一种干膜快速显影方法

文档序号:10653283阅读:722来源:国知局
一种干膜快速显影方法
【专利摘要】本发明提供一种干膜快速显影方法,包括:前处理,以2~3m/min的传送速度对线路板依次进行酸洗、磨刷、水洗;贴膜,贴膜速度2.8?3.0m/min,热压辘压力4.2?4.5Kg/cm2,热压辘工作温度90?100℃;曝光;显影,采用浓度0.8~1.2%的Na2CO3溶液显影,显影速度5~6m/min,显影液喷淋压力0.8?1.2 Kg/cm 2,水洗压力1.0?1.5Kg/cm 2,烘干温度50~60℃。本发明通过前处理对线路板依次进行的酸洗、磨刷、火山灰水洗,改善干膜填充能力、干膜附着力、进而提高贴膜的加工质量,并在后续的贴膜和显影步骤中对控制参数进行优化,有效缩短干膜显影整体时间。
【专利说明】
一种干膜快速显影方法
技术领域
[0001 ]本发明涉及线路板制造领域,尤其涉及一种干膜快速显影方法。
【背景技术】
[0002]随着电子技术的高速发展,电子产品价格低廉多样贴近大众生活,极大地丰富了大众需求。人们对电子产品的大量需求,不断对生产效率和产品品质提出更高要求。在线路板制造领域,干膜显影工序耗费时间比较长,迫切需要一种可以加快生产速度的干膜快速显影方法。

【发明内容】

[0003 ]针对上述问题,本发明提供一种干膜快速显影方法,包括步骤:
前处理,以2?3m/min的传送速度对线路板依次进行酸洗、磨刷、水洗;
贴膜,贴膜速度控制在2.8-3.0m/min,热压辘压力4.2-4.5Kg/cm2,热压辘工作温度控制在90-100°C;
曝光;
显影,采用浓度0.8?1.2%的Na2C03溶液显影,显影速度5?6m/min,显影液喷淋压力
0.8-1.2 Kg/cm 2,水洗压力1.0-1.5此/011 2,烘干温度50?60°C。
[0004]优选的,所述前处理步骤中,酸洗采用4-5%的H2SO4溶液。
[0005]优选的,所述前处理步骤中,磨刷过程采用一对不织布磨刷进行。
[0006]优选的,所述前处理步骤中,水洗过程采用2对软刷,使用浓度18-25%的火山灰进行水洗。
[0007]优选的,所述曝光步骤中,采用21格曝光尺控制,曝光量控制在6?8格。
[0008]本发明通过前处理阶段对线路板依次进行的酸洗、磨刷、火山灰水洗,改善干膜填充能力、干膜附着力、进而提高贴膜的加工质量,并在后续的贴膜和显影步骤中对控制参数进行优化配置,有效缩短干膜显影的整体时间。
【具体实施方式】
[0009]下面将结合具体实施例对本发明作进一步详细描述。
[0010]作为一种优选的实施例,可以按以下步骤进行:
前处理,以2.5m/min的传送速度对线路板依次进行酸洗、磨刷、水洗;酸洗采用5%的H2SO4溶液,磨刷采用一对规格为600#的不织布磨刷进行,水洗时采用浓度为20%的火山灰,利用两对规格为400#的软刷进行。在前处理步骤改善干膜填充能力、干膜附着力,降低显影干膜破孔。
[0011 ]贴膜,贴膜速度控制在2.8/min,热压辘压力4.2Kg/cm2,热压辘工作温度控制在90-95 °C;
曝光;采用21格曝光尺控制,曝光量控制在7格。
[0012]显影,采用浓度1.0%的Na2CO3溶液显影,并采用优化的控制参数,显影速度设置为5m/min,显影时Na2C03溶液的喷淋压力1.0 Kg/cm 2,喷淋显影液后进行水洗,水洗压力1.5如/0112,最后以55°(:温度烘干。
[0013]整个过程相比传统工艺,整体速度可提高约10%,同时也可降低显影干膜破孔几率,减少报废,节约成本。
[0014]虽然对本发明的描述是结合以上具体实施例进行的,但是,熟悉本技术领域的人员能够根据上述的内容进行许多替换、修改和变化、是显而易见的。因此,所有这样的替代、改进和变化都包括在附后的权利要求的精神和范围内。
【主权项】
1.一种干膜快速显影方法,包括步骤: 前处理,以2?3m/min的传送速度对线路板依次进行酸洗、磨刷、水洗; 贴膜,贴膜速度控制在2.8-3.0m/min,热压辘压力4.2-4.5Kg/cm2,热压辘工作温度控制在90-100°C; 曝光; 显影,采用浓度0.8?I.2%的Na2C03溶液显影,显影速度5?6m/min,显影液喷淋压力0.8-1.2 Kg/cm 2,水洗压力1.0-1.5此/011 2,烘干温度50?60°C。2.依据权利要求1所述一种干膜快速显影方法,其特征在于:所述前处理步骤中,酸洗采用4-5%的H2SO4溶液。3.依据权利要求1所述一种干膜快速显影方法,其特征在于:所述前处理步骤中,磨刷过程采用一对不织布磨刷进行。4.依据权利要求1所述一种干膜快速显影方法,其特征在于:所述前处理步骤中,水洗过程采用2对软刷,使用浓度18-25%的火山灰进行水洗。5.依据权利要求1所述一种干膜快速显影方法,其特征在于:所述曝光步骤中,采用21格曝光尺控制,曝光量控制在6?8格。
【文档编号】G03F7/30GK106019861SQ201610514223
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年7月4日
【发明人】付雷, 黄勇, 周睿, 贺波
【申请人】奥士康精密电路(惠州)有限公司
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