇胺铁和聚硬脂酸径基铁。 阳107] 侣馨合物的例子包括异丙醇侣、二异丙醇单下氧基侣、下醇侣、二乙基乙酷乙酸二 异丙醇侣和S(乙基乙酷乙酸)侣。
[0108] 运些添加剂可W单独使用,或作为两种或更多种添加剂的混合物或缩聚物使用。
[0109] 底涂层的维氏硬度优选为35 W上。
[0110] 将底涂层的表面粗糖度(微观不平度十点高度(ten point hei曲t Of irregularities))调节在(1/ (4n)) A至(1/2) A的范围内,W抑制莫尔图像(moire image),其中A表示用于曝光的激光的波长,n表示上层的折射率。 阳111] 为了调节表面粗糖度,可W将树脂颗粒等加入到底涂层中。树脂颗粒的例子包括 有机娃树脂颗粒和交联聚甲基丙締酸甲醋树脂颗粒。另外,为了调节表面粗糖度,可W对底 涂层的表面进行抛光。抛光方法的例子包括磨光、喷砂处理、湿式巧磨、磨削处理(grinding treatment)。
[0112] 对底涂层的形成没有特别限制,使用那些已知的形成方法。然而,例如,底涂层的 形成通过W下方式来进行:使底涂层形成用涂布液(该涂布液是通过将上述组分加入到溶 剂中而获得的)形成涂膜,并干燥涂膜,之后根据需要进行加热。
[0113] 用于制备底涂层形成用涂布液的溶剂的例子包括醇溶剂、芳族控溶剂、面代控溶 剂、酬溶剂、酬醇溶剂、酸溶剂和醋溶剂。
[0114] 运些溶剂的例子包括常见的有机溶剂,如甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正下醇、节 醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酬、甲乙酬、环己酬、醋酸甲醋、醋酸乙醋、醋酸正T醋、二氧 六环、四氨巧喃、二氯甲烧、氯仿、氯苯和甲苯。
[0115] 在底涂层形成用涂布液的制备中用于分散无机颗粒的方法的例子包括已知的方 法,例如使用漉磨机、球磨机、振动式球磨机、娠磨机、砂磨机、胶体磨和涂料振动器等的方 法。
[0116] 此外,用于将底涂层形成用涂布液涂布到导电性基体上的方法包括常规的方法, 例如刮涂法、线棒涂布法、喷涂法、浸涂法、珠涂法、气刀涂布法和帘涂法。
[0117] 底涂层的膜厚度优选设定为(例如)15 y m W上的范围,更优选为20 y m至50 y m。 阳11引 中间层
[0119] 尽管未在图中示出,但是可W在底涂层和感光层之间设置中间层。 阳120] 中间层为(例如)包括树脂的层。中间层中所用的树脂的例子包括诸如缩醒树脂 (如聚乙締醇缩下醒)、聚乙締醇树脂、聚乙締醇缩醒树脂、酪蛋白树脂、聚酷胺树脂、纤维 素树脂、明胶、聚氨醋树脂、聚醋树脂、甲基丙締酸树脂、丙締酸树脂、聚氯乙締树脂、聚乙酸 乙締醋树脂、氯乙締-乙酸乙締醋-马来酸酢树脂、有机娃树脂、有机娃-醇酸树脂、酪醒树 脂和=聚氯胺树脂等高分子化合物。 阳121] 中间层可W是包括有机金属化合物的层。中间层中所用的有机金属化合物的例子 包括含有诸如错、铁、侣、儘和娃等金属原子的有机金属化合物。
[0122]中间层中所用的运些化合物可W单独使用,或者作为多种化合物的混合物或缩聚 物使用。 阳123] 其中,包含含有错原子或娃原子的有机金属化合物的层是优选的。
[0124] 对中间层的形成没有特别限定,使用那些公知的形成方法。然而,例如,中间层的 形成通过W下方式来进行:使中间层形成用涂布液(所述涂布液是通过将上述组分加入到 溶剂中而获得的)形成涂膜,并干燥涂膜,之后根据需要进行加热。
[01巧]作为用于形成中间层的涂布方法,可使用常规的方法,例如浸涂法、挤出涂布法、 线棒涂布法、喷涂法、刮涂法、刀片涂布法和帘涂法。 阳126] 中间层的膜厚度优选设定为(例如)0. 1 Jim至3 Jim的范围。此夕F,可W将中间层 用作底涂层。 阳127] 单层型感光层
[0128] 单层型感光层包含粘合剂树脂、电荷产生材料、电子传输材料和空穴传输材料。单 层型感光层根据需要可包含其它添加剂。
[0129] 粘结剂树脂
[0130] 对粘结剂树脂没有特别限定,其例子包括聚碳酸醋树脂、聚醋树脂、聚芳醋树脂、 甲基丙締酸树脂、丙締酸树脂、聚氯乙締树脂、聚偏氯乙締树脂、聚苯乙締树脂、聚醋酸乙締 醋树脂、苯乙締-下二締共聚物、偏氯乙締-丙締腊共聚物、氯乙締-醋酸乙締醋共聚物、 氯乙締-醋酸乙締醋-马来酸酢共聚物、有机娃树脂、有机娃-醇酸树脂、酪醒树脂、苯乙 締-醇酸树脂、聚-N-乙締基巧挫和聚硅烷。运些粘结剂树脂可W单独使用,或两种或更多 种组合使用。 阳131] 在运些粘结剂树脂中,从感光层的成膜性的角度考虑,例如粘均分子量为30, 000 至80, 000的聚碳酸醋树脂是特别优选的。
[0132] 相对于感光层的总固形物含量,粘结剂树脂的含量为35重量%至60重量%,优选 为20重量%至35重量%。
[0133] 电荷产生材料
[0134] 对于电荷产生材料,应用选自径基嫁献菁颜料和氯嫁献菁颜料中的至少一者。
[013引对于电荷产生材料,根据需要,运些颜料可W单独使用,或组合使用。然后,对于电 荷产生材料,从为感光体提供更高的灵敏度和抑制图像出现色斑的角度考虑,径基嫁献菁 颜料是优选的。
[0136] 对于径基嫁献菁颜料没有特别的限制,作为径基嫁献菁颜料,从为感光体提供更 高的灵敏度和抑制图像出现色斑的角度考虑,V型径基嫁献菁颜料是更优选的。
[0137] 特别地,从获得更优异的分散性的角度考虑,优选在600nm至900nm的波长带的分 光吸收光谱中,在SlOnm至839nm的范围内具有最大峰波长的径基嫁献菁颜料作为径基嫁 献菁颜料。当使用径嫁献菁颜料作为用于电子照相感光体的材料时,能够容易地获得优异 的分散性、足够的灵敏度、带电性和暗衰减特性。
[0138] 此外,在SlOnm至839nm的范围内具有最大峰波长的径基嫁献菁颜料中,优选地 具有特定范围内的平均粒径和特定范围内的BET比表面积。。具体来说,平均粒径优选为 0. 20 Jim W下,更优选为0.0 l Jim至0. 15 Ji m,而邸T比表面积优选为45m2/g W上,更优选为 50m2/g W上,特别优选为55m2/g至120m2/g。平均粒径为体积平均粒径值(平均粒径d50), 其通过激光衍射散射粒度分布分析仪(LA-700,由化riba公司制造)测得。另外,采用邸T 比表面积分析仪(FL0WS0RB 112300,由化ima化U公司制造)按照氮气置换法测得所述邸T 比表面积的值。
[0139] 在此,在平均粒径超过0. 20 y m或比表面积小于45m7g的情况下,存在颜料颗粒 粗大化或形成颜料颗粒聚集体的趋势。此外,在一些情况下,易于在分散性、灵敏度、充电性 和暗衰减特性等特性方面产生缺陷,结果容易形成图像质量缺陷。
[0140] 径基嫁献菁颜料的最大粒径(一次粒径的最大值)优选为1.2 ym W下,更优选为 1. 0 ym W下,还更优选为0. 3 ym W下。如果该最大粒径超过上述范围,则容易出现黑点。 阳141] 从感光体抑制由暴露于巧光等引起的浓度偏差的角度考虑,优选径基嫁献菁颜料 的平均粒径为0. 2 ym W下,最大粒径为1. 2 ym W下,且比表面积为45m7g W上。
[0142] 优选的是,径基嫁献菁颜料是在使用化Ka特征X-射线的X-射线衍射光谱中,在 7. 3、16. 0、24. 9和28. 0的布拉格角(2 0 ±0. 2° )处具有衍射峰的V-型径基嫁献菁颜料
[0143] 另一方面,对氯嫁献菁颜料没有特别限定,但优选作为电子照相感光体材料能够 提供优异的灵敏度的、在7.4°、16. 6°、25. 5°和28. 3。的布拉格角(2 0+0. 2° )处具有 衍射峰的氯嫁献菁颜料。
[0144] 氯嫁献菁颜料的分光吸收光谱的优选的最大峰波长、平均粒径、最大粒径和比表 面积值与径基嫁献菁颜料的那些相同。 阳145] 相对于感光层的总固形物含量,电荷产生材料的含量为1重量%至5重量%,优选 为1. 2重量%至4. 5重量%。
[0146] 电子传输材料
[0147] 作为电子传输材料,使用式(1)的第一电子传输材料(由式(1)表不的第一电子 传输材料)和式(2)的第二电子传输材料(由式(2)表示的第二电子传输材料)。
[0148] 首先,将描述式(1)的第一电子传输材料(由式(1)表不的第一电子传输材料)。
[0149]
[0150] 在式(1)中,护、护、护、沪、护、1?16和3"各自独立地表示氨原子、面原子、烷基、 烷氧基、芳基或芳烷基。Ris表示烷基、-L i9-0-R2°、芳基或芳烷基。此外,L"表示亚烷基,并 且R2°表示烷基; 阳W] 在式(1)中,由Rii至R "表示的面原子的例子包括氣原子、氯原子、漠原子和舰原 子等等。
[0152] 在式(1)中,由Rii至R "表示的烷基的例子包括具有1至4个碳原子(优选1至 3个碳原子)的直链或支链烷基。其具体例子包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正下基、异下 基等。
[0153] 在式(1)中,由Rii至R "表示的烷氧基的例子包括具有1至4个碳原子(优选1 至3个碳原子)的烷氧基。其具体例子包括甲氧基、乙氧基、丙氧基和下氧基等。
[0154] 在式(I)中,由Ri哇R "表示的芳基的例子包括苯基和甲苯基等。其中,由RI哇 R"表示的芳基优选苯基。
[0155] 在式(1)中,由Ri哇R "表示的芳烷基的例子包括苄基、苯乙基和苯丙基等。
[0156] 在式(1)中,由Ris表示的烷基的例子包括具有1至12个碳原子(优选5至10个 碳原子)的直链烷基和具有3至10个碳原子(优选5至10个碳原子)的支链烷基。 阳157] 具有1至12个碳原子的直链烷基的例子包括甲基、乙基、正丙基、正下基、正戊基、 正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正^^一烷基和正十二烷基等。
[0158] 具有3至10个碳原子的支链烷基的例子包括异丙基、异下基、仲下基、叔下基、异 戊基、新戊基、叔戊基、异己基、仲己基、叔己基、异庚基、仲庚基、叔庚基、异辛基、仲辛基、叔 辛基、异壬基、仲壬基、叔壬基、异癸基、仲癸基和叔癸基等。 阳159] 在式(1)中,在由Ri嗦示的-L I9-O-R2"所表示的基团中,L W表示亚烷基且R2嗦 不烷基。
[0160] 由L"表示的亚烷基的例子包括具有1至12个碳原子的直链或支链亚烷基,包括 亚甲基、亚乙基、正亚丙基、异亚丙基、正亚下基、异亚下基、仲亚下基、叔亚下基、正亚戊基、 异亚戊基、新亚戊基和叔亚戊基等。 阳161] 由R2°表示的烷基的例子包括与由Ri哇R"表示的烷基相同的那些基团。
[0162] 在式(1)中,由Ris表示的芳基的例子包括苯基、甲基苯基、二甲基苯基和乙基苯基 等。
[0163] 此外,对于由Ris表示的芳基,从溶解性的角度考虑,优选的是芳基进一步被烷基 取代。取代芳基的烷基的例子包括与由Rii至R "表示的烷基相同的那些基团。
[0164] 在式(1)中,由Ris表示的芳烷基的例子包括由-R ISA-Ar表示的基团。在运种情况 中,RiSA表示亚烷基,Ar表示芳基。
[01化]由RiSA表示的亚烷基的例子包括具有1至12个碳原子的直链或支链亚烷基,包括 亚甲基、亚乙基、正亚丙基、异亚丙基、正亚下基、异亚下基、仲亚下基、叔亚下基、正亚戊基、 异亚戊基、新亚戊基和叔亚戊基。
[0166] 由Ar表示的芳基的例子包括苯基、甲基苯基、二甲基苯基和乙基苯基等。
[0167] 在式(1)中,由Ris表示的芳烷基的具体例子包括苄基、甲基苄基、二甲基苄基、苯 乙基、甲基苯乙基、苯丙基和苯下基等。
[0168] 对于式(1)的第一电子传输材料,从高灵敏度和防止出现色斑的角度考虑,优选 的是,电子传输材料中的Ris表示具有5至10个碳原子的支链烷基或芳烷基,特别优选的是 电子传输材料中的Rii至R "各自独立地氨原子、面原子或烷基,并且RIS表示具有5至10个 碳原子的支链烷基或芳烷基。 阳169] 下文将描述式(1)的第一电子传输材料的示例性化合物,但并不限于此。此外,W 下示例性化合物编号将描述为示例性化合物(1-编号)。具体而言,例如,示例性化合物15 将被描述为"示例性化合物(1-15)"。 阳 170]

阳171] 此外,上述示例性化合物的缩写符号表示如下含义。 阳17引 ,Ph:苯基
[0173] 下文将描述式(2)的电子传输材料(由式(2)表示的电子传输材料)。 阳 174]
[01巧]在式(2)中,R2\ R22、R23和R24各自独立地表示氨原子、烷基、烷氧基、面原子或苯 基。 阳176] 在式似中,由R2哇R24表示的烷基的例子包括具有1至6个碳原子的直链或支链 烷基。具体例子包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正下基、异下基、叔下基、戊基和己基等、。
[0177] 由RU至R24表示的烷基的例子可W是被取代的烷基,取代烷基的取代基的例子包 括环烷基、氣取代的烷基等。
[0178] 在式(2)中,由R2I至R 24表示的烷氧基的例子包括具有1至6个碳原子的直链或 支链的烷氧基,其具体例子包括甲氧基、乙氧基、丙氧基和下氧基等。
[0179] 在式似中,由R2i至RM表示的面原子的例子包括氯原子、舰原子、漠原子和氣原 子等。
[0180] 在式似中,由R2哇R2嗦示的苯基的可W是取代的苯基。取代的苯基的取代基 的例子包括烷基(例如,具有1至6个碳原子的烷基)、烷氧基(例如,具有1至6个碳原子 白勺烷氧基)、--苯基等等。 阳181] 对于式(2)的第二电子传输材料,从高灵敏度和防止出现色斑的角度考虑,优选 下述电子传输材料,其中r至R 24的至少一者(优选,大于或等于3)表示具有4个碳原子 的支链烷基。 阳182] 下文将描述式(2)的第二电子传输材料的示例性化合物,但本发明不限于此。此 夕F,跟随示例性化合物的编号描述为示例性化合物(2-编号)。 阳18引具体而言,例如,跟随示例性化合物的编号(2)被描述为"示例性化合物(2-2)"。 阳 184]
阳化5] 此处,式(1)的第一电子传输材料和式(2)的第二电子传输材料可W独立地使用, 或两种或更多种组合使用。此外,在不影响本发明示例性实施方案的目的的范围内,根据需 要,除了式(1)的第一电子传输材料和式(2)的第二电子传输材料之外,还可W连同使用其 它电子传输材料。
[0186] 此外,优选的是,在含有其它电子传输材料时,相对于全部电子传输材料,其含量 为小于或等于10重量%。
[0187] 其它电子传输材料的例子包括:诸如酿化合物的电子传输化合物,例如对苯酿、氯 酿、漠酿和蔥酿;四氯基哇嘟二甲烧化合物;巧酬化合物,如2, 4, 7-=硝基巧酬;氧杂蔥酬 化合物;二苯甲酬化合物;氯基乙締基化合物;乙締化合物;等等。
[0188] 可W独立地使用运些电子传输材料中的一种,或者使用它们中两种或更多种的组 合,但电子传输材料并不限于此。
[0189] 下文将描述电子传输材料的含量。
[0190] 从高灵敏度的角度考虑,相对于100重量份的感光层的总固形物含量,全部电子 传输材料的总含量为大于或等于4重量份,优选大于或等于5重量份。 阳191] 此外,从高灵敏度和防止出现色斑的角度考虑,式(1)的第一电子传输材料与式 (2)的第二电子传输材料的重量比(式(1)的第一电子传输材料/式(2)的第二电子传输 材料)优选为2/1至4/1。 阳192] 空穴传输材料
[0193] 对于空穴传输材料,使用式(3)的空穴传输材料(由式(3)表示的空穴传输材 料)。 阳 194]
阳1巧]在式(3)中,R\ R2、R3、R4、R5和R 6各自独立地表示氨原子、烷基、烷氧基、苯氧基、 面原子或可W具有选自烷基、烷氧基和面原子的取代基的苯基。P和q各自独立地表示0或 Io
[0196] 在式(3)中,由Ri至R6表示的烷基的例子包括具有1至4个碳原子的直链或支链 烷基,具体包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正下基、异下基,等等。
[0197] 其中,对于烷基,优选甲基和乙基。 阳19引在式(3)中,由Ri至R 6表示的烷基的例子包括具有1至4个碳原子的烷氧基,其 具体例子包括甲氧基、乙氧基、丙氧基和下氧基,等等。 阳199] 在式(3)中,由R哇R6表示的面原子的例子包括氣原子、氯原子、漠原子、舰原子, AfrAfr 寸寸O 阳200] 在式(3)中,由Ri至R6表示的苯基的例子包括取代的苯基;低级烷基取代的苯基, 例如对甲苯基和2, 4-二甲基苯基;低级烷氧基取代的苯基,例如对甲氧基苯基;面原子取 代的苯基,例如对氯苯基,等等。 阳201] 此外,能够取代苯基的取代基的例子包括由Ri至R6表示的烷基、烷氧基和面原子。 阳202] 在式(3)的空穴传输材料中,从高灵敏度和防止出现色斑的角度考虑,优选运样 的空穴传输材料,其中P和q表示1,更优选空穴传输材料中的Ri至R 6各自独立地表示氨 原子、烷基或烷氧基,并且P和q表示1。 阳203] 下文将描述具有式(3)的空穴传输材料的示例性化合物,但并不限于此。 阳204] 此外,W下示例性化合物编号被描述为下面的示例性化合物(3-编号)。具体来 说,例如,示例性化合物15被描述为"示例性化合物(3-15)"。 阳2化]






[0210] ? 4-Me :在苯基的4位取代的甲基 悦11] ? 3-Me :在苯基的3位取代的甲基 阳212] ? 4-C1 :在苯基的4位取代的氯原子
[021引 ? 4-MeO :在苯基的4位取代的甲氧基
[0214] ? 4-F :在苯基的4位取代的氣原子 阳21引 ? 4-Pr :在苯基的4位取代的丙基
[0216] ? 4-PhO :在苯基的4位取代的苯氧基
[0217] 可W独立地使用式(3)的空穴传输化合物中的一者或使用它们中两者或更多者 的组合。此外,在不影响本发明示例性实施方案的范围内,根据需要,除了特定的空穴传输 材料之外,还可W连同使用其它空穴传输材料。
[0218] 此外,优选的是,除了式(3)的空穴传输化合物之外包含其它空穴传输材料时,相 对于全部空穴传输材料,其它空穴传输材料的含量为小于或等于25重量%。
[0219] 其它空穴传输材料的例子包括诸如=芳基胺化合物、联苯胺化合物、芳基烧化合 物、芳基取代的乙締基化合物、均二苯代乙締化合物、蔥化合物和腺化合物等的化合物。 阳220] 其它空穴传输材料的具体例子包括下文所述的由式度-1)表示的化合物W及下 文所述的由式度-2)表示的化合物。 阳 221]
悦巧在式(B-I)中,RBi表示氨原子或甲基。nil表示1或2。ArB郝ArB2各自独立地 表示取代或未取代芳基、-Qft-C棘3) = C(RM)棘5)或-C品-CH = CH-CH = C(RBS) (RW)斯3至RB7各自独立地表示氨原子、取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳基。取代基的 例子包括面原子、具有1至5个碳原子的烷基、具有1至5个碳原子的烷氧基、W及被具有 1至3个碳原子的烷基取代的取代氨基。 阳223]
在式度-2)中,RB哺rBs'可W彼此相同或不同,并且各自独立地表示氨原子、面原 子、具有1至5个碳原子的烷基、或具有1至5个碳原子的烷氧基。RB9、rB9'、RBi嘴RBW可 W相同或不同,并且各自独立地表示面原子、具有1至5个碳原子的烷基、具有1至5个碳 原子的烷氧基、被具有I至2个碳原子的烷基取代的氨基、取代或未取代的芳基、-C(RBii)= C(RBiz) (RB")或-CH = CH-CH = C(RBM) (RBU);并且RBi哇R Bis各自独立地表示氨原子、取代 或未取代的烷基或取代或未取代的芳基。ml2、ml3、nl2和nl3各自独立地表示O至2的整 数。 阳225] 此处,在由式度-1)表示化合物和由式度-2)表示化合物中,具有"-QA-CH = CH-CH = C(RBS) (RW)"的由式度-1)表示化合物 W及具有"-CH = CH-CH = C(RBM) (RBU)"的 由式度-2)表示化合物是特别优选的。 阳226] 相对于感光层的总固形物含量,空穴传输材料的含量为10重量%至40重量%,并 且优选为20重量%至35重量%。 阳227] 此外,当使用两种或更多中空穴传输材料时,空穴传输材料的含量是全部空穴传 输材料的含量。
[0228] 空穴传输材料与电荷传输材料之比
[0229] 空穴传输材料与电子传输材料的重量比(空穴传输材料/电子传输材料)优选为 50/50 至 90/10,更优选为 60/40 至 80/20。
[0230] 此外,当连同使用其它电荷传输材料时,该比例是总量之比。 阳231] 其它添加剂 阳232] 单层型感光层可含有其它已知的添加剂,如表面活性剂、抗氧化剂、光稳定剂和热 稳定剂。此外,当单层型感光层为表面层的情况时,其可含有氣树脂颗粒、硅油等。 阳233] 单层型感光层的形成
[0234] 通过使用感光层形成用涂布液形成单层型感光层,该感光层形成用涂布液是通过 向溶剂中加入上述成分而获得的。 阳235] 溶剂的例子包括通常的有机溶剂,例如:芳香控溶剂,如苯、甲苯、二甲苯和氯苯; 酬溶剂,如丙酬和2-下酬;面代脂肪控溶剂,如二氯甲烧、氯仿和二氯乙烧;W及环状酸溶 剂或直链酸溶剂,如四氨巧喃和乙酸。运些溶剂可单独使用或使用其两种或更多种的组合。 阳236] 作为将颗粒(例如,电荷发生材料)分散于感光层形成用涂布液中的方法,可列 举:介质分散机,如球磨机、振动球磨机、娠磨机、砂磨机和邸式砂磨机;或者无介质分散 机,如揽拌机、超声分散机、漉磨机、或高压均质器。高压均质器的例子包括在高压状态下通 过分散液的液-液碰撞或液-壁碰撞W将颗粒分散的碰撞型均质器;或者在高压状态下穿 过微细的流路从而将颗粒分散的贯穿型均质器(penetration type homogenizer)。 阳237] 用感光层形成用涂布液涂布底涂层的方法的例子包括浸涂法、挤出涂布法、线棒 涂布法、喷涂法、刮涂法、气刀涂布法和帘涂法。
[023引单层型感光层的膜厚度优选为Sym至60 ym的范围内,更优选为5 y m至50 y m 的范围内,还更优选为10 y m至40 y m的范围内。 悦39] 其它层
[0240] 如上所述,根据需要,根据本发明示例性实施方案的感光体可W设置有其它层。其 它层的例子包括保护层,其设置在感光层之上作为最外表面层。设置保护层的目的是(例 如)为了防止在充电时感光层发生化学变化,或是为了进一步提高感光体表面的机械强 度。为此,使用由固化膜(交联膜)形成的层作为保护层。运些层的例子包括由下文1)和 2)表示的层。 阳241] I)由组成中含有含反应性基团的电荷传输材料的固化膜构成的层(即,含有含反 应性基团的电荷传输材料的聚合物或交联体的层),其中该含反应性基团的电荷传输材料 在同一分子中具有反应性基团W及电荷传输骨架, 阳242] 2)由组成中含有非反应性电荷传输材料W及含反应性基团的非电荷传输材料的 固化膜构成的层(即,含有非反应性电荷传输材料W及含反应性基团的非电荷传输材料的 聚合物或交联体的层),其中所述含反应性基团的非电荷传输材料具有反应性基团,而不具 有电荷传输骨架。 阳243] 含反应性基团的电荷传输材料中的反应性基团的例子包括已知反应性基团,如链 聚合性基团、环氧基、-〇H、-〇R(此处,R表示烷基)、-畑2、-甜、-COOH和-SiR"3 9。(〇护%。(此 处,r表示氨原子、烷基、或者取代或未取代的芳基,R W表示氨原子、烷基、或S烷基甲硅烷 基,并且化表示1至3的整数)。
[0244] 对链聚合性基团没有特别的限制,只要该链聚合性基团为能够进行自由基聚合性 的官能团即可,并且该链聚合性基团包括具有至少包含碳双键基团的官能团。链聚合性基 团的具体例子含有选自乙締基、乙締基酸基、乙締基硫酸基、乙締基苯基、苯乙締基、丙締酷 基、甲基丙締酷基及其衍生物等中的至少一者的基团。其中,从具有优异的反应性的角度考 虑,链聚合性基团优选是含有选自乙締基、乙締基苯基、苯乙締基、丙締酷基、甲基丙締酷基 及其衍生物中的至少一者的基团。
[0245] 对含反应性基团的电荷传输材料的电荷传输骨架没有特别的限制,只要该电荷传 输骨架具有电子照相感光体中已知的结构即可,其例子包括衍生自含氮空穴传输化合物 (例如=芳基胺系化合物、联苯胺系化合物或腺系化合物)的骨架,该骨架具有与氮原子共 辆的结构。其中,优选=芳基胺骨架。 阳246] 含反应性基团的电荷传输材料包含反应性基团W及电荷传输骨架,非反应性电荷 传输材料和含反应性基团的非电荷传输材料可选自已知材料。
[0247] 保护层可含有其它已知的添加剂。
[0248] 对保护层的形成没有特别的限制,可使用已知的形成方法。例如,在形成保护层 时,由保护层形成用涂布液形成涂膜,将该涂膜干燥,随后根据需要进行硬化处理(如加 热),其中该保护层形成用涂布液是通过将上述成分加入溶剂中而获得的。
[0249] 用于制备保护层形成用涂布液的溶剂的例子包括芳族溶剂,例如甲苯或二甲苯; 酬类溶剂,例如甲基乙基酬、甲基异下基酬和环己酬;醋类溶剂,例如乙酸乙醋或乙酸下醋; 酸类溶剂,例如四氨巧喃和二嗯烧;溶纤剂类溶剂,例如乙二醇单甲酸;和醇类溶剂,例如 异丙醇和下醇。运些溶剂可单独使用、或者两种或更多种组合使用。 阳250] 此外,保护层形成用涂布液可为不含溶剂的涂布液。 阳巧1] 利用保护层形成用涂布液涂布感光层的方法的例子包括常见方法,如浸涂法、挤 出涂布法、线棒涂布法、喷涂法、刮涂法、气刀涂布法和帘涂法。
[0252] 保护层的膜厚(例如)优选为1 y m至20 Ji m,更优选为2 Ji m至10 Ji m。 阳253] 成像装置(和处理盒) 阳巧4] 根据本发明示例性实施方案的成像装置包括:电子照相感光体;充电单元,其对 所述电子照相感光体的表面充电;静电潜像形成单元,其在已充电的电子照相感光体的表 面上形成静电潜像;显影单元,其利用包含调色剂的显影剂将形成于电子照相感光体的表 面上的静电潜像显影,并形成调色剂图像;W及转印单元,其将调色剂图像转印至记录介质 的表面上。此外,作为电子照相感光体,使用上述根据本发明示例性实施方案的电子照相感 光体。 阳255] 作为根据本发明示例性实施方案的成像装置,包括已知成像装置,如包括运样的 定影单元的装置,该定影单元将已转印至记录介质表面的调色剂图像定影;直接转印型装 置,该直接转印型装置将形成于电子照相感光体表面上的调色剂图像直接转印至记录介质 上;中间转印型装置,该中间转印型装置将形成于电子照相感光体表面上的调色剂图像一 次转印至中间转印部件的表面上,然后将已转印至一次转印部件表面上的调色剂图像二次 转印至记录介质的表面上;设置有清洁单元的装置,该清洁单元在调色剂转印之后、充电之 前对电子照相感光体的表面进行清洁;设置有除电单元(erasing unit)的装置,在调色剂 图像转印之后、充电之前,该除电单元利用除电光照射图像保持部件的表面W进行除电;W 及设置有电子照相感光体的加热单元的装置,该加热单元用于通过提高电子照相感光体的 溫度从而降低相对溫度。
[0256] 在中间转印型装置的情况中,转印单元的构成例如包括:中间转印部件,调色剂图 像被转印至该中间转印部件的表面上;一次转印单元,其将形成于图像保持部件的表面上 的调色剂图像一次转印至中间转印部件的表面上;和二次转印单元,其将已转印至中间转 印部件的表面上的调色剂图像二次转印至记录介质的表面上。 阳257] 根据本发明示例性实施方案的成像装置可为具有干式显影系统的成像装置和具 有湿式显影系统(使用液体显影剂的显影系统)的成像装置中的任意一种。 阳25引此外,在根据本示例性实施方案的成像装置中,设置有电子照相感光体的部分 (例如)可W是能够从成像装置上拆卸下来的盒结构(处理盒)。作为该处理盒,(例如) 适宜使用包括根据本发明示例性实施方案的电子照相感光体的处理盒。此外,除了该电子 照相感光体外,处理盒可还包括选自由(例如)充电单元、静电潜像形成单元、显影单元和 转印单元构成的组中的至少一者。 阳巧9] 下文示出了本发明示例性实施方案的成像装置的一个例子,但本发明并不限于 此。此外,描述了图中示出的主要部件,省略了其它解释。
[0260] 图2为示意性示出根据本发明示例性实施方案的成像装置的构成的图。 阳%1] 如图2所示,根据本发明示例性实施方案的成像装置100设有:具有电子照相感光 体7的处理盒300、曝光装置9 (静电潜像形成单元的一个例子)、转印装置40 ( -次转印装 置)、W及中间转印部件50。此外,在成像装置100中,曝光装置9被设置在运样一个位置: 其中曝光装置9可W通过处理盒300中的开口而将光照射在电子照相感光体7上,并且转 印装置40隔着中间转印部件50而设置在与电子照相感光体7相对的位置。中间转印部件 50设置为与电子照相感光体7部分接触。此外,虽然图中没有显示,但该成像装置还包括将 转印到中间转印部件50上的调色剂图像转印到记录介质(例如,纸)上的二次转印装置。 此外,中间转印部件50、转印装置40 (-次转印装置)、和二次转印装置(未示出)相当于 转印单元的实例。 阳%2] 图2中的处理盒300支撑在壳体内作为一个整体的电子照相感光体7、充电装置 8 (充电单元的一个例子)、显影装置11 (显影单元的一个例子)和清洁装置13 (清洁单元 的一个例子)。清洁装置13具有清洁刮片(清洁部件的一个例子)131,且该清洁刮片131 被设置为与电子照相感光体7的表面相接触。此外,清洁部件可为导电性或绝缘性纤维部 件(其并不是清洁刮片131的典型的实施方案),并可单独使用、或者与清洁刮片131组合 使用。 阳263] 此外,作为成像装置,图2示出了运样的例子,其中成像装置包括用于向电子照相 感光体7的表面上供给润滑剂14的纤维状部件132 (漉状)、W及有助于清洁工艺的纤维状 部件133 (呈平刷状),但运些部件可视需要而设置。
[0264] W下,将描述根据本发明示例性实施方案的成像装置的各个构成。 阳2化]充电装置 阳%6] 作为充电装置8,例如,使用采用导电性或半导电性的充电漉、充电刷、充电膜、充 电橡胶刮片、充电管等的接触型充电装置。此外,还可使用已知的充电装置本身如非接触型 漉状充电器,W及利用了电晕放电的栅格充电器和电晕管充电器。 阳267] 曝光装置
[0268] 曝光装置9可W是W预定的成像方式(image-wise manner)将电子照相感光体7 的表面曝光于射线(如半导体激光射线、LED射线和液晶快口射线)下的光学设备。光源 的波长可W是在电子照相感光体的光谱敏感波长范围内的波长。作为半导体激光的波长, 主要是激光发射波长在780nm附近的近红外波长。然而,可使用的激光射线波长并不局限 于运种波长,并可使用发射波长在600nm范围的激光、或者作为蓝色激光的具有在400nm至 450nm范围内的任意发射波长的激光。为形成彩色图像,使用能够获得多波束输出的平面发 光型激光光源是有效的。 阳269] 显影装置
[0270] 作为显影装置11,例如可使用常用显影装置,其中成像时与磁性或非磁性单组份 或双组份显影剂接触或不接触。对运种显影装置11没有特别限定,只要其具有上述功能即 可,并且可根据所需用途适当选择。其例子包括已知的显影装置,其中利用刷或漉将单组份 或双组份显影剂施加至电子照相感光体7上。其中,使用在其表面上保持有显影剂的显影 漉的显影装置是优选的。 阳271] 显影装置11中使用的显影剂可W是仅由调色剂形成的单组份显影剂、或者是由 调色剂和载体形成的双组份显影剂。此外,显影剂可为磁性显影剂或非磁性显影剂。作为 运些显影剂,可使用已知显影剂。 阳八引清洁装置 阳273] 作为清洁装置13,使用设有清洁刮片131的清洁刮片型装置。
[0274] 此外,除了清洁刮片型,还可使用毛刷清洁型,W及同时进行显影和清洁的类型。 阳275] 转印装置 阳276] 转印装置40的例子包括已知的转印充电装置自身,如使用带、漉、膜、橡胶片等的 接触型转印充电装置;利用电晕放电的栅格转印充电装置和电晕管转印充电装置。 阳277] 中间转印部件
[027引作为中间转印部件50,可使用被赋予半导电性的由聚酷亚胺、聚酷胺酷亚胺、聚碳 酸醋、聚芳醋、聚醋、橡胶等构成的带形式(中间转印带)。另外,除了带形式W外,所述中间 转印部件还可采取鼓的形式。 阳279] 图3是示出了本发明示例性实施方案的成像装置的另一个例子的示意性结构图。 阳280] 图3所示成像装置120是其中配备有四个处理盒300的串联型全色成像装置。在 成像装置120中,四个处理盒300彼此平行地置于中间转印部件50上,并且一个电子照相 感光体可被用于一种颜色。此外,除了成像装置120是串联型W外,成像装置120与成像装 置100具有相同的构造。 阳281] 此外,根据本发明示例性实施方案的成像装置100不限于上述构成。例如,为了使 得残留调色剂的极性均匀且有利于利用清洁刷等进行清洁,W设置在沿着电子照相感光体 7的旋转方向的转印装置40的下游侧、W及沿着电子照相感光体7的旋转方向的清洁装置 13的上游侧的方式,在电子照相感光体7周围设置第一除电装置。此外,为了对电子照相感 光体7的表面除电,可W在沿着电子照相感光体的旋转方向的清洁装置13的下游侧、W及 沿着电子照相感光体的旋转方向的充电装置8的上游侧设置第二除电装置。 阳282] 另外,根据本发明示例性实施方案的成像装置100并不局限于上述构造,可W应 用已知的构造,例如,将形成于电子照相感光体7上的调色剂图像直接转印至记录介质的 成像装置。 阳28引 实施例 阳284] 下文中将结合实施例和比较例对本发明示例性实施方案进行详细说明,但是本发 明示例性实施方案不限于运些实施例。此外,在W下说明中,除非另外指明,否则"份"、"重 量份"和"% "均基于重量计算。 悦化]实施例1 阳286] 感光层的形成
[0287] 使用直径为1 Olffi皆的玻璃珠将包含W下物质的混合物分散于砂磨机中4小时: 下文描述的表1中示出的1. 5重量份的径基嫁献菁颜料作为电荷产生材料,60. 5重量份的 双酪Z聚碳酸醋(粘性平均分子量:50, 000)作为粘结剂树脂,组成比如下文描述的表1所 示(但是,组成比的详情示于表3中)作为电子传输材料,下文描述的表1中示出的34重 量份的空穴传输材料作为空穴传输材料,W及250重量份的四氨巧喃作为溶剂,由此获得 感光层形成用涂布液。
[028引采用浸涂法,将所得的感光层形成用涂布液涂布到直径为30mm、长度为244. 5mm、 厚度为1mm的侣基材料上,在140°C下干燥并固化30分钟,由此形成厚度为30 y m的单层型 感光层。 阳289] 通过上述步骤制备电子照相感光体。
[0290] 实施例2至17和比较例1至20 阳291] 按照与实施例1相同的方式制备电子照相感光体,不同之处在于电子传输材料 (在表中W"ETM"示出)的组成比(但是,组成比的详情示于表3)、空穴传输材料(在表中 W"HTM"示出)的类型和添加量W及电荷产生材料(在表中W"CGM"示出)的类型按照表 1和2改变。但是,当改变各组分的量时,升高或降低粘结剂树脂的量(份数)使得感光层 的总含量为100重量份。 阳29引此外,在表1至3中,表示没有添加材料。 悦9引评价 阳294] 对每个所得的电子照相感光体进行W下评价。结果示于表1和2中。此外,在各 所得的电子照相感光体中,包含表3示出的组成比的电子传输材料的感光层的平均损失弹 性模量(在包括35°C至50C的溫度和0. 5化频率的条件下测量动态粘弹性时的平均损失弹 性模量)示于表3。 阳295] 色斑的评价 阳296] 如下所述对色斑进行评价。在28°C及湿度为85%的高溫高湿环境下,使用安装有 感光体化5340D(由化other公司制造)的改装清洁机。在+800V的充电电压下打印2, 000 张50 %半色调图像。之后,将装置静止过夜,第二天早上将空白纸装入机器中,对在白纸上 形成的色斑的数量计数,并基于如下标准进行评价。 阳297] A :未产生色斑。 阳29引 B :确认到1至9个色斑。
[0299] C :确认到10个W上的色斑。 阳300] 感光体灵敏度的评价 阳301] 将感光体灵敏度评价为将其充电至+800V时的半衰曝光量化alf-re化Ction exposure amount)。具体来说,使用静电复印纸试验装置(静电分析仪EPA-8100,Kawaguchi Electric Works制造)在20°C和40% RH的环境中将感光体充电至+800V,然后W在感光 体的表面上提供1 yW/cm2的方式用SOOnm的单色光照射感光体,该单色光是使用单色仪由 鹤灯的光中获得的。 阳302] 之后,测量刚刚充电后感光体表面的电势VO(V)、W及通过用光照射感光体表面使 得表面电势变成1/2 X VO (V)时的半衰曝光量Ei/2 ( y J/cm2)。评价标准如下。
[0303] A ;半衰曝光量小于或等于0. 15 Ji J/cm2。 阳304] B ;半衰曝光量大于0. 15 Ji J/cm2并且小于或等于0. 18 Ji J/cm 2。 阳305] C ;半衰曝光量大于0. 18 Ji J/cm2并且小于或等于0. 20 Ji J/cm 2。 阳306] D ;半衰曝光量大于0. 20 y J/cm2。 阳3O7] 表1 阳30引
阳 312]
[0313] 从W上结果可W看出,在本实施例中获知的是,与比较例相比,色斑数减少,并且 灵敏度提高。
[0314] 此外,表1至表3中缩写的详情如下。
[031引 电子传输材料
[0316] ? ETMl :由式(1)表示的电子传输材料的示例性化合物(1-14)
[0317] ? ETM2 :由式(2)表示的电子传输材料的示例性化合物(2-3)
[0318] ? ETM3 :由式(2)表示的电子传输材料的示例性化合物(2-2)
[0319] ? ETM4 :由式(1)表示的电子传输材料的示例性化合物(1-2) 阳320] ? ETM5 :由式(1)表示的电子传输材料的示例性化合物(1-11) 阳32U ? ETM6 :由式(1)表示的电子传输材料的示例性化合物(1-17) 阳32引 ? ETM7 :具有W下结构的电子传输材料ETM7 阳323]
[0324] 空穴传输材料 阳325] ? HTMl :由式(3)表示的空穴传输材料的示例性化合物(3-1) 阳326] ? HTM2 :由式(3)表示的空穴传输材料的示例性化合物(3-21) 阳327] ? HTM3 :由式(3)表示的空穴传输材料的示例性化合物(3-41) 阳32引 ? HTM4 :具有W下结构的空穴传输材料HTM4 阳329]
阳330] ?HTM5:N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-[l,^]二苯基-4,4'-二胺(具 有W下结构的空穴传输材料HTM5) 阳 331]
阳332] 电荷产生材料
[0333] -CGMl (ClGaPC):氯嫁献菁:其在使用化K a特征X射线的X射线衍射光谱中在至 少7.4°、16.6°、25. 5°和28. 3°的布拉格角(2 0+0. 2° )的位置处具有衍射峰的氯嫁 献菁颜料(在600nm至900nm的波长范围内的光谱吸收谱的最大峰波长:780nm,平均粒径: 0. 15 y m,最大粒径:0. 2 y m,比表面积值:56mVg)
[0334] ? CGM2 (HOGaPC):径基嫁献菁(V-型):在使用化K a特征X射线的X射线衍射光 谱中在至少7.3°、16.0°、24. 9°和28.0°的布拉格角(2 0+0. 2° )的位置处具有衍射 峰V-型径基嫁献菁颜料(在600nm至900nm的波长范围内的光谱吸收谱的最大峰波长: 820nm,平均粒径:0. 12 Ji m,最大粒径:0. 2 Ji m,比表面积值:60m2/g) 阳335] ? CGM3 (HzPC) :X-型无金属献菁(氨原子配位在献菁骨架中屯、的献菁) 阳336] 提供对本发明示例性实施方案的上述描述是为了举例和说明。并非旨在穷举,或 将本发明限制为所公开的精确形式。明显地,对于本领域技术人员而言,许多变型和修改将 是显而易见的。选择并描述运些实施方案为的是更好地说明本发明的原理及其实际应用, 从而使得本领域技术人员理解本发明的多种实施方案,并且其多种变型适用于所预期的特 定用途。本发明的范围旨在通过所附权利要求及其等同形式来限定。
【主权项】
1. 一种电子照相感光体,包括: 导电性基体,以及 单层型感光层,其设置在所述导电性基体上并且包含粘合剂树脂、选自羟基镓酞菁颜 料和氯镓酞菁颜料的至少一种的电荷产生材料、由以下式(1)表不的第一电子传输材料、 由以下式(2)表不的第二电子传输材料以及由以下式(3)表不的空穴传输材料, 其中相对于100重量份的所述感光层的总固形物含量,全部电子传输材料的总含量大 于或等于4重量份,并且在35°C至50°C的温度和0. 5Hz的频率的条件下测定动态粘弹性 时,所述感光层的平均损失弹性模量E"小于或等于1. 000 X 106,其中R11、R12、R13、R14、R 15、R16和R 17各自独立地表示氢原子、卤原子、烷基、烷氧基、芳基 或芳烷基,Ris表示烷基、-L 19-0-R2°、芳基或芳烷基,L19表示亚烷基,并且R 2°表示烷基;其中R21、R22、R23和R24各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、卤原子或苯基;以及其中R1、R2、R3、R4、R5和R 6各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、苯氧基、卤原子、或可 具有选自烷基、烷氧基和齒原子的取代基的苯基,并且P和q各自独立表不〇或1。2. 根据权利要求1所述的电子照相感光体, 其中,所述单层型感光层的平均损失弹性模量E"小于或等于8. OX 105。3. 根据权利要求1所述的电子照相感光体, 其中,所述电荷产生材料是V型羟基镓酞菁颜料。4. 根据权利要求1所述的电子照相感光体, 其中,所述空穴传输材料是其中式(3)中的p和q各自表示1的空穴传输材料。5. 根据权利要求1所述的电子照相感光体, 其中,所述第一电子传输材料是由式(1)表示的电子传输材料,其中Ris表示芳烷基或 具有5至10个碳原子的支链烷基。6. 根据权利要求1所述的电子照相感光体, 其中,所述第二电子传输材料是由式(2)表示的电子传输材料,其中R21至R24中的至少 一者表示具有4个碳原子的支链烷基。7. 根据权利要求1所述的电子照相感光体, 其中,所述第一电子传输材料与所述第二电子传输材料的重量比(式(1)的第一电子 传输材料/式⑵的第二电子传输材料)是2/1至4/1。8. -种处理盒,所述处理盒能从成像装置中拆卸下来,包括: 根据权利要求1至7中任一项所述的电子照相感光体。9. 一种成像装置,包括: 根据权利要求1至7中任一项所述的电子照相感光体; 充电单元,其对所述电子照相感光体的表面进行充电; 静电潜像形成单元,其在已经带电的所述电子照相感光体的表面上形成静电潜像; 显影单元,其利用包含调色剂的显影剂将形成于所述电子照相感光体表面上的静电潜 像显影,以形成调色剂图像;以及 转印单元,其将所述调色剂图像转印到记录介质的表面。
【文档编号】G03G15/00GK106019866SQ201510649581
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2015年10月9日
【发明人】草野佳祐, 是永次郎, 庄司义史, 川畑幸美
【申请人】富士施乐株式会社
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