专利名称：照明装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种照明装置。
背景技术：
有一种照明装置,其具备:发光二极管(Light Emitting Diode:LE D)等发光元件；包含荧光体的波长转换层。采用该照明装置，与以往的使用了灯丝的白炽灯泡或荧光灯等相比，能够减少消耗电力。而且，能够延长照明装置的寿命。在这种照明装置中，由难燃性的树脂形成的树脂部件等可能会发生光劣化。因此，希望开发出一种能够提高对于光劣化的耐性的照明装置。专利文献专利文献I日本特开2005-166578号公报
实用新型内容本实用新型要解决的问题在于提供一种能够提高对于光劣化的耐性(光耐性)的照明装置。本实用新型的第一方式提供一种照明装置，具备:照明装置主体；具有发光元件，且设于照明装置主体的光源；设置在照明装置主体的来自光源的光直接或间接地到达的位置上的树脂部件；对于光劣化的耐性比所述树脂部件优异，由实质上不含有卤素及磷且导热系数为lW/m.K以上的硅酮树脂形成，并将所述树脂部件的来自光源的光所到达一侧的表面覆盖而设置的反射 层。该照明装置具备有反射层，该反射层的对于光劣化的耐性比设置在照明装置主体的来自光源的光所到达的位置上的树脂部件大，由导热系数为lW/m.K以上的硅酮树脂形成，将所述树脂部件的来自光源的光所到达一侧的表面覆盖而设置，因此，能够提高照明装置整体的对于光劣化的耐性。树脂部件优选具有难燃性，其不会引起火灾比较安全。光劣化的促进与光的波长、高照度、高温成比例。当导热系数为lW/m*K以上时，热扩散性提高，因此即使局部接受到来自光源的高照度的光而发热，热量也始终向局部的周围扩散，不易集中而向正下方的树脂部件传递，与导热系数低的部件相比，能抑制树脂部件的局部性的高温化。树脂部件只要不变为高温化、不接受光，就能够延缓树脂部件的光劣化。在上述照明装置中，优选其硅酮树脂作为填充物包含A1203、SiO、Z n0、BaS04、Τ 02中的至少一种。在该照明装置中，由于硅酮树脂作为填充物包含A1203、SiO、ZnO、BaS04、Τ 02中的至少一种，因此成为表面为白色且具备光隠蔽性和高导热系数的反射层。本实用新型的又一方式为涉及一种反射层的厚度尺寸为50微米以上100微米以下的照明装置。在该照明装置中，由于反射层的厚度尺寸为50微米以上，因此能够抑制光劣化的发生。而且，由于反射层的厚度尺寸为100微米以下，因此能够维持将反射层与树脂部件合在一起后的综合性的难燃性。在上述照明装置中，优选其光源是高光输出的LED，以使由树脂部件覆盖的反射层的一部分的照度成为IMlx以上。以往的照明装置的光输出小，本领域技术人员未考虑树脂部件发生光劣化的情况，但本本实用新型设计者们发现，当树脂部件上存在测定的照度成为IMlx以上的部分时，无法忽视树脂部件的光劣化，而在该照明装置中，虽然为大光量，能够提高照明装置整体的对于光劣化的耐性。在上述照明装置中，优选反射层的全光线反射率为70%以下。在该照明装置中，通过反射层能得到充分的光反射，因此提高照明装置的效率。根据本实用新型的实施方式，可提供一种能够提高对于光劣化的耐性的照明装置。
图1是用于例示本实施方式所涉及的照明装置的示意立体图。图2是图1表示的照明装置主体10的示意局部剖视图。图3是用于例示比较例所涉及的照明装置主体110的 示意局部剖视图。图4是用于例示比较例所涉及的照明装置主体110的点灯试验后的反射部114的外观的示意图。图5是用于例示比较例所涉及的照明装置主体110的点灯试验后的光源200的外观的示意图。图6是图5中表示的剥离片400的一部分的示意放大图。图7的(a) (d)是将图5及图6表示的剥离片400的一部分进一步放大的示意图。图8的(a) (d)是表示电极焊盘与波长转换层的界面的组分分析的结果的坐标图。图9是表示比较例所涉及的照明装置主体110的反射部114中使用的含有溴的PBT的反射光谱AR的坐标图。图10是表示比较例所涉及的照明装置主体110的反射部114中使用的含有溴的PBT的吸收光谱AS的坐标图。图11是用于例示另一实施方式所涉及的照明装置的示意剖视图。图12是用于例示另一实施方式所涉及的照明装置的示意剖视图。图13是用于例示另一实施方式所涉及的照明装置的示意图。图14是用于例示另一实施方式所涉及的照明装置的示意图。图15的(a)、(b)是用于例示另一实施方式所涉及的照明装置的示意图。图中:10照明装置主体，14树脂部件，20光源，30,42发光元件，64、66树脂部，82反射层具体实施方式
[0035]以下，参照附图，对实施方式进行例示。另外，各附图中，对于同样的结构要素，标注同一符号而适当省略详细的说明。图1是用于例示本实施方式所涉及的照明装置的示意立体图。另外，图1是从光出射面侧目视照明装置主体10的立体图。如图1所示，照明装置主体10具备主体部12、树脂部件14、具有发光元件30的光源20。在框状的主体部12中收容有树脂部件14。在树脂部件14设有多个凹部14a。在各个所述凹部14a之中设有光源20。另外，图1所例示的照明装置主体10只不过是一例，例如，凹部14a、光源20的形状或个数等能够适当变更。例如，凹部14a及光源20可以分别仅设置一个。图2是图1所示的照明装置主体10的示意局部剖视图。另外，图2是照明装置主体10的树脂部件14的一个凹部14a附近的纵向剖视图。在树脂部件14的上方设有透明罩16。另外，在图1中，表示将透明罩16拆卸的状态。树脂部件14设置在光源20的照射侧。树脂部件14由具有难燃性的树脂形成。照明装置主体10由于光源20的温度升高，因此使用具有规定的难燃性的树脂形成树脂部件14或透明罩16。此时，例如，·优选使用UL94规格的等级为V-1等级以上，即，与V_l、V_0、5VB、5VA中的任意一个等级对应的树脂。这种具有难燃性的树脂包括至少含有溴(Br)等卤素及磷的任意一个的树脂。例如，可以例示含有溴的PBT (polybutylene terephthalate)等。在树脂部件14的表面密接地设有反射层82。反射层82为了抑制树脂部件14发生光劣化而设置。S卩，反射层82为了抑制其含有的元素或其化合物(例如，溴或含有溴的化合物等)从形成树脂部件14的树脂中脱离而设置。另外，关于树脂部件14的光劣化的详情，在后面叙述。另外，反射层82具有对于从光源20照射过来的光进行反射，并阻碍从光源20照射过来的光到达树脂部件14的表面的功能。S卩，反射层82对于从光源20照射过来的光具有反射性和遮光性(光隠蔽性)。反射层82使用实质上不含有卤素及磷的硅酮树脂形成，以免在从光源20照射光时含有的元素或其化合物脱离。另外，考虑到反射层82对于从光源20照射过来的光进行反射、阻碍从光源20照射过来的光到达树脂部件14的表面的情况，优选使用白色的树脂形成。作为反射层82的形成中使用的树脂，例如，可以使硅酮树脂作为填充物包含50wt%以上的A1203、Si0、Zn0、BaS04、Ti02中的至少一种，并在粘性液体状态下覆盖树脂部件之后进行硬化。使用这种树脂，能够应对树脂部件的表面凹凸不平状态，在覆盖两种以上的树脂部件时，还能够一下子进行覆盖，因此制作变得容易。而且，在硬化之后具有弹性，因此也能够抑制振动引起的树脂部件与反射层的剥离。本实用新型中的“硬化”是指成为固体，具有弹性的状态也指硬化状态。另外，在本说明书中，“实质上不含有”是指含有量为零，或虽然含有量不为零但是不会对照明装置主体10所要求的产品寿命造成影响的范围内的含有量。例如，在照明装置主体10所要求的寿命为4万小时时,只要在达到其寿命的范围内(例如,相对于树脂总量为IOOOppm以上且2500ppm以下左右)，可以包含卤素或磷。反射层82的厚度尺寸考虑到与使用量的关系，优选为50微米以上、100微米以下。此时，反射层82的厚度尺寸可以设置成均匀。但是，如图2所示，若使接近光源20的区域的厚度尺寸变厚，则能够提高抑制卤素或磷的脱离、阻碍从光源20照射过来的光到达树脂部件14的表面的效果。此时，如图2所示，既可以使反射层82的厚度尺寸随着接近光源20逐渐变厚，也可以使反射层82的厚度尺寸随着接近光源20逐级变厚。S卩，可以使反射层82的接近光源20的部分的厚度尺寸比从光源20分离的部分的
厚度尺寸厚。另外，如图2所示，反射层82可以设置成覆盖树脂部件14的表面整体。此时，可以仅在树脂部件14的表面中的至少从光源20照射的光接触的部分设置反射层82。但是，若反射层82设置成覆盖树脂部件14的表面整体，则能够提高抑制卤素或磷脱离的效果。
反射层82的形成方法并未特别限定，例如可以通过喷涂法等在树脂部件14的表面形成反射层82。另外，也可以预先将反射层82形成为膜状，而将其粘结在树脂部件14的表面。接下来，返回图2，例示设于照明装置主体10的其他要素。在树脂部件14的凹部14a的下方设有光源20。光源20具有金属性的支承基板22和将其表面覆盖的绝缘层24。在绝缘层24上分别形成有安装焊盘26、电极焊盘28。在安装焊盘26上安装有多个发光元件30。所述发光元件30通过金属丝32例如连接成串联连接。而且，发光元件30通过金属丝34与两侧的电极焊盘28连接。因此，通过使电流流过这一对电极焊盘28之间，而能够使发光兀件30发光。作为发光元件30，例如，可以例示能得到IMlx以上的输出的发光二极管。作为发光二极管的活性层的材料，例如使用氮化镓(GaN)系化合物半导体时，能得到波长为500纳米以下的短波长光。S卩，从光源20照射的光在波长500纳米以下具有强度的峰值。但是，活性层的材料并不局限于氮化镓系化合物半导体。另夕卜，作为发光元件30，除了发光二极管之外，可以使用例如有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode:0LED)、无机场致发光(Ino rganicElectroLuminescence)发光兀件、有机场致发光(Organic ElectroL uminescence)发光兀件、或其他的电场发光型的发光元件等。在安装焊盘26或电极焊盘28的表面设有银(Ag)或包含银的合金。银对于蓝色光等短波长，具有高反射率。因此，通过在安装焊盘26或电极焊盘28的表面设置银或银合金，而能够使从发光元件30照射的光以高反射率反射，向外部放出。S卩，光源20具有包含银的要素。发光元件30或金属丝32、34由波长转换层36覆盖。波长转换层36例如具有荧光体分散在树脂中的结构。波长转换层36由形成在其周围的框体38包围。作为构成波长转换层36的树脂，例如可以使用透光性的硅酮树脂。而且，作为框体38的材料，可以使用与反射层相同的反射性的硅酮树脂。此时，由于可以使用同样的硅酮材料，因此能够抑制材料费用。包含于波长转换层36的荧光体吸收从发光元件30照射的光，发射出不同波长的光。例如，从发光元件30照射波长为450纳米 500纳米的蓝色光时，能够通过荧光体将蓝色光转换成黄色光。因此，从发光元件30照射的蓝色光的一部分转换成黄色光，其与不转换直接向外部照射的蓝色光混合，由此得到白色光。如此从光源20照射出来的白色光等光能够从树脂部件14的凹部14a经由透明罩16向外部放出。而且，从光源20朝倾斜方向照射的光由设置在树脂部件14的斜面14b的表面上的反射层82反射，能够经由透明罩16向外部放出。但是，从本实施方式的照明装置主体10放射出的光并未限定为白色光。另外，作为来自光源20的光直接或间接地照射的其他要素的材料使用树脂时，可以使用实质上不含有卤素及磷的树脂。例如，在图1及图2例示的照明装置主体10中，作为透明罩16的材料，可以使用实质上不含有卤素及磷的树脂。若使用实质上不含有卤素及磷的树脂来形成透明罩16，透明罩16的难燃性可能会降低，但由于作为热源的光源20与透明罩16之间分离，因此难燃性下降的影响较小。作为来自光源20的光直接或间接地照射的其他要素的材料，若使用实质上不含有卤素及磷的树脂，则能够进一步提高照明装置主体10的对于光劣化的耐性。接下来，进一步说 明反射部114的光劣化等。图3是用于例示比较例所涉及的照明装置主体110的示意局部剖视图。如图3所示，照明装置主体110具备反射部114、光源200等。具有斜面114b的反射部114对应于上述照明装置主体10的树脂部件14。但是，反射部114由含有25000ppm的溴的PBT而形成。另外，在反射部114的表面未设置反射层82。在光源200设有支承基板22、绝缘层224、安装焊盘226、电极焊盘228、发光元件230、波长转换层236、框体238。光源200对应于上述照明装置主体10的光源20。光源200形成在白色的绝缘层224 (对应于绝缘层24)之上，在框体238 (对应于框体38)中设有由波长转换层236 (对应于波长转换层36)密封的发光元件230 (对应于发光元件30)。发光元件230安装在安装焊盘226 (对应于安装焊盘26)之上。而且，在安装焊盘226的两侧设有电极焊盘228(对应于电极焊盘28)，通过金属丝232、金属丝234与发光元件230连接。安装焊盘226和电极焊盘228的表面由银覆盖。接下来，说明比较例所涉及的照明装置主体110的反射部114或电极焊盘228等的劣化的机理。当从光源200照射包含短波长的成分的光L时，其一部分由反射部114的斜面114b反射,而向外部放出。当短波长的光照射包含卤素或磷的反射部114时，发生分解或变质，卤素、磷、或它们的化合物从反射部114脱离。另外，温度升高可能会促进反射部114的分解或变质。而且，当温度升高时，构成反射部114的树脂的光吸收率上升，可能会加速光的吸收引起的分解或变质。在图3中，作为一例，说明包含溴的有机物R-Br从反射部114脱离的情况。如箭头300所示，脱离的有机物R-Br经由波长转换层236而到达安装焊盘226或电极焊盘228，与其表面的银发生反应，产生发黑、凝集、剥离、断线等。另外，作为脱离的R-Br的侵入路径，如箭头302所示，还可以考虑经由框体238之中或框体238的下侧的界面的路径。另外，还可以考虑有机物R-Br在到达安装焊盘226或电极焊盘228之前或到达之后，通过从发光元件230照射的短波长的光进行分解，形成更有活性的溴离子。另外，在图3中，作为一例，说明了含有溴的情况，但并未限定于此。溴以外的卤素或磷也与溴同样，与银发生反应，产生发黑、凝集、剥离、断线等。根据上述机理，短波长光的照射或温度的上升会使树脂产生分解或变质，其结果，卤素、磷或包含它们的化合物将会脱离。并且，脱离的卤素、磷或包含它们的化合物与电极焊盘228或安装焊盘226的银发生反应，会导致照度的下降或金属丝的断线等。接下来，进一步说明比较例所涉及的照明装置主体110的反射部114或电极焊盘228等的劣化的情况。对于图3所示的照明装置主体110，实施点灯试验，研究了反射部114或电极焊盘228等的劣化。在点灯试验中，照明装置主体110以输出57瓦点灯之后，随着时间的经过而照度逐渐下降，大约在4000小时，成为了非点灯状态。并且，对于成为非点灯状态的照明装置主体110的反射部114或电极焊盘228等，观察了劣化的情况。图4是用于例示比较例所涉及的照明装置主体110的点灯试验后的反射部114的外观的示意图。 S卩，图4表示反 射部114的斜面114b的表面状态。另外，斜面114b对应于图2的斜面14b。点灯试验之前，斜面114b为白色，而点灯试验之后的斜面114b发黑，局部产生裂纹115。即，可知含有溴的PBT的表面发生了变质。可以认为这种发黑或裂纹115，导致斜面114b的反射率下降，照明装置主体110的照度下降。图5是用于例示比较例所涉及的照明装置主体110的点灯试验后的光源200的外观的示意图。如图5所示，面对安装焊盘226其左侧端部和右侧的部分分别发黑。而且，设置在安装焊盘226的上下的电极焊盘228也发黑。可以认为，在比较例所涉及的照明装置主体110中，上述发黑，导致光的反射率的下降，照度的下降。另外，详细地查看电极焊盘228的部分发现，电极焊盘228的发黑的表面层剥离，金属丝234的接合部也发生了剥离。即，明确了金属丝234成为断线状态，导致了非点灯状态。在图5中，表示了在面对光源200的左下的一部分上将剥离的剥离片400翻过来放置的情况。 剥离片400具有安装焊盘226的表面层、电极焊盘228的表面层、将其周围密封的波长转换层236、框体238的一部分。S卩，安装焊盘226或电极焊盘228的看着发黑的部分由于表面变质，因此能简单地剥落。图6是图5所示剥离片400的一部分的示意放大图。剥离的电极焊盘228的表面层黑化，呈凝集成粒子状的外观。而且，金属丝234也从电极焊盘228的残留部分(残留在绝缘层224之上的部分)剥离。即，可以知道电极焊盘228的银发生变质。图7的(a) (d)是将图5及图6所示的剥离片400的一部分进一步放大的示意图。即，图7的(a)表示与电极焊盘228 —起剥离的金属丝234的接合部前端。而且，图7的(b)是图7的(a)的A部的示意放大图，图7的(c)是图7的(a)的B部的示意放大图，图7的(d)是图7的(a)的C部的示意放大图。金属丝234的材料为金(Au)，通过与电极焊盘228的银层接合，而其表面发生合金化。并且，在剥离的金属丝234的表面也能看到凝集的粒子状的结构。EPMA (ElectronProbe MicroAnalysis)分析的结果可知,该粒子状的结构含有银。S卩，可以知道在金属丝234与电极焊盘228的接合界面，也发生银的变质。图8的(a) (d)的是表示电极焊盘与波长转换层的界面的组分分析的结果的坐标图。在此，如图5 图7的(a) (d)所例示的剥离片400，将电极焊盘的上的波长转换层剥离，通过SIMS (Secondary 1n Mass Spectroscopy:2次离子质量分析)分别对电极焊盘的位置上的剥离片的表面和残留在绝缘层24侧的电极焊盘的表面进行了组分分析。图8的(a)表示从本实施方式所涉及的照明装置主体10的光源20剥离的波长转换层36的电极焊盘28侧的表面的组分分析结果。图8的(b)表示从本实施方式所涉及的照明装置主体10的光源20将波长转换层36剥离后残留在绝缘层24侧的电极焊盘28的表面的组分分析结果。图8的(C)表示从比较例所涉及的照明装置主体110的光源200剥离的剥离片400的电极焊盘28侧的表面的组分分析结果。图8的(d)表示从比较例所涉及的照明装置主体110的光源200将剥离片400剥离后残留在绝缘层224侧的电极焊盘228的表面的组分分析结果。从图8的(c)、(d)可知，在比较例所涉及的照明装置主体110中，无论是在剥离片40(H则(图8的(C ))，还是在绝缘层224侧(图8的(d))，在横轴n/z为450 460的范围内，能看到Ag2Br3的峰值,而且,在横轴n/z为640 650的范围内，能看到Ag3Br4的峰值。而且，经过分析，还确认了 Ag Br的峰值和AgBr2的峰值。相对于此，从图8的(a)、(b)可知，在本实施方式所涉及的照明装置主体10中，无论是剥离片的侧(图8的(a))，还是绝缘层24侧(图8的(b))，都未看到有意义的峰值。根据该分析结果可知，在比较例所涉及的照明装置主体110中，在点灯试验时，溴或包含溴的化合物从反射部114脱离，到达电极焊盘228的表面，与银发生反应，形成臭化银。并且，如图5或图6等所示，可以认为在如此形成臭化银的过程中，电极焊盘228或安装焊盘226的表面发黑，凝集成粒子状而剥离，从而导致金属丝234的断线。另外，可以认为溴或含有溴的化合物从反射部114脱离，如图4表示，导致反射部114的斜面114b发黑而产生裂纹115。图9是表示在比较例所涉及的照明装置主体110的反射部114中使用的含有溴的PBT的反射光谱AR的坐标图。另外，图10是表示在比较例所涉及的照明装置主体110的反射部114中使用的含有溴的PBT的吸收光谱AS的坐标图。另外，在图9及图10中，作为参考例，表示在反射部114的表面蒸镀有铝的样品的反射光谱CR和吸收光谱CS。另外，在图9及图10中，也一并表示了从光源200照射的光的发光光谱ES。另外，在图10中，表示了在恒温槽中以150°C保持120小时，从而含有因热劣化而变黄的溴的PBT的吸收光谱AS2。观察从光源200照射的光的发光光谱ES，其包括以波长450纳米前后为峰值的蓝色光和以波长560纳米前后为峰值的光谱宽度宽的黄色光。另一方面，含有溴的PBT的吸收光谱AS表示在初始状态下以波长420纳米前后为边界在短波长侧其吸收率急剧升高的转变。然而，以150°C保持了 120小时之后的吸收光谱AS2在从波长400纳米到700纳米前后的大范围内，吸收率比吸收光谱AS上升。
顺便提一下，观察作为参考例的使铝蒸镀的反射部114的吸收光谱C S，在比波长440纳米长的波长侧，吸收率比初始状态的含有溴的PBT高。然而，在波长440纳米以下的波长中，吸收率也不会急增，可知在长波长侧到短波长侧，能够维持低吸收率。从图9及图10可知，PBT即使在初始状态下，吸收率的上升(420纳米前后)部分也与光源200的蓝色光的峰值的下部重叠。S卩，可知，PBT即使在初始状态下，也吸收从光源200照射的光的短波长成分，存在发生分解或变质的可能性。并且，当含有溴的PBT发生分解或变质时，如图4表示，表面产生发黑或裂纹115，会降低光的反射率。这会引起照度的下降。如果从光源照射的光主要是可视光，光量、温度均低时，含有溴的PBT发生分解或变质的问题不会凸显。然而，如果从光源照射的光包含较多的短波长成分而为大光量时，在光源附近的要素可能会产生表面发黑或产生裂纹115的现象。另外，当含有溴的PBT产生分解或变质时，溴或含有溴的化合物脱离，与电极焊盘228或安装焊盘226的银发生反应，产生发黑、凝集、剥离等。尤其是在由透明罩16等密闭的空间内配置有光源200及反射部114的照明装置主体110中，脱离的溴或含有溴的化合物的气体容易充满，存在容易引起发黑、凝集、剥离等问题的倾向。因此，在本实施方式所涉及的照明装置主体10中，在树脂部件14的表面上设有硅酮树脂的反射层82。[0146]在此，如图10所示，若在反射部114的表面蒸镀铝，则即使在波长440纳米以下的波长中，吸收率也不会急增，在长波长侧到短波长侧，能够维持低吸收率。S卩，若使用具有遮光性的材料覆盖反射部114的表面，则在长波长侧到短波长侧，能维持低吸收率。另外，如果选择在波长440纳米的长波长侧吸收光谱CS比铝低的材料，则在长波长侧到短波长侧，能够进一步降低吸收率。在此，如图10所示，在波长440纳米的长波长侧，PBT比铝的吸收率低。然而，如果使用含有溴等的PBT来形成反射层82，溴或含有溴的化合物等将从反射层82中脱离。因此，在本实施方式所涉及的照明装置主体10中，使用实质上不含有卤素及磷且导热系数为lW/m.K以上的硅酮树脂来形成反射层82。因此，与蒸镀铝的情况相比，能够得到低吸收率，并且在长波长侧到短波长侧能够维持低吸收率。而且，虽然与铝相比热放射程度稍低，但由于导热系数为lW/m.K以上，因此能得到充分的热放射。图11是用于例示另一实施方式所涉及的照明装置的示意剖视图。在图11例示的照明装置主体IOa上设有将光源20覆盖的扩散抑止部70。扩散抑止部70优选具有对于光源20所照射光的透光率高且能够维持一定种程度的气密性的材料及结构。作为扩散抑止部70的材料，可以使用有机材料或无机材料等。扩散抑止部70以覆盖光源20的方式涂敷液体状的有机材料或无机材料，并使其硬化、干燥而形成。此时，作为扩散抑止部70的原材料，可以使用水玻璃等。另外，扩散抑止部70并非必须与光源20接触形成。即，扩散抑止部70只要覆盖光源20的周围并且能够抑制卤素、磷或包含它们的化合物侵入到光源20的内部即可。因此，例如，可以离开光源20设置在光源20的周围。若设置扩散抑止部70，则假设卤素、磷或包含它们的化合物透过了反射层82，也能够抑制卤素、磷或包含它们的化合物侵入到光源20的内部。因此，即使在照明装置主体IOa的内部产生卤素、磷或包含它们的化合物，也能够抑制光源20的安装焊盘26或电极焊盘28等的发黑、凝集、金属丝的断线等。图12也是用于例示另一实施方式所涉及的照明装置的示意剖视图。在图12例示的照明装置主体IOb设有滤光器80。滤光器80设置在光源20与树脂部件14之间。滤光器80 具有选择性地吸收从光源20照射的光中的短波长侧的光的光学特性。例如，若使用实质上不含有卤素及磷的PBT来形成反射层82，如图10所例示，在波长420纳米以下，吸收率上升。因此，若设置将波长420纳米前后的短波长侧的光吸收的滤光器80，则能够减少反射层82吸收的短波长侧的光。另外，如图11所例示的扩散抑止部70，滤光器80也可以与光源20接触设置。图13 图15的(a)及(b)是用于例示另一实施方式所涉及的照明装置的示意图。另外，图13是照明装置的剖视图，图14是照明装置的立体分解部，图15的(a)及(b)是照明装置的局部放大立体图。本实施方式所涉及的照明装置50是所谓“灯泡型”照明装置，可以直接安装在以往的使用白炽灯泡的器具上。如图13 图15的(a)及(b)所示，在主体部52的一端部设有灯头部54。灯头部54能够螺入用于安装白炽灯泡的插口中。在主体部52的另一端部设有透明或半透明的罩56。在主体部52的内部收容有电源基板58。另外，在主体部52的另一端部固定有安装基板60，在其上设有光源62。光源62对应于图1及图2所例示的光源20，设有未图示的安装焊盘、电极焊盘、发光元件、波长转换
层、金属丝等。在安装基板60上设有作为树脂部件的连接构件64。连接构件64例如是连接器，用于将与电源基板58连接的作为树脂部件的配线66和光源62连接。配线66具有用绝缘体覆盖导体的芯线的结构。
在本实施方式中，例如，作为树脂部件的连接构件64的材料或配线66的覆盖等可以使用容易引起光劣化的廉价的材料，并作为该覆盖之上的又一覆盖形成反射层，该反射层由实质上不含有卤素及磷且导热系数为lW/m.K以上的硅酮树脂形成，将所述树脂部件的来自光源的光到达一侧的表面覆盖。由此，能够抑制构成各连接构件64或配线66的覆盖等的树脂发生分解、变质导致卤素、磷或包含它们的化合物发生脱离。因此，能够抑制卤素、磷或它们的化合物与设于光源62的安装焊盘或电极焊盘的银发生反应而产生发黑、凝集、金属丝的断线等。其结果，能够提供一种具有更高的可靠性的照明装置。另外，在图13 图15的(a)及(b)所例示的照明装置50中，配线66配置在从光源62观察下的连接构件64的阴影处。然而，从光源62照射的光的一部分由安装基板60或罩56等的要素反射，也会照射到配线66。因此，连接构件64或配线66的覆盖等优选使用实质上不含有卤素及磷的树脂来形成。另外，关于连接构件64或配线66的形状或配置，并未限定为例示的情况。例如，连接构件64也可以是在光源62的周围呈框状地设置并经由接点而连接的所谓“接点连接
典”
ο此外，树脂部件14并未限定为连接构件64、配线66。即，可以是主体部52、安装基板60、罩56、其他设于照明装置的各种要素，只要设置在从光源62照射的光直接或间接地到达的位置即可。而且，树脂部件14优选具有难燃性，但也可以由实质上不含有卤素及磷的树脂形成。以上，例示了本实用新型的几个实施方式，但这些实施方式是作为例子而提示的实施方式，并不限定本实用新型的范围。这些新的实施方式能够以其他的各种方式实施，在不脱离实用新型的主旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更等。这些实施方式或其变形例包含在实用新型的范围或主旨中，并且包含在权利要求书所记载的本实用新型及其均等的范围内。而且，前述的各实施方式可以相互组合实施。
权利要求1.一种照明装置，其特征在于，具备: 照明装置主体； 光源，其具有发光元件，且设于所述照明装置主体； 树脂部件，其设置在来自光源的光直接或间接地到达的位置且设于所述照明装置主体； 反射层，其对于光劣化的耐性 比所述树脂部件优异，由实质上不含有卤素及磷且导热系数为lW/m.K以上的硅酮树脂形成，并以覆盖所述树脂部件的来自光源的光所到达的一侧的表面的方式进行设置。
专利摘要本实用新型提供一种能够提高对于光劣化的耐性的照明装置。本实用新型所涉及的照明装置具备光源，其具有发光元件；树脂部件，其具有难燃性，且设置在来自所述光源的光直接或间接地到达的位置；反射层，由实质上不含有卤素及磷且导热系数为1W/m·K以上的硅酮树脂形成，并将所述树脂部件的来自光源的光所到达一侧的表面覆盖而设置。
文档编号F21V7/22GK203147413SQ20132015382
公开日2013年8月21日 申请日期2013年3月29日 优先权日2012年9月28日
发明者浅见健一, 松永启之 申请人:东芝照明技术株式会社