专利名称：等离子体显示器设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及使用等离子体放电进行显示的显示设备。
背景技术：
等离子体显示面板(PDP)通过将由一种气体放电产生的真空紫外射线施加到一种荧光物从而发射光来显示一个图象，已期待，该等离子体显示器面板将产生结构小屏面大的显示器的市场。
图9表示普通彩色等离子体显示设备的一个示意图，而
图10表示在靠近一个正面玻璃基片的一侧上的一个支持电极的周围部分的放大了的部分图。一个等离子体显示设备100具有一种结构，其中放置在靠近显示器表面一侧上的正面玻璃基片101和一个背面玻璃基片102彼此面对，并且在其边缘部分牢牢地被密封，使得一个内部放电空间由一种放电气体填满。在该正面玻璃基片101上，一对线性形状的支持电极107(107X，107Y)彼此平行放置，其间具有一个放电间隙，而介质层109和由氧化镁(MgO)构成的保护层110按序放置在该支持电极107上。另一方面，在背面玻璃基片102上，彼此平行放置大量线性形状的地址电极103，以及介质层104和带状延伸阻挡凸条105按序放置在该地址电极103上。由该阻挡凸条105经地址电极103划分该放电空间，而红(R)、绿(G)和蓝(B)的三原色荧光物106周期性地放置在面对该放电空间的该阻挡凸条105和介质层104的部分上。此外该地址电极103(和该阻挡凸条105)按垂直于该支持电极107的矩阵形式配置。
该支持电极107由透明的电极材料例如ITO(铟-锡氧化物(indium-tin oxide))，以便改进该显示表面的光提取效率。这样的透明电极材料具有高的电阻性，所以在许多情况下，如在图10中所示的，在该支持电极107的每个的表面上的由低电阻导电材料制成的总线电极108部分地被层压，以便减小电阻。特别地，该总线电极108由A1薄膜，Cr/Cu/Cr膜等制成，与该支持电极107相反，这些都是低电阻的非-透明的材料，所以该总线电极108在该支持电极107一侧形成，并与靠近该放电间隙的一侧相对。
为了改进光发射效率同时降低电极电阻，对该总线电极108的截面面积有所要求。因此，为使该总线电极108具有更大的截面面积而不降低该光的提取效率，设计该总线电极108尽可能大地增加其厚度而不是其宽度。
但是，当该总线电极108具有大的厚度，将发生下列问题，因此，关于增加厚度存在着一定的限制。首先，由于应力等原因，该总线108的附着力将降低，而该电极的电阻可相应增加。其次，当该介质层109通过印制等方法形成在该总线电极108上时，在由该总线电极108形成的一个台阶的周围将形成一个大的弯曲F(参照图10)，所以围绕该弯曲F的部分的附着力将降低，使得发生蜕皮，或在该形成的介质层109的台阶部分中可以形成空气气泡。蜕皮和空气气泡使该介质层109的压力电阻降低到放电气体，由此导致制造成品率降低。
由于以上所述，本发明的目的在于提供一种等离子体显示设备，制造的该设备能具有更高的光发射效率和更高的成品率。
发明的公开按本发明的一种等离子体显示器设备，横跨包括一个支持电极的一个表面的区域和一个透明基片的一个区域的两旁形成一个总线电极，但一个区域除外，在那里位于其间，在纵向方向上由该支持电极的一个边缘部分形成该支持电极。
按本发明的另一等离子体显示设备，至少一个支持电极或者一个总线电极的一个的侧表面在一纵向方向相对透明基片的平的表面倾斜一个锐角。
按本发明的该等离子体显示设备，该总线电极仅部分地与该支持电极接触，所以存在一个空间，在那里，该总线电极的宽度可能比以前更加展宽，所以形成的该总线电极能更薄宽(thinner width)但同时具有足够大的截面积。
按本发明的另一等离子体显示设备，与该透明基片形成一个锐角的该支持电极或总线电极的该侧表面不具有台阶，所以可减少在该侧表面上形成的该总线电极或介质层的台阶部分中形成空气气泡或蜕皮。
附图的简要说明图1是按本发明第一实施例的等离子体显示器设备的示意透视图；图2A和2B是表示图1中所示的等离子体显示器设备主要部分结构的说明，分别是截面图和正视图；图3是用于描述在图1中所示的等离子体显示器设备中的一个总线电极形成位置的说明；图4A-4C是表示图1中所示的等离子体显示器设备的驱动序列的说明；图5A和5B是表示按本发明第二实施例的等离子体显示器设备的主要部分的结构的说明，分别是截面图和正视图；图6是图5A中所示的等离子体显示器设备的一个电极部分的放大的图；图7A和7B是表示按本发明第三实施例的等离子体显示器设备的主要部分的结构的说明，分别是截面图和正视图；图8是用于描述图7A中所示的等离子体设备中的一个总线电极的形状的放大的部分图；图9是表示一个普通等离子体显示器设备的基本结构的透视图；图10是用于描述图9中所示的该普通等离子体显示器设备中的一个总线电极的说明。
执行本发明的最佳模式以下将参照附图更详细地描述本发明的优选实施例。
图1表示按本发明第一实施例的一个等离子体显示器设备的示意图。除总线电极18的形状和该总线电极18相对支持电极17位置不同之外，该等离子体显示器设备的结构等效于普通等离子体显示器设备100。
要求放置在靠近一个显示器表面的一侧上的正面玻璃基片11由一种高透明材料制成，使得在该等离子体显示器设备中产生的光通过该正面玻璃基片11并被提取到外边，以及，例如使用高应变点玻璃(Strain Point glass)或碱石灰玻璃(soda-lme glass)。在该正面玻璃基片11上，一对线性形状的支持电极17(17X，17Y)彼此平行放置，而用来降低电阻的总线电极18在纵向方向放置在每个支持电极17的一个边缘部分上。例如该支持电极17由ITO制成，它是一种透明电极材料，和该总线电极18例如由一种金属薄膜制成，例如一种MO/Al膜，一种Cr/Cu/Cr膜等。
此外，当从靠近该显示器表面观察时，支持电极17在该支持电极17的纵向方向垂直于地址电极13的纵向方向的方向平行放置，该地址电极13是在靠近背面基片12的侧边上，该支持电极17和该地址电极13形成一个电极矩阵变换电路。由支持电极17对和彼此垂直放置的地址电极13形成的每个区域是相应于该等离子体显示设备中的一个像素的光发射区域。
图2A和2B是表示总线电极18与该支持电极17相关位置的说明，并且分别是截面图和正视图。在该附图中，表示两对支持电极17(17X1和17Y1，17X2和17Y2)彼此相邻，以及附加到每个支持电极17的每个总线电极18用X1，Y1，X2或Y2结尾的一个符号识别，它们表示每个支持电极17的位置。每个总线电极18具有宽度d1的部分和宽度d2的部分，并且横跨形成该支持电极17的一个区域(相应宽度d1部分)和正面玻璃基片11的一个区域(相应于宽度d2部分)两旁形成，但有一区域除外，在那里，在其间相对于位于该支持电极对彼此成对的一侧的一侧上和该支持电极17的边缘部分一起形成该支持电极17。在此，该支持电极17的厚度或宽度被任意确定，并且例如它具有通常使用的尺度。此外，该总线电极18的厚度或宽度(d1，d2)可任意确定。然而，在该总线电极18和在支持电极17的相邻对的一侧上的一个相邻总线电极18之间，即在图2A和2B中总线电极18X1和18Y2之间的一个空间d3必须和在一个电压等于或低于支持电极对17X和17Y之间的放电电压时不发生放电一样大。换言之，当在位于其间具有空间d0的支持电极对17(17X1和17Y1，17X2和Y2)之间的放电时，要求在该总线电极18X1和18Y2之间空间d3被确定，使得在该支持电极17X1和17Y2之间不发生放电。
在包括该支持电极17之间放电的放电电压Vs相对于在一个放电空间中的压力P和电极间的距离d的乘积(Pd积)具有图3中所示的相关性。在该情况中，由于压力P是均匀的，所以可考虑图3中的一条横轴相应于电极间的距离。为满足以上要求，在d3中的放电电压Vd3被要求高于在d0中的放电电压Vd0(Vd3＞Vd0)，因此在该图中，d3被确定，使得对d0具有下列关系。
当d0＝da或db时，d3＜da或d3＞db…(1)当d0＝dm时，d3γd0…(2)当确定该空间d3和空间d4时，该总线电极18的宽度d2将被确定，该空间d4是在和该支持电极对彼此成对一侧相对的一侧上彼此相邻的支持电极17X1和17Y2之间。当选定满足公式(1)或公式(2)的并且尽可能小的一个值作为d3时，则可增加宽度d2的值。这样，可扩展该总线18的总宽度而不宽范围覆盖该支持电极17，以及该总线电极18的截面积可大于以前可能的截面积。
此外，当该总线电极18具有拙劣的透明性而其在实际多数情况中保持真实的情况时，在与该总线电极18X1和18Y2和该总线电极18Y1和18X2成对的一侧相对的一侧上彼此相邻的总线电极18X1和18Y2分别放置在该支持电极17的宽度方向上对准的光发射区域之间，并且具有划分到显示的像素中的功能。通常，为划分到像素中，放置一个黑矩阵以填充在光发射区域之间的一个空间，换言之，在该实施例中，该总线电极18执行该功能。特别地，当该总线电极18的宽度d2扩展而同时尽可能少地减小该空间d3时，该总线电极18能更有效地改进对比度。
在支持电极17和总线电极18上放置例如由SiO2制成的介质层19，和在该介质层19上放置例如由MgO制成的保护层20。
在另一方面，该背面玻璃基片12例如由和该正面玻璃基片11那样相同的材料制成，和在该背面玻璃基片12上平行放置的线性形状的地址电极13例如由一种金属薄膜制成，例如铝(Al)。此外，在该地址电极13上，放置例如由SiO2制成的介质层14，以及在该介质层14上，放置阻挡凸条15，该阻挡条经地址电极13划分该放电空间。可以在对准该地址电极13的方向用该阻挡凸条15防止在相邻光发射区域之间的光发射的干扰。此外，红(R)，绿(G)和蓝(B)的三原色荧光物16被周期性地配置在面对该放电空间的阻挡凸条15和该介质层14的部分上，和每个光发射区域发射相应的色配置的光。
此外，正面玻璃基片11和背面玻璃基片12彼此面对在其间的放电空间，并在其边缘部分其间用一个垫片(未示)密封。另外，在该放电空间，填充的放电气体至少例如由一种惰性气体所组成，其选自由He，Ar，Xe和Kr组成的组。
除该总线电极18的图形不同之外，通过普通方法能制作该等离子体显示器设备。例如，可通过下列步骤制作该等离子体显示器设备。
首先，制备该正面玻璃基片11，而在该正面玻璃基片11上，例如通过溅射或真空淀积形成并构图由一种例如ITO的透明电极材料制成的一层膜，以形成带状的支持电极17对。接着，在一对支持电极17彼此成对的一侧相对的一侧上，在该支持电极17的每一个的边缘部分上的一预定位置处形成具有预定宽度的总线电极18。导电性良好的金属材料Ag，Al，Ni，Cu，Mo，Cr或类似金属材料形成单层或层压膜，例如结果是Mo/Al形成该总线电极18。屏幕印刷，溅射，真空淀积，CVD(化学蒸发淀积)等可用来作为形成膜的一种方法。
之后，由SiO2制成的介质层19例如通过溅射或屏幕印刷在该介质层19的整个表面上形成，保护层20由MgO制成，通过电子束蒸发形成。
接着，制备该背面玻璃基片12，而在该背面玻璃基片12上，例如，像该总线电极18的情况，通过构图形成导电性良好的金属材料，更具体地是Al和Mn的一种合金，以便形成带状地址电极13。接着，例如，通过CVD或印刷形成由SiO2制成的膜，以形成该介质层14。之后在该介质层14上预定区域中构图玻璃胶(glass paste)，接着燃制该构图的玻璃胶结果形成预定形状的阻挡凸条。特别地，在通过屏幕印刷涂上胶状的低融化玻璃，通过喷砂该低融化玻璃形成带状之后，随即进行烧制。接着，例如从彼此相邻的阻挡凸条15的侧表面到夹在其间的介质层14印刷磷光体浆，以在预定位置形成磷光体。
接着，组装该正面玻璃基片11和背面玻璃基片12。例如，通过屏幕印刷在该正面玻璃基片11的边缘部分形成低融化玻璃制成的密封层。之后，结合该正面玻璃基片11和背面玻璃基片12，使得该支持电极17和地址电极13的方向彼此垂直，然后烧制该正面玻璃基片11和该背面玻璃基片12结果烧制并固化该密封层。进而，从放置在两个基片11和12之间的并由该阻挡凸条15划分的放电空间排出空气，而在该放电空间密封一种气体混合体。由此，完成按实施例的等离子体显示器设备。
该等离子体显示设备能例如如下进行工作。图4A-4C表示相应于每电极1子域(subfield)的驱动序列。图4B表示输入到多个支持电极17Y的每一个的电压波形，而输入到与该支持电极17Y成对的该支持电极17X的电压波形全是相同的，所以仅有一个波形表示在图4C中。在一个典型图象显示中的一个显示屏幕的一场(field)包括每个具有一个加权值的多个子域，而灰度等级显示由控制该子域进行。此外，每个子域可分成三个，即复位周期，跟随该复位周期的地址周期，和显示周期。
首先，在该复位周期，一个电压加到所有支持电极17X和17Y以执行准备放电，在所有光发射区域中，在该保护层20上均匀地产生电荷(壁电荷)。接着，当一个驱动电压加到该支持电极17Y和相应于不打算发光以便执行地址放电的像素的地址电极13时，该壁电荷从不打算发光的像素的光发射区选择性地消除。由此，该壁电荷仅保持在不打算发光的像素的位置以选择一个显示的像素。接着，当在该显示周期期间一个AC脉冲驱动电压加在该支持电极17X和17Y之间时，在壁电荷保持的光发射区域，该壁电荷的电位叠加在该脉冲电压上，因此该脉冲电压达到在该支持电极17X和17Y之间的放电起始电压而发生放电。该放电是射频放电，并同时进行电荷的积累，从而放电继续发生，由此，一个放电状态将能受到支持(支持放电)。当从一种放电气体通过放电发射的紫外射线加到磷光体16时，磷光体16发光，使得相应于该光发射区域的一个像素发光。这样，该光发射区域有选择性地发光，以便在一个子域形成一预定的图形，同时子域以时间序列重叠，由此显示具有控制的灰度等级的一场图像。
如上所述，按该实施例，总线电极18是以这样一个形状形成，即具有宽度d2的部分从正面玻璃基片11上的支持电极17离开延长，所以该总线电极18的整个宽度可以延长但不宽范围地覆盖该支持电极17，这样总线电极18的截面积可能比以前的大。通过增加该总线电极18，该支持电极17的电阻比以前可能降低得更多，由此能改进该等离子体显示设备的光发射效率。同时能用足够的截面积来减小该总线电极18的厚度。由此结合延长的宽度，能改善对该支持电极17的附着力，该支持电极17的电阻能有效地减小。
此外，如果该总线电极18具有比以前可能有的更大的宽度，并且在每个光发射区域的末端部分形成，则相邻像素由显示的总线电极18划分，从而能改进对比度。
进而，该总线电极18具有从该支持电极17延长的形状，所以与普通情况相比，在形成期间要求对准的精确度较低，在该普通场合，形成该总线电极18为的是保持两个末端部分对准。此外，如上所述，该总线电极18使其比以前具有更大的宽度而能具有更薄的厚度，由此改进附着力。因此能改进制造成品率。
再者，在该总线电极18X1和总线电极Y2之间的空间d3在一个电压等于或小于在支持电极17X和17Y之间的空间d0中的放电电压Vd0的情况下是和不发生放电那样大，所以能改进在该支持电极17X1和17Y2之间的放电。
图5A和5B表示按本发明的第二实施例的一个等离子体设备主要部分的部分图，并且分别是一个截面图和一个正视图。该等离子体显示器设备等同于按第一实施例的等离子体显示设备，所不同的是支持电极和总线电极38形状不相同。在下列实施例中，相同的部件用和第一实施例一样的数字标示并将不进一步解释。
在该第二实施例中，如在图6的放大的图中所示的，支持电极37的侧表面和总线电极38的侧表面在纵向方向上相对正面玻璃基片11分别形成锐角01和θ2。一般地，在所说表面倾斜不是在直角而是在角度θ的一个部件的形状称为锥形，而如在该实施例的情况中那样当该角度θ是锐角时，其被称为正向锥形形状。除了在纵向方向末端部分具有锥形形状外支持电极37(37X，37Y)具有与在第一实施例中支持电极17相同的形状，并且按与第一实施例的支持电极17相同方式放置。该总线电极38由这样的事实不同于该总线电极18，即在纵向方向的末端部分具有不同的形状，以及该总线电极38仅放置在该支持电极37上。
当在纵向方向上该支持电极37和总线电极38的末端部分具有正向锥形形状时，其侧表面上的阶梯是小的，所以将能减少在该阶梯上形成的介质层19的阶梯部分处脱皮或空气气泡的形成。为使该阶梯部分更平直，该支持电极37和该总线电极38的锥形角θ1和θ2分别优选比较小，更优选45°或更小。
通过例如用干蚀刻的各向异性蚀刻，该支持电极37和该总线电极38可以按正向锥形形状处理，由ITO制成的支持电极37最好在400KHz高频或高于该频率和压力在1Pa到5Pa的条件下使用HCl，Cl2，HF或HBr气体或其气体混合物进行蚀刻。此外，由Al制成的该总线电极38最好在4Pa压力条件下使用BCl3，Cl2或类似的气体由ICP(电感性耦合等离子体)蚀刻。作为选择，涂具有高蚀刻率的一种材料于支持电极37或总线电极38的一个表面上，同时在该被涂材料上形成电阻，接着使用HCl进行湿蚀刻，由此早先地蚀刻靠近该表面的部分，这样该末端部分实质上可按正向锥形形状处理。
这样，按该实施例，支持电极37和总线电极38的侧表面与该正面玻璃基片11形成的角度θ1和θ2分别是锐角，能减少在介质层19的侧表面的该阶梯部分处的脱皮或形成空气气泡，所以可改进该介质层19的附着力和压力电阻。因此，可改进制造成品率。
此外，当去消电极37和38表面上的阶梯时可使用介质膜形成该介质层19。在该情况下，粘贴膜形式的介质形成该介质层19。一般地，膜对阶梯部分的附着力是不够的，所以用膜是困难的，但是，在该实施例中，膜形式的介质层19可以附着到电极37和38的侧表面，所以可容易形成具有良好附着力的介质层19。
图7A和7B表示按本发明第三实施例的等离子体显示设备的主部件的部分图，分别是截面图和正视图。在该等离子体显示设备中，第一实施例的总线电极18形成在第二实施例的支持电极37上。
在第三实施例中，该总线电极18横跨一个区域形成，该区域包括支持电极37的表面和正面玻璃基片11的一个区域，但一个区域除外，在那里该支持电极37用该支持电极的侧表面形成，而该支持电极的侧表面与该正面玻璃基片11在其间形成锐角θ1。当该支持电极37的末端部分具有台阶时，该总线电极18倾向于在其台阶部分处形成如图8中所示的弯曲F。该总线电极18的厚度在该弯曲F处更薄，因此在该总线电极18中所谓的“台阶-切割”可以发生，而该支持电极37的角落部分和其周围可产生热。相反，在该实施例中，支持电极37的侧表面是倾斜的，以弄平放置阶梯的部分，因此在以比防止台阶切割前以更均匀的厚度部分上形成总线电极18。此外，在第二实施例描述的介质层19的情况下，可减少在总线电极18中蜕皮和空气气泡的形成。
此外，在该支持电极37中，以正向锥形形式形成在一侧上的另一末端部分，在该侧处，支持电极37与另一支持电极37成对，所以可减小在该支持电极37上形成的介质层19中的蜕皮或空气气泡的形成。
这样，按该实施例，该支持电极37的侧表面形成的角θ1是锐角，所以该支持电极37的末端部分是平直的，因此能防止在总线电极18中的围绕该支持电极37的末端部分的台阶切割，而对该支持电极37降低电阻的大的效果能稳定发挥。同时，该支持电极37的末端部分具有正向锥形形状，使得其台阶部分是平直的，因此可减小在总线电极18和介质层19中的蜕皮或空气气泡的形成，由此改进附着力和压力电阻，以及该等离子体显示设备能以更高的制造成品率制造。
此外，当去消支持电极37的侧表面上的台阶时，具有良好附着力的总线电极18可容易借助使用Ag或相同物的膜形成。其他效果等效于第一实施例的效果。
本发明不限于上述实施例，可以有各种各样的修改。例如，在第三实施例中，不仅支持电极37具有正向锥形形状的末端部分，而且总线电极18的末端部分可具有正向锥形形状。在该情况下，如在第二实施例中所描述的，能改进在总线电极18上形成的介电层19的附着力和压力电阻。此外，在纵向方向支持电极37或总线电极38两者的末端部分不必形成正向锥形形状。例如，在第三实施例的支持电极37中，仅形成该总线电极38的一个末端部分可以具有正向锥形形状。
此外，按实施例，该支持电极17或37直接在正面玻璃基片11上形成，而在该支持电极17或37上形成总线电极18或38。然而，支持电极和总线电极不要求做成与基片接触。例如，它们可以形成在该介质层上。本发明广泛地应用到这样一种结构，即该支持电极和该总线电极彼此部分地接触。例如，总线电极可比支持电极更靠近正面玻璃基片形成。
如上所述，按本发明的等离子体设备，总线电极横跨一个区域形成，该区域包括支持电极的一个表面和透明基片的一个区域，但是在其间在纵向方向与该支持电极的一边缘部分形成该支持电极的一个区域除外，所以该总线电极可以延长而不覆盖该支持电极比必要的更大的部分，由此该总线电极的截面积能比以前可能的更大。因此，通过增加总线电极，该支持电极中的电阻可以比以前可能的更有效地减小，同时可改进光发射效率而不降低光提取效率。进而，由显示的总线电极划分相邻的像素，所以能改进对比度。再进一步，形成该总线电极使得离开该支持电极延长，则要求更低的对准精确度，并且可容易地形成该总线电极。
按本发明另外的等离子体显示设备，在纵向方向倾斜支持电极或总线电极至少一个的侧表面使得该侧表面与该透明基片的平直表面形成的角度是锐角，所以能减少在该侧表面上形成的每层的台阶部分中的蜕皮或形成空气气泡，从而改进在该侧表面上形成的每层的附着力和压力电阻。此外，当去消在该支持电极上的台阶时，能形成离该支持电极延长形成的具有更均匀厚度的总线电极，因此，可防止出现台阶切割或生热。因此可改进制造成品率。
显而易见利用以上教导，本发明的许多修改和变化是可能的，因此应理解在附加权利要求的范围内可以实践但不是如特定描述的那样。
权利要求书(按照条约第19条的修改)1.(删除)2.(删除)3.(删除)4.一种等离子体显示设备，包括一个具有平直表面的透明基片；多对线性形状支持电极彼此平行形成在该透明基片的一个表面上；多个总线电极，每个配置来与每个支持电极相接触；以及一个介质层，覆盖支持电极和总线电极，其中，至少每个支持电极之一或每个总线电极之一的一个侧表面在一纵向方向相对该透明基片的平直表面倾斜一个锐角。
5.按权利要求4的等离子体显示设备，其中在与每个总线电极接触的一侧上每个支持电极的一个侧表面相对该透明基片的平直表面倾斜一个锐角。
6.按权利要求4的等离子体显示设备，其中该侧表面与该透明基片平直表面形成的一个角度是45°或更小。
权利要求
1.一种等离子体显示设备，包括一个透明基片；多个线性形状的支持电极对，彼此平行放置在该透明基片上；以及多个总线电极，每个与支持电极的每个接触放置；其中每个总线电极横跨一个区域形成，该区域包括该支持电极之一的一个表面和该透明基片的一个区域，但一个区域除外，在该区域在其间一纵向方向和该支持电极之一的一边缘部分一起形成该支持电极。
2.按权利要求1的等离子体显示设备，其中每个总线电极在每个支持电极的一侧上形成，该侧与一侧相对，在这一侧上每对支持电极彼此成对。
3.按权利要求1的等离子体显示设备，其中由于在每对支持电极之间一个电压等于或小于一个放电电压，所以一个空间是和不发生放电一样大，该空间配置在与支持电极之一相接触的总线电极之一和与总线电极之一相邻并与相邻于该支持电极对的另一对支持电极之一相接触的该总线电极的另一个之间。
4.一种等离子体显示设备，包括一个具有平直表面的透明基片；多对线性形状支持电极彼此平行形成在该透明基片的一个表面上；多个总线电极，每个配置来与每个支持电极相接触；以及一个介质层，覆盖支持电极和总线电极，其中，至少每个支持电极之一或每个总线电极之一的一个侧表面在一纵向方向相对该透明基片的平直表面倾斜一个锐角。
5.按权利要求4的等离子体显示设备，其中在与每个总线电极接触的一侧上每个支持电极的一个侧表面相对该透明基片的平直表面倾斜一个锐角。
6.按权利要求4的等离子体显示设备，其中该侧表面与该透明基片平直表面形成的一个角度是45°或更小。
全文摘要
一种高发光效率并能大量生产的等离子体显示单元。总线电极(18)在支持电极(37)形成区域和在正面玻璃基片(11)上除该前者区域之外的区域上延伸形成，以及一个间隙侧对侧提供在一个边缘上，在那里各个支持电极(37)形成一对。总线电极(18)不全部覆盖支持电极(37)，但给出其整个宽度的形状是延伸的，以提供比以前更大的截面积。支持电极(37)的长度方向端具有正向斜度形状，和它的侧面形成与正面玻璃基片(11)成锐角，从而消除阶梯差。
文档编号H01J11/34GK1575501SQ0282100
公开日2005年2月2日 申请日期2002年8月30日 优先权日2001年8月31日
发明者井上肇 申请人:索尼株式会社