减少辐射电磁干扰的等离子体显示装置的制作方法

专利名称：减少辐射电磁干扰的等离子体显示装置的制作方法
技术领域：
根据本发明的方法和装置涉及减小电磁干扰(EMI)辐射的等离子体显示装置，更具体地，涉及通过底架的结构来减少EMI辐射的等离子体显示装置。
背景技术：
平面型显示装置已经被广泛地使用，且主要应用于便携器件，并由于技术的发展 而在大尺寸显示装置领域中日益取代阴极射线管(CRT)显示器。在这些平面型显示装置中，等离子体显示面板(下文称为“PDP”)利用由等离子体 发出的光显示文本和图形，该等离子体在气体放电期间产生。与其它平面型显示装置相比， PDP具有高亮度和高发光效率以及宽视角的优点，所以近几年PDP被广泛使用。但是，PDP的一个缺点是等离子体显示装置被驱动时产生电磁波噪声，并引起电磁 干扰(EMI)。也就是说，由于大约200V的高电压和2A或更大的均方根(RMS)电流施加到 构成PDP的电极上，所以引起气体放电的驱动波的能量导致该面板的该电极通过天线辐射 EMI。EMI产生电磁波噪声干扰，该电磁波噪声干扰使期望的电磁信号的接收受阻并由 此导致电子器件的故障。同样，EMI以电子能量的形式被活体吸收并增高了活体的温度，从 而损坏了活体的组织/功能。因此，需要一种用于减小在PDP驱动期间所产生的EMI的方法。

发明内容
本发明的示范性实施方式克服了以上缺点和以上没有描述的其它缺点。同样，本 发明不需要克服上述缺点，本发明的示范性实施方式可以不克服上述的任何问题。本发明提供了一种等离子体显示装置，其具有用于减少EMI辐射的底架的结构。根据本发明的方面，等离子体显示装置包括面板；驱动电路，驱动面板；和底架， 连接到驱动电路并具有至少一个狭缝，该至少一个狭缝形成连接到驱动电路的部分周围。至少一个狭缝可以形成使得底架被分为第一区和第二区，该第一区包括驱动电路 连接到的部分，该第二区不包括驱动电路连接到的该部分。至少一个狭缝可以形成为具有在第一区与第二区之间的电通路。由驱动电路产生的电流可以通过驱动电路连接到的部分传输到第一区。可以设置多个狭缝，传输到第一区的电流的一部分通过在多个狭缝之间形成的通 路从第一区传输到第二区，传输到第一区的剩余电流可以在第一区中环绕，从而消减EMI。消减EMI的程度可以基于每个狭缝的厚度和多个狭缝之间的间隙来确定。驱动电路可以包括X电极驱动电路和Y电极驱动电路，至少一个狭缝可以包括第 一狭缝和第二狭缝，该第一狭缝形成在X电极驱动电路连接到的部分周围，该第二狭缝形 成在Y电极驱动电路连接到的部分周围。可以设置多个第一狭缝或多个第二狭缝，底架可以形成为具有在多个第一狭缝之间的电通路或在多个第二狭缝之间的电通路。等离子体显示装置可进一步包括控制器，控制驱动电路；和隔离IC，电隔离控制 器与驱动电路之间的接地电势。驱动电路和底架可以通过导电材料彼此连接。根据本发明另一方面，等离子体显示装置包括面板；驱动电路，驱动面板；和底 架，连接到驱动电路，并形成为使得除了预定区域之外，驱动电路连接到的区域与驱动电路 没有连接到的区域彼此分离。本发明的其它方面和优点将在详细描述中阐述，将通过详细描述而显而易见，或 者可以通过实践本发明而习知。


通过参考附图对本发明的示范性实施方式进行详细描述，本发明的上述和/或其 它方面将变得更加明显，附图中图1为示出根据本发明示范性实施方式的等离子体显示装置的侧截面图
图2为示出涂覆有功能材料的上面板的视图3为用于参考波长解释功能材料的作用的视图4为示出上面板的制造工艺的视图5为示出下面板的制造工艺的视图6为涂覆功能材料的工艺的流程图7为示出涂覆有功能材料的面板的视图8为示出在TSS与底架之间的耦接结构的视图9为用于解释利用衬垫屏蔽EMI的方法的视图10为示出根据本发明示范性实施方式的底架的视图11为用于解释等离子体显示装置的驱动方法的视图12为示出根据本发明另一示范性实施方式的底架的视图13为示出根据本发明又一示范性实施方式的底架的视图14为示出根据本发明又一示范性实施方式的底架的视图15为图14的底架的透视图16为示出根据本发明又一示范性实施方式的底架的视图；以及
图17为示出增加了隔离IC的底架的视图。
具体实施例方式以下，将参考其中示出示范性实施方式的附图更加详细地描述本发明。在后文的描述中，当相同的附图标记在不同的附图中示出时，它们被用于相同的 元件。在说明书中定义的事物，诸如，详细的构造和元件，被提供以帮助全面理解本发明。因 此，显然本发明的示范性实施方式能在没有这些特别定义的事物的情况下被实施。同样，不 再详细描述在相关技术中公知的功能或元件，因为它们会以不必要的细节而使本发明不明显。图1为示出根据本发明示范性实施方式的等离子体显示装置100的侧截面图。等离子体显示装置100满足对于EMI适当的电磁波标准并提供了能够被使用者看到的图像。等离子体显示装置100包括面板110、散热片(thermal spread sheet, TSS) 120、 衬垫130、底架140、驱动电路150和背盖160。面板110利用由内部气体放电导致的真空紫外线来激发荧光材料，从而显示图 像。面板110包括上面板111和下面板113。通过用密封材料112诸如玻璃料接合上面板 111和下面板113的边缘，上面板111和下面板113构成单个面板110。在上面板111与下 面板113之间的内部空间中，其中上面板111和下面板113的边缘用密封材料112密封，布 置多个放电单元，每个放电单元填充有Ne和Xe的混合物。功能材料114直接涂覆在上面板111的上部分上以实现防止表面反射、校正颜色 和吸收近红外线。这将参考图2至图7解释。图2示出了涂覆有功能材料的上面板111的视图。在图2中，为了便于解释，下面 板113与上面板111和功能材料114 一同示出，但是没有示出密封材料112。如图2所示，功能材料114涂覆在上面板111的上侧，即，在将被使用者看到的侧 面上，上面板111与下面板113相对。功能材料114分为防止表面反射的材料①、校正颜色 并提高色纯度的材料②以及吸收近红外线的材料③。具有防止光学反射特性的Si02、Zr0、Ti02被用作防止表面反射的材料①。通过涂 覆这种材料，防止了对观看者的亮光以及表面上的刮痕和静电。吸收580nm至590nm波长的光的颜料被用作校正颜色并提高色纯度的材料②。通 过涂覆这种材料，防止580nm至590nm波长的光提供给使用者，由此改善了颜色再现性和白 色偏差校正。诱发多层膜的光干涉的Ag或者吸收具有近红外线带宽(从SOOnm至1200nm)的 波长的光的颜料被用作吸收近红外线的材料③。通过涂覆这种材料，防止SOOnm至1200nm 波长的光提供给使用者，并由此防止由与遥控器的波长带宽干扰而引起的等离子体显示装 置100的故障。涂覆校正颜色并提高色纯度的功能材料的原因是如上所述，Ne填充放电单元。 同样，涂覆吸收近红外线的功能材料的原因是如上所述，Xe填充放电单元。即，在放电操 作期间，Ne产生580nm至590nm波长的光，Xe产生近红外线带宽的波长，但是由Ne和Xe产 生的波长使得等离子体显示装置100的颜色品质恶化并且由于与远程控制器的干扰而造 成故障。通过在上面板111的上部分上涂覆能够解决上述问题的功能材料，等离子体显示 装置100过滤掉580nm至590nm波长的光和800nm至1200nm波长的光。图3为提供用于 参考波长解释功能材料的作用的视图。因此，使用者能看到高质量而没有故障的图像。根据本发明示范性实施方式的等离子体显示装置100在上表面111的上部分上 (即，在等离子体显示装置100的前表面上)没有用于屏蔽EMI的额外构造或材料。这是因 为利用衬垫130和底架140的结构能屏蔽EMI，下文将提供其详细描述。下文，将参考图4至图7描述在上面板111上涂覆功能材料114的工艺。图4为示出制造上面板111的工艺的视图。为了制造上面板111，提供上玻璃400 且在上玻璃400的上部上图案化铟锡氧化物(ITO)电极410。ITO电极410是透明电极，其用于防止在X电极与Y电极之间产生的光由于不透明的X和Y电极而变得不可见，这将在 后文描述。在图案化ITO电极410之后，在ITO电极410的上部分上图案化汇流电极(X电极 和Y电极)420。X电极和Y电极交替地接收维持电压，并且关于所选的像素进行维持放电。在图案化汇流电极420之后，在上玻璃400的上部分上图案化黑条(black Stripe)430。黑条430形成在像素之间并用于保持像素彼此间隔开。在图案化黑条430之后，涂覆电介质层440和MgO保护层450。电介质层440和 MgO保护层450保持将在后文描述的寻址电极与上文所述的汇流电极420之间的电绝缘，从 而稳定地产生等离子体并防止电极被等离子体侵蚀。上面板111在如上所述的工艺中制造。图5为示出制造下面板113的工艺的视图。为了制造下面板113，提供下玻璃500， 且在下玻璃500的上部分上图案化寻址电极510。寻址电极510用于传输数据信号以选择 即将显示的像素。在图案化寻址电极510之后，涂覆电介质层520。电介质层520用于通过保持寻址 电极510与汇流电极420之间的电绝缘而稳定地产生等离子体，并用于防止电极被等离子 体侵蚀，如上所述。在电介质层520的上部分上形成分隔物(partition) 530。分隔物530用于使后文 将描述的荧光材料彼此分隔，由此区别R像素、G像素和B像素。在形成分隔物530之后，荧光材料540涂覆在分隔物530之间。在上文所述的工艺中制造下面板113。如果完成了制造上面板111和下面板113，则通过诸如上面板110和下面板113的 组装、密封、气体注入、时效(aging)和发光(lighting)测试的工艺来完成面板110，并开始 在面板110的上面板111的上部分上涂覆功能材料114的工艺。下文，将参考图6描述涂 覆功能材料114的工艺。图6为示出涂覆功能材料114的工艺的流程图。为了涂覆功能材料114，制备面板110(S160)且面板110的上面板111经受表面清 洁(S620)。如果完成表面清洁(S620)，则在上面板111的已清洁的表面上(S630)涂覆功能材 料114。更特别地，在构成上面板400的上玻璃400上直接涂覆功能材料114。此后，清洁在其上图案化汇流电极420和寻址电极510的端部(terminal) (S640)。如果完成了端部清洁(S640)，则确定功能材料114是否被适当地涂覆(S650)。如 果在涂覆功能材料114中没有不正常(S650-Y)，则进行热处理(S660)和发光测试(670)， 从而完成功能材料114的涂覆。图7为示出涂覆有功能材料114的面板110的视图。上述功能材料114(防止表 面反射的材料①、校正颜色并提高色纯度的材料②以及吸收近红外线的材料③)被混合且 作为一种材料储存在存储罐710中。功能材料114以材料114通过喷射孔720被喷射的方 式涂覆在上面板111上。通过以喷射方式涂覆功能材料114，可以解决由于附接功能膜而引起的气泡问题 以及由于对应于每种功能的膜应当分离地涂覆/干燥/切割而导致工艺变复杂的问题。
同样，能够防止在等离子体显示装置100的前表面上产生EMI，而不对面板110增 加用于屏蔽EMI的额外的构造或材料。通过利用衬垫130和底架140的结构能够实现在前 表面上屏蔽EMI。同样，通过在存储罐710中存储防止表面反射的材料、校正颜色并提高色纯度的 材料以及吸收近红外线的材料并同时涂覆这些材料，而不是分离地涂覆这些材料，能够减 少上面板111上的界面，且随着界面数量的减少，光透过(light permeability)的损失减 小，从而能改善等离子体显示装置100的效率。当然，每种功能材料可以分离地存储在每个存储罐中并分离地涂覆在面板110上 而不是混合并作为一种材料存储在存储罐710中。再参考图1，TSS 120附接到面板110的后表面，如上所述该面板110的前表面涂 覆有功能材料114。TSS 120用于防止由在等离子体显示装置100中产生并仅传输到部分屏幕的热所 导致的图像品质恶化。即，通过附接TSS 120，在等离子体显示装置100中产生的热变得稳 定并被均勻地传输到整个屏幕。同样，TSS 120通过用于屏蔽EMI的衬垫130而耦接到底架140。这将参考图8和 图9详细描述。图8是提供用于解释TSS 120与底架140之间的耦接结构的视图。如图8所示， TSS 120和底架140彼此不直接连接而是通过衬垫130彼此耦接。衬垫130由具有粘接性能的材料制成以耦接TSS 120和底架140。同样，衬垫130 可以由导电材料诸如金属纤维制成，从而通过衬垫130将在底架140中产生的电流传输到 TSS 120。TSS 120和底架140彼此不直接连接或附接，因为它们通过衬垫130彼此耦接。因 此，更有效地减少或屏蔽在等离子体显示装置100的前表面上产生的EMI。这将参考图9描 述。图9为提供用于解释利用衬垫130屏蔽EMI的方法的视图。TSS 120和底架140彼 此不直接连接而是通过衬垫130彼此耦接。即，底架140通过衬垫130被接地到TSS 120。由于衬垫130附接到底架140的部分表面而不是整个表面，所以来自底架140的 电流被分为第一电流和在底架140中环绕的第二电流，该第一电流通过衬垫130附接到的 表面被引导到TSS 120，TSS 120接地。第一电流通过衬垫130附接到的表面流入TSS 120并在TSS 120处接地，在底架 140中环绕的第二电流消减EMI。通过经由衬垫130耦接TSS 120和底架140，而不直接连接TSS 120和底架140， 在底架140中发出的EMI能被消减，从而与TSS 120和底架140彼此直接连接的情况相比，
能够进一步减小EMI辐射噪声。在上述解释中，在底架140中产生的电流被传输到TSS 120。然而，底架140自身 不产生电流，电流由附接到底架140后表面的驱动电路产生并被传输到底架140。S卩，底架 140可以被认为是地以使驱动电路产生的电流接地，通过衬垫130耦接到底架140的TSS 120可以被认为是地以使驱动电路产生的电流接地。另外，根据本发明示范性实施方式的等离子体显示装置100采用双接地以实现去除EMI辐射噪声的效果，双接地在它们的局部部分而不是它们的整个部分彼此耦接，使得 能够更有效地去除EMI辐射。同样，驱动电路150连接到底架140的后表面，该后表面与衬垫130附接到的前表 面相反。因此，为了将驱动电路150产生的电流更有效地接地，衬垫130可以关于底架140 位于与驱动电路150相应的表面上。S卩，如果驱动电路150连接到底架140的特定部分，则 衬垫130可以附接到底架140的与底架140的该特定部分相反的部分，其中驱动电路150 连接到底架140的该特定部分。结果，驱动电路150产生的电流能通过底架140被更有效 地传输到衬垫130。虽然在此实施方式中等离子体显示装置100采用包括底架140和TSS120的双接 地，但是底架140可以采用自身的双接地。下文，将参考附图10至图13描述底架140采用 自身的双接地的方法。图10为示出根据本发明示范性实施方式的底架140的视图。如上所述，衬垫130附接到底架140的一个侧表面，而驱动电路150通过导电材料 的螺钉(screw) 1060连接到底架140的另一个侧表面。驱动电路150包括X驱动电路1010、Y驱动电路1020、寻址驱动电路1030、电源单 元1040和控制器1050。电源单元1040将电能供应到X驱动电路1010、Y驱动电路1020、寻址驱动电路 1030和控制器1050。控制器1050将X电极驱动控制信号、Y电极驱动控制信号和寻址电极驱动控制信 号分别传输到χ驱动电路1010、Y驱动电路1020和寻址驱动电路1030，使得X驱动电路 1010、Y驱动电路1020和寻址驱动电路1030操作面板110。下文，将参考图11描述等离子体显示装置100的利用X驱动电路1010、Y驱动电 路1020和寻址驱动电路1030的操作。图11为用于操作等离子体显示装置100的方法的视图。X驱动电路1010连接到上述汇流电极420的X电极从而基于从控制器1050接收 的X电极驱动控制信号操作面板110，Y驱动电路1020连接到汇流电极420的Y电极从而 基于从控制器1050接收的Y电极驱动控制信号操作面板110。X驱动电路1010从控制器1050接收X电极驱动控制信号并施加驱动电压到X电 极，Y驱动电路1020从控制器1050接收Y电极驱动控制信号并施加驱动电压到Y电极。具 体地，X驱动电路1010和Y驱动电路1020交替输入维持电压到X电极和Y电极以关于所 选的像素进行维持放电。寻址驱动电路1030施加数字信号到寻址电极510以选择即将显示的像素。汇流 电极(X电极和Y电极)420和寻址电极510布置成十字形图案，X电极和Y电极彼此面对， 放电空间在X电极和Y电极之间。在寻址电极420、Χ电极和Y电极中形成为十字形部分的 放电空间形成了放电单元。面板110包括布置成矩阵图案的多个像素。X电极、Y电极和寻址电极420布置在 每个像素中。因此，以寻址显示分离(address display s印arate，ADS)驱动方法操作面板 110，在该ADS驱动方法中电压被施加到每个电极使得像素发光。ADS驱动方法指其中面板 110的每个子域(sub-field)由分离的复位部分、寻址部分和维持放电部分驱动的方法。
复位部分用于去除壁电荷的先前状态并设置壁电荷以稳定地进行下一次寻址放 电。寻址部分选择在面板中发光的单元和不发光的单元，并在发光单元(被寻址的单元) 进行堆积壁电荷。维持放电部分交替施加维持电压到χ电极和Y电极并在被寻址的单元进 行放电以显示实际图像。如上所述，面板110利用施加到X电极的电压与施加到Y电极的电压之间的差引 起放电，并利用通过放电获得的等离子体发光。返回参考图10，在底架140上安装X驱动电路1010、Y驱动电路1020、寻址驱动电 路1030、电源单元1040和控制器1050，并将由X驱动电路1010、Y驱动电路1020、寻址驱 动电路1030、电源单元1040和控制器1050产生的电流接地。为了实现此目的，底架140通过导电材料制成的螺钉1060连接到X驱动电路 1010、Υ驱动电路1020、寻址驱动电路1030、电源单元1040和控制器1050，底架140也由导 电材料制成。底架140具有第一狭缝(slit) 1070和第二狭缝1080，以自身用作双接地。通过在底架140的被X驱动电路1010连接到的部分周围切割，形成长凹槽形式的 第一狭缝1070。具体地，第一狭缝1070分为两个分离的狭缝而不是一个狭缝，并形成为提 供电通路以允许电流在两个狭缝之间流动。因此，由X驱动电路1010产生的电流通过连接X驱动电路1010与底架140的螺 钉1060而被传输到底架140，并被一次接地。具体地，电流通过螺钉1060传输到由第一狭 缝1070划分的底架140的区域中底架140的位于X驱动电路1010下面的区域并接地。已经被传输到底架140的位于X驱动电路1010下面的区域且在此接地的电流通 过在第一狭缝1070的两个分离的狭缝之间形成的通路被传输到底架140的另一区域并被 二次接地，其中Y驱动电路1020、寻址驱动电路1030、电源单元1040和控制器1050位于底 架140的该另一区域。由X驱动电路1010产生的电流在底架140的位于X驱动电路1010下面的区域被 一次接地，在底架140的另一区域被二次接地，从而能够去除EMI辐射噪声。同样，通过经 由第一狭缝1070局部连接双接地，能够更有效地去除EMI辐射噪声。第二狭缝1080的作用与第一狭缝1070相同。S卩，通过在底架140的被Y驱动电 路1020连接到的部分周围切割，形成长凹槽形式的第二狭缝1080，第二狭缝1080分为两个 分离的狭缝以提供通路，从而允许电流在两个狭缝之间流动。因此，由Y驱动电路1020产生的电流通过连接Y驱动电路1020和底架140的螺 钉1060被传输到底架140，并被一次接地。具体地，电流通过螺钉1060被传输到底架140 的被第二狭缝180划分的区域中底架140的位于Y驱动电路1020下面的区域，并被接地。同样，传输到底架140的位于Y驱动电路1020下面的区域并在此接地的电流通过 在第二狭缝1080的两个分离的狭缝之间形成的通路被传输到底架140的另一区域，并被二 次接地，其中X驱动电路1010、寻址驱动电路1030、电源单元1040和控制器1050位于底架 140的该另一区域。如上所述，由Y驱动电路1020产生的电流在底架140的位于Y驱动电路1020下面 的区域处被一次接地，在底架140的另一区域处被二次接地，从而能够去除EMI辐射噪声。 同样，通过经由第二狭缝1080局部连接双接地，能更有效地去除EMI辐射噪声。
在上述解释中，通过在底架140的被X驱动电路1010和Y驱动电路1020连接到 的部分周围切割，形成长凹槽形式的狭缝。然而，这里仅是为了便于解释的实例，狭缝可以 形成在X驱动电路1010和Y驱动电路1020之一的周围，或可以形成在其它电路周围，即， 寻址驱动电路1030、电源单元1040和控制器1050周围。同样，在上述解释中，第一狭缝1070和第二狭缝1080的每个具有两个狭缝，使得 由该两个狭缝形成一个电通路。电流通过单个电通路接地的方法被称为一点接地法。然而， 形成一个电通路仅是为了便于解释的实例。因此，第一狭缝1070或第二狭缝1080可以具有两个或多个狭缝。例如，如果第一 狭缝1070由三个狭缝构成，用于传输电流的两个通路形成在一次接地与二次接地之间。在形成两个电通路的情况下，适当的理解是在两个地点采用一点接地法，而不是 理解为不采用一点接地法。同样，图10示出的第一狭缝1070和第二狭缝1080的每个的形状仅是实例，第一 狭缝1070和第二狭缝1080可以形成为不同于图10的狭缝的其它形状，如图12所示。图12为示出根据本发明另一示范性实施方式的底架140的视图。从图12可知， 为了便于解释，省略了寻址驱动电路1030、电源单元1040和控制器1050。如果两个第一狭缝1070和两个第二狭缝1080形成如图12所示的通路，则电流能 通过在一次接地和二次接地之间的通路传输，使得能够更有效地去除EMI。在上述解释中，虽然狭缝设置在底架140上且电流在底架140处以一点接地法接 地，其中在该一点接地法中电流通过形成在两个狭缝之间的一个通路传输，但本发明能应 用于电流在底架140处以一点接地法接地而不使用狭缝的情形。这将参考图13描述。图13为示出根据本发明又一示范性实施方式的底架140的视图。如图13所示， X驱动电路1010通过单个螺钉1060而不是多个螺钉连接到底架140，并且还通过四个非导 电连接元件1310连接到底架140。同样，Y驱动电路1020通过单个螺钉1060而不是多个 螺钉连接到底架140，并且还通过四个非导电连接元件1310连接到底架140。在图13中，由‘〇’标识的部分表示用于连接X驱动电路1010或Y驱动电路1020 与底架140的螺钉1060所处的位置，由◎标识的部分表示用于连接X驱动电路1010或Y 驱动电路1020与底架140的非导电连接元件1310所处的位置。这里，非导电连接元件1310与传输由X驱动电路1010或Y驱动电路1020产生的 电流到底架140的目的无关，并被简单地用于克服当X驱动电路1010或Y驱动电路1020与 底架140仅通过螺钉1060彼此连接时X驱动电路1010或Y驱动电路1020与底架140之 间的弱连接。因此，X驱动电路1010和Y驱动电路1020的每个通过螺钉1060连接到底架 140，其中螺钉1060是单个导电介质。由于X驱动电路1010和Y驱动电路1020以如上所述的一点接地法被接地到底架 140，所以由X驱动电路1010或Y驱动电路1020产生的电流被传输到底架140并仅在底架 140的一点被接地。因此，由X驱动电路1010和Y驱动电路1020的每个产生的部分电流被 传输到底架140，剩余的电流在X驱动电路1010和Y驱动电路1020中环绕并且消减EMI。当然，采用四个非导电连接元件1320仅是为了便于解释的实例，可以采用五个或 更多、或者三个或更少的非导电连接元件。同样，如果仅通过螺钉1060连接X驱动电路1010 或Y驱动电路1020与底架140不存在问题，那么可以不采用非导电连接元件1310。
虽然在上述实施方式中一个螺钉1060被用作导电连接元件，但是如果需要可以采用两个或多个螺钉。然而，随着螺钉1060的数量增大，减少EMI的效果会降低。在图13中，X驱动电路1010和Y驱动电路1020以一点接地被接地到底架140。 在图13中，采用一点接地而没有采用双接地。然而，本发明能够适用于同时采用一点接地 和双接地的情形。下文，将参考图14至图16解释在双接地法中进行一点接地的方法。在图14至图16的实施方式中，可以采用必要数量的非导电连接元件1310。然而， 为了便于简明，省略对非导电连接元件1310的图示和描述。图14为示出根据本发明又一示范性实施方式的底架140的视图。如图14所示，X 驱动电路1010通过多个螺钉1060连接到导电板1410，导电板1410通过单个螺钉1430连 接到底架140。同样，Y驱动电路1020通过多个螺钉1060连接到导电板1420，导电板1420 通过单个螺钉1430连接到底架140。在图14中，由‘〇’标识的部分表示用于连接X驱动电路1010或Y驱动电路1020 与导电板1410、1420的螺钉1060所处的位置，由‘·’标识的部分表示用于连接导电板 1410、1420与底架140的螺钉1430所处的位置。参考图15理解螺钉1060、1430是如何定位的。图15为示出图14的底架140的透视图。如图15所示，由于X驱动电路1010通过 多个螺钉1060连接到导电板1410，所以由X驱动电路1010产生的电流通过多个螺钉1060 传输到导电板1410，并且在导电板1410处一次接地。同样，由于导电板1410通过单个螺 钉1430连接到底架140，所以在导电板1410处产生的电流通过单个螺钉1430传输到底架 140，并且在底架140 二次接地。同样地，由于Y驱动电路1020通过多个螺钉1060连接到导电板1420，所以由Y驱 动电路1020产生的电流通过多个螺钉1060传输到导电板1420，并在导电板1420处一次接 地。同样，由于导电板1420通过单个螺钉1430连接到底架140，所以在导电板1420处产生 的电流通过单个螺钉1430传输到底架140，并且在底架140 二次接地。由于X驱动电路1010和Y驱动电路1020以一点接地法被接地到底架140，所以 由X驱动电路1010和Y驱动电路1020的每个产生的电流传输到底架140的一点，并最终 在底架140接地，因此，最初传输到导电板1410、1420的电流在导电板1410、1420中环绕， 从而消减EMI。虽然在上述实施方式中连接到X驱动电路1010的导电板1410和连接到Y驱动电 路1020的导电板1420是分离设置的，但是这仅是实例。本发明能适用于如图16所示的设 置单个导电板1610的情形。图16为示出根据本发明又一示范性实施方式的底架140的视图。如图16所示， X驱动电路1010和Y驱动电路1020通过多个螺钉1060连接到单个导电板1610。即，X驱 动电路1010和Y驱动电路1020布置在单个导电板1610上。导电板1610通过单个螺钉1620连接到底架140。因此，由X驱动电路和Y驱动电路1020产生的电流传输到单个导电板1610，传输 到导电板1610的电流以一点接地法在底架140接地。因此，由X驱动电路1010和Y驱动 电路1020产生的电流被传输到底架140的一点并最终在底架140接地，因而，最初传输到 导电板1610的电流在导电板1610中环绕，从而消减EMI。
当然，如果需要可以改变螺钉1060、1620的数量。在根据图10、图12、图14和图15的实施方式的底架140的结构中，由于X驱动电 路1010和Y驱动电路1020接地到底架140的不同的一点，所以X驱动电路1010的接地电 势电平与γ驱动电路1020的接地电势电平之间会存在差异。如果在接地电势电平之间存在差异，则等离子体显示装置100会因传输控制信号 的控制器1050没有考虑不同的接地电势电平而发生故障。图17为示出隔离IC额外设置到底架140以解决上述问题的视图。在图17中，隔 离耦合器(I-coupler) 1710、1720被用作隔离IC的实例。隔离耦合器1710、1720是数字绝缘元件(digital insulation element)并进行 DC-DC转换。因此，隔离耦合器1710连接在X驱动电路1010与控制器1050之间，隔离耦合器 1720连接在Y驱动电路1020与控制器1050之间，由此即使在X驱动电路1010的接地电势 电平与Y驱动电路1020的接地电势电平之间存在差异，也能够操作等离子体显示装置而不 发生故障。S卩，隔离耦合器1710、1720将控制器1050产生的控制信号转换为基于X驱动电 路1010的接地电势的控制信号，将由控制器1050产生的控制信号转换为基于Y驱动电路 1020的接地电势的控制信号，从而根据X驱动电路1010的接地电势电平和Y驱动电路1020 的接地电势电平的控制信号来控制X驱动电路1010和Y驱动电路1020。在上文中，虽然描述了采用隔离耦合器1710、1720校正接地电势电平之间的差异 的方法，但是这仅是实例。本发明能够适用于采用隔离耦合器1710、1720之外的元件来校 正接地电势电平或者通过改变底架140的形状而不采用额外的元件来校正接地电势电平 的情形。此情形的实例如下。在底架140上形成如图10和图12所示的狭缝的情形中，通过调整狭缝的厚度或 狭缝之间的间隙来校正接地电势电平。例如，通过扩大图10中示出的狭缝之间的间隙，允 许电流从底架140的X驱动电路1010或Y驱动电路1020所处的区域流到其它区域的通路 被扩大。因此，由X驱动电路1010或Y驱动电路1020产生的电流能更平稳地流到底架140 的没有设置X驱动电路1010或Y驱动电路1020的其它区域中，由此减小了底架140的设 置X驱动电路1010或Y驱动电路1020的区域与底架140的其它区域之间的接地电势电平差。接着，在如图14和图15所示的在底架140中实施采用单个螺钉的一点接地的情 形中，通过调整螺钉的数量来校正接地电势电平。例如，如果连接导电板1410、1420与底架 140的螺钉(‘ ’)的数量增加，则允许电流从导电板1410、1420流到底架140的通路的
数量增加。因此，由X驱动电路1010或Y驱动电路1020产生的电流通过导电板1410、1420 更平稳地流入底架140，使得能够减小X驱动电路1010所处的导电板1410与Y驱动电路 1020所处的导电板1420之间的电势电平差。如上所述，通过改变底架140的形状能够校正接地电势电平。
在上述解释中，通过采用衬垫130耦接TSS 120与底架140、在底架140上形成狭 缝、或者改变底架140与驱动电路150之间的连接条件，能够减小从等离子体显示装置100 的前表面发出的EMI。同样，为了减小从等离子体显示装置100的前表面发出的EMI，仅涂覆防止表面反 射的材料①、校正颜色并提高色纯度的材料②以及吸收近红外线的材料③，而没有在上面 板111的上部分上设置额外的构造或材料来屏蔽EMI。返回参考图1，将描述用于减少从等离子体显示装置100的后表面发出的EMI的背 盖 160。如上所述，通过采用衬垫130耦接TSS 120与底架140、在底架140上形成狭缝、或 者改变底架140与驱动电路150之间的连接条件来减少从等离子体显示装置100的前表面 发出的EMI。背盖160不覆盖面板110的前表面、面板110的后表面和底架140的前表面。而 是，背盖160直接连接到底架140的后表面以覆盖等离子体显示装置100的后表面，并通过 连接到底架140来屏蔽EMI且防止对驱动电路150的损坏。为了实现此目的，背盖160由 导电材料制成。如上所述，根据本发明不同示范性实施方式，仅利用底架140的结构而不在等离 子体显示装置100的前表面上设置额外的过滤器就能够有效地减少PDP被驱动时产生的 EMI辐射。前述示范性实施方式和优点仅仅是示范性的且不应被理解限制本发明。本发明的 教导能够容易地适用于其它类型的装置。同样，对本发明示范性实施方式的描述旨在说明 而不限制权利要求的范围，许多替换、修改和变化对本领域技术人员是显而易见的。本申请要求于2009年8月10日向韩国专利局提交的韩国专利申请 No. 10-2009-73123的优先权，在此整个引入其公开的内容作为参考。
权利要求
1.一种等离子体显示装置，包括面板；驱动电路，驱动所述面板；和底架，连接到所述驱动电路并具有至少一个狭缝，该至少一个狭缝形成在连接到所述 驱动电路的部分周围。
2.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其中所述至少一个狭缝形成为使得所述底 架被分为第一区和第二区，该第一区包括所述驱动电路连接到的部分，该第二区不包括所 述驱动电路连接到的该部分。
3.如权利要求2所述的等离子体显示装置，其中所述至少一个狭缝形成为具有在所述 第一区与所述第二区之间的电通路。
4.如权利要求2所述的等离子体显示装置，其中由所述驱动电路产生的电流通过所述 驱动电路连接到的所述部分被传输到所述第一区。
5.如权利要求4所述的等离子体显示装置，其中设置了多个狭缝，传输到所述第一区 的电流的一部分通过在所述多个狭缝之间形成的通路被从所述第一区传输到所述第二区， 传输到所述第一区的剩余电流在所述第一区中环绕，从而消减电磁干扰。
6.如权利要求5所述的等离子体显示装置，其中所述消减电磁干扰的程度基于每个狭 缝的厚度和所述多个狭缝之间的间隙来确定。
7.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其中所述驱动电路包括X电极驱动电路 和Y电极驱动电路，所述至少一个狭缝包括第一狭缝和第二狭缝，该第一狭缝形成在所述χ 电极驱动电路连接到的部分周围，该第二狭缝形成在所述Y电极驱动电路连接到的部分周 围。
8.如权利要求7所述的等离子体显示装置，其中设置了多个第一狭缝或多个第二狭 缝，所述底架形成为具有在所述多个第一狭缝之间的电通路或在所述多个第二狭缝之间的 电通路。
9.如权利要求1所述的等离子体显示装置，还包括控制器，控制所述驱动电路；和隔离IC，电隔离所述控制器与所述驱动电路之间的接地电平。
10.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其中所述驱动电路和所述底架通过导电 材料彼此连接。
11.一种等离子体显示装置，包括面板；驱动电路，驱动所述面板；和底架，连接到所述驱动电路，并形成为使得除了预定区域之外，所述驱动电路连接到的 区域与所述驱动电路没有连接到的区域彼此分离。
全文摘要
本发明涉及一种减少辐射电磁干扰的等离子体显示装置，其设置有用于减少EMI辐射的底架的结构。等离子体显示装置包括面板、驱动电路和其上形成有狭缝的底架。因此，有效地减少了PDP被驱动时产生的EMI辐射。
文档编号H01J9/20GK101996566SQ20101024926
公开日2011年3月30日 申请日期2010年8月10日 优先权日2009年8月10日
发明者孙永基, 郑宰旭, 金弘镇 申请人:三星电子株式会社