专利名称：平面显示器用隔板基材及制造方法、平面显示器用隔板及平面显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及平面显示器用隔板基材、平面显示器用隔板基材的制造方法、平面显示器用隔板及平面显示器。
背景技术：
场发射显示器(FED)已知的有应用现有的阴极射线管(CRT)的自发光型平面显示器。FED具有由多个阴极(电场发射元件)二维排列构成的阴极结构体，使在减压环境下从阴极发射出的电子碰撞在各荧光象素区域上，从而形成发光图像。荧光象素区域含有磷层。
该平面显示器具有含有阴极结构体的背板。美国专利第5541473号说明书中记载有这样的平面显示器的一个例子。该显示器的背板是通过将阴极结构体堆积在玻璃板上形成的。
该平面显示器具有堆积有磷层的玻璃面板。在玻璃或磷层上堆积施加电场用的导电层。
面板距离背板0.1mm～1mm至2mm。由壁体构成的长方形的隔板垂直介于面板和背板之间。该隔板优选设置在正确的位置，对显示器内减压时，隔板上会承受大气压带来的巨大的负荷。
据说该负荷可达到10英寸的显示器上1吨的负荷。由于该负荷，隔板变成不对齐的状态或倾斜、发射出的电子偏向、在显示器上产生肉眼能够看见的缺陷。隔板必须能够承受面板和背板间的巨大压力，每个隔板必须高度相同、并且平坦。另外，隔板的热膨胀率必须与作为面板的玻璃板接近、并且温度依赖性小。
另外，因为要在面板和背板之间施加例如1kV以上的高电压，所以要求隔板有对高电压的耐受性和2次放射特性。作为现有的隔板，已知的有将由氧化铝构成的绝缘材料涂在导电材料上而形成的隔板(例如，参照特表2002-508110号公报、特表2001-508926号公报)、具有由氧化物微粒子等形成的凹凸膜的隔板(例如，参照特开2001-68042号公报)、由过渡金属氧化物分散在陶瓷中形成的隔板(例如，参照特表平11-500856号公报、特表2002-515133号公报)。
发明内容
但是，使用现有的隔板时，有产生图像失真等情况。本发明是鉴于上述问题而完成，目的是提供可减少产生图像失真等的平面显示器用隔板基材、其制造方法、平面显示器用隔板及平面显示器。
本发明者潜心研究的结果，发现含有规定比例的Al2O3、TiC和TiO2的烧结体适合作为隔板基材，从而完成了本发明。
本发明的平面显示器用隔板基材，具有含有Al2O3、TiC和TiO2的烧结体，该烧结体中相对于Al2O3、TiC和TiO2的全部重量，含有6.5～10重量％的TiC和1.0～2.5重量％的TiO2。
本发明的平面显示器用隔板基材的制造方法，含有将Al2O3粉末、TiC粉末和TiO2粉末以相对于Al2O3粉末、TiC粉末和TiO2粉末的全部重量，TiC粉末占6.5～10重量％、TiO2粉末占1.0～2.5重量％的比例混合得到混合物的工序，和对上述混合物进行焙烧得到烧结体的工序。
本发明的平面显示器用隔板，由含有Al2O3、TiC和TiO2，相对于Al2O3、TiC和TiO2的全部重量，含有6.5～10重量％的TiC和1.0～2.5重量％的TiO2的烧结体形成，并介于具有阴极结构体的背板和具有荧光象素区域的面板之间。
本发明的平面显示器，具备具有阴极结构体的背板；具有光象素区域的面板；和介于上述背板和上述面板之间，由含有Al2O3、TiC和TiO2，相对于Al2O3、TiC和TiO2的全部重量，含有6.5～10重量％的TiC和1.0～2.5重量％的TiO2的烧结体形成的平面显示器用隔板。
在这些发明中，烧结体是含有TiC和Al2O3的复合陶瓷，这样的复合陶瓷表现出高硬度的导电陶瓷铝钛碳(AlTiC)的性质、可以承受由于压缩力引起的变形。因此，将是这种烧结体的隔板基材用作平面显示器用隔板时，能够减少图像的失真等。
而且，该烧结体相对于Al2O3、TiC和TiO2的全部重量含有6.5～10重量％的TiC和1.0～2.5重量％的TiO2。使对该烧结体施加的电场在0～10000V/mm左右的范围内变化以测定电阻率值时，随着电场的增大电阻率值逐渐减小，电场强度超过该范围时，电阻率不会急剧降低。另外，在该范围内改变TiC或TiO2的组成，可以很容易得到电阻率值约为1.0×106Ω·cm～1.0×1011Ω·cm的烧结体。因此，将具有这种烧结体的隔板基材作为平面显示器用隔板时，即使施加电场也可以表现出期望的导电性，从而难以带电，同时可以抑制由于过电流流动而引起的热击穿，可以进一步降低平面显示器中的图像失真等。
图1是表示实施例1-1～1-4及比较例1-1～1-2的隔板基材的组成和特性的图表。
图2是表示实施例2-1～2-4及比较例2-1～2-2的隔板基材的组成和特性的图表。
图3是表示实施例3-1～3-4及比较例3-1～3-2的隔板基材的组成和特性的图表。
图4是表示实施例4-1～4-4及比较例4-1～4-2的隔板基材的组成和特性的图表。
图5是表示比较例5-1～5-5的隔板基材的组成和特性的图表。
图6是表示比较例6-1～6-5的隔板基材的组成和特性的图表。
图7是表示实施例2-1～2-4及比较例2-1～2-2的隔板基材的电阻率和施加电压的关系的图。
图8是表示TiC的添加量和施加电场10000V/mm时隔板基材的电阻率值的关系的图。
图9是平面显示器的平面图。
图10是平面显示器的X-X方向截面图。
图11是表示平面显示器面板侧的内部结构的平面显示器侧面图。
图12A～图12G是为了说明隔板的制造方法的说明图。
具体实施例方式
下面，参照附图详细说明本发明的优选实施方式。此外，在
中，相同或相当的要素用相同的符号表示，省略重复说明。
首先，说明本实施方式的平面显示器用隔板基材及其制造方法。在本实施方式中，作为平面显示器用隔板基材，使用含有Al2O3(氧化铝)、TiC(碳化钛)和TiO2(二氧化钛)、相对于Al2O3、TiC和TiO2的全部重量TiC占6.5～10重量％、并且TiO2占1.0～2.5重量％的复合陶瓷烧结体。
上述隔板基材，可以通过将Al2O3粉末、TiC粉末和TiO2粉末以相对于Al2O3粉末、TiC粉末和TiO2粉末的全部重量TiC粉末占6.5～10重量％、并且TiO2粉末占1.0～2.5重量％的比例混合、成型、将成型体在规定温度下进行焙烧、自然冷却而得到。
下面，详细说明本实施方式的隔板基材的制造方法。首先，准备原料Al2O3粉末、TiC粉末和TiO2粉末。在此，原料Al2O3粉末优选微粉，平均粒径优选0.1～1μm，特别优选0.4～0.6μm。TiC粉末优选微粉，平均粒径优选0.1～3μm，特别优选0.5～1.5μm。TiO2粉末优选微粉，平均粒径优选0.1～3μm，特别优选0.5～1μm。
然后，将这些粉末以相对于Al2O3粉末、TiC粉末和TiO2粉末的全部重量TiC粉末占6.5～10重量％、并且TiO2粉末占1.0～2.5重量％的比例混合，得到混合粉末。
在此，粉末的混合优选在球磨机或微粉碎机中进行。除了水以外，优选使用例如乙醇、IPA、95％改性乙醇等作为溶剂，进行适当的混合。优选混合10～100小时左右。此外，作为球磨机或微粉碎机中的研磨介质，优选使用例如直径1～20mm左右的氧化铝球或氧化锆球。
接着，将混合后的混合粉末进行喷雾造粒。在这里，例如可以在几乎不含氧的氮气或氩等惰性气体的60～200℃左右的热风中喷雾干燥，由此，可以得到上述组成的混合粉末形成的颗粒。在此，形成颗粒的粒径优选例如50μm～200μm左右。
然后，根据需要添加溶剂等以调节形成颗粒的液体含量，使形成颗粒中含有0.1～10重量％左右的溶剂。
然后，将该颗粒填充到规定的模具中，通过冷压进行一次成型得到成型体。在这里，例如，将颗粒填充到内径150mm的圆板形成用的金属制或碳制的模具内，可以在例如5～15MPa(50～150kgf/cm2)左右的压力下进行冷压。
接着，对一次成型的成型体进行热压得到烧结体。在此，例如，焙烧温度优选1200～1700℃、压力优选10～50MPa(100～500MPa)、气体环境优选真空、氮气、氩气中的一种。此外，选择非氧化性气体环境是为了防止TiC的氧化。另外，优选使用碳制的模具。烧结时间优选1～3小时左右。
然后，检查完外观等之后，用金刚石砂轮等进行机械精加工，制成平面显示器用隔板基材。最终的平面显示器用隔板基材的具体形状是例如直径6英寸、厚度2mm左右的圆盘状基板。
这样得到的隔板基材是含有TiC和Al2O3的复合陶瓷烧结体，所以能够表现出高硬度的导电陶瓷铝钛碳(AlTiC)的性质、可以承受由于压缩力引起的变形。因此，作为平面显示器的隔板使用时，隔板难以变成不对齐的状态或者倾斜，从而减少图像的失真。
而且，该隔板基材是相对于Al2O3、TiC和TiO2的全部重量TiC的含量为6.5～10重量％、并且TiO2的含量为1.0～2.5重量％形成的烧结体。这样的隔板基材，使施加在该隔板基材上的电场在0～10000V/mm左右变化并测定电阻率值时，在该范围内随着电场的增大电阻率值逐渐减小，电场强度超过此范围时，电阻率不会急剧下降。另外，在该范围内通过改变TiC或TiO2的组成，可以很容易得到电阻率值约为1.0×106Ω·cm～1.0×1011Ω·cm的隔板基材。
因此，将上述隔板基材用作平面显示器的隔板时，即使施加电场也可以表现出期望的导电性，从而难以带电。因此，可以抑制由于带电导致的电子轨道偏向，同时可以抑制由于过电流流动引起的热击穿，可以进一步降低平面显示器中的图像失真等。
在此，TiC的含量低于6.5重量％或者超过10重量％时，电场达到10000V/mm前，电阻率值将急剧减少。TiO2的含量低于1.0重量％或者超过2.5重量％时，很难使隔板基材的电阻率值在1.0×106～1.0×1011Ω·cm的隔板的电阻率值的适宜范围内。而且，电阻率值超过此范围变得过高时，会有例如变得容易带电从而产生失真的情况。另外，电阻率值低于此范围变得过低，会有过电流流动引起的热击穿的情况。
此外，在本实施方式的烧结体的组成范围中，例如TiC或TiO2的组成改变时，烧结体的电阻率值的改变比较少。因此，可以很容易地制造电阻率值的偏差少，且成品率高的电阻率值为1×106～1×1011Ω·cm左右的隔板基材。
下面，说明本实施方式的隔板基材的实施例。
(实施例1-1～实施例1-4)首先，分别称量规定量Al2O3粉末(平均粒径0.5μm、纯度99.9％)、TiC粉末(平均粒径0.5μm、纯度99％、含碳量19％以上，其中游离石墨为1％以下)和TiO2粉末(平均粒径0.1μm)，在球磨机中与乙醇一起粉碎混合30分钟，在氮气中在150℃下进行喷雾造粒得到颗粒。在实施例1-1～实施例1-4中，相对于Al2O3粉末、TiC粉末和TiO2粉末合计的全部重量，TiO2粉末的含量均为1.0重量％。另外，相对于全部重量TiC的含量在实施例1-1中为10.0重量％、在实施例1-2中为8.0重量％、在实施例1-3中为7.0重量％、在实施例1-4中为6.5重量％。
接着，将这些混合物在约0.5MPa(50kgf/cm2)下各自一次成型、利用热压法在真空的气体环境下，在烧结温度1600℃、冲压压力约30MPa(约300kgf/cm2)的条件下焙烧1小时得到各个实施例中的隔板基材。
(比较例1-1、比较例1-2)除了使TiO2相对于全部重量的含量均与实施例1-1相同为1.0重量％、TiC相对于全部重量的含量分别为12.0重量％、6.0重量％之外，其它与实施例1-1相同地进行，得到比较例1-1、比较例1-2的隔板基材。实施例1-1～实施例1-4和比较例1-1、比较例1-2的各成分的组成如图1表所示。
(实施例2-1～实施例2-4)除了使TiO2的含量全部为1.5％，同时使TiC的含量分别与实施例1-1～实施例1-4相同，即从实施例2-1开始依次为10.0重量％、8.0重量％、7.0重量％、6.5重量％之外，其它与实施例1-1相同地进行，分别得到实施例2-1～实施例2-4的隔板基材。
(比较例2-1、比较例2-2)除了使TiO2的含量均与实施例2-1相同为1.5重量％、使TiC的含量分别为12.0重量％、6.0重量％进行混合之外，其它与实施例2-1相同地进行，得到比较例2-1、比较例2-2的隔板基材。实施例2-1～实施例2-4和比较例2-1、比较例2-2的各成分的组成如图2的表所示。
(实施例3-1～实施例3-4)除了使TiO2的含量全部为2.0重量％，同时使TiC的含量分别与实施例1-1～实施例1-4相同，即从实施例3-1开始依次为10.0重量％、8.0重量％、7.0重量％、6.5重量％之外，其它与实施例1-1相同地进行，分别得到实施例3-1～实施例3-4的隔板基材。
(比较例3-1、比较例3-2)除了使TiO2的含量均与实施例3-1相同为2.0重量％、使TiC的含量分别为12.0重量％、6.0重量％进行混合之外，其它与实施例3-1相同地进行，得到比较例3-1、比较例3-2的隔板基材。实施例3-1～实施例3-4和比较例3-1、比较例3-2的各成分的组成如图3的表所示。
(实施例4-1～实施例4-4)除了使TiO2的含量全部为2.5重量％，同时使TiC的含量分别与实施例1-1～实施例1-4相同，即从实施例4-1开始依次为10.0重量％、8.0重量％、7.0重量％、6.5重量％之外，其它与实施例1-1相同地进行，分别得到实施例4-1～实施例4-4的隔板基材。
(比较例4-1、比较例4-2)除了使TiO2的含量均与实施例3-1相同为2.5重量％、使TiC的含量分别为12.0重量％、6.0重量％进行混合之外，其它与实施例4-1相同地进行，得到比较例4-1、比较例4-2的隔板基材。实施例4-1～实施例4-4和比较例4-1、比较例4-2的各成分的组成如图4的表所示。
(比较例5-1～比较例5-5)除了使TiO2的含量全部为0.5重量％，同时使TiC的含量从实施例5-1开始依次为10.0重量％、8.0重量％、7.0重量％、6.5重量％、6.0重量％之外，其它与实施例1-1相同地进行，得到比较例5-1～比较例5-5的隔板基材。比较例5-1～比较例5-5的各成分的组成如图5的表所示。
(比较例6-1～比较例6-5)除了使TiO2的含量为3.0重量％，同时使TiC的含量从实施例6-1开始依次为12.0重量％、10.0重量％、8.0重量％、7.0重量％、6.5重量％、6.0重量％之外，其它与实施例1-1相同地进行，得到比较例6-1～比较例6-7的隔板基材。比较例6-1～比较例6-5的各成分的组成如图6的表所示。
按上述方法得到的各隔板基材，通过施加各种电场测定出的隔板基材的电阻率值如图1～图6的表中所示。另外，TiO2的含量为1.5重量％的隔板基材(实施例2-1～2-4及比较例2-1～2-2)，施加的电场与电阻率值的关系如图7所示。TiC的含量及TiO2的含量与施加10000V/mm的电场时隔板基材的电阻率值的关系如图8所示。
从图7可看出，TiC的含量为6重量％以下时(比较例2-1)或TiC的含量为12重量％以上时(比较例2-2)，在0～10000V/mm的电场强度范围内，电场强度超过规定值时，电阻率值会急剧减少，与此相对，若TiC的含量为6.5重量％以上10重量％以下(实施例2-1～实施例2-4)，则电场在0～10000V/mm的范围内，电阻率值不会急剧减少只会逐渐减少。
这种情况，在TiO2的含量为1.0％时(实施例1-1～实施例1-4、比较例1-1、比较例1-2)、TiO2的含量为2.0％时(实施例3-1～实施例3-4、比较例3-1、比较例3-2)、TiO2的含量为2.5％时(实施例4-1～实施例4-4、比较例4-1、比较例4-2)等条件下均相同，可从图1至图6的表中看出。
另一方面，由图8可看出，TiC的含量为6.5重量％以上10重量％以下时，如比较例5-1～比较例5-5的TiO2的含量为0.5重量％以下时，或者如比较例6-1～比较例6-5的TiO2的含量为约3.0重量％以上时，很难使隔板基材的电阻率值达到作为平面显示器用隔板所优选的电阻率值1.0×106Ω·cm～1.0×1011Ω·cm。
与此相反，实施例1-1～实施例1-4、实施例2-1～实施例2-4、实施例3-1～实施例3-4、实施例4-1～实施例4-4中TiO2的含量为1.0重量％以上2.5重量％以下时，通过在此范围内调节TiC和TiO2的组成，可以使隔板基材的电阻率值达到作为平面显示器用隔板所优选的电阻率值1.0×106Ω·cm～1.0×1011Ω·cm。
上述实施例的隔板基材，密度3.9～4.2g/cm2、维氏硬度2000～2200(Hv20)、挠曲强度500～800MPa、杨氏模量380～410GPa、热传导率22～33W/mK、热膨胀系数7.0×10-6～7.3×10-6[1/℃]，从强度等任何一个方面来看，都很明确是作为平面显示器的隔板基材优选的基材。
而且，在本实施方式的烧结体的组成范围中，例如，即使TiC的组成改变1重量％左右，电阻率值仅仅改变1×102倍左右以下，另外，即使TiO2的组成改变0.5％左右时，电阻率值仅仅改变1×102倍左右以下。因此，即使TiO2和TiC的组成产生制造上的误差等，制造出的隔板基材的电阻率值的改变也较小。因此，可以容易以高成品率得到电阻率值1×106～1×1011Ω·cm左右的隔板基材。
下面，简要说明由上述隔板基材形成的平面显示器用隔板和该隔板适用的平面显示器FED。
图9是平面显示器10的平面图，图10是平面显示器10的X-X箭头方向的截面图，图11是表示平面显示器面板侧内部结构的平面显示器侧面图。
玻璃制面板101上形成有黑色矩阵结构体102。黑色矩阵结构体102含有由磷层构成的多个荧光象素区域。磷层在高能电子撞击下发光，形成可视显示器。从特定的荧光象素区域发出的光，通过黑色矩阵结构向外部输出。黑色矩阵是为了抑制来自互相邻接的荧光象素区域的光的混合的格状黑色结构体。
在面板101上安装有与其表面垂直竖直设置的作为壁体的隔板103-119。
在面板101上通过隔板103～119(103、104、105、106、107、108、109、110、111、112、113、114、115、116、117、118、119)设置背板201(参照图10)。隔板103～119使面板101与背板201之间的间隔保持均等。背板201的有源区域面含有阴极结构体202。该阴极结构体202具有多个由发出电子的突起构成的阴极(电场(电子)发射元件)。
阴极结构体202的形成区域比背板201的面积小。面板101的外周区域和背板201的外周区域之间有玻璃封口203，在中央部分提供密封室。该密封室内减压至电子能够飞行的水平。另外，在该密封室内配置有阴极结构体202、黑色矩阵结构体102及隔板103～119。封口203通过熔解玻璃粉形成。
此外，因为全部隔板103～119的结构相同，所以下面只对一块隔板103进行说明。
如图11所示，隔板(平面显示器用隔板)103通过设置于其长度方向的两端的粘合剂301、302被固定在面板101上。本例的粘合剂301、302的材料是UV固化型聚酰亚胺粘合剂，也可以使用热固化型粘合剂或者无机粘合剂。此外，粘合剂301、302设置于黑色矩阵结构体102的外侧。
下面，详细说明隔板103。
图12A～图12G是为了说明隔板103的制造方法的一个例子的说明图。该隔板的制造方法，是制造介于上述具有阴极结构体(202)的背板(201)和具有荧光象素区域(黑色矩阵结构体102)的面板(101)之间的平面显示器用隔板的方法。该隔板103，例如，可以通过依次实施以下工序①～⑦制造。
①准备上述的复合陶瓷烧结体基板(平面显示器用隔板基材)A103(图12A)。
②然后，利用喷镀法在基板A103的两面上形成膜厚为几nm～1μm、材料为Ti、Au、Cr、Pt等金属构成的金属膜M(图12B)。此外，该金属膜M分离后记作金属膜m。
③切除四周、除去周边部分，使基板A103的平面形状成为四方形(图12C)。
④以比基板A103的厚度(D)小的间隔(W)将基板切断成长方形、将这些长方体分开、然后清洗(图12D)。
⑤同时研磨切断成长方形的长方体的切面，使所有与长方体切面垂直的方向的尺寸W在300±50μm以内(图12E)。
⑥在与包含隔板103的厚度方向和隔板103的长度方向的平面平行的端面上进行图形化处理形成金属膜e(图12F)。在形成金属膜的过程中，首先，清洗该端面，接着，利用喷镀法在该端面上堆积Ti、Au、Cr、Pt等金属膜100nm，使用干蚀刻用的掩模在金属膜上进行图形化处理后，利用离子铣削(ion milling)将该金属膜蚀刻，形成金属膜e。此外，金属膜e的长度方向与隔板103的长度方向一致。
另外，关于厚度方向D，金属膜e距隔板103一端的距离D1、金属膜e的尺寸D2、金属膜e距隔板103另一端的距离D3，设定为使产品公差和误差在±5μm以内。
⑦同时研磨多个长方体的与上述端面相对侧的端面，其宽度W1设定为选自50～100μm的值(图12G)。此值越小隔板103越不明显，有难以承受压缩力的倾向，所以在本例中设定为选自50～100μm的值。此外，上述所谓的研磨，包括机械研磨和/或化学研磨。
另外，在任何一项工序中，其平坦度控制在至少50μm以下。
该隔板103是上述烧结体，即含有Al2O3、TiC和TiO2，以Al2O3、TiC和TiO2的合计重量作为100重量％时，TiC占6.5重量％以上10重量％以下、并且TiO2占1.0重量％以上2.5重量％以下的复合陶瓷烧结体。因此，如上所述，因为能够承受由压缩力引起的变形、即使施加电场也可表现出期望的导电性、难以产生带电或热击穿，所以可以有效的抑制图像失真。
另外，该隔板103在厚度方向的两端面上具有金属膜m。该金属膜m是切断前形成的金属膜M的一部分。该金属膜m，降低了背板与面板之间的接触电阻的面内不均匀性，有助于设定隔板全体的电阻率、导电率等。
上述隔板103是长方体，其具有与包含厚度方向和长度方向的平面平行的端面，在该端面上具有图形化处理后的金属膜e。该图形用来规定内部电场分布，由于厚度方向的精度高，所以其沿着基板厚度方向的形成位置的精度，可以比在原来的基板表面上形成时的形成位置精度更高。
此外，上述隔板也可以适用于反射型FED。在对特性没有大的影响的限度内，上述隔板基材也可以含有其它材料。
产业上的可利用性如上所述，根据本发明，可提供能够进一步降低图像失真等的发生的平面显示器用隔板基材、其制造方法、平面显示器用隔板及平面显示器。
权利要求
1.一种平面显示器用隔板基材，其特征在于具有含有Al2O3、TiC及TiO2的烧结体，所述烧结体中相对于Al2O3、TiC及TiO2的全部重量，含有6.5～10重量％的TiC和1.0～2.5重量％的TiO2。
2.一种平面显示器用隔板基材的制造方法，其特征在于，具有将Al2O3粉末、TiC粉末和TiO2粉末以相对于Al2O3粉末、TiC粉末和TiO2粉末的全部重量，TiC粉末占6.5～10重量％、TiO2粉末占1.0～2.5重量％的比例混合得到混合物的工序；和对所述混合物进行焙烧得到烧结体的工序。
3.一种平面显示器用隔板，其特征在于由含有Al2O3、TiC及TiO2，相对于Al2O3、TiC及TiO2的全部重量含有6.5～10重量％的TiC和1.0～2.5重量％的TiO2的烧结体形成，并存在于具有阴极结构体的背板和具有荧光象素区域的面板之间。
4.一种平面显示器，其特征在于，具备具有阴极结构体的背板；具有荧光象素区域的面板；和存在于所述背板和所述面板之间，由含有Al2O3、TiC及TiO2、相对于Al2O3、TiC及TiO2的全部重量含有6.5～10重量％的TiC、1.0～2.5重量％的TiO2的烧结体形成的平面显示器用隔板。
全文摘要
本发明涉及平面显示器用隔板及其制造方法、平面显示器，为防止图像失真，使用含有规定比例的Al
文档编号H01J31/12GK1795526SQ200480014250
公开日2006年6月28日 申请日期2004年5月21日 优先权日2003年5月23日
发明者川口行雄, 人见笃志, 田中一满, 松本孝雄, 伊东正弘, 神宫寺贤一, 小柳勤 申请人:Tdk株式会社