反射电极结构件和离子源的制作方法

专利名称：反射电极结构件和离子源的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种离子源，尤其涉及一种反射电极结构件，该反射电极结构件设置 在离子源的等离子体生成容器内，配置成与放出电子的阴极相对，把电子向阴极一侧反射。
背景技术：
近年来，研究出一种技术，在离子源的等离子体生成容器内，利用阴极使原料气体 成为等离子体，通过利用该等离子体对被溅射材料进行溅射，使在离子束内含有所希望的 离子种类。具体地说，如专利文献1所示，以能够更换的方式保持设置在反射电极前端部的 被溅射材料，以便可以生成稳定的离子种类。其详细的结构包括做成筒形的反射电极以及 装在该反射电极前端部的被溅射构件(小金属板)。此外，在反射电极前端部的内侧圆周面 上设置向内侧突出的台阶部，在被溅射构件的外侧圆周面上设置有与所述台阶部卡止的卡 止部。在把所述被溅射构件的卡止部卡止在所述反射电极的台阶部上的状态下，通过从被 溅射构件的上部，把能与在反射电极内侧圆周面上形成的螺纹部螺纹配合的带螺纹的块部 件拧在所述螺纹部上，把被溅射构件固定在反射电极内。可是，这是利用反射电极固定被溅射构件的外侧圆周面的结构，考虑到要配置在 等离子体生成容器内的有限的空间内，反射电极的尺寸受到限制。于是收容在反射电极内 侧的被溅射构件的尺寸也受到限制，存在难以增大被溅射面的面积的问题。此外，这是把反射电极配置在被溅射构件的外侧圆周面上的结构，还存在反射电 极变大的问题。此外，在圆筒内侧圆周面上设置用于使带螺纹的块部件进行螺纹配合的螺 纹部，不仅使反射电极的结构变得复杂，而且在从单一构件切削制作等情况下，存在增加材 料成本和加工成本的问题。并且，对于从阴极发射出来的电子，反射电极配置在被溅射构件的外周，与阴极的 放出电子的部分相对的构件成为被溅射构件，存在对电子进行反射的反射效率降低以及等 离子体的生成效率降低的问题。专利文献1 日本专利公开公报特开2002-117780号

发明内容
因此，为了一举解决上述问题，本发明的目的是在尽可能增大被溅射面的面积的 同时，不仅使被溅射构件的安装结构简单化，而且使反射电极结构件紧凑，并且提高对从阴 极发射出来的电子进行反射的反射效率。即，本发明的反射电极结构件，设置在离子源的等离子体生成容器内，与放出用于 使原料气体等离子体化的电子的阴极相对配置，把所述电子向所述阴极一侧反射，其特征 在于包括被溅射构件，通过被等离子体溅射，放出规定的离子，具有贯通孔，该贯通孔贯通 被溅射面和所述被溅射构件的背面；以及电极主体，插入所述被溅射构件的所述贯通孔中， 支承所述被溅射构件，并且具有反射电极面，该反射电极面通过所述贯通孔在所述被溅射面一侧露出。 按照这样的结构，由于在被溅射构件上设置贯通孔，在该贯通孔中插入电极主体， 支承被溅射构件，所以在等离子体生成容器内，可以不管反射电极的结构，尽可能增大被溅 射构件的被溅射面，可以长期稳定地生成离子。此外，不仅可以使电极主体紧凑，而且可以 利用简单的结构把被溅射构件固定在电极主体上，可以容易地进行更换被溅射构件的作 业。再有，由于反射电极面通过被溅射构件的贯通孔露出，所以可以使该反射电极面与阴极 的放出电子的部分相对，可以提高对从阴极发射出的电子进行反射的反射效率。由此可以 提高等离子体的生成效率。 优选的是所述被溅射构件具有锪孔部，在所述被溅射构件的所述被溅射面上，把 所述贯通孔的开口部的直径扩大形成所述锪孔部，所述电极主体具有大直径部，该大直径 部形成在所述电极主体的前端部，与所述锪孔部卡合，在所述大直径部与所述锪孔部卡合 的状态下，所述被溅射构件支承在所述电极主体上，并且所述大直径部的前端面成为所述 反射电极面。按照这样的结构，可以简单地对被溅射构件和电极主体定位。此外，在反射电 极结构件设置成铅垂向下的情况下，可以不需要其它的固定用部件，可以使反射电极结构 件的结构非常简单。在离子束的生成工序中，可以认为被溅射构件的消耗比电极主体的消耗大。因此 在生成工序中消耗的结果，会出现反射电极面比被溅射面更位于阴极一侧。在这种情况下， 等离子体中的离子被拉向比被溅射面更位于前方的反射电极面。因此等离子体中的离子难 以与被溅射面碰撞，存在离子束的生成效率降低的问题。为了解决该问题，优选的是在所 述大直径部与所述锪孔部卡合的状态下，所述被溅射面比所述反射电极面更位于所述阴极 一侧。为了利用简单的结构固定被溅射构件和电极主体，优选的是在所述电极主体的 外侧圆周面上形成有螺纹部，通过从所述被溅射构件的背面把螺母构件拧在所述螺纹部 上，利用所述大直径部和所述螺母构件夹持固定所述被溅射构件。为了不考虑被溅射构件的圆周方向的安装精度，或者为了沿反射电极面的圆周方 向从被溅射构件均勻放出离子，优选的是所述被溅射构件为大体圆板形，在所述被溅射构 件的大体中央部形成所述贯通孔。此外，本发明的离子源的特征在于包括等离子体生成容器，在内部生成等离子 体，兼作为阳极，并且具有离子引出口，原料气体被导入该等离子体生成容器的内部；阴极， 设置在所述等离子体生成容器中，放出电子，该电子用于使所述原料气体等离子体化；以及 反射电极结构件，在所述等离子体生成容器内，配置成与所述阴极相对，把所述电子向所述 阴极一侧反射，所述反射电极结构件包括被溅射构件，通过被所述等离子体溅射，放出规 定的离子，具有贯通孔，该贯通孔贯通被溅射面和所述被溅射构件的背面；以及电极主体， 插入所述被溅射构件的所述贯通孔中，支承所述被溉射构件，并且具有反射电极面，该反射 电极面通过所述贯通孔在所述被溅射面一侧露出。为了尽可能提高反射电极面对电子进行反射的反射效率，优选的是所述阴极的 电子放出部的中心和所述反射电极面的中心大体配置在同轴上。按照所述结构的本发明，可以在尽可能增大被溅射面的面积的同时，不仅可以使 被溅射构件的安装结构简单化，而且可以使反射电极结构件紧凑，并且可以提高对从阴极发射出的电子进行反射的反射效率。


图1是示意表示本发明的离子源的一个实施方式的剖视图。图2是示意表示与图1相同的实施方式的反射电极结构件的立体图。图3是示意表示与图1相同的实施方式的反射电极结构件的剖视图。图4是与图1相同的实施方式的被溅射构件的俯视图。图5是与图1相同的实施方式的螺母构件的俯视图。图6是表示反射电极结构件的变形例的图。图7是表示反射电极结构件的变形例的图。附图标记说明100 ...离子源
2 ...等离子体生成容器
22 ...离子引出口
3 ...阴极(热阴极)
3a ...电子放出部
4 ...反射电极结构件
41 . ·被溅射构件
41A . ·被溅射面
411 ...贯通孔
412 ...锪孔部
42 ...电极主体
42X ...反射电极面
422 . ·.大直径部
421η.·.螺纹部
43 .. 螺母构件
具体实施例方式下面参照附图对本发明的离子源的一个实施方式进行说明。如图1所示，本实施方式的离子源100产生离子束IB，该离子束IB含有铝离子等 规定的离子，离子源100包括等离子体生成容器2 ；热阴极3，设置在该等离子体生成容器 2中；以及反射电极结构件4，在等离子体生成容器2内与所述热阴极3相对配置。下面对等离子体生成容器2 反射电极结构件4等各部分进行说明。等离子体生成容器2是例如做成长方体形的容器，在内部生成等离子体，等离子 体生成容器2兼作为电弧放电的阳极，具有气体导入口 21，用于把作为原料气体的可电离 气体导入内部；以及离子引出口 22，用于把在内部生成的离子向外部引出。此外，气体导入 口 21和离子引出口 22在等离子体生成容器2的壁面上形成。通过气体导入口 21，例如把含氟的可电离气体导入等离子体生成容器2内。如图 1所示，气体导入口 21的位置例如设置在与离子引出口 22相对的位置上。此外，气体导入口 21的位置只要是能把原料气体导入等离子体生成容器2内的位置，就不限于此。使用含 氟的可电离气体是因为氟的化学作用非常强，与其它物质的反应性强，所以利用使含氟的 可电离气体电离生成的等离子体，使从后面叙述的被溅射构件41放出铝离子等规定离子 的作用强。含氟的可电离气体例如是含有三氟化硼(BF3)、四氟化硅(SiF4)、四氟化锗(GeF4) 等氟化物或氟(F2)的气体。该含氟的可电离气体例如可以使用氟化物气体本身或氟本身， 也可以是用适当的气体(例如氦气)对它们进行稀释后的气体。在等离子体生成容器2内的一侧(图1中的上侧)设置有热阴极3，该热阴极3与 等离子体生成容器2电绝缘，向等离子体生成容器2内放出热电子。如图1所示，本实施方式的热阴极3为称为旁热式的热阴极，具有阴极构件31， 通过加热放出热电子；以及灯丝32，加热该阴极构件31。加热灯丝32的加热电源11连接在灯丝32上。在灯丝32和阴极构件31之间连 接有直流的轰击电源12，并且连接成使阴极构件31为正极一侧，轰击电源12把从灯丝32 放出的热电子向阴极构件31加速，利用该热电子的冲击加热阴极构件31。在阴极构件31 和等离子体生成容器2之间连接有直流的电弧电源13。该电弧电源13用于把电弧电压Va 施加在阴极构件31和等离子体生成容器2之间，在两者之间产生电弧放电，使导入到等离 子体生成容器2内的可电离气体电离，生成等离子体，电弧电源13的正极一侧连接在等离 子体生成容器2上。在等离子体生成容器2内的另一侧(与热阴极3相反一侧，亦即图1中的下侧) 设置有反射电极结构件4，该反射电极结构件4与热阴极3相对，向热阴极3 —侧反射等离 子体生成容器2内的电子(主要是从热阴极3放出的热电子，以下相同)。反射电极结构件4通过绝缘体(在本实施方式中为间隙)与等离子体生成容器2 电绝缘。具体地说，如图2和图3所示，反射电极结构件4包括被溅射构件41，通过等离 子体对被溅射构件41进行溅射，被溅射构件41放出规定的离子；以及电极主体42，支承被 溅射构件41，并且具有反射电极面42X，该反射电极面42X反射电子。此外，以等离子体生成容器2的电位为基准，从直流的偏压电源14把负的偏压Vb 施加在电极主体42上(参照图1)。该偏压Vb的大小由兼顾利用电极主体42(反射电极面 42X)的电子反射作用和利用等离子体中的离子对被溅射构件41 (被溅射面41A)进行溅射 的作用等来决定。从这样的观点出发，偏压Vb例如优选的是40V 150V左右。在该范围 内，在可电离气体为含三氟化硼(BF3)的气体的情况下，偏置电压Vb更优选的是60V 120V 左右ο被溅射构件41通过暴露在等离子体中，放出规定的离子，在本实施方式中，由用 于生成铝离子束IB的氧化铝(Al2O3)构成。具体地说，如图2 图4所示，被溅射构件41大体为圆板形，在其大体中央部形成 有贯通孔411，该贯通孔411贯通作为被溅射的面的被溅射面41A和被溅射构件41的背面。 在本实施方式中，该贯通孔411是与后面叙述的电极主体42的断面形状大体相同的圆孔， 但也可以是其它的形状。作为用于生成铝离子束IB的被溅射材料也可以使用氮化铝(AlN)等铝化合物。此 外，根据离子束IB的种类，使用的被溅射构件41使用含有想取出的规定离子的材料。
被溅射构件41具有锪孔部412，在被溅射面41A上把贯通孔411的被溅射面41A 一侧的开口部的直径扩大形成该锪孔部412。锪孔部412形成为与贯通孔411同心的圆形。 即，本实施方式的被溅射构件41做成旋转体形。如图2和图3所示，电极主体42做成大体为圆柱形，包括小直径部421，具有可 以在贯通孔411中插拔自如的外径；以及大直径部422，外径比该小直径部421大，不能插 入到贯通孔411中，并且能与锪孔部412卡合。该大直径部422的与中心轴垂直的断面形状(在本实施方式中为圆形)与锪孔部 412的与中心轴垂直的断面形状(在本实施方式中为圆形)大体相同，大直径部422嵌入 到锪孔部412中，不能晃动或稍能晃动。由此，由于被溅射构件41和电极主体42为旋转体 形，所以与电极主体42和被溅射构件41在径向上的相对位置无关，可以把电极主体42插 入贯通孔411中，并且把大直径部422嵌入到锪孔部412中。由此可以简化组装作业和更 换被溅射构件41的作业。此外，电极主体42例如由具有相同圆形断面的原材料通过切削加工制成。作为电 极主体42的材料，例如可以使用钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、钼(Mo)或碳(C)等高融点材料或 它们的合金。此外，大直径部422的前端面(在图2、图3中的上表面)成为反射电极面42X。由 此，在把电极主体42和被溅射构件41连接的状态下，反射电极面42X在被溅射面41A —侧 露出。即，在使大直径部422嵌入锪孔部412的状态下，从被溅射面41A—侧可以看到反射 电极面42X。由此，可以使电场直接作用在来自热阴极3的电子上，可以提高对电子进行反 射的反射效率。此外，大直径部422的轴向长度比锪孔部412的轴向长度短，在大直径部422与锪 孔部412卡合的状态下，被溅射面41A位于比反射电极面42X更靠向热阴极3 —侧。按照 这样的结构，在生成离子束的工序中，可以防止因反射电极面42X位于比被溅射面41A更靠 向热阴极3—侧而造成的溅射效率降低，从而可以防止离子束的生成效率降低。由此可以 长期稳定地提供离子束IB。此外，在电极主体42上形成有螺纹部421η，该螺纹部421η形成在电极主体42的 除了大直径部422以外的一部分或全部(即小直径部421轴向上的一部分或全部)的外 侧圆周面上(参照图3)。而且，通过把螺母构件43从被溅射构件41的背面拧在该螺纹部 421η上，利用大直径部422和螺母构件43夹持固定被溅射构件41。由此，可以防止被溅射 构件41从电极主体42上脱落。此时，只要在利用大直径部422和螺母构件43可以夹持固 定被溅射构件41的范围内形成螺纹部421η就可以，在本实施方式中，在大直径部422与锪 孔部412卡合的状态下，在螺母构件43可以螺纹配合的范围内形成螺纹部421η。如图5所示，螺母构件43做成大体为圆环形，例如由钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)、钼 (Mo)或碳(C)等高融点材料构成。此外，螺母构件43从制造工序和制造成本的问题考虑， 往往做成圆环形，但为了容易进行紧固作业，将螺母构件43切削成至少具有相对的边43L、 43Μ。由此，用户可以用手容易地拧紧螺母构件43。这样构成的反射电极结构件4由夹持机构5夹持，夹持机构5是设置在等离子体 生成容器2外部的夹紧装置(clamp)等，阴极3的电子放出部3a的中心和反射电极面42X 的中心配置成大体位于同轴(中心轴C)上(参照图1)。此时，夹持机构5相对于等离子
7体生成容器2定位成使得在夹持机构5夹持反射电极结构件4的状态下，反射电极面42X 的中心与阴极3的电子放出部3a的中心大体位于相同的中心轴C上。此外，夹持机构5夹 持反射电极结构件4的电极主体42的没有连接被溅射构件41的端部一侧。按照这样的结 构，反射电极面42X的中心和阴极3的电子放出部3a的中心大体位于相同的轴(中心轴C) 上，可以提高对电子进行反射的反射效率。此外，在本实施方式中，在用夹持机构5夹持的 反射电极结构件4与等离子体生成容器2之间形成间隙，该间隙成为绝缘体，使反射电极结 构件4与等离子体生成容器2电绝缘。此外，离子引出口 22为沿中心线C形成的长的狭缝形。此外，由于离子引出口 22 沿中心线C形成，所以可以提高离子束的生成效率。除此以外，在等离子体生成容器2的外部设置有磁铁6，该磁铁6在等离子体生成 容器2内产生沿着连接热阴极3和反射电极结构件4(具体地说是电极主体42)的线(中 心线C)的磁场。该磁铁6例如是电磁铁，但也可以是永久磁铁。磁场方向也可以是与图1 所示相反的方向。利用上述这样的反射电极结构件4和存在的磁场，等离子体生成容器2内的电子 边以磁场的方向为轴在磁场中旋转，边在热阴极3和反射电极结构件4之间进行往复运动， 其结果，该电子和可电离气体的气体分子碰撞的概率变高，可电离气体的电离效率提高，所 以提高了等离子体的生成效率。更具体地说，可以在热阴极3和反射电极结构件4之间生 成高密度的等离子体。在离子引出口 22的出口附近设置有引出电极系统7，该引出电极系统7从等离子 体生成容器2内(更具体地说，从在等离子体生成容器2内生成的等离子体)引出离子束 IB。该引出电极系统7在图1中由一个电极构成，但不限于此，该引出电极系统7也可以由 多个电极构成。在该离子源100中，由氧化铝构成的被溅射构件41暴露在使含氟可电离气体电离 生成的等离子体中。然后通过利用该等离子体中的氟离子、氟自由基等的侵蚀，以及利用 该等离子体中的氟离子等离子的溅射等，从被溅射构件41向等离子体中放出铝离子等铝 粒子，从而使等离子体中含有铝离子。在从被溅射构件41放出的铝粒子中，既有作为铝离 子被放出的物质，也有作为中性的铝原子被放出的物质。中性的铝原子也以某种程度的比 例，通过与等离子体中的电子碰撞被电离，变成铝离子。这样就使在等离子体中含有铝离子 (例如Al+，Al2+，Al3+，以下相同)。其结果，可以生成含有该铝离子的离子束IB。本实施方式的效果按照这样构成的本实施方式的离子源100，在被溅射构件41上设置贯通孔411，电 极主体42插入该贯通孔411中，从而支承被溅射构件41，因此在等离子体生成容器2内，不 会受到电极主体42结构的限制，可以尽可能地增大被溅射构件41的被溅射面41A，可以长 期稳定地生成离子。此外，不仅可以使电极主体42紧凑，而且可以利用非常简单的结构把 被溅射构件41固定在电极主体42上，可以容易地进行更换被溅射构件41的作业。此外， 由于采用反射电极面42X通过被溅射构件41的贯通孔411露出的结构，所以可以使该反射 电极面42X与热阴极3放出电子的部分相对，可以提高对从阴极3发射出来的电子进行反 射的反射效率。由此可以提高等离子体的生成效率，进而可以提高离子束IB的生成效率。其它的变形实施方式
此外，本发明不限于所述实施方式。例如，作为反射电极结构件4中的连接被溅射构件41和电极主体42的连接结构， 不限于所述实施方式，可以考虑采用下述的多种方法。如图6㈧所示，在把反射电极结构件4沿铅垂方向朝向下进行安装的情况下(把 所述实施方式的热阴极3和反射电极结构件4颠倒过来配置的情况下)，不需要使用螺母构 件43。此外，此时也没有必要在电极主体42上设置螺纹部421η。由此可以进一步简化结 构，并可以减少零件的数量。此外，如图6(B)所示，也可以在被溅射构件41的贯通孔411中的内侧圆周面上形 成螺纹部41 In，并且在电极主体42的前端部上形成螺纹部42η，通过使它们螺纹配合，连接 被溅射构件41和电极主体42。此外，此时，电极主体42的插入一侧的前端面成为反射电极 面 42Χ。此外，如图6(C)所示，也可以把被溅射构件4 1的贯通孔411做成越到下方越粗 的锥形，把电极主体42的前端部做成越到前端直径越小的锥形，使电极主体42的锥形部嵌 入贯通孔411中。此时，电极主体42的插入一侧的前端面成为反射电极面42Χ。由此，不需 要形成螺纹部，因此可以使结构进一步简化，并可以减少零件的数量。此外也可以把任意一 个做成锥形，在把电极主体42的前端部插入被溅射构件41的贯通孔411中的状态下卡住。此外，如图6(D)所示，也可以在电极主体42的中间部位设置支承部423，该支承 部423从下方支承被溅射构件41，在把电极主体42的前端部插入被溅射构件41的贯通孔 411中的状态下，利用支承部423进行支承，使得被溅射构件41不向下脱落。此时，电极主 体42的插入一侧的前端面成为反射电极面42Χ。由此，不需要在电极主体42和被溅射构件 41上形成螺纹部，可以使结构简单。如图7(A)所示，对于螺母构件43的结构，在通过与大直径部422的关系夹持固定 被溅射构件41的状态下，螺母构件43也可以覆盖被溅射构件41的整个下表面。这样的 话，即使被溅射构件41破损，也可以防止其碎片落下，可以防止利用溅射生成离子的效率 降低。此时，螺母构件43也可以做成盘形，覆盖被溅射构件41的外周，用于进一步防止被 溅射构件41落下。如图7(B)所示，在不使用螺母构件43的结构中，可以采用使支承部423覆盖被溅 射构件41的整个下表面的结构，也可以使支承部423采用盘形，使得覆盖被溅射构件41的 外周。此时，由于考虑到如果使电极主体42—体形成，则增加制造成本，所以可以考虑通过 分别制作电极主体42的主体构件和构成支承部的支承构件，把主体构件压入到支承构件 的孔中，来构成电极主体42。此外，所述实施方式的热阴极为旁热式，但除此以外也可以是直热式。此外，除了利用夹持机构固定反射电极结构件以外，也可以通过绝缘件把反射电 极结构件固定在等离子体生成容器上。此外，被溅射构件的形状不限于大体为圆板形，也可以是其它各种形状。此外，电 极主体的断面形状只要是可以插入在被溅射构件上形成的贯通孔中的形状即可，并不限定 为圆形。此外，本发明不限于所述实施方式，在不脱离本发明宗旨的范围内可以进行各种 各样的变形。
权利要求
1.一种反射电极结构件，设置在离子源的等离子体生成容器内，与放出用于使原料 气体等离子体化的电子的阴极相对配置，把所述电子向所述阴极一侧反射，其特征在于包 括被溅射构件，通过被等离子体溅射，放出规定的离子，具有贯通孔，该贯通孔贯通被溅 射面和所述被溅射构件的背面；以及电极主体，插入所述被溅射构件的所述贯通孔中，支承所述被溅射构件，并且具有反射 电极面，该反射电极面通过所述贯通孔在所述被溅射面一侧露出。
2.根据权利要求1所述的反射电极结构件，其特征在于，所述被溅射构件具有锪孔部，在所述被溅射构件的所述被溅射面上，把所述贯通孔的 开口部的直径扩大形成所述锪孔部，所述电极主体具有大直径部，该大直径部形成在所述电极主体的前端部，与所述锪孔 部卡合，在所述大直径部与所述锪孔部卡合的状态下，所述被溅射构件支承在所述电极主体 上，并且所述大直径部的前端面成为所述反射电极面。
3.根据权利要求2所述的反射电极结构件，其特征在于，在所述大直径部与所述锪孔 部卡合的状态下，所述被溅射面比所述反射电极面更位于所述阴极一侧。
4.根据权利要求2或3所述的反射电极结构件，其特征在于，在所述电极主体的外侧圆 周面上形成有螺纹部，通过从所述被溅射构件的背面把螺母构件拧在所述螺纹部上，利用 所述大直径部和所述螺母构件夹持固定所述被溅射构件。
5.根据权利要求4所述的反射电极结构件，其特征在于，所述被溅射构件为大体圆板 形，在所述被溅射构件的大体中央部形成所述贯通孔。
6.根据权利要求1、2或3所述的反射电极结构件，其特征在于，所述被溅射构件为大体 圆板形，在所述被溅射构件的大体中央部形成所述贯通孔。
7.一种离子源，其特征在于包括等离子体生成容器，在内部生成等离子体，兼作为阳极，并且具有离子引出口，原料气 体被导入该等离子体生成容器的内部；阴极，设置在所述等离子体生成容器中，放出电子，该电子用于使所述原料气体等离子 体化；以及反射电极结构件，在所述等离子体生成容器内，配置成与所述阴极相对，把所述电子向 所述阴极一侧反射，所述反射电极结构件包括被溅射构件，通过被所述等离子体溅射，放出规定的离子，具有贯通孔，该贯通孔贯通 被溅射面和所述被溅射构件的背面；以及电极主体，插入所述被溅射构件的所述贯通孔中，支承所述被溅射构件，并且具有反射 电极面，该反射电极面通过所述贯通孔在所述被溅射面一侧露出。
8.根据权利要求7所述的离子源，其特征在于，所述阴极的电子放出部的中心和所述 反射电极面的中心大体配置在同轴上。
全文摘要
本发明提供一种反射电极结构件和离子源，能在尽可能增大被溅射面的面积的同时，不仅能简化被溅射构件的安装结构，而且能使反射电极结构件紧凑，并且能提高对从阴极发射出来的电子进行反射的反射效率。反射电极结构件(4)设置在等离子体生成容器(2)内，与阴极(3)相对配置，把电子向阴极(3)一侧反射，其包括被溅射构件(41)，通过被等离子体溅射，放出规定的离子，具有贯通被溅射面(41A)和被溅射构件背面的贯通孔(411)；以及电极主体(42)，插入被溅射构件(41)的贯通孔(411)中，支承被溅射构件(41)，并且具有通过贯通孔(411)在被溅射面(41A)一侧露出的反射电极面(42X)。
文档编号H01J27/20GK102097271SQ20101022532
公开日2011年6月15日 申请日期2010年7月9日 优先权日2009年12月10日
发明者井合哲也, 山下贵敏, 池尻忠司 申请人:日新离子机器株式会社