专利名称：离子引导装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及离子引导装置。优选的实施方式涉及质谱仪、用于引导离子的装置、质 谱分析方法以及引导离子的方法。
背景技术：
已经知道离子引导器，其中限制或约束离子沿着线性离子引导器的中心纵向轴流 动。离子引导器的中心轴与径向对称的伪势谷的中心相重合。作为将RF电压施加到离子 引导器所包括的电极的结果，在离子引导器中形成伪势谷。离子进入离子引导器并且沿着 离子引导器的中心纵向轴退出。
发明内容
希望提供一种改进的离子引导器以及引导离子的方法。根据本发明的一个方面，提供了一种离子引导装置，其包括第一离子引导器，其包括多个第一电极，各电极包括至少一个孔，使用中离子穿过 该至少一个孔传送，其中沿着所述第一离子引导器或者在所述第一离子引导器内形成第一 离子引导路径；第二离子引导器，其包括多个第二电极，各电极包括至少一个孔，使用中离子穿过 该至少一个孔传送，其中沿着所述第二离子引导器或者在所述第二离子引导器内形成不同 的第二离子引导路径；第一装置，其被设置成在所述第一离子引导路径和所述第二离子引导路径之间沿 着所述离子引导装置的长度的一个或更多个点处产生一个或更多个伪势垒；以及第二装置，其被设置成通过驱策离子跨过所述一个或更多个伪势垒来将离子从所 述第一离子引导路径转移到所述第二离子引导路径中。离子优选地被径向地或者利用速度的非零径向分量跨过设置在所述第一离子引 导器和第二离子引导器之间的一个或更多个径向或纵向伪势垒转移，所述第一离子引导器 和第二离子引导器优选地彼此大致平行。还考虑本发明的这样的实施方式，其中离子被多次或者至少2、3、4、5、6、7、8、9或 10次从第一离子引导器转移到第二离子引导器和/或从第二离子引导器转移到第一离子 引导器。例如，可以在两个或更多个离子引导器之间反复来来回回地转移离子。根据任一实施方式(a)所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少1%、5%、10%、20%、 30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%具有大致圆形、矩形、正方形或椭圆 形的孔；和/或(b)所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少1%、5%、10%、20%、 30 %、40 %、50 %、60 %、70 %、80 %、90 %、95 %或100 %具有尺寸大致相同或面积大致相同 的孔；和/或
(c)所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少1%、5%、10%、20%、 30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%具有在沿所述第一离子引导器和/ 或所述第二离子引导器的轴或长度的方向尺寸或面积逐渐变大和/或变小的孔；和/或(d)所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少1%、5%、10%、20%、 30 %、40 %、50 %、60 %、70 %、80 %、90 %、95 %或100 %具有内直径或尺度选自由以下各项 构成的组中的孔(i)小于等于1.0mm;(ii)小于等于2. Omm ； (iii)小于等于3. Omm ； (iv) 小于等于4. Omm ； (ν)小于等于5. Omm ； (vi)小于等于6. Omm ； (vii)小于等于7. Omm ； (viii) 小于等于8. Omm ； (ix)小于等于9. Omm ； (χ)小于等于10. Omm ；和(xi)大于10. Omm ；和/或
(e)所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少1%、5%、10%、20%、 30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%彼此分开选自由以下各项构成的组 中的轴向距离(i)小于或等于5mm; (ii)小于或等于4. 5mm； (iii)小于或等于4mm ； (iv) 小于或等于3. 5mm ； (ν)小于或等于3mm ； (vi)小于或等于2. 5mm ； (vii)小于或等于2mm ； (viii)小于或等于1. 5mm ； (ix)小于或等于Imm ； (χ)小于或等于0. 8mm ； (xi)小于或等于 0. 6mm; (xii)小于或等于0. 4mm;(xiii)小于或等于0. 2mm ； (xiv)小于或等于0. Imm;以及 (XV)小于或等于0. 25mm ；和/或(f)所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少1%、5%、10%、20%、 30 %、40 %、50 %、60 %、70 %、80 %、90 %、95 %或100 %包括孔，其中所述孔的内直径或尺 度与相邻电极之间的中心到中心轴向间距之比选自由以下各项构成的组(i)小于1.0; (ii) 1. 0-1. 2 ； (iii) 1. 2-1. 4 ； (iv) 1. 4-1. 6 ； (ν) 1. 6-1. 8 ； (vi) 1. 8-2. 0 ； (vii) 2. 0-2. 2 ； (viii) 2. 2-2. 4 ； (ix) 2. 4-2. 6 ； (χ) 2. 6-2. 8 ； (xi) 2. 8-3. 0 ； (xii) 3. 0-3. 2 ； (xiii) 3. 2-3. 4 ； (xiv) 3. 4-3. 6 ； (xv) 3. 6-3. 8 ； (xvi) 3. 8-4. 0 ； (xvii) 4. 0-4. 2 ； (xviii)4. 2-4. 4 ； (xix) 4. 4-4. 6 ； (XX) 4. 6-4. 8 ； (xxi) 4. 8-5. 0 ；以及(xxii)大于 5. 0 ；和 / 或(g)所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少1%、5%、10%、20%、 30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%具有选自由以下各项构成的组中的 厚度或轴向长度(i)小于或等于5mm;(ii)小于或等于4. 5mm； (iii)小于或等于4mm; (iv)小于或等于3. 5mm ； (ν)小于或等于3mm ； (vi)小于或等于2. 5mm ； (vii)小于或等于 2mm ； (viii)小于或等于1. 5mm ； (ix)小于或等于Imm ； (χ)小于或等于0. 8mm ； (xi)小于或 等于0. 6mm ； (xii)小于或等于0. 4mm ； (xiii)小于或等于0. 2mm ； (xiv)小于或等于0. Imm ； 和(xv)小于或等于0. 25mm ；和/或(h)所述多个第一电极具有第一截面面积或轮廓，其中所述第一截面面积或轮廓 至少沿所述第一离子引导器的长度的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、 70%、80%、90%、95%或100%改变、增加、减少或变化；和/或(i)所述多个第二电极具有第二截面面积或轮廓，其中所述第二截面面积或轮廓 至少沿所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、 70%、80%、90%、95%或100%改变、增加、减少或变化。根据本发明的一个方面，提供了一种离子引导装置，该离子引导装置包括第一离子引导器，其包括具有一个或更多个第一杆集的多个第一电极，其中沿所 述第一离子引导器或者在所述第一离子引导器内形成第一离子引导路径；第二离子引导器，其包括具有一个或更多个第二杆集的多个第一电极，其中沿所述第二离子引导器或者在所述第二离子引导器内形成不同的第二离子引导路径；第一装置，其被设置成在所述第一离子引导路径和所述第二离子引导路径之间沿 所述离子引导装置的长度在一个或更多个点处产生一个或更多个伪势垒；以及第二装置，其被设置成通过驱策离子跨过所述一个或更多个伪势垒来将离子从所 述第一离子引导路径转移到所述第二离子引导路径中。离子优选地被径向地或者利用速度的非零径向分量跨过设置在所述第一离子引 导器和第二离子引导器之间的一个或更多个径向或纵向伪势垒转移，所述第一离子引导器 和第二离子引导器优选地彼此大致平行。 根据一实施方式(a)所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器包括一个或更多个轴向分段 杆集式离子引导器；和/或(b)所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器包括一个或更多个分段四 极、六极或八极离子引导器、或者包括四个或更多个分段杆集的离子引导器；和/或(c)所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器包括多个具有选自由以下各 项构成的组中的截面的电极(i)近似或大致圆形的截面；(ii)近似或大致双曲面；(iii) 弓形或部分圆形的截面；(iv)近似或大致矩形的截面；以及(ν)近似或大致正方形的截面； 和/或(d)所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器还包括在所述一个或更多个 第一杆集和/或所述一个或更多个第二杆集的周围设置的多个环形电极；和/或(e)所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器包括4、5、6、7、8、9、10、11、 12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30 个或多于 30 个杆电极。相邻的或毗邻的杆电极优选地保持在相反相位的AC或RF电压。根据本发明的一个方面，提供了一种离子引导装置，该离子引导装置包括第一离子引导器，其包括设置于使用中离子所行进的平面中的多个第一电极，其 中沿所述第一离子引导器或者在所述第一离子引导器内形成第一离子引导路径；第二离子引导器，其包括设置于使用中离子所行进的平面中的多个第二电极，其 中沿所述第二离子引导器或者在所述第二离子引导器内形成不同的第二离子引导路径；被设置成在所述第一离子引导路径和所述第二离子引导路径之间沿所述离子引 导装置的长度在一个或更多个点处产生伪势垒的装置；以及被设置成通过驱策离子跨过所述伪势垒来将离子从所述第一离子引导路径转移 到所述第二离子引导路径中的装置。离子优选地被径向地或者利用速度的非零径向分量跨过设置在所述第一离子引 导器和第二离子引导器之间的一个或更多个径向或纵向伪势垒转移，所述第一离子引导器 和第二离子弓I导器优选地彼此大致平行。根据一实施方式(a)所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器包括平面的、板状的、网状 的或弯曲的电极的堆或列，其中所述平面的、板状的、网状的或弯曲的电极的堆或列包括多 个或至少 2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19 或 20 个平面的、板状的、网 状的或弯曲的电极，并且其中所述平面的、板状的、网状的或弯曲的电极中的至少1%、5%、10% ,15%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%, 85%、90%、95%或100%通常设置于所述使用中离子所行进的平面中；和/或(b)所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器是被轴向分段的，以包括至 少 2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19 或 20 个轴向分段，其中，所述多 个第一电极中的至少 1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或100 %的轴向分段和/或所述多个第二电极中的至少1 %、5 %、10 %、20 %、30 %、40 %、 50 %、60 %、70 %、80 %、90 %、95 %或100 %的轴向分段在使用中保持在相同的DC电压。所述第一装置优选地被设置成(i)在所述第一离子引导路径和所述第二离子引导路径之间沿着所述离子引导装 置的长度在一个或更多个点处产生一个或更多个径向或纵向伪势垒；和/或(ii)在所述第一离子引导路径和所述第二离子引导路径之间沿着所述离子引导 装置的长度在一个或更多个点处产生一个或更多个非轴向伪势垒。所述第二装置优选地被设置成(a)将离子从所述第一离子引导路径径向地转移到所述第二离子引导路径中；和 /或(b)利用速度的非零径向分量和速度的轴向分量将离子从所述第一离子引导路径 转移到所述第二离子引导路径中；和/或(c)利用速度的非零径向分量和速度的轴向分量将离子从所述第一离子引 导路径转移到所述第二离子引导路径中，其中所述速度的径向分量和所述速度的轴 向分量的比选自由以下各项构成的组⑴小于0. 1 ;(ii)0. 1-0.2 ;(iii)0. 2-0.3 ； (iv)0. 3-0. 4 ； (ν)0· 4-0. 5 ； (vi)0. 5-0. 6 ； (vii)0. 6-0. 7 ； (viii)0. 7-0. 8 ； (ix)0. 8-0. 9 ； (χ)0· 9-1. 0 ； (xi) 1. 0-1. 1 ； (xii) 1. 1-1. 2 ； (xiii) 1. 2-1. 3 ； (xiv) 1. 3-1. 4 ； (xv) 1. 4-1. 5 ； (xvi) 1. 5-1. 6 ； (xvii) 1. 6-1. 7 ； (xviii) 1. 7-1. 8 ； (xix) 1. 8-1. 9 ； (xx) 1. 9-2. 0 ； (xxi) 2. 0-3. 0 ； (xxii) 3. 0-4. 0 ； (xxiii)4. 0-5. 0 ； (xxiv)5. 0-6. 0 ； (xxv)6. 0-7. 0 ； (xxvi) 7. 0-8. 0 ； (xxvii) 8. 0-9. 0 ； (xxviii) 9. 0-10. 0 ；和(xxix)大于 10. 0 ；(d)通过使离子跨过设置在所述第一离子引导路径和所述第二离子引导路径之间 的一个或更多个径向伪势垒转移，来将离子从所述第一离子引导路径转移到所述第二离子 引导路径中。离子优选地以与在串联设置的两个离子引导器之间转移离子的方式不同的方式 在两个优选地平行的离子引导器之间转移。利用串联设置的两个离子引导器，离子并不是 如在该优选实施方式中所进行的那样径向地转移或跨过径向或纵向伪势垒转移。根据一实施方式(a)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1 %、5 %、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一离子引导器和 所述第二离子引导器彼此接合、合并、交叠或开放；和/或(b)在所述第一离子引 导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%上，离子可以在所述第一 离子引导器或所述第一离子引导路径与所述第二离子引导器或所述第二离子引导路径之 间径向地转移；和/或
(c)使用中形成一个或更多个径向或纵向伪势垒，该一个或更多个径向或纵向伪 势垒沿着所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、10%、 20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100% 将所述第一离子引导器或所述 第一离子引导路径与所述第二离子引导器或所述第二离子引导路径分隔开；和/或(d)在所述第一离子引导器内形成第一伪势谷或场，以及在所述第二离子引导器 内形成第二伪势谷或场，并且其中伪势垒将所述第一伪势谷与所述第二伪势谷分隔开，其 中离子被所述第一伪势谷或所述第二伪势谷径向地限制在所述离子引导装置内，并且其中 至少一些离子被驱策或被致使跨过所述伪势垒进行转移；和/或(e)所述第一离子引导器和所述第二离子引导器之间的交叠程度或开放程度沿着 所述 第一离子引导器和所述第二离子引导器的长度保持固定或变化、增加、减小、以阶梯式 或线性方式增加或者以阶梯式或线性方式减小。根据一实施方式所述多个第一电极中的一个或更多个或至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、 50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%在工作模式下保持在第一电势或电压，该第 一电势或电压选自由以下各项构成的组(i) 士0-10V ;(ii) 士 10-20V ;(iii) 士20-30V ； (iv) +30-40V ； (v) +40-50V ； (vi) +50-60V ； (vii) +60-70V ； (viii) +70-80V ； (ix)士80-90V；(χ)士90-100V ； (xi)士100-150V ； (xii)士150-200V ； (xiii)士200-250V ； (xiv) +250-300V ； (xv) +300-350V ； (xvi) ± 350-400V ； (xvii) +400-450V ； (xviii) +450-500V ； (xix) +500-550V ； (xx) +550-600V ； (xxi) +600-650V ； (xxii) +650-700V ； (xxiii) +700-750V ； (xxiv) +750-800V ； (xxv) +800-850V ； (xxvi)士850-900V ； (xxvii)士900-950V ； (xxviii)士950-1000V ；以及(xxix)大于 士 1000V ；和 / 或(b)所述多个第二电极中的一个或更多个或至少1%、5%、10%、20%、30%、 40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%在工作模式下保持在第二电势或电压，该 第二电势或电压选自由以下各项构成的组⑴士0-10V ； (ii) 士 10-20V ； (iii) 士20-30V ； (iv) +30-40V ； (v) +40-50V ； (vi) +50-60V ； (vii) +60-70V ； (viii) +70-80V ； (ix) 士80-90V ； (χ) 士90-100V ； (xi) 士 100-150V ； (xii) 士 150-200V ； (xiii) 士200-250V ； (xiv) ± 250-300V ； (xv) ± 300-350V ； (xvi) ± 350-400V ； (xvii) +400-450V ； (xviii) +450-500V ； (xix) +500-550V ； (xx) +550-600V ； (xxi) +600-650V ； (xxii) +650-700V ； (xxiii) +700-750V ； (xxiv) +750-800V ； (xxv) +800-850V ； (xxvi)士850-900V ； (xxvii)士900-950V ； (xxviii)士950-1000V ；以及(xxix)大于 士 1000V ；禾口 / 或(c)在工作模式下，在所述多个第一电极中的一个或更多个或至少1%、 5 %,10 %,20 %,30 %,40 %,50 %,60 %,70 %,80 %,90 %,95 % 或 100 % 与所述多个第 二电极中的一个或更多个或至少1 %、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、 80%、90%、95%或100%之间保持电势差，其中所述电势差选自由以下各项构成的组 ⑴ 士0-10V ； (ii)士10-20V ； (iii)士20-30V ； (iv)士30-40V ； (ν)士40-50V ； (vi)士50-60V ； (vii) +60-70V ； (viii) +70-80V ； (ix) +80-90V ； (x) +90-100V ； (xi) ± 100-150V ； (xii) ± 150-200V ； (xiii) ±200 — 250V ； (xiv) +250-300V ； (xv) +300-350V ；(xvi) +350-400V ； (xvii) +400-450V ； (xviii) +450-500V ； (xix) +500-550V ； (XX) +550-600V ； (xxi) +600-650V ； (xxii) +650-700V ； (xxiii) +700-750V ； (xxiv) +750-800V ； (xxv) +800-850V ； (xxvi) +850-900V ； (xxvii) +900-950V ； (xxviii) 士950-1000V ；以及(xxix)大于 士 IOOOV ；禾口 / 或(d)所述多个第一电极中的至少 1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、 70 %、80%、90 %、95%或100 %或者所述多个第一电极在使用中保持在大致相同的第一 DC 电压；和/或(e)所述多个第二 电极中的至少 1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、 70%、80 %、90%、95%或100 %或者所述多个第二电极在使用中保持在大致相同的第二 DC 电压；和/或(f)所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少1%、5%、10%、20%、 30%,40%,50 %,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%保持在大致相同的 DC 电压或 DC 偏 压，或者保持在大致不同的DC电压或DC偏压。所述第一离子引导器优选地包括第一中心纵向轴，以及所述第二离子引导器优选 地包括第二中心纵向轴，其中(i)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一中心纵向轴与 所述第二中心纵向轴大致平行；和/或(ii)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、 5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100%，所述第一中心纵向 轴与所述第二中心纵向轴不共线或不共轴；和/或(iii)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、 5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100%，所述第一中心纵向 轴与所述第二中心纵向轴隔开恒定距离或保持等距；和/或(iv)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、 5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100%，所述第一中心纵向 轴为所述第二中心纵向轴的镜像；和/或(ν)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1 %、5 %、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一中心纵向轴大 致追踪所述第二中心纵向轴、跟随所述第二中心纵向轴、与所述第二中心纵向轴对称、平行 于或并排于所述第二中心纵向轴地延伸；和/或(vi)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、 5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100%，所述第一中心纵向 轴朝着所述第二中心纵向轴会聚或从所述第二中心纵向轴分出；和/或(vii)所述第一中心纵向轴和所述第二中心纵向轴形成X形或Y形联结器或分流 器离子引导路径；和/或(viii)在所述第一离子引导器和所述第二离子引导器之间设置有一个或更多个 交叉区域、区段或结(junction)，其中至少一些离子可以从所述第一离子引导器转移至所 述第二离子引导器中或可以使至少一些离子从所述第一离子引导器转移至所述第二离子引导器中，和/或其中至少一些离子可以从所述第二离子引导器转移至所述第一离子引导 器中。使用中优选地在所述第一离子引导器内形成第一伪势谷，使得该第一伪势谷具有 第一纵向轴，并且类似地，使用中优选地在所述第二离子引导器内形成第二伪势谷，使得该 第二伪势谷具有第二纵向轴，其中
(i)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一纵向轴与所述 第二纵向轴大致平行；和/或(ii)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、 5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100%，所述第一纵向轴与 所述第二纵向轴不共线或不共轴；和/或(iii)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、 5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100%，所述第一纵向轴与
所述第二纵向轴隔开恒定距离或保持等距；和/或(iv)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、 5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100%，所述第一纵向轴为 所述第二纵向轴的镜像；和/或(ν)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1 %、5 %、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一纵向轴大致追 踪所述第二纵向轴、跟随所述第二纵向轴、与所述第二纵向轴对称、平行于或并排于所述第 二纵向轴地延伸；和/或(vi)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、 5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100%，所述第一纵向轴朝 着所述第二纵向轴会聚或从所述第二纵向轴分出；和/或(vii)所述第一纵向轴和所述第二纵向轴形成X形或Y形联结器或分流器离子引 导路径；和/或(viii)在所述第一离子引导器和所述第二离子引导器之间设置有一个或更多个 交叉区域、区段或结(junction)，其中，至少一些离子可以从所述第一离子引导器转移至所 述第二离子引导器中或可以使至少一些离子从所述第一离子引导器转移至所述第二离子 引导器中，和/或其中至少一些离子可以从所述第二离子引导器转移至所述第一离子引导 器中。根据一实施方式(a)所述第一离子引导器包括具有第一截面面积的离子引导区域，以及所述第二 离子引导器包括具有第二截面面积的离子引导区域，其中所述第一截面面积和所述第二截 面面积大致相同或大致不同；和/或(b)所述第一离子引导器包括具有第一截面面积的离子引导区域，以及所述第 二离子引导器包括具有第二截面面积的离子引导区域，其中所述第一截面面积与所述第 二截面面积的比选自由以下各项构成的组(i)小于0. 1 ;(ii)0. 1-0.2 ;(iii)0. 2-0. 3 ； (iv)0. 3-0. 4 ； (ν)0· 4-0. 5 ； (vi)0. 5-0. 6 ； (vii)0. 6-0. 7 ； (viii)0. 7-0. 8 ； (ix)0. 8-0. 9 ；(χ)0· 9-1. 0 ； (xi) 1. 0-1. 1 ； (xii) 1. 1-1. 2 ； (xiii) 1. 2-1. 3 ； (xiv) 1. 3-1. 4 ； (xv) 1. 4-1. 5 ； (xvi) 1. 5-1. 6 ； (xvii) 1. 6-1. 7 ； (xviii) 1. 7-1. 8 ； (xix) 1. 8-1. 9 ； (xx) 1. 9-2. 0 ； (xxi) 2. 0-2. 5 ； (xxii) 2. 5-3. 0 ； (xxiii)3. 0-3. 5 ； (xxiv)3. 5-4. 0 ； (xxv)4. 0-4. 5 ； (xxvi)4. 5-5. 0 ； (xxvii)5. 0-6. 0 ； (xxviii)6. 0-7. 0 ； (xxix)7. 0-8. 0 ； (xxx)8. 0-9. 0 ； (xxxi) 9. 0-10. 0 ；以及(xxxii)大于 10. 0 ；禾口 / 或(c)所述第一离子引导器包括具有第一截面面积或轮廓的离子引导区域，其中所 述第一截面面积或轮廓至少沿着所述第一离子引导器的长度的至少1%、5%、10%、20%、 30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%改变、增加、减少或变化；禾口 / 或(d)所述第二离子引导器包括具有第二截面面积或轮廓的离子引导区域，其中所 述第二截 面面积或轮廓至少沿着所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、10%、20%、 30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%改变、增加、减少或变化；和 / 或(e)所述第一离子引导器包括多个轴向截面，并且其中第一电极在一个轴向截面 中的截面面积或轮廓大致相同或不同，并且其中第一电极在另外的轴向截面中的截面面积 或轮廓大致相同或不同；和/或(f)所述第二离子引导器包括多个轴向截面，并且其中第二电极在一个轴向截面 中的截面面积或轮廓大致相同或不同，并且其中第二电极在另外的轴向截面中的截面面积 或轮廓大致相同或不同；和/或(g)所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器包括大致恒定的或均勻的截 面面积或轮廓。所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器优选地包括(i)第一轴向分段，在第一轴向分段中所述第一离子引导器和/或所述第二离子 引导器包括第一截面面积或轮廓；和/或(ii)不同的第二轴向分段，在第二轴向分段中所述第一离子引导器和/或所述第 二离子引导器包括第二截面面积或轮廓；和/或(iii)不同的第三轴向分段，在第三轴向分段中所述第一离子引导器和/或所述 第二离子引导器包括第三截面面积或轮廓；和/或(iv)不同的第四轴向分段，在第四轴向分段中所述第一离子引导器和/或所述第 二离子引导器包括第四截面面积或轮廓；其中所述第一、第二、第三和第四截面面积或轮廓大致相同或不同。所述离子引导装置可以被设置成形成⑴线性离子引导器或离子引导装置；和/或(ii)开环离子引导器或离子引导装置；和/或(iii)闭环离子引导器或离子引导装置；和/或(iv)螺旋形、环形、部分环形、半环形、不完全环形或螺线形离子引导器或离子引 导装置；和/或(ν)具有弯曲的、迷宫式的、盘旋的、蜿蜒的、圆形的或旋绕的离子引导器或离子引 导路径的离子引导器或离子引导装置。所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器可以包括η个轴向分段或者可 以被分割为η个分开的轴向分段，其中η选自由以下各项构成的组⑴1-10 ； (ii) 11-20 ；(iii)21-30 ； (iv) 31-40 ； (v) 41-50 ； (vi) 51-60 ； (vii)61_70 ； (viii)71_80 ； (ix) 81-90 ； (x) 91-100 ；以及(xi)大于 100 ；并且其中(a)各轴向分段包括:1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20
或多于20个电极；和/或(b)所述轴向分段的至少 1 %、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、 80%、90%、95%或100%的轴向长度选自由以下各项构成的组(i)小于lmm;(ii)l-2mm; (iii) 2_3mm ； (iv) 3-4mm ； (v) 4_5mm ； (vi) 5-6mm ； (vii) 6_7mm ； (viii) 7-8mm ； (ix) 8-9mm ； (x) 9-10mm ；以及(xi)大于 10mm ；和 / 或(c)所述轴向分段的至少 1 %、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、 80 %、90 %、95 %或100 %之间的轴向间隔选自由以下各项构成的组(i)小于1mm ；
(ii)l_2mm ； (iii) 2_3mm ； (iv) 3-4mm ； (v) 4_5mm ； (vi) 5_6mm ； (vii) 6_7mm ； (viii) 7-8mm ；
(ix)8-9mm ； (x) 9-10mm ；以及(xi)大于 10mm。所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器优选地(a)具有选自由以下各项构成的组的长度⑴小于20mm;(ii)20-40mm;
(iii)40-60mm ； (iv) 60-80mm ； (v) 80-100mm ； (vi)100 — 120mm ； (vii) 120-140mm ； (viii) 140-160mm ； (ix) 160-180mm ； (x) 180-200mm ；以及(xi)大于 200mm ；和 / 或(b)至少包括(i)10-20 个电极；(ii) 20-30 个电极；(iii) 30-40 个电极；
(iv)40-50 个电极；(v) 50-60 个电极；(vi) 60-70 个电极；(vi i) 70-80 个电极；(vi i i) 80-90 个电极；(ix)90-100 个电极；(x)100-110 个电极；(xi)110-120 个电极；(xii) 120-130 个电 极；(xiii) 130-140个电极；(xiv) 140-150个电极；或(xv)大于150个电极。所述离子弓I导装置优选地还包括用于向所述多个第一电极和/或所述多个第二 电极中的至少一些电极施加第一 AC或RF电压的第一 AC或RF电压源，其中(a)所述第一 AC或RF电压具有选自由以下各项构成的组的振幅(i)小于50V 峰-峰值；(ii) 50-100V 峰-峰值；(iii) 100-150V 峰-峰值;(iv) 150-200V 峰-峰值；
(v)200-250V 峰-峰值；(vi) 250-300V 峰-峰值；(vii) 300-350V 峰-峰值；(viii) 350-400V 峰-峰值；(ix) 400-450V 峰-峰值；(x) 450-500V 峰-峰值；(xi) 500-550V 峰-峰值； (xxii)550-600V 峰-峰值；(xxiii) 600-650V 峰-峰值；(xxiv) 650-700V 峰-峰值； (xxv) 700-750V 峰-峰值；(xxvi)750-800V 峰-峰值；(xxvii) 800-850V 峰-峰值； (xxviii)850-900V 峰-峰值；(xxix) 900-950V 峰-峰值；(xxx) 950-1000V 峰-峰值；以及 (xxxi)大于1000V峰-峰值；和/或(b)所述第一 AC或RF电压具有选自由以下各项构成的组的频率(i)小 T 100kHz ； (ii) 100-200kHz ； (iii) 200-300kHz ； (iv)300-400kHz ； (v)400-500kHz ；
(vi)0. 5-1. 0MHz ； (vii) 1. 0-1. 5MHz ； (viii) 1. 5-2. 0MHz ； (ix) 2. 0-2. 5MHz ；
(x)2. 5-3. 0MHz ； (xi) 3. 0-3. 5MHz ； (xii) 3. 5-4. 0MHz ； (xiii) 4. 0-4. 5MHz ； (xiv) 4. 5-5. 0MHz ； (xv) 5. 0-5. 5MHz ； (xvi) 5. 5-6. 0MHz ； (xvii) 6. 0-6. 5MHz ； (xviii) 6. 5-7. 0MHz ； (xix) 7. 0-7. 5MHz ； (xx) 7. 5-8. 0MHz ； (xxi) 8. 0-8. 5MHz ； (xxii) 8. 5-9. 0MHz ； (xxiii) 9. 0-9. 5MHz ； (xxiv) 9. 5-10. 0MHz ；以及(xxv)大于 10. 0MHz ； 和/或
(c)所述第一 AC或RF电压源被设置为向所述多个第一电极中的至少1%、5%、 10% ,15%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%, 85%、90%、95%或100%和/或所述多个第一电极中的至少1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、 12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、 37、38、39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50 个或多于 50 个电极施加所述第一 AC 或 RF 电压；和/或(d)所述第一 AC或RF电压源被设置为向所述多个第二电极中的至少1%、5%、 10% ,15%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%, 85%、90%、95%或100%和/或所述多个第二电极中的至少1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、 12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、 37、38、39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50 个或多于 50 个电极施加所述第一 AC 或 RF 电压；和/或(e)所述第一 AC或RF电压源被设置为向所述多个第一电极中的相邻的或毗邻的 电极提供相反相位的所述第一 AC或RF电压；和/或(f)所述第一 AC或RF电压源被设置为向所述多个第二电极中的相邻的或毗邻的 电极提供相反相位的所述第一 AC或RF电压；和/或(g)所述第一 AC或RF电压产生一个或更多个径向伪势阱，该一个或更多个伪势阱 用于把离子径向地限制于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器内。根据一实施方式，所述离子引导装置还包括第三装置，其被设置成在时间段tl内 将所述第一 AC或RF电压的振幅逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、 以阶梯式、渐进或其它方式增大、或者以阶梯式、渐进或其它方式减小X1伏，其中(a)X1选自由以下各项构成的组⑴小于50V峰-峰值；(ii)50_100V峰-峰值；
(iii)100-150V 峰-峰值；(iv) 150-200V 峰-峰值；(v) 200-250V 峰-峰值；(vi) 250-300V 峰-峰值；(vii) 300-350V 峰-峰值；(viii) 350-400V 峰-峰值；(ix) 400-450V 峰-峰 值；(x)450-500V 峰-峰值；(xi)500-550V 峰-峰值；(xxii) 550-600V 峰-峰值； (xxiii) 600-650V 峰-峰值；(xxiv) 650-700V 峰-峰值；(xxv) 700-750V 峰-峰值； (xxvi) 750-800V 峰-峰值；(xxvii) 800-850V 峰-峰值；(xxviii) 850-900V 峰-峰值； (xxix) 900-950V 峰-峰值；(xxx) 950-1000V 峰-峰值；以及(xxxi)大于 1000V 峰-峰值； 和/或(机选自由以下各项构成的组(i)小于Ims;(ii) I-IOms ； (iii) 10-20ms ；
(iv)20-30ms ； (ν) 30-40ms ； (vi) 40-50ms ； (vii) 50-60ms ； (viii) 60-70ms ； (ix) 70-80ms ； (x)80-90ms ； (xi)90-100ms ； (xii) 100-200ms ； (xiii) 200-300ms ； (xiν)300-400ms ； (XV) 400-50Oms ； (xvi) 500-600ms ； (xvii) 600-700ms ； (xviii) 700-800ms ； (xix) 800-900ms ； (xx) 900-1000ms ； (xxi) l-2s ； (xxii) 2-3s ； (xxiii) 3-4s ； (xxiv) 4-5s ； 以及(xxv)大于5s。根据一实施方式，使用中沿着所述第一离子引导器的轴向长度的至少1%、5%、 10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%或 95%产生一个或更多个第一轴向时 间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。所述离子引导装置优选地还包括用于向所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少一些电极施加第二 AC或RF电压的第二 AC或RF电压源，其中(a)所述第二 AC或RF电压具有选自由以下构成的组的振幅⑴小于50V峰-峰值；(ii)50-100V 峰-峰值；(iii) 100-150V 峰-峰值；(iv) 150-200V 峰-峰值；(v) 200-250V 峰-峰值；(vi) 250-300V 峰-峰值；(vii) 300-350V 峰-峰值；(viii) 350-400V 峰-峰值； (ix) 400-450V 峰-峰值；(χ) 450-500V 峰-峰值；(xi) 500-550V 峰-峰值；(xxii) 550-600V 峰-峰值；(xxiii) 600-650V 峰-峰值；(xxiv) 650-700V 峰-峰值；(xxv) 700-750V 峰-峰 值；(xxvi) 750-800V 峰-峰值；(xxvii) 800-850V 峰-峰值；(xxviii) 850-900V 峰-峰值； (xxix) 900-950V 峰-峰值；(xxx) 950-1000V 峰-峰值；以及(xxxi)大于 1000V 峰-峰值； 和/或(b)所述第二 AC或RF电压具有选自由以下各项构成的组的频率(i)小 T IOOkHz ； (ii) 100-200kHz ； (iii) 200-300kHz ； (iv) 300-400kHz ； (ν)400-500kHz ； (vi) 0. 5-1. OMHz ； (vii) 1. 0-1. 5MHz ； (viii) 1. 5-2. OMHz ； (ix) 2. 0-2. 5MHz ； (χ) 2. 5-3. OMHz ； (xi) 3. 0-3. 5MHz ； (xii) 3. 5-4. OMHz ； (xiii) 4. 0-4. 5MHz ； (xiv) 4. 5-5. OMHz ； (xv) 5. 0-5. 5MHz ； (xvi) 5. 5-6. OMHz ； (xvii) 6. 0-6. 5MHz ； (xviii) 6. 5-7. OMHz ； (xix) 7. 0-7. 5MHz ； (xx) 7. 5-8. OMHz ； (xxi) 8. 0-8. 5MHz ； (xxii) 8. 5-9. OMHz ； (xxiii) 9. 0-9. 5MHz ； (xxiv) 9. 5-10. OMHz ；以及(xxv)大于 10. OMHz ； 和/或(c)所述第二 AC或RF电压源被设置为向所述多个第一电极中的至少1%、5%、 10% ,15%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%, 85%、90%、95%或100%和/或所述多个第一电极中的至少1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、 12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、 37、38、39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50 个或多于 50 个电极施加所述第二 AC 或 RF 电压；和/或(d)所述第一 AC或RF电压源被设置为向所述多个第二电极中的至少1%、5%、 10% ,15%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%, 85%、90%、95%或100%和/或所述多个第二电极中的至少1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、 12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、 37、38、39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50 个或多于 50 个电极施加所述第二 AC 或 RF 电压；和/或(e)所述第二 AC或RF电压源被设置为向所述多个第一电极中的相邻的或毗邻的 电极提供相反相位的所述第二 AC或RF电压；和/或(f)所述第二 AC或RF电压源被设置为向所述多个第二电极中的相邻的或毗邻的 电极提供相反相位的所述第二 AC或RF电压；和/或(g)所述第二 AC或RF电压产生一个或更多个径向伪势阱，该一个或更多个径向伪 势阱用于把离子径向地限制于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器内。所述离子引导器装置优选地还包括第四装置，其被设置成在时间段t2内将所述第 二 AC或RF电压的振幅逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶梯 式、渐近或其它方式增大、或者以阶梯式、渐近或其它方式减小X2伏，其中(a)X2选自由以下各项构成的组⑴小于50V峰-峰值；(ii)50_100V峰-峰值；(iii)100-150V 峰-峰值；(iv) 150-200V 峰-峰值；(v) 200-250V 峰-峰值；(vi) 250-300V 峰-峰值；(vii) 300-350V 峰-峰值；(viii) 350-400V 峰-峰值；(ix) 400-450V 峰-峰 值；(x)450-500V 峰-峰值；(xi)500-550V 峰-峰值；(xxii) 550-600V 峰-峰值； (xxiii)600-650V 峰-峰值；(xxiv) 650-700V 峰-峰值；(xxv) 700-750V 峰-峰值； (xxvi) 750-800V 峰-峰值；(xxvii) 800-850V 峰-峰值；(xxviii) 850-900V 峰-峰值； (xxix) 900-950V 峰-峰值；(xxx) 950-1000V 峰-峰值；以及(xxxi)大于 IOOOV 峰-峰值； 和/或_2选自由以下各项构成的组(i)小于 Ims ;(ii) I-IOms ； (iii) 10-20ms ；
(iv)20-30ms ； (ν) 30-40ms ； (vi) 40-50ms ； (vii) 50-60ms ； (viii) 60-70ms ； (ix) 70-80ms ； (x)80-90ms ； (xi)90-100ms ； (xii) 100-200ms ； (xiii) 200-300ms ； (xiv)300-400ms ； (XV) 400-50Oms ； (xvi) 500-600ms ； (xvii) 600-700ms ； (xviii) 700-800ms ； (xix)800-900ms ； (xx)900-1000ms ； (xxi) l-2s ； (xxii)2-3s ； (xxiii)3-4s ； (xxiv)4-5s ； 以及(xxv)大于5s。根据一个实施方式，在使用中沿着所述第二离子引导器的轴向长度的至少1%、 5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%或 95%产生一个或更多个第二轴 向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。使用中跨过或沿着所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的一个或更 多个区段或部分优选地保持非零轴向和/或径向DC电压梯度。根据一实施方式，所述离子引导装置还包括用于沿着或绕着所述第一离子引导 器和/或所述第二离子引导器的长度或离子引导路径的至少1%、5%、10%、20%、30%、 40 %、50 %、60 %、70 %、80 %、90 %、95 %或100 %向上游和/或下游驱动或驱策离子的装 置，其中该装置包括(i)这样的一种装置，其用于向所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的 至少 1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100% 施加一个 或更多个瞬态DC电压或电势或者DC电压波形或电势波形以便沿着所述第一离子引导器和 /或所述第二离子引导器的轴向长度的至少1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、 40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%,85%,90%,95%^； 100% 向下游和 / 或上游驱策至少一些离子；和/或(ii)这样的一种装置，其被设置成向形成所述第一离子引导器和/或所述第二 离子引导器的电极施加两个或更多个相移后的AC或RF电压，以便沿着所述第一离子引导 器和/或所述第二离子引导器的轴向长度的至少1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、 35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%,85%,90%,95%^； 100% 向下游 和/或上游驱策至少一些离子；和/或(iii)这样的一种装置，其被设置成向形成所述第一离子引导器和/或所述第二 离子引导器的电极施加一个或更多个DC电压以便产生或形成轴向和/或径向DC电压梯 度，该轴向和/或径向DC电压梯度具有沿着所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导 器的轴向长度的至少 1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、 60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%或100%向下游和/或上游驱策或驱动至少 一些离子的作用。
所述离子引导装置优选地还包括第五装置，其被设置成在时间段t3将所述一个 或更多个瞬态DC电压或电势或DC电压波形或电势波形的振幅、高度或深度逐渐增大、逐 渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶梯式、渐近或其它方式增大、或者以阶梯 式、渐近或其它方式减小^伏；其中，x3选自由以下各项构成的组⑴小于0. lV;(ii)0. 1-0. 2V
(iii)0. 2-0. 3V ； (iv) 0. 3-0. 4V ； (v) 0. 4-0. 5V ； (vi) 0. 5-0. 6V ； (vii) 0. 6-0. 7V (viii) 0. 7-0. 8V ； (ix) 0. 8-0. 9V ； (x)0. 9-1. 0V ； (xi) 1. 0-1. 5V ； (xii) 1. 5-2. 0V (xiii) 2. 0-2. 5V ； (xiv) 2. 5-3. 0V ； (xv) 3. 0-3. 5V ； (xvi) 3. 5-4. 0V ； (xvii) 4. 0-4. 5V
(xviii)4. 5-5. 0V ； (xix) 5. 0-5. 5V ； (xx) 5. 5-6. 0V ； (xxi) 6. 0-6. 5V ； (xxii) 6. 5-7. 0V (xxiii) 7. 0-7. 5V ； (xxiv) 7. 5-8. 0V ； (xxv) 8. 0-8. 5V ； (xxvi) 8. 5-9. 0V ； (xxvii) 9. 0-9. 5V (xxviii)9. 5-10. 0V ；以及(xxix)大于 10. 0V ；和 / 或其中，t3选自由以下各项构成的组(i)小于lms ;(ii)l-10ms ;(iii)10-20ms
(iv)20-30ms ； (v) 30-40ms ； (vi) 40-50ms ； (vii) 50-60ms ； (viii) 60-70ms ； (ix) 70-80ms (x)80-90ms ； (xi)90-100ms ； (xii) 100-200ms ； (xiii)200-300ms ； (xiv)300-400ms (xv) 400-500ms ；(xvi)500-600ms ； (xvii) 600 — 700ms ； (xviii) 700-800ms
(xix)800-900ms； (xx) 900_1000ms ； (xxi) l_2s ； (xxii)2_3s ； (xxiii) 3_4s ； (xxiv)4_5s 以及(xxv)大于5s。所述离子引导装置优选地还包括第六装置，其被设置成在时间段t4把向所述电 极施加所述一个或更多个瞬态DC电压或电势或DC电压波形或电势波形的速度或速率逐渐 增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶梯式、渐近或其它方式增大、或 者以阶梯式、渐近或其它方式减小x4m/s ；其中，x4选自由以下各项构成的组⑴小于1 ； (i i) 1-2 ； (i i i) 2-3 ； (iv) 3-4 ；
(v)4-5； (vi)5-6 ； (vii)6-7 ； (viii)7-8 ； (ix)8-9 ； (x)9-10 ； (xi) 10—11 ； (xii) 11-12 ； (xiii)12-13 ； (xiv)13-14 ； (xv)14-15 ； (xvi)15-16 ； (xvii)16-17 ； (xviii)17-18 ； (xix)18-19 ； (xx)19-20 ； (xxi) 20-30 ； (xxii) 30-40 ； (xxiii)40-50 ； (xxiv) 50-60 ； (xxv) 60-70 ；(xxvi) 70-80 ； (xxvii) 80-90 ； (xxviii) 90-100 ； (xxix) 100-150 ； (xxx) 150-200 ； (xxxi)200-250 ； (xxxii)250-300 ； (xxxiii)300-350 ； (xxxiv)350-400 ； (xxxv) 400-450 ； (xxxvi) 450-500 ；以及(xxxvii)大于 500 ；和 / 或其中t4选自由以下各项构成的组(i)小于lms ;(ii)l-10ms ;(iii)10-20ms ； (iv) 20-30ms ； (v) 30-40ms ； (vi) 40-50ms ； (vii) 50-60ms ； (viii) 60-70ms ； (ix) 70-80ms ； (x)80-90ms ； (xi)90-100ms ； (xii) 100-200ms ； (xiii) 200-300ms ； (xiv)300-400ms ； (xv) 400-500ms ； (xvi)500-600ms ； (xvii) 600 — 700ms ； (xviii) 700-800ms ； (xix)800-900ms ； (xx) 900-1000ms ； (xxi) l-2s ； (xxii)2-3s ； (xxiii) 3-4s ； (xxiv)4-5s ； 以及(xxv)大于5s。根据一实施方式，所述离子引导装置还包括被设置为沿着所述第一离子引导 器和/或所述第二离子引导器的长度或离子引导路径的至少1%、5%、10%、20%、30%、 40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%保持恒定的非零DC电压梯度的单元。所述第二设备被优选地设置成将离子从所述第一离子引导路径(或第一离子引 导器)质量选择性地或质荷比选择性地转移到所述第二离子引导路径(或第二离子引导器)中，和/或从所述第二离子引导路径(或第二离子引导器)质量选择性地或质荷比选 择性地转移到所述第一离子引导路径(或第一离子引导器)中。影响离子从所述第一离子引导路径(或第一离子引导器)质量选择性或质荷比选 择性地转移到所述第二离子引导路径(或第二离子引导器)中和/或从所述第二离子引导 路径(或第二离子引导器)质量选择性或质荷比选择性地转移到所述第一离子引导路径 (或第一离子引导器)中的参数优选地逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线 性减小、以阶梯式、渐近或其它方式增大、或者以阶梯式、渐近或其它方式减小。所述参数优 选地选自由以下各项构成的组(i)在使用中，跨着或沿着所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的一 个或更多个区段或部分保持的、或者在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的 一个或更多个区段或部分之间保持的轴向和/或径向DC电压梯度；和/或(ii)施加到所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少一些电极或大 致全部电极的一个或更多个AC或RF电压。所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器可以被设置成接收离子束或组 并且对所述离子束或组进行转换或划分，使得在任何特定时间至少1、2、3、4、5、6、7、8、9、 10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20个单独的离子包被限制和/或隔离于所述第一离子 引导器和/或所述第二离子引导器中，并且其中各个离子包被单独地限制和/或隔离于形 成在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器内的单独的轴向势阱中。根据一实施方式(a)所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的一个或更多个部分可以包 括离子迁移谱仪或分离器部分、区段或级，其中根据离子在所述离子迁移谱仪或分离器部 分、区段或级中的离子迁移率使离子暂时性地分离；和/或(b)所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的一个或更多个部分可以包 括高场非对称波形离子迁移谱仪(FAIMS)部分、段或级，其中使离子根据离子的随着所述 高场非对称波形离子迁移谱仪(FAIMS)部分、段或级中的电场强度而变化的离子迁移率变 化率暂时性地分离；和/或(c)在使用中，所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的一个或更多个 区段内提供有缓冲气体；和/或(d)在工作模式下，离子被布置为在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引 导器的一部分或一个区域内与气体分子相互作用后在不裂解的情况下被碰撞冷却；和/或(e)在工作模式下，离子被布置为在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引 导器的一部分或一个区域内与气体分子相互作用后被加热；和/或(f)在工作模式下，离子被布置为在与所述第一离子引导器和/或所述第二离子 引导器的一部分或一个区域内与气体分子相互作用后被裂解；和/或(g)在工作模式下，离子被布置为在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引 导器的一部分或一个区域内与气体分子相互作用后展开或至少部分地展开；和/或(h)在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的一部分或一个区域内轴 向地俘获离子。所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器还可以包括碰撞、裂解或反应装置，其中在工作模式下离子被设置为在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器内 通过如下方式裂解(i)碰撞诱发解离(“CID”)； (ii)表面诱发解离(“SID”)； (iii)电 子转移解离(“ETD”)； (iv)电子捕获解离(“ECD”)； (v)电子碰撞或冲击解离；(vi)光诱 发解离(“PID”)； (vii)激光诱发解离；(viii)红外辐射诱发解离；(ix)紫外辐射诱发解 离；(x)热或温度解离；(xi)电场诱发解离；(xii)磁场诱发解离；(xiii)酶消化或酶降解 解离；(xiv)离子-离子反应解离；(xv)离子-分子反应解离；(xvi)离子-原子反应解离； (xvii)离子-亚稳态离子反应解离；(xviii)离子-亚稳态分子反应解离；(xix)离子-亚 稳态原子反应解离；以及(xx)电子电离解离(“EID”)。根据一实施方式，所述离子引导装置还包括(i)用于将离子注入所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的装置；和/ 或(ii)用于将离子注入所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的、包括一 个、两个、三个或多于三个的分离的离子引导通道或输入离子引导区域的装置，通过该离子 引导通道或输入离子引导区域可以将离子注入所述第一离子引导器和/或所述第二离子 引导器；和/或(iii)用于将离子注入所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的、包括 多个电极的装置，该多个电极中的各电极包括一个、两个、三个孔或多于三个孔；和/或(iv)用于将离子注入所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的、包括一 个或更多个偏转电极的装置，其中在使用中向所述一个或更多个偏转电极施加一个或更多 个电压，以将离子从一个或更多个离子引导通道或输入离子引导区域导入所述第一离子引 导器和/或所述第二离子引导器中。根据一实施方式，所述离子引导装置还包括(i)用于从所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器排出离子的装置；和/ 或(ii)用于从所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器排出离子的装置，该 装置包括一个、两个、三个或多于三个分离的离子引导通道或退出离子引导区域，离子可以 从所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器排入所述离子引导通道或退出离子引 导区域；和/或(iii)用于从所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器排出离子的装置， 该装置包括多个电极，各电极包括一个、两个、三个或多于三个的孔；和/或(iv)用于从所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器排出离子的装置，该 装置包括一个或更多个偏转电极，其中在使用中向所述一个或更多个偏转电极施加一个或 更多个电压，以把离子从所述离子引导器导入一个或更多个离子引导通道或退出离子引导 区域中。根据一实施方式，所述离子引导装置还包括(a)用于在在工作模式下将所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的至 少一部分保持在选自由以下各项构成的组的压强下的装置(i)大于1.0Xl(T3mbar;(ii) 大于 1.0X10_2mbar ； (iii)大于 1. 0X10_1mbar ； (iv)大于 lmbar ； (v)大于 lOmbar ； (vi) 大于 lOOmbar ； (vii)大于 5. OX 10_3mbar ； (viii)大于 5. OX 10_2mbar ； (ix) l(T4-l(T3mbar ；(x) l(T3-l(T2mbar ；以及(xi) lO^-lO^mbar ；禾口 / 或(b)用于在工作模式下将所述第一离子引导器和/或第二离子引导器的至少 L长度保持在压强P下的装置，其中乘积PXL选自由以下各项构成的组(i)大于等于 1.0Xl(T3mbar cm;(ii)大于等于 1. 0 X l(T2mbarcm ； (iii)大于等于 1. 0 X lO—mbar cm; (iv)大于等于 lmbar cm ； (v)大于等于 lOmbar cm ； (vi)大于等于 102mbar cm ； (vii)大于 等于103mbarcm ； (viii)大于等于104mbar cm ；以及(ix)大于等于105mbar cm ；禾口 /或(c)用于在工作模式下将所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器保持在 选自由以下各项构成的组的压强下的装置(i)大于100mbar;(ii)大于lOmbar ;(iii)大 于 lmbar ； (iv)大于 0. lmbar ； (v)大于 lCT2mbar ； (vi)大于 lCT3mbar ； (vii)大于 lCT4mbar ； (viii)大于 l(T5mbar ； (ix)大于 l(T6mbar ； (x)小于 lOOmbar ； (xi)小于 lOmbar ； (xii) 小于 lmbar ； (xiii)小于 0. lmbar ； (xiv)小于 lOOmbar ； (xv)小于 lOOmbar ； (xvi)小于 lOOmbar ； (xvii)小于 l(T5mbar ； (xviii)小于 lOOmbar ； (xix) 10-lOOmbar ； (xx) 1-lOmbar ； (xxi)O. 1-lmbar ； (xxii) 1(T2 至 lOOmbar ； (xxiii) 1(T3 至 10_2mbar ； (xxiv) 1(T4 至 lOOmbar ； 以及(xxv)l(T5 至 l(T4mbar。根据本发明的另一方面提供了一种质谱仪，该质谱仪包括如上所述的离子引导装置。该质谱仪优选地还包括(a)设置在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的上游的离子源，其 中所述离子源选自由以下各项构成的组(i)电喷雾电离(“ESI”)离子源；(ii)大气压光 电离(“APPI”)离子源；(iii)大气压化学电离(“APCI”)离子源；(iv)基质辅助激光解吸 电离(“MALDI”)离子源；(v)激光解吸电离(“LDI”)离子源；(vi)大气压电离(“API”) 离子源；(vii)硅上解吸电离(“DI0S，，)离子源；(viii)电子冲击(“EI”)离子源；(ix)化 学电离(“CI”)离子源；(x)场电离(“FI”)离子源；(xi)场解吸(“FD”)离子源；(xii) 感应耦合等离子体(“ICP”)离子源；(xiii)快原子轰击(“FAB”)离子源；(xiv)液体二 次离子质谱(“LSIMS”)离子源；(xv)解吸电喷雾电离(“DESI”)离子源；(xvi)镍-63放 射性离子源；(xvii)大气压基质辅助激光解吸电离离子源；(xviii)热喷雾离子源；和/或(b)连续或脉冲式离子源；和/或(c)设置在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的上游和/或下游的 一个或更多个离子引导器；和/或(d)设置在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的上游和/或下游的 一个或更多个离子迁移分离装置和/或一个或更多个高场非对称波形离子迁移谱仪装置； 和/或(e)设置在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的上游和/或下游的 一个或更多个离子俘获器或一个或更多个离子俘获区域；和/或(f)设置在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的上游和/或下游的 一个或更多个碰撞、裂解或反应单元，其中所述一个或更多个碰撞、裂解或反应单元选自由 以下各项构成的组(i)碰撞诱发解离(“CID”)裂解装置；(ii)表面诱发解离(“SID”) 裂解装置；(iii)电子转移解离(“ETD”)裂解装置；(iv)电子捕获解离(“EOT”)裂解 装置；(v)电子碰撞或冲击解离裂解装置；(vi)光诱发解离(“PID”)裂解装置；(vii)激光诱发解离裂解装置；(Viii)红外辐射诱发解离装置；(ix)紫外辐射诱发解离装置；(X) 喷嘴-分液器接口裂解装置；(Xi)内源裂解装置；(Xii)离子源碰撞诱发解离裂解装置； (xiii)热或温度源裂解装置；(Xiv)电场诱发裂解装置；(XV)磁场诱发裂解装置；(XVi)酶 消化或酶降解裂解装置(XVii)离子-离子反应裂解装置(XViii)离子-分子反应裂解装 置；(xix)离子-原子反应裂解装置；(XX)离子-亚稳态离子反应裂解装置；(xxi)离子-亚 稳态分子反应裂解装置；(xxii)离子_亚稳态原子反应裂解装置；(xxiii)用于使离子反 应以形成加合物或产物离子的离子-离子反应装置；(xxiv)用于使离子反应以形成加合物 或产物离子的离子-分子反应装置；(XXV)用于使离子反应以形成加合物或产物离子的离 子-原子反应装置(xxvi)用于使离子反应以形成加合物或产物离子的离子-亚稳态离子 反应装置；(xxvii)用于使离子反应以形成加合物或产物离子的离子_亚稳态分子反应装 置；(XXViii)用于使离子反应以形成加合物或产物离子的离子-亚稳态原子反应装置；以 及(XXiX)电子电离解离(“EID”)裂解装置；和/或(g)选自由以下各项构成的组的质量分析器(i)四极质量分析器；(ii) 2D或线 性四极质量分析器(iii)保罗(Paul)或3D四极质量分析器；(iv)彭宁(Perming)俘获器 质量分析器；(ν)离子俘获器质量分析器；(vi)磁式扇形质量分析器；(vii)离子回旋共振 (“ICR”)质量分析器；(viii)傅立叶变换离子回旋共振(“FTICR”)质量分析器；(ix)静 电或轨道阱(orbitrap)质量分析器；(χ)傅立叶变换静电或轨道阱质量分析器；(xi)傅立 叶变换质量分析器(xii)飞行时间质量分析器(xiii)正交加速飞行时间质量分析器；以及
(xiv)线性加速飞行时间质量分析器；和/或(h)设置在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的上游和/或下游的 一个或更多个能量分析器或静电能量分析器；和/或(h)设置在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的上游和/或下游的 一个或更多个离子检测器；和/或(i)设置在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的上游和/或下游的 一个或更多个质量过滤器，其中所述一个或更多个质量过滤器选自由以下各项构成的组 (i)四极质量过滤器；(ii) 2D或线性四极离子俘获器；(iii)保罗或3D四极离子俘获器； (iv)彭宁离子俘获器；(ν)离子俘获器；(vi)磁式扇形质量过滤器；(vii)飞行时间质量过 滤器；以及(viii)维恩(Wein)过滤器；和/或(j)用于使离子以脉冲形式进入所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器 的装置或离子门(gate)；和/或(k)用于将大致连续的离子束转换为脉冲式离子束的装置。根据一实施方式，该质谱仪可以还包括C形俘获器；以及轨道阱质量分析器；其中，在第一工作模式，离子被发送到所述C形俘获器然后注入所述轨道阱质量 分析器；以及其中，在第二工作模式，离子被发送到所述C形俘获器然后被发送到碰撞单元，其 中至少一些离子被裂解为裂解离子，并且其中所述裂解离子然后在被注入到所述轨道阱质 量分析器之前被发送到所述C形俘获器。
根据本发明的另一方面，提供了一种包括离子引导装置的质谱仪的控制系统可执 行的计算机程序，该离子引导装置包括包括多个第一电极的第一离子引导器；以及包括 多个第二电极的第二离子引导器；所述计算机程序被设置为使所述控制系统(i)在第一离子引导路径和第二离子引导路径之间沿所述离子引导装置的长度在 一个或更多个点处产生一个或更多个伪势垒；以及(ii)通过驱策离子跨过一个或更多个伪势垒来将离子从所述第一离子引导路径 转移到所述第二离子引导路径中。 根据本发明的另一方面，提供了一种计算机可读介质，其包括存储在该计算机可 读介质上的计算机可执行指令，该指令被设置成能够由包括离子引导装置的质谱仪的控制 系统执行，以使得所述控制系统执行以下操作，其中，该离子引导装置包括第一离子引导 器，其包括多个第一电极；以及第二离子引导器，其包括多个第二电极，(i)在第一离子引导路径和第二离子引导路径之间沿所述离子引导装置的长度在 一个或更多个点处产生一个或更多个伪势垒；以及(ii)通过驱策离子跨过所述一个或更多个伪势垒来将离子从所述第一离子引导 路径转移到所述第二离子引导路径中。所述计算机可读介质优选地选自由以下各项构成的组(i)R0M;(ii)EAR0M; (iii)EPR0M;(iv)EEPR0M;(v)闪存；以及(vi)光盘。根据本发明的另一方面，提供了一种引导离子的方法，该方法包括以下步骤设置包括多个第一电极的第一离子引导器，其中沿着所述第一离子引导器或在所 述第一离子引导器内形成第一离子引导路径；设置包括多个第二电极的第二离子引导器，其中沿着所述第二离子引导器或在所 述第二离子引导器内形成不同的第二离子引导路径；在所述第一离子引导路径和所述第二离子引导路径之间沿着所述离子引导装置 的长度在一个或更多个点处产生一个或更多个伪势垒；以及通过驱策离子跨过所述一个或更多个伪势垒来将离子从所述第一离子引导路径 径向地转移到所述第二离子引导路径。根据本发明的另一方面，提供了一种质谱分析方法，该质谱分析方法包括如上所 述的方法。根据本发明的另一方面，提供了一种离子引导装置，该离子引导装置包括两个或 更多个平行地结合的离子引导器。所述两个或更多个平行地结合的离子引导器优选地包括第一离子引导器和第二 离子引导器，其中所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器选自由以下各项构成的 组(i)包括多个电极的离子隧道式离子引导器，其中所述多个电极具有至少一个孔， 使用中离子穿过所述至少一个孔传送；和/或(ii)包括多个杆电极的杆集式离子引导器；和/或(iii)堆叠板式离子引导器，其包括大致设置于使用中离子所行进的平面中的多 个板电极。还考虑本发明的这样的实施方式，其中离子引导装置可以包括混合结构，其中所述多个离子引导器中的一个离子引导器例如包括离子隧道式离子引导器，以及其他离子引 导器包括杆集式或堆叠板式离子引导器。所述离子引导装置优选地还包括被设置成跨过一个或更多个径向的或纵向的伪 势垒在所述结合的离子引导器之间转移离子的装置。根据本发明的另一方面，提供了一种引导离子的方法，该方法包括以下步骤沿包 括两个或更多个平行地结合的离子引导器的离子引导装置引导离子。 该方法优选地还包括跨过一个或更多个径向的或纵向的伪势垒在所述结合的离 子引导器之间转移离子。根据优选的实施方式，优选地设置两个或更多个RF离子引导器，该两个或更多个 RF离子引导器优选地彼此结合、或彼此交叠或彼此开放。该离子引导器优选地被设置成在 低压下工作，并且该离子引导器优选地被设置为使得在一个离子引导器内形成的伪势谷的 轴与优选地形成在其它离子引导器内的伪势谷的轴基本平行。所述离子引导器优选地相结 合、合并或交叠，使得离子在沿着离子引导器的长度通过时，离子可以被转移，以在不遭遇 机械障碍的情况下顺着沿毗邻离子引导器的轴的离子路径行进。一个或更多个径向或纵向 伪势垒优选地将两个离子引导器隔开，并且两个离子引导器之间的伪势垒优选地少于其它 (径向)方向的伪势垒。在结合的离子引导器的轴之间可以施加或设置电势差，使得可以通过克服设置在 两个离子引导器之间的伪势垒(如径向或纵向伪势垒)将离子从一个离子引导器移动、指 引或引导到另一离子引导器。离子可以在两个离子引导器之间来回转移多次。所述两个或更多个离子引导器可以包括多极杆集式离子引导器、堆叠板三明治式 离子引导器(其优选地包括多个板状电极)或堆叠环离子隧道式离子引导器。所述两个或更多个离子引导器的径向截面优选地不同。但是，还考虑其它实施方 式其中，至少对于两个离子引导器的轴向长度的一部分，两个或更多个离子引导器的径向 截面可以大致相同。两个或更多个离子引导器的截面可以沿离子引导器的轴向长度基本不变。另选 地，两个或更多个离子引导器的截面可以沿离子引导器的长度不是不变的。离子引导器截面之间的交叠程度可以沿轴向方向是恒定的，或者可以增加或减 小。离子引导器可以沿两个离子引导器的完全的轴向范围交叠、或仅沿该轴向范围的一部 分交叠。施加于两个或更多个离子引导器的AC或RF电压优选地相等。但是，还考虑其它 实施方式，其中，施加于两个或更多个离子引导器的AC或RF电压可以不相等。相邻的电极 优选地被提供相反相位的AC或RF电压。各离子引导器中的气压优选地被设置为相同或不同。类似地，各离子引导器中的 气体成分也可以被设置为相同或不同。但是，还考虑次优选的实施方式，其中向两个或更多 个离子引导器提供不同的气体。施加在两个或更多个离子引导器之间的电势差可以被设置成或者静态或随时间 变化。类似地，施加在两个或更多个离子引导器的RF峰-峰电压振幅可以被设置成静态或 随时间变化。两个或更多个离子引导器之间施加的电势差作为沿着纵向轴的位置的函数可以是不变的或变化的。
下面将仅以示例的方式并结合附图描述本发明的各种实施方式和仅出于例示目的而给出的结构，附图中图1示出了传统的RF离子引导器，其中在径向伪势谷内离子被径向地限制于离子 引导器中；图2示出了根据本发明的实施方式的离子引导器的结构，其中提供了两个平行地 结合后的离子引导器；图3示出了当在两个结合的离子引导器之间保持25V的电势差时产生的等势线和 电势面的SIMION (RTM)图；图4示出了当在两个结合的离子引导器之间保持25V的电势差时产生的等势线和 作为径向位移的函数的DC电势的SIMION(RTM)图以及将两个离子引导器保持在相同的电 势时沿着线XY的伪电势的示意图；图5示出了对质荷比为500的离子进行SIMION(RTM)模拟所产生的离子轨迹，该 SIMION(RTM)模拟是在该离子在Imbar的压强的氮气流中输送并且其中在两个结合的离子 引导器之间没有保持电势差的情况下模拟的；图6示出了对质荷比为500的离子进行SIMION(RTM)模拟产生的离子轨迹，该 SIMION(RTM)模拟是在该离子在Imbar的压强的氮气流中输送并且其中在两个结合的离子 引导器之间保持25V的电势差的情况下模拟的；图7示出了对质荷比在100-1900范围内的离子进行SIMION(RTM)模拟产生的离 子轨迹，该SIMION(RTM)模拟是在离子在Imbar压强的氮气流中输送并且其中两个结合的 离子引导器之间保持25V的电势差的情况下模拟的；图8例示了其中提供了结合的离子引导器结构以在质谱仪的初始级从中性气流 中分离出离子的实施方式；图9示出了其中两个堆叠板式离子引导器形成结合的离子引导器结构的实施方 式；以及图10示出了其中两个杆集式离子引导器形成结合的离子引导器结构的实施方 式。
具体实施例方式传统的RF离子引导器1如图1所示。向形成离子引导器的电极施加RF电压，使 得在离子引导器1内生成或产生单个的伪势谷或伪势阱2。离子被径向地3限制在离子引 导器1中。离子通常被设置为沿离子引导器1的中心纵向轴进入离子引导器1，并且离子通 常还沿着该中心纵向轴退出离子引导器1。离子云5被限制于离子引导器1内，并且离子通 常被伪势阱2限制为靠近纵向轴。下面将参照图2来描述根据本发明的优选实施方式的离子引导器结构。根据优选 实施方式，优选地提供两个或更多个平行结合后的离子引导器。结合的离子引导器优选地 包括第一离子引导器7和第二离子引导器8。第一离子引导器7优选地比第二离子引导器8具有更大的径向截面。优选地，气体和离子扩散源9初始地约束或限制于第一离子引导器 7内。离子优选地最初流过第一离子引导器7达第一离子引导器7的至少部分轴向长度。 优选地形成在第一离子引导器7中的离子云9被径向地约束但可以相对地扩散。
优选地在第一离子引导器7的至少一段或大致整体与第二离子引导器8的至少一 段或大致整体之间施加或保持电压差。结果，优选地使离子从第一离子引导器7跨过幅度 相对低的伪势垒向第二离子引导器8迁移。该伪势垒优选地位于第一离子引导器7与第二 离子引导器8之间的结或边界区域。图3示出了当在第一离子引导器7和第二离子引导器8之间保持25V的电势差时 产生的等势线11和电势面12。该等势线11和电势面12为使用SIMION(RTM)得到的。图4示出了如图3所示的相同的等势线11以及示出了在施加的电势差的作用下 DC电势沿着线XY在径向方向如何变化的曲线。还示出了在第一离子引导器7和第二离子 引导器8之间没有电势差的情况下RF生成的沿着线XY线的伪电势。电极的结构和在两个离子引导器7，8的电极之间优选地保持的电势差优选地具 有这样的作用使离子从第一离子引导器7中相对扩散的离子云9会聚为第二离子引导器 8中大致更紧密的离子云10。第一离子引导器7和第二离子引导器8中存在的背景气体优 选地使离子云在从第一离子引导器7传递到第二离子引导器8时被冷却。伪势垒优选地防 止离子脱离电极。图5示出了基于各包含多个堆叠板或环形电极的两个离子引导器7，8的模型的离 子轨迹模拟结果。电极优选地具有孔，在使用中离子穿过该孔传送。利用SIMION(RTM)中 提供的程序来模拟离子与背景气体的碰撞。将氮气14模拟为在Imbar的压强下以300m/s 的体积流率(bulk flowrate)沿着两个离子引导器7，8的长度流动。第一离子引导器7被 模拟为具有15mm的内径以及第二离子引导器8被模拟为具有5mm的内径。模拟了在第一 离子引导器7和第二离子引导器8的相邻电极15之间施加具有200V的RF峰-RF峰的振 幅以及3MHz的频率的RF电压。在离子引导器7，8 二者中都产生了径向限制伪势阱。将两 个离子引导器7，8的总长度模拟为75mm。将质荷比为500的9个单带电的离子模拟为位于第一离子引导器7内的不同的初 始径向开始位置，以模拟扩散离子云。在第一离子引导器7和第二离子引导器8之间没有 电势差的情况下，如从图5所示的离子轨迹13所可以看到的，离子由氮气14的气流携带或 传送，通过第一离子引导器7。图6示出了以上参照图5描述并示出的模拟的重复，只不过现在在两个离子引导 器7，8之间施加了电场6。在第一离子引导器7和第二离子引导器8之间保持25V的电 势差。电场6的作用是将离子朝着沿第二离子引导器8的中心纵向轴的平面引导或会聚。 离子从第一离子引导器7开始移动，跨过在两个离子引导器7，8之间的伪势垒，进入第二 离子引导器8。结果，由初始相对扩散的离子云9优选地形成为相对密集和紧密的离子云 10。图6示出了对于在压强为Imbar的氮气14的气流中输送的且质荷比为500的离子通 过SIMION(RTM)所模拟的各种离子轨迹13。图7示出了除了离子在第一离子引导器7中具有公共起点和不同的质荷比之外， 与上面参照图6描述的模拟类似的模拟的结果。将离子模拟为质荷比为100、300、500、700、 900、1100、1300、1500、1700和1900。将离子模拟为在压强为Imbar的氮气14的流中输送。在第一离子引导器7和第二离子引导器8之间保持25V的电势差。很明显，所有的离子从 第一离子引导器7转移到第二离子引导器8。图8示出了平行结合的离子引导器7、8被设置在质谱仪的初始级中的实施方式。 气体和来自大气压离子源16的离子的混合物优选地穿过取样锥17进入质谱仪的被泵18 进行了排气的初始真空室。第一离子引导器7和第二离子引导器8优选地被设置在该真空 室中，同时取样锥17的孔优选地与第一离子引导器7的中心轴对齐。第一离子引导器7优 选地被设置为比第二离子引导器8具有更大直径的离子引导区域。扩散的离子云9优选地 被约束在第一离子引导器7中。根据该优选实施方式，大量的气流优选地经由泵浦口从真空室排出，该泵浦口优 选地与第一离子引导器7的中心轴对齐。优选地在第一离子引导器7和第二离子引导器8 之间施加或保持电势差。离子优选地从第一离子引导器7传送到第二离子引导器8，并优选 地遵循与图8中所示的离子轨迹类似的离子轨迹13。优选地，离子在第二离子引导器8内 形成相对更密的离子云10。根据实施方式，第二离子引导器8可以超过第一离子引导器7延续或者延伸并可 以将离子向前传送到差动(differential)泵浦孔19，该差动泵浦孔19优选地通向随后的 真空级。离子可以被设置为穿过差动泵浦孔19而进入质谱仪的后一级。接着可以将离子 被向前传送以进行后续的分析和检测。图8还示出了根据一实施方式的第一离子引导器7和第二离子引导器8的截面示 图。根据一实施方式，离子可以被设置为在上游区域或段20内大致被约束或限制于第一离 子引导器7，在该上游区域或段20内第一离子引导器7的环是闭合的。离子可以优选地在 中间区域或段21内从第一离子引导器7转移到第二离子引导器8，在该中间区域或段21内 第一离子引导器7和第二离子引导器8的环都是开放的。离子可以优选地在下游区域或段 22内被大致约束或限制于第二离子引导器8内，其中在下游区域或段22内第二离子引导器 8的环是闭合的。结合后的离子引导器7，8优选地使得离子能够从气流的主要部分(bulk) 离开或者使得能够引导离子远离气流的主要部分。优选地还可以对离子形成更紧的离子约 束，用于优化穿过差动泵浦孔19进入随后的真空级的传送。还考虑其他次优选的实施方式，其中离子源可以在低于大气压的压强下工作。根据另一实施方式，可以通过电场或行波结构沿第一离子引导器7的至少一部分 和/或沿第二离子引导器8的至少一部分轴向地驱动离子。根据一个实施方式，可以将一 个或更多个暂态DC电压或电势或者一个或更多个暂态DC电压波形或电势波形施加到形成 第一离子引导器7的电极和/或施加到形成第二离子引导器8的电极，以便沿着第一离子 引导器7的至少一部分和/或沿着第二离子引导器8的至少一部分驱策或驱动离子。在两个结合的离子引导器7，8之间的伪势垒优选地具有 依赖于质荷比的有效幅 度。可以使用适当的RF电压，并且两个离子引导器7，8的轴之间保持的电势差可以被设置 为使得离子可以在两个离子引导器之间质量选择性地转移。根据一实施方式，离子可以在 两个离子引导器7，8之间被质量选择性地或者质荷比选择性地转移。例如，根据一实施方 式，可以对两个离子引导器7，8之间保持的DC电压梯度进行逐渐改变或扫描。另选地和/ 或附加地，可以对施加于两个离子引导器7,8的电极的AC或RF电压的振幅和/或频率进 行逐渐改变或扫描。结果，离子可以按照时间的函数和/或按照沿着离子引导器7，8的轴向位置的函数在两个离子引导器7，8之间质量选择性地转移。虽然优选实施方式涉及这样的实施方式其中结合后的两个离子引导器包括环形电极使得离子在使用中穿过环进行传送，但也考虑包括不同类型的离子引导器的其它实施 方式。图9示出了其中设置有两个堆叠板式离子引导器以形成结合后的离子引导器的实施 方式。图9示出了一个端部，展示了在多个板电极内形成的两个圆柱状的离子引导路径或 离子引导区域。相邻的电极优选地保持在相反相位的RF电压。形成第一离子引导器的板电 极优选地保持在如图9中所示的第一 DC电压DC1。形成第二离子引导器的板电极优选地保 持在如图9中所示的第二 DC电压DC2。第二 DC电压DC2优选地不同于第一 DC电压DC1。图10示出了其中两个杆集式离子引导器形成结合后的离子引导器结构的实施方 式。相邻的杆优选地保持在相反相位的RF电压。形成两个离子引导器的杆可以具有相同 的直径也可以不具有相同的直径。根据优选实施方式，形成离子引导结构的所有杆优选地 具有相同或大致相同的直径。在图10中所示的具体实施方式
中，第一离子引导器包括15 根杆电极，这15根杆电极都优选地保持在相同的DC偏压DCl。第二离子引导器包括7根杆 电极，这7根杆电极都优选地保持在相同的DC偏压DC2。第二 DC电压DC2优选地不同于第 一 DC 电压 DCl。还考虑另一实施方式，其中可以设置多于两个平行的离子引导器。例如，根据另外 的实施方式，可以设置至少3、4、5、6、7、8、9或10个平行的离子引导器或离子引导区域。离 子可以按照需要在多个平行的离子引导器之间切换。虽然参照优选实施方式对本发明进行了描述，但本领域技术人员应当理解，在不 脱离如所附权利要求书所阐述的本发明的范围的情况下可以作出各种形式和细节的改变。
权利要求
一种离子引导装置，该离子引导装置包括第一离子引导器，其包括多个第一电极，各电极包括至少一个孔，使用中离子穿过该至少一个孔传送，其中沿着所述第一离子引导器或者在所述第一离子引导器内形成第一离子引导路径；第二离子引导器，其包括多个第二电极，各电极包括至少一个孔，使用中离子穿过该至少一个孔传送，其中沿着所述第二离子引导器或者在所述第二离子引导器内形成不同的第二离子引导路径；第一装置，其被设置成在所述第一离子引导路径和所述第二离子引导路径之间沿着所述离子引导装置的长度在一个或更多个点处产生一个或更多个伪势垒；以及第二装置，其被设置成通过驱策离子跨过所述一个或更多个伪势垒来将离子从所述第一离子引导路径转移到所述第二离子引导路径中。
2.根据权利要求1所述的离子引导装置，其中，(a)所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少1%、5%、10%、20%、30%、 40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%具有大致圆形、矩形、正方形或椭圆形的 孔；和/或(b)所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少1%、5%、10%、20%、30%、 40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%具有尺寸大致相同或面积大致相同的孔； 和/或(c)所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少1%、5%、10%、20%、30%、 40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%具有在沿着所述第一离子引导器和/或所 述第二离子引导器的轴或长度的方向尺寸或面积逐渐变大和/或变小的孔；和/或(d)所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少1%、5%、10%、20%、30%、 40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%具有内直径或尺度选自由以下各项构成的 组中的孔(i)小于等于1.0mm;(ii)小于等于2. Omm ； (iii)小于等于3. Omm ； (iv)小于等 于4. Omm ； (ν)小于等于5. Omm ； (vi)小于等于6. Omm ； (vii)小于等于7. Omm ； (viii)小于 等于8. Omm ； (ix)小于等于9. Omm ； (χ)小于等于10. Omm ；和(xi)大于10. Omm ；和/或(e)所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少1%、5%、10%、20%、30%、 40 %、50 %、60 %、70 %、80 %、90 %、95 %或100 %彼此分开选自由以下各项构成的组中的轴 向距离⑴小于或等于5mm ； (ii)小于或等于4. 5mm ； (iii)小于或等于4mm ； (iv)小于或 等于3. 5mm ； (ν)小于或等于3mm ； (vi)小于或等于2. 5mm ； (vii)小于或等于2mm ； (viii) 小于或等于1. 5mm ； (ix)小于或等于Imm ； (χ)小于或等于0. 8mm ； (xi)小于或等于0. 6mm ； (xii)小于或等于0. 4mm; (xiii)小于或等于0. 2mm ； (xiv)小于或等于0. Imm;以及(xv)小 于或等于0. 25mm ；和/或(f)所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少1%、5%、10%、20%、 30 %、40 %、50 %、60 %、70 %、80 %、90 %、95 %或100 %包括孔，其中所述孔的内直径或尺 度与相邻电极之间的中心到中心轴向间距之比选自由以下各项构成的组(i)小于1.0; (ii) 1. 0-1. 2 ； (iii) 1. 2-1. 4 ； (iv) 1. 4-1. 6 ； (ν) 1. 6-1. 8 ； (vi) 1. 8-2. 0 ； (vii)2. 0-2. 2 ； (viii) 2. 2-2. 4 ； (ix) 2. 4-2. 6 ； (χ) 2. 6-2. 8 ； (xi) 2. 8-3. 0 ； (xii) 3. 0-3. 2 ； (xiii) 3. 2-3. 4 ； (xiv) 3. 4-3. 6 ； (xv) 3. 6-3. 8 ； (xvi) 3. 8-4. 0 ； (xvii) 4. 0-4. 2 ； (xviii)4. 2-4. 4 ；(xix) 4. 4-4. 6 ； (XX) 4. 6-4. 8 ； (xxi) 4. 8-5. O ；以及(xxii)大于 5. O ；和 / 或(g)所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少1%、5%、10%、20%、30%、 40 %、50 %、60 %、70 %、80 %、90 %、95 %或100 %具有选自由以下各项构成的组中的厚度或 轴向长度⑴小于或等于5mm; (ii)小于或等于4. 5mm;(iii)小于或等于4mm ； (iv)小于 或等于3. 5mm ； (ν)小于或等于3mm ； (vi)小于或等于2. 5mm ； (vii)小于或等于2mm ； (viii) 小于或等于1. 5mm ； (ix)小于或等于Imm ； (χ)小于或等于0. 8mm ； (xi)小于或等于0. 6mm ； (xii)小于或等于0. 4mm ； (xiii)小于或等于0. 2mm ； (xiv)小于或等于0. Imm ；禾口 (xv)小 于或等于0. 25mm ；和/或 (h)所述多个第一电极具有第一截面面积或轮廓，其中所述第一截面面积或轮廓至少 沿所述第一离子引导器的长度的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、 80%、90%、95%或100%改变、增加、减少或变化；和/或(i)所述多个第二电极具有第二截面面积或轮廓，其中所述第二截面面积或轮廓至少 沿所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、 80%、90%、95%或100%改变、增加、减少或变化。
3.一种离子引导装置，该离子引导装置包括第一离子引导器，其包括具有一个或更多个第一杆集的多个第一电极，其中沿所述第 一离子引导器或者在所述第一离子引导器内形成第一离子引导路径；第二离子引导器，其包括具有一个或更多个第二杆集的多个第一电极，其中沿所述第 二离子引导器或者在所述第二离子引导器内形成不同的第二离子引导路径；第一装置，其被设置成在所述第一离子引导路径和所述第二离子引导路径之间沿所述 离子引导装置的长度在一个或更多个点处产生一个或更多个伪势垒；以及第二装置，其被设置成通过驱策离子跨过所述一个或更多个伪势垒来将离子从所述第 一离子引导路径转移到所述第二离子引导路径中。
4.根据权利要求3所述的离子引导装置，其中(a)所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器包括一个或更多个轴向分段杆集 式离子引导器；和/或(b)所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器包括一个或更多个分段四极、六 极或八极离子引导器、或者具有四个或更多个分段杆集的离子引导器；和/或(c)所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器包括多个具有选自由以下各项构 成的组中的截面的电极(i)近似或大致圆形的截面；(ii)近似或大致双曲面；(iii)弓形 或部分圆形的截面；(iv)近似或大致矩形的截面；以及(ν)近似或大致正方形的截面；和/ 或(d)所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器还包括在所述一个或更多个第一 杆集和/或所述一个或更多个第二杆集的周围设置的多个环形电极；和/或(e)所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器包括4、5、6、7、8、9、10、11、12、 13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30 个或多于 30 个杆电极。
5.一种离子引导装置，该离子引导装置包括第一离子引导器，其包括设置于使用中离子所行进的平面中的多个第一电极，其中沿 所述第一离子引导器或者在所述第一离子引导器内形成第一离子引导路径；第二离子引导器，其包括设置于使用中离子所行进的平面中的多个第二电极，其中沿 所述第二离子引导器或者在所述第二离子引导器内形成不同的第二离子引导路径；被设置成在所述第一离子引导路径和所述第二离子引导路径之间沿所述离子引导装 置的长度在一个或更多个点处产生一个或更多个伪势垒的装置；以及被设置成通过驱策离子跨过所述伪势垒来将离子从所述第一离子引导路径转移到所 述第二离子引导路径的装置。
6.根据权利要求5所述的离子引导装置，其中(a)所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器包括平面的、板状的、网状的或 弯曲的电极的堆或列，其中所述平面的、板状的、网状的或弯曲的电极的堆或列包括多个或 至少 2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19 或 20 个平面的、板状的、网状 的或弯曲的电极，并且其中所述平面的、板状的、网状的或弯曲的电极中的至少1%、5%、 10% ,15%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%, 85%、90%、95%或100%通常设置于所述使用中离子所行进的平面中；和/或(b)所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器是被轴向分段的，以包括至少2、 3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19 或 20 个轴向分段，其中，所述多个第一 电极中的至少 1% >5% ,10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100% 的轴向分段和/或所述多个第二电极中的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、 60 %、70 %、80 %、90 %、95 %或100 %的轴向分段在使用中保持在相同的DC电压。
7.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，其中所述第一装置被设置成(i)在所述第一离子引导路径和所述第二离子引导路径之间沿着所述离子引导装置的长度在一个或更多个点处产生一个或更多个径向或纵向伪势垒；和/或( )在所述第一离子引导路径和所述第二离子引导路径之间沿着所述离子引导装置 的长度在一个或更多个点处产生一个或更多个非轴向伪势垒。
8.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，其中所述第二装置被设置成(a)将离子从所述第一离子引导路径径向地转移到所述第二离子引导路径中；和/或(b)利用速度的非零径向分量和速度的轴向分量将离子从所述第一离子引导路径转移 到所述第二离子引导路径中；和/或(c)利用速度的非零径向分量和速度的轴向分量将离子从所述第一离子引导 路径转移到所述第二离子引导路径中，其中所述速度的径向分量和所述速度的轴 向分量的比选自由以下各项构成的组⑴小于0. 1 ； (ii)0. 1-0. 2 ； (iii)0. 2-0. 3 ； (iv)0. 3-0. 4 ； (ν)0· 4-0. 5 ； (vi)0. 5-0. 6 ； (vii)0. 6-0. 7 ； (viii)0. 7-0. 8 ； (ix)0. 8-0. 9 ； (χ)0· 9-1. 0 ； (xi) 1. 0-1. 1 ； (xii) 1. 1-1. 2 ； (xiii) 1. 2-1. 3 ； (xiv) 1. 3-1. 4 ； (xv) 1. 4-1. 5 ； (xvi) 1. 5-1. 6 ； (xvii) 1. 6-1. 7 ； (xviii) 1. 7-1. 8 ； (xix) 1. 8-1. 9 ； (xx) 1. 9-2. 0 ； (xxi)2. 0-3. 0 ； (xxii) 3. 0-4. 0 ； (xxiii)4. 0-5. 0 ； (xxiv) 5. 0-6. 0 ； (xxv) 6. 0-7. 0 ； (xxvi) 7. 0-8. 0 ； (xxvii) 8. 0-9. 0 ； (xxviii) 9. 0-10. 0 ；和(xxix)大于 10. 0 ；(d)通过使离子跨过设置在所述第一离子引导路径和所述第二离子引导路径之间的一 个或更多个径向伪势垒转移，来将离子从所述第一离子引导路径转移到所述第二离子引导 路径中。
9.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，其中(a)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一离子引导器和 所述第二离子引导器彼此接合、合并、交叠或开放；和/或 (b)在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、10%、 20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100% 上，离子可以在所述第一离子 引导器或所述第一离子引导路径与所述第二离子引导器或所述第二离子引导路径之间径 向地转移；和/或(c)使用中形成一个或更多个径向或纵向伪势垒，该一个或更多个径向或纵向伪势垒 沿着所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、10%、20%、 30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100 %将所述第一离子引导器或所述第一 离子引导路径与所述第二离子引导器或所述第二离子引导路径分隔开；和/或(d)在所述第一离子引导器内形成第一伪势谷或场，以及在所述第二离子引导器内形 成第二伪势谷或场，并且其中伪势垒将所述第一伪势谷与所述第二伪势谷分隔开，其中离 子被所述第一伪势谷或所述第二伪势谷径向地限制在所述离子引导装置内，并且其中至少 一些离子被驱策或被致使跨过所述伪势垒进行转移；和/或(e)所述第一离子引导器和所述第二离子引导器之间的交叠程度或开放程度沿着所述 第一离子引导器和所述第二离子引导器的长度保持固定或变化、增加、减小、以阶梯式或线 性方式增加或者以阶梯式或线性方式减小。
10.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，其中(a)所述多个第一电极中的一个或更多个或至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、 50%、60%、70%、80%、90%、95%或100 %在工作模式下保持在第一电势或电压，该第 一电势或电压选自由以下各项构成的组(i) 士0-10V ;(ii) 士 10-20V ;(iii) 士20-30V ； (iv) +30-40V ； (v) +40-50V ； (vi) +50-60V ； (vii) +60-70V ； (viii) +70-80V ； (ix) 士80-90V ； (χ) 士90-100V ； (xi) 士 100—150V ； (xii) 士 150—200V ； (xiii) 士200—250V ； (xiv) ± 250-300V ； (xv) ± 300-350V ； (xvi) +350-400V ； (xvii) +400-450V ； (xviii) +450-500V ； (xix) +500-550V ； (xx) +550-600V ； (xxi) +600-650V ； (xxii) +650-700V ； (xxiii) +700-750V ； (xxiv) +750-800V ； (xxv) +800-850V ； (xxvi)士850-900V ； (xxvii)士900-950V ； (xxviii)士950-1000V ；以及(xxix)大于 士 1000V ；禾口 / 或(b)所述多个第二电极中的一个或更多个或至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、 50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%在工作模式下保持在第二电势或电压，该第 二电势或电压选自由以下各项构成的组(i) 士0-10V ;(ii) 士 10-20V ;(iii) 士20-30V ； (iv) +30-40V ； (v) +40-50V ； (vi) +50-60V ； (vii) +60-70V ； (viii) +70-80V ； (ix)士80-90V；(χ)士90-100V ； (xi)士100-150V ； (xii)士150-200V ； (xiii)士200-250V ； (xiv) +250-300V ； (xv) +300-350V ； (xvi) ± 350-400V ； (xvii) +400-450V ； (xviii) +450-500V ； (xix) +500-550V ； (xx) +550-600V ； (xxi) +600-650V ； (xxii) +650-700V ； (xxiii) +700-750V ； (xxiv) +750-800V ； (xxv) +800-850V ； (xxvi)士850-900V ； (xxvii)士900-950V ； (xxviii)士950-1000V ；以及(xxix)大于 士 1000V ；禾口 / 或(C)在工作模式下，在所述多个第一电极中的一个或更多个或至少1%、5%、 10 %,20 %,30 %A0 %>50 %,60 %,70 %,80 %、90 %、95 % 或 100 % 与所述多个第二 电极中的一个或更多个或至少1 %、5 %、10 %、20 %、30 %、40 %、50 %,60 %,70 80%、90%、95%或100%之间保持电势差，其中所述电势差选自由以下各项构成的组 ⑴ 士0-10V ； (ii)士10-20V ； (iii)士20-30V ； (iv)士30-40V ;(v)士40-50V ； (vi)士50-60V ； (vii) +60-70V ； (viii) +70-80V ； (ix) +80-90V ； (x) +90-100V ； (xi) +100-150V ； (xii) ± 150 — 200V ； (xiii) ±200 — 250V ； (xiv) +250-300V ； (xv) ±300 — 350V ； (xvi) +350-400V ； (xvii) +400-450V ； (xviii) +450-500V ； (xix) +500-550V ； (XX) +550-600V ； (xxi) +600-650V ； (xxii) +650-700V ； (xxiii) +700-750V ； (xxiv) +750-800V ； (xxv) +800-850V ； (xxvi) +850-900V ； (xxvii) +900-950V ； (xxviii) 士950-1000V ；以及(xxix)大于 士 1000V ；禾口 / 或 (d)所述多个第一电极中的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、 80%、90%、95%或100%或者所述多个第一电极在使用中保持在大致相同的第一 DC电压； 和/或(e)所述多个第二电极中的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、 80 %、90 %、95 %或100 %或者所述多个第二电极在使用中保持在大致相同的第二 DC电压； 和/或(f)所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少1%、5%、10%、20%、30%、 40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%保持在大致相同的DC电压或DC偏压，或者 保持在大致不同的DC电压或DC偏压。
11.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，其中，所述第一离子引导器包 括第一中心纵向轴，以及所述第二离子引导器包括第二中心纵向轴，并且其中(i)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一中心纵向轴与 所述第二中心纵向轴大致平行；和/或( )对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一中心纵向轴与 所述第二中心纵向轴不共线或不共轴；和/或(iii)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一中心纵向轴与 所述第二中心纵向轴隔开恒定距离或保持等距；和/或(iv)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一中心纵向轴为 所述第二中心纵向轴的镜像；和/或(ν)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一中心纵向轴大 致追踪所述第二中心纵向轴、跟随所述第二中心纵向轴、与所述第二中心纵向轴对称或者 平行于或并排于所述第二中心纵向轴地延伸；和/或(vi)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一中心纵向轴朝着所述第二中心纵向轴会聚或从所述第二中心纵向轴分出；和/或(vii)所述第一中心纵向轴和所述第二中心纵向轴形成X形或Y形联结器或分流器离 子引导路径；和/或(viii)在所述第一离子引导器和所述第二离子引导器之间设置有一个或更多个交叉 区域、区段或结，其中至少一些离子可以从所述第一离子引导器转移至所述第二离子引导 器中或可以使至少一些离子从所述第一离子引导器转移至所述第二离子引导器中，和/或 其中至少一些离子可以从所述第二离子引导器转移至所述第一离子引导器中。
12.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，其中，在使用中，所述第一离 子引导器内形成第一伪势谷，使得该第一伪势谷具有第一纵向轴，并且其中，在使用中，所 述第二离子引导器内形成第二伪势谷，使得该第二伪势谷具有第二纵向轴，并且其中(i)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100 %，所述第一纵向轴与所述 第二纵向轴大致平行；和/或(ii)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一纵向轴与所述 第二纵向轴不共线或不共轴；和/或(iii)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100 %，所述第一纵向轴与所述 第二纵向轴隔开恒定距离或保持等距；和/或(iv)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%，所述第一纵向轴为所述 第二纵向轴的镜像；和/或(v)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100 %，所述第一纵向轴大致追 踪所述第二纵向轴、跟随所述第二纵向轴、与所述第二纵向轴对称或平行于和/或并排于 所述第二纵向轴地延伸；和/或(vi)对于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度的至少1%、5%、 10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^ 100%，所述第一纵向轴朝着所 述第二纵向轴会聚或从所述第二纵向轴分出；和/或(vii)所述第一纵向轴和所述第二纵向轴形成X形或Y形联结器或分流器离子引导路 径；和/或(viii)在所述第一离子引导器和所述第二离子引导器之间设置有一个或更多个交叉 区域、区段或结，其中，至少一些离子可以从所述第一离子引导器转移至所述第二离子引导 器中或可以使至少一些离子从所述第一离子引导器转移至所述第二离子引导器中，和/或 其中至少一些离子可以从所述第二离子引导器转移至所述第一离子引导器中。
13.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，其中(a)所述第一离子引导器包括具有第一截面面积的离子引导区域，以及其中所述第二 离子引导器包括具有第二截面面积的离子引导区域，其中所述第一截面面积和所述第二截面面积大致相同或大致不同；和/或(b)所述第一离子引导器包括具有第一截面面积的离子引导区域，以及所述第二离 子引导器包括具有第二截面面积的离子引导区域，其中所述第一截面面积与所述第二 截面面积的比选自由以下各项构成的组⑴小于0. 1 ； (i i) 0. 1-0. 2;(iii)0. 2-0. 3 ； (iv)0. 3-0. 4 ； (v)0. 4-0. 5 ； (vi)0. 5-0. 6 ； (vii)0. 6-0. 7 ； (viii)0. 7-0. 8 ； (ix)0. 8-0. 9 ； (x) 0. 9-1. 0 ； (xi) 1. 0-1. 1 ； (xii) 1. 1-1. 2 ； (xiii) 1. 2-1. 3 ； (xiv) 1. 3-1. 4 ； (xv) 1. 4-1. 5 ； (xvi) 1. 5-1. 6 ； (xvii) 1. 6-1. 7 ； (xviii) 1. 7-1. 8 ； (xix) 1. 8-1. 9 ； (xx) 1. 9-2. 0 ； (xxi) 2. 0-2. 5 ； (xxii) 2. 5-3. 0 ； (xxiii) 3. 0-3. 5 ； (xxiv) 3. 5-4. 0 ； (xxv) 4. 0-4. 5 ； (xxvi)4. 5-5. 0 ； (xxvii)5. 0-6. 0 ； (xxviii)6. 0-7. 0 ； (xxix)7. 0-8. 0 ； (xxx) 8. 0-9. 0 ； (xxxi)9. 0-10. 0 ；以及(xxxii)大于 10. 0 ；禾口 / 或(c)所述第一离子引导器包括具有第一截面面积或轮廓的离子引导区域，其中所述第 一截面面积或轮廓至少沿着所述第一离子引导器的长度的至少1 %、5 %、10 %、20 %、30 %、 40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%改变、增加、减少或变化；禾口 / 或(d)所述第二离子引导器包括具有第二截面面积或轮廓的离子引导区域，其中所述第 二截面面积或轮廓至少沿着所述第二离子引导器的长度的至少1 %、5 %、10 %、20 %、30 %、 40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100%改变、增加、减少或变化；禾口 / 或(e)所述第一离子引导器包括多个轴向截面，并且其中第一电极在一个轴向截面中的 截面面积或轮廓大致相同或不同，并且其中在另外的轴向截面中的第一电极的截面面积或 轮廓大致相同或不同；和/或(f)所述第二离子引导器包括多个轴向截面，并且其中第二电极在一个轴向截面中的 截面面积或轮廓大致相同或不同，并且其中第二电极在另外的轴向截面中的截面面积或轮 廓大致相同或不同；和/或(g)所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器包括大致恒定的或均勻的截面面 积或轮廓。
14.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，其中所述第一离子引导器和 /或所述第二离子引导器包括(i)第一轴向分段，在第一轴向分段中所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导 器包括第一截面面积或轮廓；和/或(ii)不同的第二轴向分段，在第二轴向分段中所述第一离子引导器和/或所述第二离 子引导器包括第二截面面积或轮廓；和/或(iii)不同的第三轴向分段，在第三轴向分段中所述第一离子引导器和/或所述第二 离子引导器包括第三截面面积或轮廓；和/或(iv)不同的第四轴向分段，在第四轴向分段中所述第一离子引导器和/或所述第二离 子引导器包括第四截面面积或轮廓；其中，所述第一、第二、第三和第四截面面积或轮廓大致相同或不同。
15.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，其中所述离子引导装置被设 置成形成⑴线性离子引导器或离子引导装置；和/或(ii)开环离子引导器或离子引导装置；和/或(iii)闭环离子引导器或离子引导装置；和/或(iv)螺旋形、环形、部分环形、半环形、不完全环形或螺线形离子引导器或离子引导装 置；和/或(v)具有弯曲的、迷宫式的、盘旋的、蜿蜒的、圆形的或旋绕的离子引导器或离子引导路 径的离子引导器或离子引导装置。
16.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，其中所述第一离子引导器 和/或所述第二离子引导器包括n个轴向分段或者被分割为n个分开的轴向分段，其中 n选自由以下各项构成的组(i)l_10 ;(ii)ll_20 ； (iii) 21-30 ； (iv) 31-40 ； (v) 41-50 ； (vi) 51-60 ； (vii) 61-70 ； (viii) 71-80 ； (ix) 81-90 ； (x) 91-100 ；以及(xi)大于 100 ；并且其中(a)各轴向分段包括:1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20或多 于20个电极；和/或(b)所述轴向分段的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、 90%、95%或100%的轴向长度选自由以下各项构成的组⑴小于lmm;(ii)l-2mm; (iii) 2_3mm ； (iv) 3-4mm ； (v) 4_5mm ； (vi) 5-6mm ； (vii) 6_7mm ； (viii) 7-8mm ； (ix) 8_9mm ； (x) 9-10mm ；以及(xi)大于 10mm ；和 / 或(c)所述轴向分段的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、 90%、95%或100%之间的轴向间隔选自由以下各项构成的组⑴小于lmm;(ii)l-2mm; (iii) 2_3mm ； (iv) 3-4mm ； (v) 4_5mm ； (vi) 5-6mm ； (vii) 6_7mm ； (viii) 7-8mm ； (ix) 8-9mm ； (x)9-10mm;以及(xi)大于 10mm。
17.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，其中所述第一离子引导器和 /或所述第二离子引导器(a)具有选自由以下各项构成的组的长度(i)小于20mm； (ii)20-40mm ； (iii) 40-60mm ； (iv) 60-80mm ； (v) 80-100mm ； (vi)100 — 120mm ； (vii) 120-140mm ；(viii)140-160mm ； (ix) 160_180mm ； (x) 180_200mm ；以及(xi)大于 200mm ；和 / 或(b)至少包括⑴10-20个电极；(ii)20-30个电极；(iii) 30-40个电极；(iv) 40-50 个电极；(v) 50-60个电极；(vi) 60-70个电极；(vii) 70-80个电极；(viii) 80-90个电极；(ix)90-100 个电极；(x)100-110 个电极；(xi)110-120 个电极；(xii) 120-130 个电极； (xiii) 130-140个电极；(xiv) 140-150个电极；或(xv)大于150个电极。
18.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，该离子引导装置还包括用 于向所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少一些电极施加第一 AC或RF电压 的第一 AC或RF电压源，其中(a)所述第一 AC或RF电压具有选自由以下各项构成的组的振幅(i)小于50V峰-峰 值；(ii)50-100V 峰-峰值；(iii) 100-150V 峰-峰值；(iv) 150-200V 峰-峰值；(v) 200-250V 峰-峰值；(vi) 250-300V 峰-峰值；(vii) 300-350V 峰-峰值；(viii) 350-400V 峰-峰值； (ix) 400-450V 峰-峰值；(x) 450-500V 峰-峰值；(xi) 500-550V 峰-峰值；(xxii) 550-600V 峰-峰值；(xxiii) 600-650V 峰-峰值；(xxiv) 650-700V 峰-峰值；(xxv) 700-750V 峰-峰 值；(xxvi)750-800V 峰-峰值；(xxvii) 800-850V 峰-峰值；(xxviii) 850-900V 峰-峰值； (xxix) 900-950V 峰-峰值；(xxx) 950-1000V 峰-峰值；以及(xxxi)大于 1000V 峰-峰值；和/或(b)所述第一AC或RF电压具有选自由以下各项构成的组的频率(i)小于100kHz ；(ii)100-200kHz ； (iii)200_300kHz ； (iv)300_400kHz ； (v)400_500kHz ； (vi)0. 5-1. 0MHz ； (vii) 1. 0-1. 5MHz ； (viii) 1. 5-2. 0MHz ； (ix) 2. 0-2. 5MHz ； (x) 2. 5-3. 0MHz ； (xi) 3. 0-3. 5MHz ； (xii) 3. 5-4. 0MHz ； (xiii) 4. 0-4. 5MHz ； (xiv) 4. 5-5. 0MHz ； (xv) 5. 0-5. 5MHz ； (xvi) 5. 5-6. 0MHz ； (xvii) 6. 0-6. 5MHz ； (xviii) 6. 5-7. 0MHz ； (xix) 7. 0-7. 5MHz ； (xx) 7. 5-8. 0MHz ； (xxi) 8. 0-8. 5MHz ； (xxii) 8. 5-9. 0MHz ； (xxiii)9. 0-9. 5MHz ； (xxiv)9. 5-10. 0MHz ；以及(xxv)大于 10. 0MHz ；和 / 或(c)所述第一AC或RF电压源被设置为向所述多个第一电极中的至少1%、5%、10%、 15%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%,85%, 90%、95%或 100%和 / 或所述多个第一电极中的至少 1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、 14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38、 39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50个电极或多于50个电极施加所述第一 AC或RF电 压；和/或(d)所述第一AC或RF电压源被设置为向所述多个第二电极中的至少1%、5%、10%、 15%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%,85%, 90%、95%或 100%和 / 或所述多个第二电极中的至少 1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、 14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38、 39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50个电极或多于50个电极施加所述第一 AC或RF电 压；和/或(e)所述第一AC或RF电压源被设置为向所述多个第一电极中的相邻的或毗邻的电极 提供相反相位的所述第一 AC或RF电压；和/或(f)所述第一AC或RF电压源被设置为向所述多个第二电极中的相邻的或毗邻的电极 提供相反相位的所述第一 AC或RF电压；和/或(g)所述第一AC或RF电压产生一个或更多个径向伪势阱，该一个或更多个伪势阱用于 把离子径向地限制于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器内。
19.根据权利要求18所述的离子引导装置，该离子引导装置还包括第三装置，其被设 置成在时间段、将所述第一AC或RF电压的振幅逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性 增大、线性减小、以阶梯式、渐近或其它方式增大或者以阶梯式、渐近或其它方式减小Xl伏， 其中(a)Xl选自由以下各项构成的组(i)小于50V峰-峰值；(ii) 50-100V峰-峰值；(iii)100-150V 峰-峰值；(iv) 150-200V 峰-峰值；(v) 200-250V 峰-峰值；(vi) 250-300V 峰-峰值；(vii)300-350V 峰-峰值；(viii) 350-400V 峰-峰值；(ix) 400-450V 峰-峰 值；(x)450-500V 峰-峰值；(xi)500-550V 峰-峰值；(xxii) 550-600V 峰-峰值； (xxiii)600-650V 峰-峰值；(xxiv) 650-700V 峰-峰值；(xxv) 700-750V 峰-峰值； (xxvi)750-800V 峰-峰值；(xxvii) 800-850V 峰-峰值；(xxviii) 850-900V 峰-峰值； (xxix) 900-950V 峰-峰值；(xxx) 950-1000V 峰-峰值；以及(xxxi)大于 1000V 峰-峰值； 和/或(b)、选自由以下各项构成的组⑴小于1ms； (ii) l-10ms ； (iii) 10_20ms ；(iv) 20-30ms ； (v) 30-40ms ； (vi) 40-50ms ； (vii) 50-60ms ； (viii) 60-70ms ； (ix) 70-80ms ；(x)80-90ms； (xi)90-100ms ； (xii) 100-200ms ； (xiii) 200-300ms ； (xiv)300-400ms ； (xv) 400-500ms ； (xvi) 500-600ms ； (xvii) 600-700ms ； (xviii) 700-800ms ； (xix)800-900ms ； (xx)900-1000ms ； (xxi) l-2s ； (xxii)2-3s ； (xxiii)3-4s ； (xxiv)4-5s ； 以及(xxv)大于5s。
20.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，其中在使用中沿着所述第 一离子引导器的轴向长度的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、 90%或95%产生一个或更多个第一轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
21.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，其中该离子引导装置还包括 用于向所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少一些电极施加第二 AC或RF电 压的第二 AC或RF电压源，其中(a)所述第二AC或RF电压具有选自由以下构成的组的振幅⑴小于50V峰-峰值； (ii) 50-100V 峰-峰值；(iii) 100-150V 峰-峰值；(iv) 150-200V 峰-峰值；(v) 200-250V 峰-峰值；(vi) 250-300V 峰-峰值；(vii) 300-350V 峰-峰值；(viii) 350-400V 峰-峰值； (ix) 400-450V 峰-峰值；(x) 450-500V 峰-峰值；(xi) 500-550V 峰-峰值；(xxii) 550-600V 峰-峰值；(xxiii) 600-650V 峰-峰值；(xxiv) 650-700V 峰-峰值；(xxv) 700-750V 峰-峰 值；(xxvi)750-800V 峰-峰值；(xxvii) 800-850V 峰-峰值；(xxviii) 850-900V 峰-峰值； (xxix) 900-950V 峰-峰值；(xxx) 950-1000V 峰-峰值；以及(xxxi)大于 1000V 峰-峰值； 和/或(b)所述第二AC或RF电压具有选自由以下各项构成的组的频率(i)小于100kHz ； (ii) 100-200kHz ； (iii)200_300kHz ； (iv)300-400kHz ； (v)400_500kHz ； (vi)0. 5-1. 0MHz ； (vii) 1. 0-1. 5MHz ； (viii) 1. 5-2. 0MHz ； (ix) 2. 0-2. 5MHz ； (x) 2. 5-3. 0MHz ；(xi)3. 0-3. 5MHz ； (xii) 3. 5-4. 0MHz ； (xiii) 4. 0-4. 5MHz ； (xiv) 4. 5-5. 0MHz ； (xv) 5. 0-5. 5MHz ； (xvi) 5. 5-6. 0MHz ； (xvii) 6. 0-6. 5MHz ； (xviii) 6. 5-7. 0MHz ； (xix) 7. 0-7. 5MHz ； (xx) 7. 5-8. 0MHz ； (xxi) 8. 0-8. 5MHz ； (xxii) 8. 5-9. 0MHz ； (xxiii)9. 0-9. 5MHz ； (xxiv)9. 5-10. 0MHz ；以及(xxv)大于 10. 0MHz ；和 / 或(c)所述第二AC或RF电压源被设置为向所述多个第一电极中的至少1%、5%、10%、 15%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%,85%, 90%、95%或 100%和 / 或所述多个第一电极中的至少 1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、 14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38、 39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50个电极或多于50个电极施加所述第二 AC或RF电 压；和/或(d)所述第一AC或RF电压源被设置为向所述多个第二电极中的至少1%、5%、10%、 15%,20%,25%,30%,35%,40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%,85%, 90%、95%或 100%和 / 或所述多个第二电极中的至少 1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、 14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38、 39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50个电极或多于50个电极施加所述第二 AC或RF电 压；和/或(e)所述第二AC或RF电压源被设置为向所述多个第一电极中的相邻的或毗邻的电极提供相反相位的所述第二 AC或RF电压；和/或(f)所述第二AC或RF电压源被设置为向所述多个第二电极中的相邻的或毗邻的电极 提供相反相位的所述第二 AC或RF电压；和/或(g)所述第二AC或RF电压产生一个或更多个径向伪势阱，该一个或更多个径向伪势阱 用于把离子径向地限制于所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器内。
22.根据权利要求21所述的离子引导装置，该离子引导装置还包括第四装置，该第四 装置被设置成在时间段t2将所述第二 AC或RF电压的振幅逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、 扫描、线性增大、线性减小、以阶梯式、渐近或其它方式增大、或者以阶梯式、渐近或其它方 式减小^伏，其中(a)x2选自由以下各项构成的组(i)小于50V峰-峰值；(ii) 50-100V峰-峰值；(iii)100-150V 峰-峰值；(iv) 150-200V 峰-峰值；(v) 200-250V 峰-峰值；(vi) 250-300V 峰-峰值；(vii)300-350V 峰-峰值；(viii) 350-400V 峰-峰值；(ix) 400-450V 峰-峰 值；(x)450-500V 峰-峰值；(xi)500-550V 峰-峰值；(xxii) 550-600V 峰-峰值； (xxiii)600-650V 峰-峰值；(xxiv) 650-700V 峰-峰值；(xxv) 700-750V 峰-峰值； (xxvi)750-800V 峰-峰值；(xxvii) 800-850V 峰-峰值；(xxviii) 850-900V 峰-峰值； (xxix) 900-950V 峰-峰值；(xxx) 950-1000V 峰-峰值；以及(xxxi)大于 1000V 峰-峰值； 和/或(b)t2选自由以下各项构成的组⑴小于1ms； (ii) l-10ms ； (iii) 10_20ms ；(iv)20-30ms ； (v) 30-40ms ； (vi) 40-50ms ； (vii) 50-60ms ； (viii) 60-70ms ； (ix) 70-80ms ； (x)80-90ms ； (xi)90-100ms ； (xii) 100-200ms ； (xiii)200-300ms ； (xiv) 300-400ms ； (xv) 400-500ms ； (xvi) 500-600ms ； (xvii) 600-700ms ； (xviii) 700-800ms ； (xix) 800-900ms ； (xx) 900-1000ms ； (xxi) l-2s ； (xxii) 2-3s ； (xxiii) 3-4s ； (xxiv) 4-5s ； 以及(xxv)大于5s。
23.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，其中，在使用中沿着所述第 二离子引导器的轴向长度的至少1% >5% ,10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%, 90%或95%产生一个或更多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
24.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，其中，在使用中跨着或沿着所 述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的一个或更多个区段或部分保持非零轴向 和/或径向DC电压梯度。
25.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，该离子引导装置还包括用 于沿着或绕所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度或离子引导路径的至 少 1%,5%,10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100% 向上游和 / 或下游驱动或驱策离子的装置，其中所述装置包括(i)这样的一种装置，其用于向所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少 1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95% 或 100% 施加一个或更 多个瞬态DC电压或电势或者DC电压波形或电势波形，以便沿着所述第一离子引导器和 /或所述第二离子引导器的轴向长度的至少1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、 40%,45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%,85%,90%,95%^； 100% 向下游和 / 或上游驱策至少一些离子；和/或(ii)这样的一种装置，其被设置成向形成所述第一离子引导器和/或所述第二离子引 导器的电极施加两个或更多个相移的AC或RF电压，以便沿着所述第一离子引导器和/或 所述第二离子引导器的轴向长度的至少1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、 45%,50%,55%,60%,65%,70%,75%,80%,85%,90%,95%^； 100% 向下游和 / 或上游 驱策至少一些离子；和/或(iii)这样的一种装置，其被设置成向形成所述第一离子引导器和/或所述第二离子 引导器的电极施加一个或更多个DC电压以便产生或形成轴向和/或径向DC电压梯度，该 轴向或径向DC电压梯度具有沿着所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的轴 向长度的至少 1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、 65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%或100%向下游和/或上游驱策或驱动至少一些离 子的作用。
26.根据权利要求25所述的离子引导装置，该离子引导装置还包括第五装置，该第五 装置被设置成在时间段t3将所述一个或更多个瞬态DC电压或电势或DC电压波形或电势 波形的振幅、高度或深度逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶梯 式、渐近或其它方式增大、或者以阶梯式、渐近或其它方式减小x3伏；其中，x3选自由以下各项构成的组⑴小于0. lV;(ii)0. 1-0. 2V; (iii)0.2-0. 3V (iv)0. 3-0. 4V ； (v) 0. 4-0. 5V ； (vi) 0. 5-0. 6V ； (vii) 0. 6-0. 7V ； (viii)0. 7-0. 8V(ix)0. 8-0. 9V ； (x) 0. 9-1. 0V ； (xi) 1. 0-1. 5V ； (xii) 1. 5-2. 0V ； (xiii) 2. 0-2. 5V(xiv)2. 5-3. 0V ； (xv) 3. 0-3. 5V ； (xvi) 3. 5-4. 0V ； (xvii) 4. 0-4. 5V ； (xviii) 4. 5-5. 0V (xix)5. 0-5. 5V ； (xx) 5. 5-6. 0V ； (xxi)6. 0-6. 5V ； (xxii)6. 5-7. 0V ； (xxiii)7. 0-7. 5V(xxiv)7.5-8.0V;(xxv)8.0-8.5V;(xxvi)8.5-9.0V;(xxvii)9.0-9.5V (xxviii)9. 5-10. 0V ；以及(xxix)大于 10. 0V ；和 / 或其中，t3选自由以下各项构成的组(i)小于lms ； (ii) l-10ms ； (iii) 10_20ms ；(iv)20-30ms ； (v) 30-40ms ； (vi) 40-50ms ； (vii) 50-60ms ； (viii) 60-70ms ； (ix) 70-80ms ；(x)80-90ms； (xi)90-100ms ； (xii) 100-200ms ； (xiii) 200-300ms ； (xiv)300-400ms ；(xv)400-500ms ； (xvi)500-60 0ms ； (xvii) 600 — 700ms ； (xviii) 700-800ms ； (xix)800-900ms ； (xx) 900_1000ms ； (xxi) l_2s ； (xxii)2_3s ； (xxiii)3_4s ； (xxiv)4_5s ； 以及(xxv)大于5s。
27.根据权利要求26所述的离子引导装置，该离子引导装置还包括第六装置，该第六 装置被设置成在时间段t4把向所述电极施加所述一个或更多个瞬态DC电压或电势或DC 电压波形或电势波形的速度或速率逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减 小、以阶梯式、渐近或其它方式增大、或者以阶梯式、渐近或其它方式减小x4m/s ；其中，x4选自由以下各项构成的组⑴小于1 ;(ii)l-2 ;(iii)2-3 ;(iv)3-4 ；(v)4-5； (vi)5-6 ； (vii)6-7 ； (viii)7-8 ； (ix)8-9 ； (x)9-10 ； (xi) 10-11 ； (xii) 11-12 ； (xiii)12-13 ； (xiv)13 — 14 ； (xv)14—15 ； (xvi)15—16 ； (xvii)16—17 ； (xviii)17—18 ； (xix)18-19 ； (xx)19-20 ； (xxi)20-30 ； (xxii)30-40 ； (xxiii)40-50 ； (xxiv)50-60 ；(xxv)60-70 ；(xxvi) 70-80 ；(xxvii) 80-90 ； (xxviii) 90-100 ； (xxix) 100-150 ； (xxx) 150-200 ； (xxxi)200-250 ； (xxxii)250-300 ； (xxxiii)300-350 ； (xxxiv)350-400 ； (xxxv)400-450 ； (xxxvi)450-500 ；以及(xxxvii)大于 500 ；和 / 或其中，t4选自由以下各项构成的组(i)小于lms ； (ii) l-10ms ； (iii) 10_20ms ； (iv) 20-30ms ； (v) 30-40ms ； (vi) 40-50ms ； (vii) 50-60ms ； (viii) 60-70ms ； (ix) 70-80ms ； (x)80-90ms ； (xi)90-100ms ； (xii) 100-200ms ； (xiii)200-300ms ； (xiv)300-400ms ； (xv) 400-500ms ； (xvi) 500-600ms ； (xvii) 600-700ms ； (xviii) 700-800ms ； (xix) 800-900ms ； (xx) 900_1000ms ； (xxi) l-2s ； (xxii) 2_3s ； (xxiii) 3_4s ； (xxiv) 4_5s ； 以及(xxv)大于5s。
28.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，该离子引导装置还包括被 设置为沿着所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的长度或离子引导路径的至 少 1%,5% ,10%,20%,30%,40%,50%,60%,70%,80%,90%,95%^； 100% 保持恒定的 非零DC电压梯度的单元。
29.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，其中，所述第二装置被设置成 将离子从所述第一离子引导路径或所述第一离子引导器质量选择性地或质荷比选择性地 转移到所述第二离子引导路径或所述第二离子引导器中，和/或从所述第二离子引导路径 或所述第二离子引导器质量选择性地或质荷比选择性地转移到所述第一离子引导路径或 所述第一离子引导器中。
30.根据权利要求29所述的离子引导装置，其中，影响离子从所述第一离子引导路径 质量选择性地或质荷比选择性地转移到所述第二离子引导路径中和/或从所述第二离子 引导路径质量选择性地或质荷比选择性地转移到所述第一离子引导路径中的参数逐渐增 大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶梯式、渐近或其它方式增大、或者 以阶梯式、渐近或其它方式减小。
31.根据权利要求30所述的离子引导装置，其中，所述参数选自由以下各项构成的组(i)在使用中，跨着或沿着所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的一个或 更多个区段或部分保持的、或者在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的一个 或更多个区段或部分之间保持的轴向和/或径向DC电压梯度；和/或(ii)施加到所述多个第一电极和/或所述多个第二电极中的至少一些电极或大致全 部电极的一个或更多个AC或RF电压。
32.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，其中，所述第一离子引导器 和/或所述第二离子引导器被设置成接收离子束或组并且对所述离子束或组进行转换或 划分，以使得在任何特定时间离子的至少1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、 18、19或20个单独的离子包被限制和/或隔离于所述第一离子引导器和/或所述第二离子 引导器中，并且其中各个离子包被单独地限制和/或隔离于形成在所述第一离子引导器和 /或所述第二离子引导器内的单独的轴向势阱中。
33.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，其中(a)所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的一个或更多个部分包括离子迁 移谱仪或分离器部分、区段或级，其中根据离子在所述离子迁移谱仪或分离器部分、区段或 级中的离子迁移率使离子暂时性地分离；和/或(b)所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的一个或更多个部分包括高场非 对称波形离子迁移谱仪(FAIMS)部分、区段或级，其中使离子根据离子的随着所述高场非 对称波形离子迁移谱仪(FAIMS)部分、区段或级中的电场强度而变化的离子迁移率变化率暂时性地分离；和/或(c)在使用中，所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的一个或更多个区段 内提供有缓冲气体；和/或(d)在工作模式下，离子被设置为在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器 的一部分或一个区域内与气体分子相互作用后在不裂解的情况下被碰撞冷却；和/或(e)在工作模式下，离子被设置为在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器 的一部分或一个区域内与气体分子相互作用后被加热；和/或(f)在工作模式下，离子被设置为在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器 的一部分或一个区域内与气体分子相互作用后被裂解；和/或(g)在工作模式下，离子被设置为在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器 的一部分或一个区域内与气体分子相互作用后展开或至少部分地展开；和/或(h)在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的一部分或一个区域内轴向地 俘获离子。
34.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，其中所述第一离子引导器和 /或所述第二离子引导器还包括碰撞、裂解或反应装置，其中在工作模式下离子被设置为在 所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器内通过以下方式裂解(i)碰撞诱发解离 (“CID”)； (ii)表面诱发解离(“SID”)； (iii)电子转移解离(“ETD”)； (iv)电子捕获 解离(“ECD”)； (v)电子碰撞或冲击解离；(vi)光诱发解离(“PID”)； (vii)激光诱发解 离；(viii)红外辐射诱发解离；(ix)紫外辐射诱发解离；(x)热或温度解离；(xi)电场诱 发解离；(xii)磁场诱发解离；(xiii)酶消化或酶降解解离；(xiv)离子_离子反应解离； (xv)离子-分子反应解离；(xvi)离子-原子反应解离；(xvii)离子-亚稳态离子反应解 离；(xviii)离子-亚稳态分子反应解离；(xix)离子-亚稳态原子反应解离；以及(xx)电 子电离解离(“EID”)。
35.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，该离子引导装置还包括(i)用于将离子注入所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的装置；和/或(ii)用于将离子注入所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的、包括一个、 两个、三个或多于三个的分离的离子引导通道或输入离子引导区域的装置，通过该离子引 导通道或输入离子引导区域可以将离子注入所述第一离子引导器和/或所述第二离子引 导器；和/或(iii)用于将离子注入所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的、包括多个 电极的装置，该多个电极中的各电极包括一个、两个、三个孔或多于三个孔；和/或(iv)用于将离子注入所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的、包括一个或 更多个偏转电极的装置，其中在使用中向所述一个或更多个偏转电极施加一个或更多个电 压，以将离子从一个或更多个离子引导通道或输入离子引导区域导入所述第一离子引导器 和/或所述第二离子引导器中。
36.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，该离子引导装置还包括(i)用于从所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器排出离子的装置；和/或(ii)用于从所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器排出离子的装置，所述装 置包括一个、两个、三个或多于三个分离的离子引导通道或退出离子引导区域，离子可以从所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器排入该离子引导通道或退出离子引导区 域；和/或(iii)用于从所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器排出离子的装置，所述 装置包括多个电极，各电极包括一个、两个、三个孔或多于三个孔；和/或(iv)用于从所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器排出离子的装置，所述装 置包括一个或更多个偏转电极，其中在使用中向所述一个或更多个偏转电极施加一个或更 多个电压，以把离子从所述离子引导器导入一个或更多个离子引导通道或退出离子引导区 域中。
37.根据前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置，该离子引导装置还包括(a)用于在工作模式下将所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的至少一 部分保持在选自由以下各项构成的组的压强下的装置(i)大于1.0Xl(T3mbar;(ii)大 于 1. OX 10_2mbar ； (iii)大于 1. 0X10_1mbar ； (iv)大于 lmbar (v)大于 lOmbar ； (vi)大 于 lOOmbar ； (vii)大于 `5. OX l(T3mbar ； (viii)大于 5. OX 10_2mbar ； (ix) l(T4-l(T3mbar ； (x) l(T3-l(T2mbar ；以及(xi) 10"2-lOOmbar ；禾口 / 或(b)用于在工作模式下将所述第一离子引导器和/或第二离子引导器的至少L长 度保持在压强P下的装置，其中乘积PXL选自由以下各项构成的组(i)大于等于 1. OX lOOmbar cm;(ii)大于等于 1. 0 X l(T2mbarcm ； (iii)大于等于 1. 0 X lO—mbar cm; (iv)大于等于 lmbar cm ； (v)大于等于 lOmbar cm ； (vi)大于等于 102mbar cm ； (vii)大于 等于103mbar cm ； (viii)大于等于104mbar cm ；以及(ix)大于等于105mbar cm ；禾口 /或(c)用于在工作模式下将所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器保持在选 自由以下各项构成的组的压强下的装置(i)大于lOOmbar ;(ii)大于lOmbar ； (iii)大于 lmbar ； (iv)大于 0. lmbar ； (v)大于 lCT2mbar ； (vi)大于 lCT3mbar ； (vii)大于 lCT4mbar ； (viii)大于 10_5mbar ； (ix)大于 10_6mbar(x)小于 lOOmbar ； (xi)小于 lOmbar ； (xii)小 于 lmbar ； (xiii)小于 0. lmbar ； (xiv)小于 lOOmbar (xv)小于 l(T3mbar ； (xvi)小于 lOOmbar ； (xvii)小于 l(T5mbar ； (xviii)小于 lOOmbar ； (xix) 10-lOOmbar ； (xx) l-10mbar ； (xxi)0. 1-lmbar ； (xxii) 1(T2 至 lOOmbar ； (xxiii) 1(T3 至 10_2mbar ； (xxiv) 1(T4 至 lOOmbar ； 以及(xxv)l(T5 至 l(T4mbar。
38.一种质谱仪，该质谱仪包括前述权利要求中任意一项所述的离子引导装置。
39.根据权利要求38所述的质谱仪，该质谱仪还包括(a)设置在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的上游的离子源，其中所 述离子源选自由以下各项构成的组(i)电喷雾电离(“ESI”)离子源；(ii)大气压光电离 (“APPI”)离子源；(iii)大气压化学电离(“APCI”)离子源；(iv)基质辅助激光解吸电 离(“MALDI”)离子源；(v)激光解吸电离(“LDI”)离子源；(vi)大气压电离(“API”)离 子源；(vii)硅上解吸电离(“DI0S”)离子源；(viii)电子冲击(“EI”)离子源；(ix)化 学电离(“CI”)离子源；(x)场电离(“FI”)离子源；(xi)场解吸(“FD”)离子源；(xii) 感应耦合等离子体(“ICP”)离子源；(xiii)快原子轰击(“FAB”)离子源；(xiv)液体二 次离子质谱(“LSIMS”)离子源；(xv)解吸电喷雾电离(“DESI”)离子源；(xvi)镍-63放 射性离子源；(xvii)大气压基质辅助激光解吸电离离子源；(xviii)热喷雾离子源；和/或(b)连续或脉冲式离子源；和/或(c)设置在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的上游和/或下游的一个 或更多个离子引导器；和/或(d)设置在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的上游和/或下游的一个 或更多个离子迁移分离装置和/或一个或更多个高场非对称波形离子迁移谱仪装置；和/ 或(e)设置在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的上游和/或下游的一个 或更多个离子俘获器或一个或更多个离子俘获区域；和/或(f)设置在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的上游和/或下游的一个 或更多个碰撞、裂解或反应单元，其中所述一个或更多个碰撞、裂解或反应单元选自由以下 各项构成的组(i)碰撞诱发解离(“CID”)裂解装置；(ii)表面诱发解离(“SID”)裂解 装置；(iii)电子转移解离(“ETD”)裂解装置；(iv)电子捕获解离(“ECD”)裂解装置； (v)电子碰撞或冲击解离裂解装置；(vi)光诱发解离(“PID”)裂解装置；(vii)激光诱发 解离裂解装置；(viii)红外辐射诱发解离装置；(ix)紫外辐射诱发解离装置；(x)喷嘴-分 液器接口裂解装置；(xi)内源裂解装置；(xii)离子源碰撞诱发解离裂解装置；(xiii)热 或温度源裂解装置；(xiv)电场诱发裂解装置；(xv)磁场诱发裂解装置；(xvi)酶消化或酶 降解裂解装置；(xvii)离子-离子反应裂解装置；(xviii)离子-分子反应裂解装置；(xix) 离子_原子反应裂解装置；(xx)离子_亚稳态离子反应裂解装置；(xxi)离子_亚稳态分 子反应裂解装置；(xxii)离子_亚稳态原子反应裂解装置；(xxiii)用于使离子反应以形 成加合物或产物离子的离子-离子反应装置；(xxiv)用于使离子反应以形成加合物或产物 离子的离子_分子反应装置；(xxv)用于使离子反应以形成加合物或产物离子的离子_原 子反应装置；(xxvi)用于使离子反应以形成加合物或产物离子的离子_亚稳态离子反应 装置；(xxvii)用于使离子反应以形成加合物或产物离子的离子_亚稳态分子反应装置；(xxviii)用于使离子反应以形成加合物或产物离子的离子-亚稳态原子反应装置；以及(xxix)电子电离解离(“EID”)裂解装置；和/或(g)选自由以下各项构成的组的质量分析器(i)四极质量分析器；(ii)2D或线性四极 质量分析器；(iii)保罗或3D四极质量分析器；(iv)彭宁俘获器质量分析器；(v)离子俘 获器质量分析器；(vi)磁式扇形质量分析器；(vii)离子回旋共振(“ICR”)质量分析器； (viii)傅立叶变换离子回旋共振(“FTICR”)质量分析器；(ix)静电或轨道阱质量分析器； (x)傅立叶变换静电或轨道阱质量分析器；(xi)傅立叶变换质量分析器；(xii)飞行时间质 量分析器；(xiii)正交加速飞行时间质量分析器；以及(xiv)线性加速飞行时间质量分析 器；和/或(h)设置在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的上游和/或下游的一个 或更多个能量分析器或静电能量分析器；和/或(h)设置在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的上游和/或下游的一个 或更多个离子检测器；和/或(i)设置在所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的上游和/或下游的一 个或更多个质量过滤器，其中所述一个或更多个质量过滤器选自由以下各项构成的组(i) 四极质量过滤器；(ii) 2D或线性四极离子俘获器；(iii)保罗或3D四极离子俘获器；(iv) 彭宁离子俘获器；(v)离子俘获器；(vi)磁式扇形质量过滤器；(vii)飞行时间质量过滤器；以及(viii)维恩过滤器；和/或(j)用于使离子以脉冲形式进入所述第一离子引导器和/或所述第二离子引导器的装 置或离子门；和/或(k)用于将大致连续的离子束转换为脉冲式离子束的装置。
40.根据权利要求38或39所述的质谱仪，该质谱仪还包括 C形俘获器；以及轨道阱质量分析器；其中，在第一工作模式，离子被发送到所述C形俘获器然后注入所述轨道阱质量分析 器；以及其中，在第二工作模式，离子被发送到所述C形俘获器然后被发送到碰撞单元，其中至 少一些离子被裂解为裂解离子，并且其中所述裂解离子然后在被注入到所述轨道阱质量分 析器之前被发送到所述C形俘获器。
41.一种包括离子引导装置的质谱仪的控制系统可执行的计算机程序，所述离子引导 装置包括包括多个第一电极的第一离子引导器；以及包括多个第二电极的第二离子引导 器；所述计算机程序被设置为使所述控制系统(i)在第一离子引导路径和第二离子引导路径之间沿所述离子引导装置的长度在一个 或更多个点处产生一个或更多个伪势垒；以及(ii)通过驱策离子跨过一个或更多个伪势垒来将离子从所述第一离子引导路径转移 到所述第二离子引导路径中。
42.一种计算机可读介质，该计算机可读介质包括存储在该计算机可读介质上的计算 机可执行指令，所述指令被设置成能够由包括离子引导装置的质谱仪的控制系统执行，以 使所述控制系统执行以下操作，所述离子引导装置包括包括多个第一电极的第一离子引 导器；以及包括多个第二电极的第二离子引导器，(i)在第一离子引导路径和第二离子引导路径之间沿所述离子引导装置的长度在一个 或更多个点处产生一个或更多个伪势垒；以及(ii)通过驱策离子跨过所述一个或更多个伪势垒来将离子从所述第一离子引导路径 转移到所述第二离子引导路径中。
43.根据权利要求42所述的计算机可读介质，其中所述计算机可读介质选自由以下各 项构成的组(i)ROM ； (ii)EAROM ； (iii)EPROM ； (iv)EEPROM ； (v)闪存；以及(vi)光盘。
44.一种引导离子的方法，该方法包括以下步骤设置包括多个第一电极的第一离子引导器，其中沿着所述第一离子引导器或在所述第 一离子引导器内形成第一离子引导路径；设置包括多个第二电极的第二离子引导器，其中沿着所述第二离子引导器或在所述第 二离子引导器内形成不同的第二离子引导路径；在所述第一离子引导路径和所述第二离子引导路径之间沿着所述离子引导装置的长 度在一个或更多个点处产生一个或更多个伪势垒；以及通过驱策离子跨过所述一个或更多个伪势垒，来将离子从所述第一离子引导路径转移 到所述第二离子引导路径中。
45.一种质谱分析方法，该质谱分析方法包括根据权利要求44所述的方法。
46.一种离子引导装置，该离子引导装置包括两个或更多个平行地结合的离子引导器。
47.根据权利要求46所述的离子引导装置，其中所述两个或更多个平行地结合的离子 引导器包括第一离子引导器和第二离子引导器，其中所述第一离子引导器和/或所述第二 离子引导器选自由以下各项构成的组(i)包括多个电极的离子隧道式离子引导器，其中所述多个电极具有至少一个孔，使用 中离子穿过所述至少一个孔传送；和/或(ii)包括多个杆电极的杆集式离子引导器；和/或(iii)堆叠板式离子引导器，其包括大致设置于使用中离子所行进的平面中的多个板 电极。
48.根据权利要求46或47所述的离子引导装置，该离子引导装置还包括被设置成跨过 一个或更多个径向的或纵向的伪势垒在所述结合的离子引导器之间转移离子的装置。
49.一种引导离子的方法，该方法包括以下步骤沿着包括两个或更多个平行地结合 的离子引导器的离子引导装置引导离子。
50.根据权利要求49所述的方法，该方法还包括以下步骤跨过一个或更多个径向的 或纵向的伪势垒在所述结合的离子引导器之间转移离子。
全文摘要
公开了一种离子引导装置，该离子引导装置包括与第二离子引导器(8)相结合的第一离子引导器(7)。通过DC电势梯度驱策离子跨过将两个引导区域隔离开的径向伪势垒。可以将离子从具有相对大的截面轮廓的离子引导器转移到具有相对小的截面轮廓的离子引导器，以提高离子的后续离子约束。
文档编号H01J49/06GK101868843SQ200880115648
公开日2010年10月20日 申请日期2008年9月22日 优先权日2007年9月21日
发明者凯文·贾尔斯 申请人:英国质谱公司