图像显示装置的制作方法

专利名称：图像显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及包含电阻膜的图像显示装置。
背景技术：
如下的装置正在被研究分别包含如下的后板和面板的图像显示装置，该后板包 含相互连线的多个电子发射器件，该面板包含用于加速从电子发射器件发射的电子的阳极 和当用加速电子照射时发光的发光部件，并且该面板以几毫米的距离与后板相对。在这种 类型的图像显示装置中，存在在阳极和电子发射器件之间出现放电击穿的问题。为了应对 其间的放电击穿，日本专利公开No. 2006-127794公开了布置在电子源基板上的除了电子 发射部分的导电部件被绝缘部件覆盖的配置，并且还公开了绝缘部件覆盖导电部件并且被 电阻部件覆盖的配置。在日本专利公开No. 2006-127794中公开的配置中，电阻部件和导电部件被布置 为在其间设置绝缘部件；由此，由于因电阻部件和导电部件之间的电容导致的充放电电流， 导致无功(reactive)电力消耗。

发明内容
本发明提供一种图像显示装置，该图像显示装置包括后板，该后板包含多个电子 发射器件，每个电子发射器件包含一对电极和位于电极之间的电子发射部分；连接分别位 于电子发射器件中的相应一个的一侧的电极的第一线；连接分别位于电子发射器件中的 相应一个的另一侧的电极并具有比第一线大的电阻的第二线；覆盖第二线的绝缘层；和与 第一线连接的电阻膜，该电阻膜具有与第二线交迭的部分，该电阻膜覆盖绝缘层并且具有 IO8 Ω / □或更大的表面电阻率。该图像显示装置还包括面板，该面板包含保持在比电子发 射器件的电势高的电势处的阳极和当被从电子发射器件发射的电子照射时发光的发光部 件。电阻膜具有不与第二线交迭并且与第一线连接的部分，并且，满足不等式L >5Τ，这里， L是电阻膜的与第一线连接的部分中的每一个和电阻膜的与第二线交迭的部分中的相应一 个之间的距离，T是绝缘层的厚度。参照附图阅读示例性实施例的以下说明，本发明的其它特征将变得显而易见。


图1是根据本发明的实施例的图像显示装置的部分切除透视图。图2Α是包含于图1所示的图像显示装置中的电子发射器件之一的部分放大图。图2Β是包含设置在覆盖列线的绝缘层上的电阻膜的后板的示图。图3Α 3C是示出电阻膜的多个部分的电势随时间的变化的示意曲线图，图3D是 示出导体的电势随时间的变化的曲线图。图4Α是表示图2Β所示的电阻膜的电势分布的曲线图。图4Β是表示电阻膜的区域A的长度与绝缘层的厚度之间的关系的曲线图。
图5A 5H是表示制备用于本发明的例子中的后板的步骤的示图。图6是在比较例中制备的电子发射器件的示图。
具体实施例方式现在将参照附图描述本发明的实施例。图1是根据本发明的实施例的图像显示装置47的部分切除透视图。图2A是包含 于图1所示的图像显示装置47中的电子发射器件5之一的部分放大图。参照图1，图像显示装置47包含框架42、面板46、和以其间设置框架42的方式与 面板46接合的后板30。面板46包含前基板43、配置在前基板43上的多个发光部件44、 和保持在比电子发射器件5高的电势处以使得从电子发射器件5发射的电子被加速的阳极 45。发光部件44在被照射从电子发射器件5发射的电子时发光。后板30包含背基板1、 电子发射器件5、作为第一线的多个行线4和作为第二线的多个列线2。电子发射器件5以 矩阵图案被布置在背基板1上。参照图2A，电子发射器件5分别包含作为一对电极的阴极 10和栅极11以及位于其间的电子发射部分12。在电子发射器件5中，阴极10通过行线4 相互连接，并且，栅极11通过列线2相互连接。列线2具有比行线4大的电阻并被绝缘层 3覆盖。在通常的图像显示装置中，在屏幕的高度和宽度之间存在差异，并且，在列中布置 的像素的数量与在行中布置的像素的数量不同。由此，连接被布置为与像素对应的多个电 子发射器件的线在长度和/或宽度上不同并因此在电阻上不同。在本实施例中，列线2具 有比行线4大的电阻。但是，行线4可具有比列线2大的电阻。重要的是，具有较大电阻的 线被绝缘层3覆盖。由于列线2被绝缘层3覆盖，因此，即使在面板46和后板30之间偶尔出现放电击 穿，也可以防止在阳极45和列线2之间出现放电击穿(可以防止列线2直接被放电侵袭 (strike))。由于可以防止在阳极45和具有高电阻的列线2之间出现放电击穿，因此，可以 防止与列线2连接的所有电子发射器件5劣化，即，可以防止出现线缺陷。在后面详细描述 这一点。在阳极45和行线4或列线2之间的放电击穿的出现导致被放电侵袭的线的电势 增加到由流过线的放电电流和线的电阻的积确定的电压。由于列线2具有比行线4大的电 阻，因此，如果放电电流流过列线2，那么其电势更明显地增大。由此，如果放电电流流过列 线2，那么与列线2连接的所有电子发射器件5保持在一电势处，因此，电子发射器件5的电 子发射性能严重劣化，即，导致所谓的“线缺陷”。但是，在本实施例中，可以防止具有较高电 阻的列线2被放电击穿侵袭，因此，可以防止这种线缺陷。在本实施例中，图像显示装置47包含与行线4连接的电阻膜8，该电阻膜8具有与 列线2交迭的部分，并且该电阻膜8覆盖绝缘层3。电阻膜8具有不与列线2交迭并且与行 线4连接的部分。满足不等式L > 5T(以下，在一些情况下称为不等式1)，这里，L是电阻 膜8的与行线4连接的部分13中的每一个和电阻膜8的与列线2交迭的部分中的相应一 个之间的距离，T是绝缘层3的厚度。在本实施例中，为了满足该不等式，如图2Α所示，电 阻膜8的与行线4连接的部分13从列线2位移以不与列线2交迭，并且，电阻膜8的与所 述电阻膜8的与行线4连接的部分13间隔小于5Τ的距离的部分不与列线2交迭。绝缘层3的厚度T是绝缘层3的与所述电阻膜8的与列线2交迭的部分对应的部分的厚度，即，绝 缘层3的夹在电阻膜8和列线2之间的部分的厚度。这允许从电子发射器件5发射的电子 的轨迹稳定化；由此，可以降低电力消耗。以下详细描述这一点。由于列线2被绝缘层3覆盖，因此，可以如上面描述的那样防止线缺陷的出现。但 是，存在绝缘层3的表面被电气地充电从而从电子发射器件5发射的电子束的轨迹不稳定 的问题。为了应对该问题，电阻膜8被设置于绝缘层3之上并与行线4连接。这允许电阻 膜8用作防止绝缘层3的表面被电气地充电的抗静电膜；由此，电子束的轨迹是稳定的。由 于电阻膜8与行线4连接，因此，即使在阳极45和电阻膜8之间出现放电击穿，也可防止放 电电流流入电阻比行线4高的列线2中。与行线4连接的电阻膜8在绝缘层3之上延伸以部分地与列线2交迭；由此，充电 电流根据在电阻膜8和列线2之间形成的电容流动，因此，电力被消耗。但是，由于电阻膜 8与列线2交迭以使其间设置绝缘层3并且由电阻材料制成，因此在充电电流流过电阻膜8 之前花费时间。因此，电力的消耗并非必然成比例于电阻膜8与列线2交迭的面积。以下 描述这一点。图2B以及图2A是包含设置在覆盖列线2的绝缘层3上的电阻膜8的后板的示图。 图2B所示的配置与图2A所示的配置的不同在于，电阻膜8的位于所述电阻膜8的与行线 4连接的部分13附近的部分、特别是该电阻膜8的与所述电阻膜8的与这些行线4连接的 部分13间隔小于5T的距离的部分(以下，称为区域A)与这些列线2交迭。图3A 3C是 示出对于预定的时间t向这些列线2施加电势V2的情况下的该电阻膜8的区域A C的 电势随时间的变化的示意曲线图。区域A是与所述电阻膜8的与这些行线4连接的部分13 邻近并且距所述电阻膜8的与这些行线4连接的部分13中的每一个的距离L不满足不等 式1的区域(小于5T的区域)。区域B是与区域A邻近并且与所述电阻膜8的与这些行线 4连接的部分13间隔5T或更大的距离的区域。区域C是与区域B相比更加远离所述电阻 膜8的与这些行线4连接的部分13的区域。图3D是示出覆盖绝缘层3的导体(而不是图 2B所示的电阻膜8)的电势随时间的变化的曲线图。导体的所有区域的电势表现相同。在 各图中，在上面的区域中表示这些列线2中的一个的电势，并且，在中间的区域中表示该电 阻膜8或导体的电势，并且，在下面的区域中表示流过电阻膜8或导体的充电电流。为了便 于描述，各行线4的供给电势Vl被设为GND电势。参照图3D，当向这些列线2施加电势V2时，导体的电势不改变，而是维持在等于行 线电势Vl的GND电势处。其原因在于，由于导体具有极低的电阻并用作电极，因此，即使向 这些列线2的电势V2的供给在该绝缘层3中导致电介质极化，也如图3D的下面的区域所 示的那样，与根据电介质极化的电子的数量对应的充电电流迅速供给通过这些行线4。因 此，导体的电势不改变，而是维持在GND电势处。参照图3A 3C，由于该绝缘层3中的电介质极化的影响，该电阻膜8的每个区域 的电势改变以追随这些列线2的电势V2。区域A的电势追随这些列线2的电势的变化，以对 于短暂的时间(特别是对于不足以允许这些列线2的电势达到最大电势V2maX的时间(小 于tl的时间))略微改变。但是，由于区域A接近该电阻膜8的与这些行线4连接的部分 13并且如图3A的下面的区域所示的那样被迅速供给电子，因此区域A的电势在时间tl稳 定在GND电势处。区域B的电势追随这些列线2的电势的变化以增大到最大电势V2maX，如图3B的下面的区域所示的那样，由于从这些行线4的供给的电子到达区域B而向GND电势 下降，根据对于这些列线2的电势V2供给的结束，与电势V2类似地下落，并然后达到GND电 势。区域C的电势追随这些列线2的电势的变化，以增加到最大电势V2maX，稳定在与这些 列线2相同的电势处，根据对于这些列线2的电势V2的降低而改变，并然后到达GND电势。 即，区域C的电势的变化与这些列线2的电势V2的变化相同。其原因在于，在向这些列线 2供给电势V2所花费的时间(时间t2)内，从这些行线4供给的电子没有到达区域C。因 此，在向这些列线2供给电势V2所花费的时间t2内，在该电阻膜8的区域C和这些列线2 之间不存在电势差，或者在其间没有充电电流流动；由此，不消耗电力。作为以在其间设置 该绝缘层3的方式与这些列线2交迭的电阻的该电阻膜8表现出与导体不同的电势行为， 并且，根据对于这些列线2供给电势所花的时间，通常不消耗如电阻膜8与这些列线2交迭 的面积那样多的电力。深入的研究证明，表现出这种与导体不同的电势行为的该电阻膜8 具有IO8 Ω / □或更大的表面电阻率。如图3Α所示，存在这样的区域，在该区域中，由于在这些列线2的电势达到最大电 势V2maX的时间tl之前充电电流流过该电阻膜8，因此消耗电力。这是在作为一对电极的 阴极10和栅极11之间施加发射电子所需要的电势(电压)之前导致的电力消耗，即，不能 通过调整对于这些列线2供给电势所花的时间而避免的电力消耗。本实施例提供这样的结 构，在该结构中，以如图2A所示的那样电阻膜8的覆盖绝缘层3的部分限于满足不等式1 的区域B和C，即电阻膜8和列线2不在区域A中相互交迭的方式，防止绝缘层3的表面被 充电并且可以减少由于电阻膜8和列线2之间的电容导致的电力消耗。以下描述区域A的 长度。图4A表示在向各列线2供给的电势V2达到最大电势V2max的时间点(上述的tl) 处的图2B所示的配置的电阻膜8的电势分布。图4A的纵轴表示电阻膜8的电势，并且，其 横轴表示距所述电阻膜8的与行线4连接的部分13中的一个的距离。如上所述，由于电阻 膜8的电势受因对于列线2的电势供给而在绝缘层3中的电介质极化的影响，因此，如图4A 所示，电阻膜8的电势从GND电势变化为列线2的电势V2。参照图4A，位于所述电阻膜8 的与行线4连接的部分13附近的区域A的电势在列线2的电势V2达到最大电势V2max的 时间点tl处开始返回GND电势。其原因在于，如上所述，从行线4供给的电子已到达区域 A。从行线4供给电子的速度越高或者使电阻膜8返回GND电势所需要(消耗)的供给电 荷越少，则区域A的长度越长。特别地，我们的研究表明，区域A的长度与电阻膜8的表面 电阻率和绝缘层3的介电常数成反比，并与绝缘层3的厚度成比例。这些相关关系可从区 域A是从行线4供给的电子已到达的区域并且电阻膜8的电子迁移率涉及供给这些电子的 速度并与电阻率和电子密度的积成反比的事实理解。这些相关关系也可从使电阻膜8返回 GND电势所需要(消耗)的供给电荷等于绝缘层3中的电介质极化的大小并且其大小与绝 缘层3的介电常数成比例并与其厚度成反比的事实理解。为了允许电阻膜8的电势追随列 线2的电势，电阻膜8需要如上面描述的那样具有IO8 Ω / □或更大的表面电阻率；由此，当 电阻膜8的表面电阻率为108Ω/ □时，区域A的长度最大。如上所述，为了防止充电电流 流过列线2，绝缘层3需要具有足够的绝缘性能。我们的研究表明，绝缘层3满足这种要求 并且具有4. 6或更大的介电常数。因此，当绝缘层3的介电常数为4. 6时，区域A的长度最 大。
图4B表示具有108Ω/ □的表面电阻率的电阻膜8的区域A的长度和具有4. 6的 介电常数并由SiO2制成或具有9. 0的介电常数并由SiN制成的绝缘层3的厚度之间的关 系。参照图4Β，相比于与具有9. 0的介电常数的绝缘层3组合使用的电阻膜8的区域A相 比，与具有4. 6的介电常数的绝缘层3组合使用的电阻膜8的区域A具有更大的长度。这 与以上研究的结果一致。当介电常数为4.6时，区域A的长度大约为绝缘层3的厚度的5 倍。因此，当区域A具有绝缘层3的厚度5倍的长度时，可以减少电力消耗。现在将描述在本实施例中使用的部件。以下描述后板30的部件。背基板1具有 足以机械支撑电子发射器件5、行线4和列线2等的强度，并且可抵抗用于干蚀刻或湿蚀刻 或者用作显影溶液的碱或酸。因此，背基板1可由石英玻璃、包含减少量的诸如Na的杂质 的玻璃或诸如铝的陶瓷材料等制成，或者，可以为蓝色玻璃片或者通过在蓝色玻璃片和Si 基板上通过溅射处理或类似处理沉积SiO2B成的叠层等。在本实施例中，背基板1由诸如 PD200的高应变点(high-strain point)玻璃制成。阴极10和栅极11由具有良好导电性、高导热性和高熔点的材料制成。材料的可用 例子包括诸如 Be、Mg、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Al、Cu、Ni、Cr、Au、Pt 和 Pd 的金属；包含 这些金属的合金材料；诸如TiC、ZrC, HfC、TaC, SiC和WC的碳化物；诸如HfB2、ZrB2, CeB6, YB4和GdB4的硼化物；诸如TaN、TiN、ZrN和HfN的氮化物；诸如Si和Ge的半导体；有机聚 合材料；无定形碳；石墨；类金刚石碳；金刚石分散的碳；和碳化合物。可以使用诸如气相沉 积处理或溅射处理的一般真空沉积处理，以形成阴极10和栅极11。电子发射部分12可以由具有良好导电性并可场发射电子的材料制成。该材料具 有2000°C或更高的高熔点和5eV或更小的功函，并且是不可能形成诸如氧化物的化学反应 层的材料。该材料的可用例子包含诸如Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Au、Pt和Pd的金属；包含这些 金属的合金材料；诸如TiC、&C、HfC、TaC、SiC和WC的碳化物；诸如HfB2、ZrB2、CeB6、YB4和 GdB4的硼化物；诸如TiN、ZrN, HfN和TaN的氮化物；无定形碳；石墨；类金刚石碳；金刚石 分散的碳；和碳化合物。可以使用诸如气相沉积处理或溅射处理的一般真空沉积处理，以形 成电子发射部分12。行线4和列线2不被特别限制，并且可由导电材料制成。可以使用印刷处理或分 配器涂敷处理以形成行线4和列线2。列线2可具有比行线4小的宽度或厚度，或者可由电 导率比用于形成行线4的材料的电导率小的材料制成，以具有比行线4大的电阻。绝缘层3由耐受高电场的材料制成。这种材料的可用例子包括诸如SiO2的氧化 物和诸如Si3N4的氮化物。可通过诸如溅射处理、化学气相沉积(CVD)处理或真空气相沉积 处理的一般真空沉积处理形成绝缘层3。电阻膜8不被特别限制，并且可由能够将其表面电阻率设为108Ω/ □或更大的材 料制成。该材料具有低的电子迁移率。这种材料的例子包含诸如非晶硅和碳的半导体材料。以下描述面板46的部件。前基板43可由透过可见光的诸如玻璃的材料制成。在本实施例中，前基板43由 诸如PD200的高应变点玻璃制成。发光部件44可由当被电子束激励时发光的结晶荧光体制成。荧光体的例子包含 用于常规 CRT 等中的在例如 Phosphor Research Society, Phosphor Handbook, Ohmsha, Ltd.中引用的荧光体材料。
阳极45可以是在CRT领域中已知的由Al等制成的金属背板。使用掩模的气相沉 积处理、蚀刻处理或其它处理可被用于将阳极45构图。由于电子需要穿过阳极45以到达 发光部件44，因此，考虑电子的能量损失、预设的加速电压(阳极电压)和光的反射效率，适 当地确定阳极45的厚度。在本实施例中，如图1所示，遮光部件48分别被布置在相邻的发光部件44之间。遮光部件48可形成在CRT等的领域中已知的黑矩阵结构，并且通常由黑色金属、 黑色金属氧化物或碳等制成。黑色金属氧化物的例子包含钌氧化物、铬氧化物、铁氧化物、 镍氧化物、钼氧化物、钴氧化物和铜氧化物。面板46与后板30的周边接合以使其间设置有框架42，由此形成图像显示装置 47。在图像显示装置47上显示图像的情况下，以通过高电压端子HV供给比电子发射 器件5的电势高的电势Va并且通过端子Dx和Dy向行线4和列线2供给不同的电势的方 式，向电子发射器件5施加驱动电压，由此从电子发射器件5中的任一个发射电子。从电子 发射器件5中的任一个发射的电子被加速，并然后与发光部件44碰撞。这选择性地激励发 光部件44，因此，激励的发光部件44发光，由此显示图像。例子现在将描述本发明的例子。在本例子中，使用包含图2A所示的电子发射器件的后 板30制备图像显示装置。使用的面板和图像显示装置的配置如以上的实施例描述的那样， 因此，以下描述本例子的特征。在本例子中，电子发射器件是所谓的垂直类型，这是由于其 优异的电子发射性能。以在背基板1上沉积绝缘部件、在绝缘部件的侧表面上形成电子发 射部分并在绝缘部件的上表面上形成栅极的方式制备电子发射器件。本发明不限于垂直类 型的电子发射器件。图5A 5H是表示制备后板30的步骤的示图。以下依次描述这些步骤。图5A 5H与沿图2A的线X-X'切取的截面图对应。步骤1制备的背基板1是蓝色玻璃片。在背基板1被充分清洗之后，以通过溅射处理在 背基板1上沉积Si3N4的方式形成具有300nm的厚度的绝缘层21。如图5A所示，以通过溅 射处理在绝缘层21上沉积SiO2的方式形成具有20nm的厚度的绝缘层22。步骤2通过旋转涂敷处理用正光刻胶涂敷绝缘层22。该光刻胶被曝光并然后被显影，由 此形成抗蚀剂图案。如图5B所示，使用构图的光刻胶作为掩模来对绝缘层22构图。步骤3如图5C所示，以通过溅射处理在绝缘层22上沉积TaN的方式形成具有30nm的厚 度的导电层23。步骤4通过溅射处理在导电层23上沉积具有3 μ m的厚度的Cu层。通过旋转涂敷处理 用正光刻胶涂敷Cu层。该光刻胶被曝光并然后被显影，由此形成抗蚀剂图案。使用该构图 的光刻胶作为掩模，用蚀刻溶液将Cu层构图，由此如图5D所示，形成具有20 μ m的宽度的 列线2。
步骤5通过旋转涂敷处理用正光刻胶涂敷导电层23和列线2。该光刻胶被曝光并然后被 显影，由此形成抗蚀剂图案。通过使用该构图的光刻胶作为掩模的干蚀刻处理，用CF4气体 将绝缘层21、绝缘层22和导电层23构图，由此如图5E所示，形成开口 25，并在绝缘部件上 形成由TaN制成的栅极11。步骤6通过CVD处理在背基板1之上沉积具有3 μ m的厚度的SiO2层。通过电镀处理在该SiO2层上沉积具有10 μ m的厚度的Cu层。正光刻胶通过旋转 涂敷处理被设置于该Cu层上，被曝光，并然后被显影，由此形成抗蚀剂图案。通过使用该构 图的光刻胶作为掩模用蚀刻溶液将该Cu层构图，由此形成具有250 μ m的宽度的行线4。负光刻胶通过旋转涂敷处理被设置在行线4之上，被曝光，并然后被显影，由此形 成抗蚀剂图案。在该抗蚀剂图案上沉积具有IOOnm的厚度的非晶硅层。该抗蚀剂被剥离，由此形 成由非晶硅制成的用于防止静电充电的电阻膜8。电阻膜8的多个部分被沉积在行线4上， 以不与列线2交迭，由此，如图5F所示，形成电阻膜8的与行线4连接的部分13。在该图 中，通过虚线示出行线4和位于其上面的电阻膜8的部分13。步骤7通过选择性蚀刻将在步骤6中形成的SiO2层的区域构图，这些区域被相邻的行线 4和调整的列线2包围，由此形成由SiO2制成的绝缘层3。使用的蚀刻溶液为可从Stella Chemifa Corporation得到的缓冲氢氟酸(BHF)LAL100。蚀刻时间为11分钟。在该步骤中， 面对开口 25的绝缘部件的侧表面被蚀刻约60nm，由此如图5G所示，形成带缺口的部分26。步骤8通过倾斜沉积处理以45度的角度在绝缘部件的侧表面上沉积Mo，由此形成具有 30nm的厚度的Mo层。正光刻胶通过旋转涂敷处理被设置在Mo层上，被曝光，并然后被显 影，由此形成抗蚀剂图案。通过使用该构图的光刻胶作为掩模用CF4气体干蚀刻Mo层，由 此如图5H所示，形成阴极10。图像显示装置的制备如图1所示，使用如上面描述的那样制备的后板30通过在以上实施例中描述的方 法制备图像显示装置。从电阻膜8的与行线4连接的部分13中的每一个到与电阻膜8的 与列线2交迭的部分中的相应一个的距离L为18 μ m(由于绝缘层3的厚度T为3 μ m，因此 为绝缘层3的厚度T的六倍)。电阻膜8的薄层电阻为1 X IO12 Ω / 口。比较例在比较例中，制备包含如图6所示的那样构建的电子发射器件的图像显示装置。 在电子发射器件中，电阻膜8的与行线4连接的部分处于列线2正上方，并且，从电阻膜8 的与行线4连接的部分中的每一个到电阻膜8的与列线2交迭的部分中的相应一个的距离 L基本上为零。在区域C中，在电阻膜8的多个部分中设置开口，使得电阻膜8与列线2交 迭的面积与在例子中描述的情况相等。除了以上描述的那些以外，图像显示装置的配置和 图像显示装置的制造方法与在例子中描述的相同，并且将不被描述。评价结果
在如上面描述的那样制备的各图像显示装置中，通过线在阴极10和栅极11之间 施加电压。特别地，向列线2施加的电压是+IOV的脉冲电压，并且，向行线4施加的电压 是-IOV的脉冲电压。向面板46的阳极45施加IOkV的直流高电压。在这些条件下操作例 子的图像显示装置。包含于例子的图像显示装置中的电子发射器件之一的电容被确定为 0. 38pF。例子的图像显示装置显示无畸变的图像。这证实例子的图像显示装置具有足够的 抗静电功能。在与用于操作例子的图像显示装置的条件相同的条件下操作比较例的图像显示 装置。包含于比较例的图像显示装置中的电子发射器件之一的电容被确定为比例子的大 8%的0.41pF。比较例的图像显示装置的电力消耗比例子的大约5%。观察到由从比较例的 图像显示装置的电子发射器件发射的电子束产生的斑点随着操作时间而扩展。这些证实， 例子的图像显示装置具有降低的电容和降低的电力消耗，并且能够显示良好的图像。根据本发明，可以提供具有降低的电力消耗的图像显示装置。虽然已参照示例性实施例说明了本发明，但应理解，本发明不限于公开的示例性 实施例。以下的权利要求的范围应被赋予最宽的解释以包含所有的变更方式以及等同的结 构和功能。
权利要求
1.一种图像显示装置，包括后板，该后板包含多个电子发射器件，每个电子发射器件包含一对电极和位于所述电极之间的电子发射 部分；连接位于所述电子发射器件中的相应一个的一侧的每一个电极的第一线；连接位于所述电子发射器件中的相应一个的另一侧的每一个电极并具有比第一线的 电阻大的电阻的第二线；覆盖第二线的绝缘层；和与第一线连接的电阻膜，该电阻膜具有与第二线交迭的部分，该电阻膜覆盖绝缘层并 且具有IO8 Ω / □或更大的表面电阻率；和面板，包含保持在比电子发射器件的电势高的电势处的阳极和当被从电子发射器件发 射的电子照射时发光的发光部件，其中，电阻膜具有不与第二线交迭并且与第一线连接的部分，并且，满足不等式 L ^ 5Τ，这里，L是电阻膜的与第一线连接的部分中的每一个和电阻膜的与第二线交迭的部 分中的相应一个之间的距离，T是绝缘层的厚度。
2.根据权利要求1的图像显示装置，其中，电阻膜是抗静电膜。
全文摘要
本申请涉及图像显示装置。所述图像显示装置包括连接分别包含一对电极和位于电极之间的电子发射部分的电子发射器件的第一线、具有比第一线的电阻大的电阻的第二线、覆盖第二线的绝缘层和与第一线连接的电阻膜，该电阻膜覆盖绝缘层并具有108Ω/□或更大的表面电阻率。电阻膜具有不与第二线交迭并且与第一线连接的部分。电阻膜的与第一线连接的部分中的每一个和电阻膜的与第二线交迭的部分中的相应一个之间的距离L为绝缘层的厚度T的五倍或更多倍。
文档编号H01J31/12GK102103964SQ20101055402
公开日2011年6月22日 申请日期2010年11月19日 优先权日2009年12月21日
发明者广池太郎 申请人:佳能株式会社