电磁干扰屏蔽罩及其制造方法

文档序号:8033128阅读:500来源:国知局
专利名称:电磁干扰屏蔽罩及其制造方法
技术领域
本发明涉及在电子设备中电磁干扰屏蔽罩的应用,更具体而言,涉及在移动台中EMI屏蔽罩的应用背景技术电磁干扰(EMI)屏蔽罩用于衰减所产生的EMI,否则,EMI会被包括移动台的各种电子设备所接收。一般而言,屏蔽材料能够反射、吸收射频信号、或阻止其进入或退出屏蔽材料所包围的封闭区域。
最初,屏蔽罩是由有效屏蔽宽带电磁辐射的一片导电金属材料构成。然而,由于电子设备变得越来越复杂,它们就变得更易或更可能产生更高功率级的特定射频信号。对于金属屏蔽罩,有效屏蔽这样特定频率和功率级就需要非常厚的屏蔽罩,这使得移动台又重又大,对于大多数移动台而言,这是不可取的。
最近的EMI屏蔽罩包括导电材料片和与导电构件组合在一起的附加吸收构件。吸收构件衰减在导电构件上的表面电流,并吸收、反射、断绝或重定向电磁辐射。通常,对电磁辐射有这样影响而需要的材料特性包括电导率,介电常数和磁导率,本领域技术人员熟知,可对这些特性进行定制以衰减具有特定频率的信号。吸收构件通常能够用合适的材料和结构制成,以在最易受到干扰的频率范围内提供高级屏蔽。
例如,吸收构件可由硅酮、氨基甲酸乙酯或具有吸收特性的其他材料的块制成,使用压敏或吸收性粘合剂,将其附着于导电构件。或者,可直接对导电构件涂敷多重导电和吸收涂层。使用粘合剂来附着吸收构件或涂敷涂层是在将导电构件焊接到移动台的电路板上之后进行的,以避免焊接处理温度的不利影响。
尽管将金属导电构件与吸收性材料组合形成屏蔽罩具有某些优点,但吸收构件的粘合附着容易失效。此外,应用涂层需要反复涂敷,和一定的固化时间以达到足以满足屏蔽要求的厚度。
因此,制成包括导电构件和易于制造的吸收构件的EMI屏蔽罩,将是有益的。特别是,如果不使用粘合剂或多重涂层涂敷而构造出EMI屏蔽罩,将尤其有益。

发明内容
通过提供用于阻止和消散电磁干扰的改进型EMI屏蔽罩,本发明满足了以上需求,并且获得了其他优点。EMI屏蔽罩包括主导电构件,主导电构件具有多个卡子,所述卡子延伸到吸收构件中限定的多个插孔中,以使牢固地连接构件。有利的是,吸收构件足够牢固,以在正常使用时保持与主导电构件相抵。此外,吸收构件可由能承受与大多数焊接操作相关的139℃至260℃温度范围的材料构造而成。以此方式,在将EMI屏蔽罩焊接到移动台的电子电路之前,能附着导电和吸收构件。在另一方面,卡子具有锐缘,允许将吸收构件按压到卡子上,从而有利消除了粘合剂附着或吸收涂层沉积的需要。
在一个实施例中,本发明的移动台包括电磁干扰屏蔽罩,用于阻止和消散电磁干扰,所述电磁干扰屏蔽罩包括主导电构件。主导电构件具有第一附着表面,并且包括从第一附着表面向外延伸的至少一个卡子。吸收构件具有第二附着表面,第二附着表面与第一附着表面至少部分接触。吸收构件限定有至少一个插孔,插孔具有在第二附着表面限定的入口。卡子从主导电构件通过该入口延伸进入吸收构件的插孔中,吸收构件足够牢固,以稳定地固定在卡子上。最好是,导电构件包括多个卡子,这些卡子延伸到吸收构件的相应多个插孔中。
吸收构件可由具有导电和吸收材料层的叠层或具有导电和吸收材料的组合的树脂合成物构成。在另一示例中,吸收构件由封在聚合母体内的导电网构成。或者,吸收构件可由封在导电泡沫结构内的非导电网构成。最好是,吸收构件足够牢固,以承受与焊接处理有关的温度范围,如139℃至220℃,或甚至139℃至260℃,以经得起将屏蔽罩焊接到移动台的电子电路或其他组件的处理。
在另一方面,主导电构件为可塑片材料,卡子通过冲压机形成。卡子可形成有锐缘(例如,通过三角形冲压机),以便能够将吸收材料按压到锐缘上使构件相连,而同时在吸收构件中形成插孔。卡子可足够长,以便完全延伸通过吸收构件的相对表面,并在其上弯曲以进一步使构件固定在一起。或者,可在吸收构件中预先形成插孔,例如,通过对吸收构件进行冲切,喷水钻孔,激光钻孔,钻头钻孔或超声切割。
在另一可选例中,主导电构件包括形成有从附着表面延伸的卡子的聚合物片。对聚合物片和卡子被覆导电材料,以提供导电性。
在另一实施例中,主导电构件包括从第一附着表面向外延伸的至少两个卡子。该实施例的吸收构件具有至少两个相对边缘,每个卡子沿相对边缘中的各自一个延伸,并与之接触,以使构件牢固地保持在一起。
本发明的EMI屏蔽罩具有许多优点。例如,使用卡子将导电构件牢固附着于吸收构件,而不使用粘合剂或涂层以及固化过程。此外,在某些实施例中,由于使用能够承受高达260℃温度的吸收构件材料,从而可在焊接工艺之前将构件组装。此外,可改变吸收构件的结构和特性,以便选择性地屏蔽高级电子设备(例如,移动台)所需的EMI频率范围。在所示实施例中,三角形卡子的具体结构便于在没有在吸收构件中预先切割插孔的情况下进行附着。


以上概括性描述了本发明,现在,将参照附图(没有必要按比例画出)详细描述本发明,其中图1表示包括本发明一个实施例的EMI屏蔽罩的移动台的分解图;图2表示如图1所示EMI屏蔽罩的透视图;图3表示如图1所示EMI屏蔽罩的剖面图;以及图4表示本发明另一实施例的EMI屏蔽罩的平面视图,其中限定有接地开口的分形图案。
具体实施例方式
现在,将参照附图,更详细描述本发明,其中,显示出本发明的某些(并非所有)实施例。的确,这些发明可采用多种不同方式得以实施,且不应理解为限于所给出的实施例;更确切而言,提供这些实施例,以便该披露内容将满足可申请合法要求。其中,对同样的元件赋予相同的附图标记。
图1中显示出,在局部分解的移动台50中设置的本发明的EMI屏蔽罩10的一个实施例。具体而言,显示出EMI屏蔽罩与移动台的后壳部分30相连,后壳部分30被设置成装配到移动台的前壳部分31。一旦将壳体部分装配在一起,EMI屏蔽罩10就置于电路板32上,并与之电连接,从而屏蔽多个电子部件33。EMI屏蔽罩10包括主导电构件11,主导电构件11附着于吸收构件12,以便能够屏蔽具有宽干扰频率范围以及一个或多个窄频率范围的信号,所述窄频率范围具有的功率级通常高于宽频率范围的其它部分。
此处所述的EMI屏蔽罩可用于任何电子设备中,但最好用于移动台中。EMI屏蔽罩最好用于这样的移动台,这是由于,与通常具有不便用于便携式设备的较大重量和体积的最初金属屏蔽罩相比,该屏蔽罩具有较小的尺寸和重量。一般而言,此处所述使用EMI屏蔽罩10的移动台50为移动电话,但该描述仅示意性说明从本发明受益的其中一种类型的移动台,因此,不应将该描述视为对本发明范围的限制。
例如,其他类型的移动台也易于采用本发明,诸如,便携式数字助理(PDA),寻呼机,膝上型计算机和其他类型的语音和文本通信系统。此外,将主要结合移动通信应用描述本发明的系统和方法。但本发明的系统和方法可结合移动通信工业中以及移动通信工业外的多种其他应用使用。
在所示实施例中的主导电构件11包括通常为矩形的扁平基板,矩形扁平基板由外壁结构14包围。外壁结构14向远离基板第一附着表面15的方向延伸。基板的对面为外表面16,外表面16与移动台50的后壳部分30相邻设置。可将外表面16附着于后壳部分30,如图1所示,以便在组装壳体时使壁结构14与电路板32保持接触。在另一种选择中,可将壁结构14焊接到电路板32,从而无需在外表面16处附着到后壳部分30。不管怎样,在EMI屏蔽罩10与电路板32之间进行某种接触,以便建立电路连接。
如图1-3所示的导电构件11的矩形最好用于通常也具有矩形外壳和矩形电路板的移动电话型移动台。然而,由于可使用不同形状的导电构件11与所要屏蔽的不同形状的电子电路和设备相应,本发明并不限于这样的形状。例如,对于圆形电路板可使用圆形形状,或可剪切出不规则形状以适合一个或多个电路板或电子电路。壳体的形状以及其中的间隙量是影响导电构件形状的另一因素。
在电路板32上设置EMI屏蔽罩10以便壁结构14与电路板接触的方式对电子部件提供了导电通路,从而允许EMI屏蔽罩阻止外部EMI,并吸收由电子部件产生或强加其上的EMI。本发明可使用不同类型的焊接工艺将EMI屏蔽罩10连接到电路板32,即便在连接了导电构件和吸收构件11和12之后也是如此。例如,可使用在电子部件板上通过液体焊料波的波峰焊或采用对流或喷气的回流焊,下面,将对此进行详细描述。
尽管本发明的EMI屏蔽罩10最好与产生相对较高温度的焊接连接一起使用,然而也可采用其他方法和设备在电子电路与EMI屏蔽罩10之间建立导电通路。例如,EMI屏蔽罩可包括来自电子电路的导线所连接到的端子,或可使用导电带或粘合剂将EMI屏蔽罩连接至电子电路。电子电路的各种结构(通常根据移动台或其他电子设备类型的不同而不同)和在EMI屏蔽罩10与电子电路之间不涉及焊接的导电连接可按传统方式实现,因此,此处不再对此进行额外的详细描述。
多个倒钩或卡子17朝远离第一附着表面15的方向延伸,所述倒钩或卡子17用于将吸收构件12与导电构件11牢固稳定在一起。在所示实施例中的每个卡子17是片材料的向外弯曲部分,形成导电构件11的剩余部分。每个所示卡子17都呈三角形形状,具有终止至尖端的一对自由边。最好是,通过使用三角形冲压机对导电构件17的焊接表面16冲压形成卡子17,以便自第一附着表面15向外切割和弯曲三角形部分。
正如以下将对本发明方法的一个实施例更详细描述的那样,所示卡子17的三角形形状和锐缘便于使用压力将构件11,12组合以形成EMI屏蔽罩10。这样的工艺涉及将吸收构件按压到卡子上,以便卡子穿透并固定吸收构件。
最好是,导电构件11使用冲压工艺由可塑导电金属屏材料(如铝或铜)和所示的卡子17构成,这些材料有助于屏蔽并允许通过弯曲来容易地构成外壁结构14。导电金属材料的其他示例包括锡,铅,金,银,镍,上述金属材料可单独使用或彼此组合使用。例如,铜片材料可覆有铅、金、银、镍或附加的铜。使用片状金属可使导电构件11的重量相对较轻,还可提供基线宽频率范围EMI屏蔽。作为可塑金属导电构件11的可选例,可使用模塑工艺由合成材料(如,聚合物或合成物)构成导电构件。然后,可使用导电材料被覆模塑部分,以使其具有屏蔽功能。
这样的模塑工艺也允许容易地构造出可选形状以及设置卡子17。例如,卡子17可以是被偏置以抵压吸收构件12的边缘的夹子、延伸通过吸收构件的销、等等。因此,应该注意,导电构件11及其卡子12的结构不应限于所示实施例,而是可由许多形状和尺寸构成,只要提供EMI屏蔽基线且卡子牢固将吸收构件12与导电构件保持在一起即可。还应注意,还可使用除上述那些材料之外的其他类型的金属材料以及非金属材料,只要它们具有提供屏蔽功能的相对导电特性即可。
吸收构件12的所示实施例为吸收材料片,例如,包含有小颗粒导电材料的热塑塑料或导电层与吸收层交替的叠层,其形状通常与导电构件11的矩形一致,但与之相比稍小。吸收构件12处在外壁结构14的中心,且包括第二附着表面18,第二附着表面18设置成紧贴导电构件的第一附着表面15,如图3所示。吸收构件12还包括在吸收构件的与第二附着表面18相对一侧的相对表面19。
与导电构件11相似,此处不应将吸收构件12视为必须受限于具体形状和结构。可将吸收构件裁成导电构件11的形状,进而最好将其裁成所要屏蔽的电子设备的尺寸,形状和结构。此外,吸收构件12不必是单片材料,而是可为一组相接触或不接触的相关材料部分,只要屏蔽了EMI的指定频率即可。如上所述,所示实施例针对于通常为矩形的移动电话,但从这样的变型例中,其他移动电话形状,具有不同形状的移动台和电子设备也可受益。
吸收构件12限定有在表面18与19之间延伸通过吸收构件的多个插孔20。通过每个插孔20,延伸出相应一个卡子17。特别是,每个卡子通常从附着表面18完全延伸通过吸收构件,以从相对表面19露出。
某些卡子17不具有对应的插孔。如图2所示,其中四个卡子17从导电构件11的第一附着表面15沿吸收构件12的外缘21向外延伸。特别是,四个外部卡子17为两个相对的对,其中一对卡子卡住矩形EMI屏蔽罩的短边,另一对卡子卡住矩形EMI屏蔽罩的长边。通过与吸收构件12的外缘21的所有四面紧靠,卡子对有利地阻止吸收构件12发生位移。在该实施例中,沿吸收构件边缘设置的卡子不必延伸通过吸收构件,而是可代之以在附近弯曲。相反,延伸通过吸收构件中间部分的卡子通常延伸通过相应的插孔,插孔或是预先形成,或由卡子本身形成。
应该注意,尽管示出用多个卡子17限制吸收构件12,像两个那样少的通常相对的外部卡子,或延伸到其中一个插孔20中的一个卡子,可足以牢固地将构件11,12保持在一起。例如,具有非圆形形状的单一个卡子17可延伸通过其中一个插孔20,且如果紧密按压以在其中配合,则会限制吸收构件12相对导电构件11的旋转和平移。在另一方面,卡子17可具有限制卡子从插孔20移出的凸缘端头,例如,可将所示三角形卡子17的尖端弯成与吸收构件12的相对表面19对齐。
在本发明的EMI屏蔽罩10的另一实施例中,将吸收构件12的多个插孔20设置成与分形图案相应,如图4所示。将导电构件11的卡子17相应设置成延伸到插孔20中。一般而言,每个卡子形成导电构件11与吸收构件12之间的地,以便通过EMI屏蔽罩10将一个或多个谐振频率吸收。随着在分形图案位置处添加卡子,每次添加向吸收构件12的恒定频率扫描提供更多谐振。在所示实施例中,分形图案为TriadicKoch,但也可采用其他分形图案。例如,可使用其他Koch雪花和树,Sierpinksi垫片或单极以及Hilbert曲线,来确定接地位置。
最好是,吸收构件12由足够牢固以在设置于卡子17上时支撑其自身、以及即便在更高焊接温度仍保持其固态的材料构成。焊接操作产生一温度范围,由于导电构件11的导电性,EMI屏蔽罩10暴露于这样温度下比该屏蔽罩所连接到的电路的暴露具有更长持续时间。
例如,低熔点焊接(使用铅)在139℃至220℃的温度范围进行,对于无铅焊料,温度范围可升至260℃。最好是,用于构成吸收构件12的材料的熔化温度和热挠曲温度处在最大焊接温度范围内或超出最大焊接温度范围。从而,吸收构件在这些更高温度下应保持足够的结构刚性,以抵抗其自身重量导致的撕扯,或防止危害其吸收特性的变形。例如,高温度不应对卡子17与吸收构件12之间的导电通路产生不利影响。
在一个实施例中,吸收构件12由能够承受焊接工艺温度的热塑塑料或热固塑料构成。可在使用注模,压模或树脂传递成型的模塑工具中对热固或热塑塑料进行处理。作为另一可选例,使用热和滚轧将材料熔化,可将吸收材料处理为薄膜,并形成为相对较薄的薄片。
用于吸收构件12的材料还可包括层叠在一起的多个非同质层。其他示例包括夹在两层薄导电层之间的核心层,封在聚合母体内的导电层,或被覆导电材料的非导电网或蜂窝结构。导电覆层可包括开口和闭合蜂窝导电泡沫。
在另一示例中,吸收构件12可由同质材料形成,如具有表现出所需EMI吸收特性的化学结构的导电聚合物。例如,可使用导电环氧材料,聚酯,聚酰胺,聚氨酯,液晶聚合物,聚合物厚膜油墨,和这些材料的混合物作为导电聚合物。
用于吸收构件12的材料也可具有合成结构,其中对聚合物或其他基材料添加附加导电和吸收材料。例如,吸收构件可包括被装载入硅片的碳或粉状的铁。作为另一示例,吸收材料包括填充以例如银,铜,镍,金,铂的金属的导电环氧树脂。在任何情形中,导电构件和吸收构件均应由提供较宽和选择性屏蔽特性的各种组合的导电材料形成。
在制造EMI屏蔽罩10的所示实施例期间,将导电可塑金属片切割成适当尺寸的坯,其边缘部分沿共同方向弯曲,形成外壁结构14和导电构件11的基板。然后,驱动三角形冲压机从焊接表面16至第一附着表面15通过导电构件11的基板,以便卡子17的三角形边缘和尖端弯离第一附着表面,如图3中很好地示出。
然后,将吸收构件12设置在卡子17上,并将其按压在卡子17上。随着对吸收构件12施加压力,如果未在材料中预先形成插孔,则三角形卡子17的尖端或边缘切入构件材料中,以限定插孔20。最后,一旦构件的第一和第二附着表面15和18实质接触,则卡子17的端部伸出吸收构件12的相对表面19。以此方式,插孔20具有由第二附着表面18所限定的入口端和由相对表面19限定的出口端。作为可选附加步骤,可将卡子17的端部弯曲成与吸收构件12的相对表面19对齐。
作为同时将构件11,12附在一起并限定插孔20的可选例,可预先切割出插孔,然后与卡子17对齐进行安装。可使用多种工具和方法进行切割,例如,通过冲切,喷水钻孔,激光钻孔,钻头钻孔或超声切割在吸收构件中切割出插孔20。一旦预先切割出插孔,则通过将构件11,12的附着表面15,18放置在一起,使卡子配合于其中。
一旦将构件11,12组合,可使EMI屏蔽罩10经过上述焊接工艺的其中之一,以建立到电子电路的电通路。有益的是,由于与传统屏蔽罩不同,本发明的EMI屏蔽罩能够承受高达260℃的焊接温度,从而可在焊接之前完成先前的组装步骤。
本发明的EMI屏蔽罩10具有多种优点。例如,使用卡子17使导电构件11牢固附着于吸收构件12,而不使用粘合剂或涂敷与固化处理。此外,由于使用能够承受高达260℃温度的材料制成吸收构件,可在焊接工艺之前装配构件11,12。此外,可将吸收构件12的结构和特性改变到高级电子设备(如,移动台)所需的EMI频率选择性屏蔽范围。所示实施例的三角形卡子17的具体结构还便于在无需在吸收构件中预先切割出插孔20的条件下进行附着,从而简化了制造过程。
对于本领域技术人员而言,受益于以上说明书以及相关附图的教导,容易想到此处所给出本发明的多种修改和其他实施例。因此,应该理解,本发明并不局限于所披露的具体实施例,其修改变型例以及其他实施例应包含在所附权利要求的范围内。尽管此处使用具体术语,其仅用于一般性描述的目的,而非出于限定的目的。
权利要求
1.一种用于阻止和消散电磁干扰的电磁干扰屏蔽罩,所述屏蔽罩包括主导电构件,具有第一附着表面,所述主导电构件包括至少一个从第一附着表面向外延伸的卡子;和吸收构件,具有面对第一附着表面的第二附着表面,所述吸收构件限定至少一个插孔;其中,来自主导电构件的卡子通过入口延伸到吸收构件的插孔中,以使吸收构件能够牢固稳定在卡子上。
2.根据权利要求1的电磁干扰屏蔽罩,其中,吸收构件在139℃至220℃温度范围保持牢固稳定。
3.根据权利要求1的电磁干扰屏蔽罩,其中,吸收构件在139℃至260℃温度范围保持牢固稳定。
4.根据权利要求1的电磁干扰屏蔽罩,其中,主导电构件具有多个卡子,吸收构件限定多个插孔,每个插孔接纳其中相应的一个卡子。
5.根据权利要求4的电磁干扰屏蔽罩,其中,主导电构件为可塑片材料,且其中,卡子由主导电构件朝外伸出。
6.根据权利要求4的电磁干扰屏蔽罩,其中,每个卡子具有相对尖锐的边缘,该边缘能够穿透吸收构件,以在其中形成插孔。
7.根据权利要求4的电磁干扰屏蔽罩,其中,在吸收构件中预先形成插孔。
8.根据权利要求4的电磁干扰屏蔽罩,其中,主导电构件包括聚合物片,聚合物片预先形成有从第一附着表面延伸的卡子,且其中,聚合物片被覆有导电材料。
9.根据权利要求4的电磁干扰屏蔽罩,其中,卡子完全延伸通过吸收构件至相对表面,并弯曲成与相对表面近似对齐。
10.根据权利要求1的电磁干扰屏蔽罩,其中,吸收构件由具有导电材料和吸收材料的组合的树脂合成材料构成。
11.根据权利要求1的电磁干扰屏蔽罩,其中,吸收构件由具有导电材料层和吸收材料层的叠层材料构成。
12.根据权利要求1的电磁干扰屏蔽罩,其中,吸收构件由封装在聚合母体内的导电网构成。
13.根据权利要求1的电磁干扰屏蔽罩,其中,吸收构件由封装在导电泡沫结构内的非导电网构成。
14.一种制造电磁干扰屏蔽罩的方法,所述方法包括在主导电构件上提供多个卡子;在吸收构件中提供多个插孔;和通过将卡子设置在插孔中,将吸收构件安装到主导电构件上。
15.根据权利要求14的方法,其中,通过将卡子所延伸自的导电构件的第一附着表面与吸收构件的第二附着表面接触,使卡子穿透第二表面并嵌入吸收构件中且形成插孔,从而同时进行提供和安装。
16.根据权利要求14的方法,还包括将导电构件焊接到移动台的电路板。
17.根据权利要求14的方法,其中,提供插孔包括,在吸收构件中限定插孔,使得插孔从吸收构件的第二附着表面延伸到吸收构件的相对表面,所述方法还包括将卡子的端部在相对表面的部分上弯曲。
18.根据权利要求14的方法,其中,形成多个卡子包括在主导电构件中穿孔。
19.根据权利要求18的方法,其中,穿孔包括用三角形冲压机穿孔,以形成三角形卡子。
20.根据权利要求14的方法,其中,限定插孔包括,在将卡子设置在插孔中之前,在吸收构件中切割出插孔。
21.根据权利要求20的方法,其中,限定插孔包括,对吸收构件进行以下加工之一冲切,喷水钻孔,激光钻孔,钻头钻孔和超声切割。
22.根据权利要求14的方法,其中,形成卡子包括模塑在其上具有卡子的主导电构件。
23.根据权利要求22的方法,还包括,对模塑的第一导电构件和卡子敷以导电涂层。
24.根据权利要求14的方法,还包括当在吸收构件中限定插孔之前形成吸收构件。
25.根据权利要求24的方法,其中,形成吸收构件包括,在吸收性聚合母体内封装导电网。
26.根据权利要求24的方法,其中,形成吸收构件包括对聚合物添加导电材料。
27.根据权利要求24的方法,其中,形成吸收构件包括形成具有导电材料层与吸收材料层的叠层。
28.根据权利要求24的方法,其中,形成吸收构件包括将吸收网嵌入导电泡沫材料中。
29.根据权利要求24的方法,还包括将电子部件焊接到主导电构件上。
30.一种用于阻止和消散电磁干扰的电磁干扰屏蔽罩,所述屏蔽罩包括主导电构件,具有第一附着表面,所述主导电构件包括至少两个从第一附着表面向外延伸的卡子;和吸收构件,具有面对第一附着表面的第二附着表面和至少两个相对边缘;其中,每个卡子沿相应一个相对边缘延伸,以便将吸收构件保持在卡子之间。
31.根据权利要求30的电磁干扰屏蔽罩,其中,吸收构件在139℃至260℃温度范围保持牢固稳定。
32.根据权利要求30的电磁干扰屏蔽罩,其中,主导电构件具有多个卡子,吸收构件限定多个插孔,每个插孔接纳相应一个卡子。
33.根据权利要求32的电磁干扰屏蔽罩,其中,主导电构件为可塑片材料,且其中,卡子由主导电构件朝外伸出。
34.一种移动台,所述移动台包括电子电路组件;主导电构件,具有第一附着表面,所述主导电构件包括至少一个从第一附着表面向外延伸的卡子,且所述主导电构件通过导电通路与电子电路组件连接;和吸收构件,具有面对第一附着表面的第二附着表面,所述吸收构件限定至少一个插孔;其中,自主导电构件的卡子通过入口延伸到吸收构件的插孔中,以使吸收构件能够牢固稳定在卡子上,且其中,主导电构件和吸收构件一起屏蔽掉对电子电路组件的电磁干扰。
35.根据权利要求34的移动台,其中,吸收构件在139℃至260℃温度范围保持牢固稳定。
36.根据权利要求34的移动台,其中,主导电构件具有多个卡子,吸收构件限定多个插孔,每个插孔接纳相应一个卡子。
37.根据权利要求36的移动台,其中,主导电构件为可塑片材料,且其中,卡子由主导电构件朝外伸出。
38.根据权利要求37的移动台,其中,每个卡子具有相对尖锐的边缘,所述边缘能够穿透吸收构件,并在其中形成插孔。
39.一种用于阻止和消散电磁干扰的电磁干扰屏蔽罩,所述屏蔽罩包括主导电构件,具有第一附着表面;吸收构件,具有面对第一附着表面的第二附着表面,所述吸收构件限定被设置成形成分形图案的多个开口;和多个接地连接,将吸收构件电连接至主导电构件,每个所述接地连接设置在形成分形图案的多个开口的相应一个处。
40.根据权利要求39的电磁干扰屏蔽罩,其中,每个接地连接包括从第一导电构件延伸到相应开口中的卡子。
41.根据权利要求40的电磁干扰屏蔽罩,其中,主导电构件为可塑片材料,且其中,卡子由主导电构件朝外伸出。
42.根据权利要求41的电磁干扰屏蔽罩,其中,每个卡子具有相对尖锐的边缘,所述边缘能够穿透吸收构件,并在其中形成插孔。
43.一种制造电磁干扰屏蔽罩的方法,所述方法包括提供主导电构件;在吸收构件中提供多个插孔,其中,将所述插孔设置成分形图案;将吸收构件安装到主导电构件上;和在多个插孔处将吸收构件与主导电构件电连接。
44.根据权利要求43的方法,其中,提供主导电构件包括在主导电构件上提供多个卡子,且其中,将构件电连接包括将卡子设置在插孔中。
45.根据权利要求44的方法,其中,形成多个卡子包括在主导电构件中穿孔。
46.根据权利要求43的方法,其中,提供插孔包括,在吸收构件中限定插孔,使得插孔从吸收构件的第二附着表面延伸到吸收构件的相对表面,所述方法还包括,将卡子的端部在相对表面的部分上弯曲。
全文摘要
一种用于阻止和消散电磁干扰的EMI屏蔽罩。EMI屏蔽罩包括主导电构件,所述主导电构件具有多个卡子,卡子伸入到在吸收构件中限定的多个插孔中,以使构件牢固连接。有利的是,吸收构件足够牢固,以在正常使用时抵住主导电构件。此外,吸收构件可由能承受与大多数焊接操作相关的139℃至260℃温度范围的材料构造而成。以此方式,在将EMI屏蔽罩焊接到移动台的电子电路之前可附着导电和吸收构件。卡子可具有允许将吸收构件按压到卡子上的锐缘。
文档编号H05K9/00GK1998274SQ200480022856
公开日2007年7月11日 申请日期2004年6月29日 优先权日2003年6月30日
发明者罗伯特·坎宁安, 罗伯特·格兰奇 申请人:诺基亚公司
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