光源模块及其制造方法和包括该光源模块的背光单元的制作方法
【专利摘要】公开了一种具有优异的发光效率的光源模块、制造光源模块的方法和包括光源模块的纤薄背光单元。所述光源模块包括：发光二极管(LED)芯片，通过LED芯片的下表面电连接到基底；波长转换层，形成在LED芯片上并至少包围LED芯片的光出射面；以及反射器，形成在LED芯片的除光出射面之外的区域上。
【专利说明】光源模块及其制造方法和包括该光源模块的背光单元
[0001]本申请要求于2013年9月26日提交的第10-2013-0114736号韩国专利申请和2014年9月16日提交的第10-2014-0123053号韩国专利申请的优先权和权益，出于所有的目的将这些韩国专利申请通过引用包括于此，犹如在此充分阐述的那样。
【技术领域】
[0002]本发明涉及一种光源模块及其制造方法和包括该光源模块的背光单元，更具体地讲，涉及一种具有优异的发光效率的光源模块、光源模块的制造方法和包括该光源模块的纤薄背光单元。
【背景技术】
[0003]通常，背光单元广泛地用于向诸如液晶显示(LCD)装置或面照明装置的显示装置提供光。
[0004]针对IXD装置设置的背光单元根据发光装置的位置而主要分成直下式和边光式。
[0005]已经主要开发出了直下式背光单元以及20英寸或更大的大屏幕IXD，并且直下式背光单元的特征在于，设置在漫射板下方的多个光源朝向LCD面板的前表面直接发出光。这样的直下式背光单元，因其比边光式背光单元的发光效率高而主要用于要求高亮度的大屏幕IXD装置。
[0006]边光式背光单元用于诸如膝上型电脑和台式电脑的监视器的相对小尺寸LCD装置，并具有光均匀度优异、寿命长和使LCD装置纤薄的优势。
[0007]图1是常用的发光二极管(LED)封装件和包括常用的LED封装件的背光单元的剖视图。参照图1，在相关技术中，LED封装件10安装在背光单元的侧表面上。
[0008]在这种情况下，由于存在与LED封装件的宽度对应的高度，使得背光单元的纤薄受到限制。
[0009]当减小LED封装件的宽度以克服这样的限制时，电流扩散使LED封装件的效率劣化。
[0010]如此说来，尽管由于如上所述的LED封装件而使实现背光单元的纤薄受到限制，但用户需要纤薄的背光单元。因此，需要包括新型LED封装件的边光式背光单元。
【发明内容】
[0011]本发明目的在于提供一种通过将发光二极管(LED)芯片安装在导光板的侧面来获得的边光式的薄背光单元。
[0012]另外，本发明目的在于提供一种光源模块、光源模块的制造方法和包括光源模块的背光单元，其中，通过在LED芯片的面向导光板的侧表面上形成波长转换层，然后在LED芯片的除其侧表面之外的区域上形成反射器，使发光路径直接朝向导光板，从而在LED芯片安装到导光板的侧面时，提高LED芯片的发光效率。
[0013]此外,本发明目的在于提供一种光源模块、光源模块的制造方法和包括光源模块的背光单元，其中，在LED芯片和基底之间形成包括反射材料的底部填充剂，以防止从LED芯片产生的光经过除指定的光出射面之外的其他面发射，并将光聚集在光出射面上，从而提高发光效率。
[0014]再者，本发明目的在于提供一种光源模块、光源模块的制造方法和包括光源模块的背光单元，其中，形成底部填充剂使得反射材料无法涂覆到光出射面上，从而去除发光路径上的障碍物，并且缩短LED芯片和导光板之间的距离以改善发光效率。
[0015]根据本发明的一方面，光源模块包括:发光二极管(LED)芯片，通过LED芯片的下表面电连接到基底，并包括形成在LED芯片的一个侧表面上使得LED芯片的光经其发出的光出射面；波长转换层，形成在LED芯片上，并至少包围LED芯片的光出射面；以及反射器，形成在LED芯片的除光出射面之外的区域上。
[0016]所述光源模块还可以包括设置在基底和LED芯片之间并包括反射材料的底部填充剂。
[0017]反射材料可以包括从由Ti02、S12, ZrO2, PbCO3> PbO、A1203、ZnO, Sb2O3 和它们的组合所构成的组中选择的一种材料。
[0018]底部填充剂可以包括荧光物质。
[0019]LED芯片可以通过倒装芯片接合或表面贴装技术(SMT)安装在基底上。
[0020]LED芯片可以包括:第一半导体层,掺杂有第一导电型杂质；活性层，形成在第一半导体层下方；第二半导体层，掺杂有第二导电型杂质，并形成在活性层下方；第一电极，电连接到第一半导体层；第二电极，电连接到第二半导体层；第一电极焊盘，电连接到第一电极；以及第二电极焊盘，电连接到第二电极，其中，LED芯片可以通过第一电极焊盘和第二电极焊盘电连接到基底。
[0021]根据本发明的另一方面，背光单元包括:导光板；以及光源模块，位于导光板的至少一侧上并发射光，其中，所述光源模块包括:发光二极管(LED)芯片,通过LED芯片的下表面电连接到基底，并包括形成在LED芯片的一个侧表面上使得LED芯片的光经其发出的光出射面；波长转换层，形成在LED芯片上，并至少包围LED芯片的光出射面；以及反射器，形成在LED芯片的除光出射面之外的区域上。
[0022]所述光源模块还可以包括设置在基底和LED芯片之间并包括反射材料的底部填充剂。
[0023]底部填充剂可以包括荧光物质。
[0024]LED芯片可以通过倒装芯片接合或表面贴装技术(SMT)安装在基底上。
[0025]根据本发明的又一方面，制造光源模块的方法包括:制造发光二极管(LED)芯片，所述LED芯片包括形成在LED芯片的一个侧表面上使得LED芯片的光经其发出的光出射面；在LED芯片上形成波长转换层，以至少包围LED芯片的光出射面；以及在LED芯片的除光出射面之外的区域上形成反射器。
[0026]形成反射器的步骤可以包括:在LED芯片的上表面和侧表面上形成反射器；当反射器形成在光出射面上时，通过从与光出射面对应的区域中去除反射器而暴露波长转换层。
[0027]暴露波长转换层的步骤可以包括通过飞刀切削(fly cutting)从与光出射面对应的区域中去除反射器。
[0028]所述方法还可以包括在形成反射器之后，在基底和LED芯片之间形成包括反射材料的底部填充剂。
[0029]形成底部填充剂的步骤可以包括:形成位于基底上的阻挡件(dam)以邻接(adjoin) LED芯片的光出射面；将底部填充剂注入到基底和LED芯片之间的区域中；在形成底部填充剂之后，去除阻挡件。
[0030]所述方法还可以包括:将LED芯片电连接到基底，其中，通过倒装芯片接合或表面贴装技术(SMT)将LED芯片安装在基底上。
[0031]制造LED芯片的步骤可以包括:形成掺杂有第一导电型杂质的第一半导体层；在第一半导体层下方形成活性层；在活性层下方形成掺杂有第二导电型杂质的第二半导体层；形成电连接到第一半导体层的第一电极；形成电连接到第二半导体层的第二电极；形成电连接到第一电极的第一电极焊盘；形成电连接到第二电极的第二电极焊盘。
[0032]根据本发明的实施例，LED芯片安装在导光板的侧面，从而提供边光式的薄背光单
J Li ο
[0033]另外，根据本发明的实施例，通过在LED芯片的面向导光板的侧表面上形成波长转换层，然后在LED芯片的除其侧表面之外的区域上形成反射器，使发光路径直接朝向导光板，从而在安装到导光板侧面时提高LED芯片的发光效率。
[0034]此外，根据本发明的实施例，在LED芯片和基底之间形成包括反射材料的底部填充剂，以防止从LED芯片产生的光经过除指定的光出射面之外的其他面发射，并将光聚集在光出射面上，从而提高发光效率。
[0035]再者，根据本发明的实施例，形成底部填充剂使得反射材料无法涂覆到光出射面上，从而去除发光路径上的障碍物，并且缩短LED芯片和导光板之间的距离以改善发光效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0036]通过结合附图对下面实施例的详细描述，本发明的上述及其他方面、特征和优点将变得明显，在附图中:
[0037]图1是相关技术中的发光二极管封装件和包括该发光二极管封装件的背光单元的剖视图；
[0038]图2至图5是根据本发明的实施例的光源模块的剖视图；
[0039]图6A是图2至图5中示出的LED芯片的平面图；
[0040]图6B是沿着图6A中示出的线1-1’截取的LED芯片的剖视图；
[0041]图7是包括根据本发明的一个实施例的背光单元的显示装置的分解透视图；
[0042]图8是沿着图7中示出的线11-11’截取的显示装置的剖视图；以及
[0043]图9至图11示出根据本发明的一个实施例的光源模块的制造工艺。
【具体实施方式】
[0044]在下文中，将参照附图详细描述本发明的示例性实施例。通过示例的方式提供下面的实施例，以将本发明的精神充分地传达给本领域技术人员。因此，本发明不限于在此公开的实施例，还可以以不同的形式实施。另外，可以夸大附图中的元件的形状。在整个说明书中，同样的附图标记指示具有相同或类似功能的同样的元件。落入本发明的精神和范围内的元件的变型不包括限制性的意思，而是为了清楚地表现本发明的精神而提供的，并且只能通过权利要求来限制。
[0045]在下文中，将参照附图具体地描述本发明的实施例，使得本发明所属领域的技术人员能够容易地实施本发明。
[0046]图2至图5是根据本发明的实施例的光源模块的剖视图。
[0047]参照图2至图5，根据本发明的一个实施例的光源模块100包括发光二极管(LED)芯片110、波长转换层120和反射器130。
[0048]LED芯片110包括生长基底111和半导体堆叠件113。LED芯片110可以通过直接倒装芯片接合或表面贴装技术(SMT)电连接到基底140。此时，暴露在LED芯片110的下表面上的电极焊盘37a和37b通过凸点150a和150b分别电连接到基底焊盘141a和141b。由于光源模块100不使用引线，因此不需要成型组件来保护引线，并且不需要去除部分波长转换层120来暴露接合焊盘。因此，本发明所使用的倒装芯片式LED芯片110与使用键合引线的LED芯片相比，能够实现较小的色彩失真和较低的亮度不均匀，并且可以简化模块制造工艺。
[0049]波长转换层120覆盖LED芯片110。LED芯片110包括光经其发射的一个侧表面，即，光出射面。波长转换层120可以至少包围光出射面，并且还可以包围LED芯片110的上表面和侧表面。即，波长转换层可以仅形成在LED芯片110的光出射面上，或者形成在光出射面、上表面和某些侧表面上。可选择地，波长转换层也可以形成在LED芯片110的上表面和包括光出射面在内的所有侧表面上。另外，波长转换层120可以由能够转换LED芯片110发射的光的波长的荧光材料形成。波长转换层120可以以预定的厚度涂覆到LED芯片110上，以覆盖LED芯片110的上表面和侧表面。当波长转换层120覆盖LED芯片的上表面和侧表面时，覆盖上表面的区域的厚度可以与覆盖侧表面的区域的厚度相同或者不同。另外，覆盖光出射面的区域可以具有与覆盖上表面和除光出射面之外的侧表面的区域的厚度不同的厚度。
[0050]反射器130形成在LED芯片110的除定义为光出射面之外的区域上。此时，反射器130可以直接形成在LED芯片110上，或者形成在设置在反射器130和LED芯片110之间的另一元件上。即，反射器130可以如图2中所示地直接形成在LED芯片110上，或者根据实施例，如图3和图4中所示地位于形成在LED芯片110上的波长转换层120上。
[0051]反射器130用于使光朝向光出射面反射。S卩，形成在LED芯片110的除光出射面之外的区域上的反射器用于将光朝向光源模块100的一个侧表面引导，以使光经过该侧表面而射出。
[0052]基底140包括电连接到LED芯片110的基底焊盘141a、141b，并且凸点150a、150b分别位于基底焊盘141a、141b上。即使没有具体限定，基底140也可以是例如有利于散热的金属印刷电路板(PCB)。基底140可以是具有长轴和短轴的条式基底。
[0053]底部填充剂200设置在LED芯片110和基底140之间。底部填充剂200用于反射从LED芯片110产生的光，从而提高发光效率。另外，底部填充剂200用于防止LED芯片110和基底140之间的湿气渗透。底部填充剂200包括反射材料。例如，底部填充剂200可以包括树脂和树脂内的反射材料，反射材料可以包括从由Ti02、S12, ZrO2, PbCO3> PbO、A1203、ZnO, Sb2O3和它们的组合所构成的组中选择的一种材料。底部填充剂200形成到与LED芯片110的定义为光出射面的一个表面对齐的区域。即使没有具体限定，底部填充剂200也可以通过点胶来形成。底部填充剂200还可以包括荧光材料(未示出)。底部填充剂200可以具有预定的粘合强度。
[0054]如此说来，根据本发明的实施例的光源模块100能够利用反射器130和底部填充剂200使光聚集在其侧表面上，同时使光损失最小化，从而使发光效率最大化。
[0055]另外，LED芯片110通过直接倒装芯片接合或SMT而电连接到基底140，因此与常用的使用引线的封装式光源模块相比，光源模块100能够实现高效率和高致密度。
[0056]此外，光源模块100能够比安装在导光板侧表面上的常用的封装式光源模块做得更纤薄。
[0057]将参照图6A和图6B更详细地描述LED芯片110的结构。
[0058]图6A是图5中示出的LED芯片的平面图，图6B是沿着图6A中示出的线1_1’截取的LED芯片的剖视图。
[0059]参照图6A和图6B，根据本发明的发光二极管(LED)芯片可以包括生长基底111和半导体堆叠件113。
[0060]半导体堆叠件113包括形成在生长基底111上并掺杂有第一导电型杂质的第一半导体层23以及彼此分开地位于第一半导体层23上的多个台面结构M。
[0061]多个台面结构M中的每个台面结构M包括活性层25和掺杂有第二导电型杂质的第二半导体层27。活性层25设置在第一半导体层23和第二半导体层27之间。反射电极30分别位于多个台面结构M上。
[0062]多个台面结构M可以具有延长的形状，并且如附图中所示在一个方向上彼此平行地延伸。这样的形状易于在生长基底111的多个芯片区域上形成形状相同的多个台面结构M0
[0063]尽管可以在形成多个台面结构M之后在各个台面结构M上形成反射电极30，但本发明不限于此。可选择地，可以在生长第二半导体层27之后、形成台面结构M之前，预先在第二半导体层27上形成反射电极30。反射电极30基本覆盖台面结构M的整个上表面，并具有与台面结构M的平面形状基本相同的形状。
[0064]反射电极30包括反射层28，还可以包括阻挡层29。阻挡层29可以覆盖反射层28的上表面和侧表面。例如，可以通过形成反射层28的图案然后在所述图案上形成阻挡层29来将阻挡层29形成为覆盖反射层28的上表面和侧表面。通过示例的方式，可以通过沉积Ag、Ag合金、Ni/Ag、NiZn/Ag或T1/Ag,然后通过图案化来形成反射层28。阻挡层29可以由N1、Cr、T1、Pt、Rd、Ru、W、Mo、Tiff或它们的复合层形成，并防止反射层中的金属材料的扩散或污染。
[0065]在形成多个台面结构M之后，第一半导体层23的边缘还可以经历蚀刻。结果，可以暴露基底111的上表面。还可以形成第一半导体层23的侧表面。
[0066]根据本发明的LED芯片还包括下绝缘层31以覆盖多个台面结构M和第一半导体层23。在下绝缘层31的特定区域中具有开口，使得下绝缘层31电连接到第一半导体层23和第二半导体层27。例如，下绝缘层31可以具有暴露第一半导体层23的开口和暴露反射电极30的开口。
[0067]开口可以位于台面结构M之间以及位于基底111的边缘附近，并可以具有沿着台面结构M延伸的延长的形状。另外，开口可以限制性地位于台面结构M上，以偏向于台面结构的同一端。
[0068]根据本发明的LED芯片还包括形成在下绝缘层31上的电流扩散层33。电流扩散层33覆盖多个台面结构M和第一半导体层23。电流扩散层33具有位于各个台面结构M上方的开口，使得反射电极经过这些开口而暴露。电流扩散层33可以通过下绝缘层31的开口与第一半导体层23形成欧姆接触。电流扩散层33通过下绝缘层31与多个台面结构M和反射电极30电绝缘。
[0069]电流扩散层33的开口具有比下绝缘层31的开口大的面积，以防止电流扩散层33接触反射电极30。
[0070]除电流扩散层33的开口之外，电流扩散层33形成在下绝缘层31的基本上整个上部区域上。因此，电流能够通过电流扩散层33而容易地分散。电流扩散层33可以包括诸如Al层的高反射金属层，并且高反射金属层可以形成在诸如T1、Cr、Ni等的接合层上。另夕卜，具有N1、Cr或Au的单层结构或组合层结构的保护层可以形成在高反射金属层上。电流扩散层33可以具有例如Ti/Al/Ti/Ni/Au的多层结构。
[0071]根据本发明的LED芯片还包括形成在电流扩散层33上的上绝缘层35。上绝缘层35具有暴露电流扩散层33的开口和暴露反射电极30的开口。
[0072]上绝缘层35可以利用氧化物绝缘层、氮化物绝缘层、这些绝缘层的混合层或交替层、或者诸如聚酰亚胺、特氟龙或派瑞林等的聚合物来形成。
[0073]第一电极焊盘37a和第二电极焊盘37b形成在上绝缘层35上。第一电极焊盘37a通过上绝缘层35的开口连接到电流扩散层33，第二电极焊盘37b通过上绝缘层35的开口连接到反射电极30。为了将LED芯片安装在电路板上，第一电极焊盘37a和第二电极焊盘37b可以用作连接凸点的焊盘，或者用于SMT的焊盘。
[0074]第一电极焊盘37a和第二电极焊盘37b可以通过同一工艺(例如，光刻和蚀刻，或者剥离技术)同时地形成。第一电极焊盘37a和第二电极焊盘37b可以包括由例如T1、Cr、Ni等形成的接合层以及由Ag、Au等形成的高导电金属层。第一电极焊盘37a和第二电极焊盘37b可以形成为使得它们的端部位于同一平面上，因此LED芯片可以通过倒装芯片接合接合到导电图案，并且在基底上形成为相同的高度。
[0075]通过将生长基底111划分成单个LED芯片单元来完整地制造LED芯片。生长基底111可以在被划分成单个LED芯片单元之前或者之后从LED芯片上去除。
[0076]如此来说，通过倒装芯片接合而直接地接合到基底的根据本发明的LED芯片与常用的封装式发光装置相比具有实现高效率和高致密度的优点。
[0077]图7是包括根据本发明的一个实施例的背光单元的显示装置的分解透视图；图8是沿着图7中示出的线11-11’截取的显示装置的剖视图。
[0078]参照图7和图8，根据本发明的显示装置包括:显示面板DP，用于显示图像；背光单元BLU，设置在显示面板DP的后面并发射光；框架240，支撑显示面板DP并接纳背光单元BLU ；以及顶盖280，围绕显示面板DP。
[0079]显示面板DP包括彼此组装为彼此面对的滤色器基底FS和薄膜晶体管(TFT)基底SS,同时保持均匀盒间隙。根据显示面板DP的类型，显示面板DP还可以包括滤色器基底FS和薄膜晶体管基底SS之间的液晶层。
[0080]尽管没有详细示出，但是薄膜晶体管基底SS包括多条栅极线和数据线以及薄膜晶体管，多条栅极线和数据线彼此交叉以限定位于其间的像素，薄膜晶体管位于栅极线和数据线间的每个交叉区域中，并逐个对应地连接到安装在每个像素中的像素电极。滤色器基底FS包括:R、G和B滤色器，与相应的像素对应；黑色矩阵，沿着基底的边缘设置并掩蔽栅极线、数据线和薄膜晶体管；以及公共电极，覆盖所有这些组件。这里，公共电极可以形成在薄膜晶体管基底SS上。
[0081]背光单元BLU向显示面板DP提供光，所述背光单元BLU包括:下盖270，其上部部分地敞开；光源模块100，设置在下盖270内的一侧上；以及导光板250，设置为平行于光源模块100以使点光转换成面光。在相关技术中，光源模块100通常设置在下盖270的内部侧表面上。在这种情况下，由于光源模块100的宽度而导致在减小背光单元或包括背光单元的显示面板的高度方面受到限制。根据本发明，光源模块100位于下盖270内部的底表面上，从而背光单元或包括背光单元的显示面板与相关技术相比较为纤薄。根据对其的描述，位于下盖270内部的底表面上的光源模块100可以不出为被设置为与导光板250平行。
[0082]另外，根据本发明的背光单元BLU还包括光学片230和反射片260，其中，光学片230位于导光板250上以漫射和收集光,反射片260设置在导光板250下方以将朝向导光板250下部传播的光朝向显示面板DP反射。
[0083]这里，将省略对光源模块100的详细描述。对其的详述参照图5。
[0084]通过以下步骤制造光源模块100:通过倒装芯片接合或SMT将LED芯片直接安装在基底上，然后在基底和LED芯片之间形成包括反射填充物的底部填充剂。
[0085]因此，根据本发明的光源模块100有利于背光单元的纤薄，并且能够通过利用反射器和底部填充剂将光聚集在光源模块100的一侧同时使光损失最小化，来使发光效率最大化。
[0086]图9至图11示出根据本发明的一个实施例的光源模块的制造工艺。
[0087]参照图9至图11，光源模块的制造工艺包括:制造LED芯片。在该步骤中，首先制造LED芯片110。
[0088]可以通过在生长基底111上形成半导体堆叠件113来制造LED芯片110。可以在LED芯片110的下部上形成电极焊盘37a、37b。光源模块的特征与图2至图5中示出的光源模块的特征相同。因此，由同样的附图标记指示同样的特征，并且将针对制造工艺进行简短地描述，而不提供对其的详细描述。
[0089]LED芯片的制造包括:形成掺杂有第一导电型杂质的第一半导体层,在第一半导体层下方形成活性层，在活性层下方形成掺杂有第二导电型杂质的第二半导体层。此后，形成电连接到第一半导体层的第一电极，形成电连接到第二半导体层的第二电极，分别形成电连接到第一电极的第一电极焊盘和电连接到第二电极的第二电极焊盘。
[0090]接着，在形成波长转换层的步骤中，形成波长转换层120以至少包围LED芯片的光出射面。
[0091]然后，在形成反射器的步骤中，在LED芯片的除光出射面之外的区域上形成反射器。
[0092]根据实施例，可以在LED芯片上直接形成反射器，或者在形成在LED芯片上的诸如波长转换层120的另一元件上形成反射器。当反射器形成在光出射面上时，通过从与光出射面对应的区域中去除反射器而暴露波长转换层。
[0093]被暴露的波长转换层120与LED芯片110的光出射面EA对应。尽管没有具体限定，但是可以利用飞刀切削来去除反射器130。
[0094]根据本发明的实施例的光源模块的制造工艺还包括:将LED芯片电连接到基底。在该步骤中，LED芯片110的电极焊盘37a、37b分别连接到基底140的基底焊盘141a、141b。此时，可以通过倒装芯片接合或表面贴装技术(SMT)将LED芯片110直接电连接到基底140。这里，在基底焊盘141a、141b和电极焊盘37a、37b之间分别设置凸点150a、150b。
[0095]根据本发明的实施例，可以以不同的顺序来执行形成波长转换层和反射器的步骤和将LED芯片电连接到基底的步骤。即，可以在LED芯片上形成波长转换层和反射器的之前或之后，将LED芯片电连接到基底。
[0096]根据本发明的实施例的光源模块的制造工艺还包括:在基底140和LED芯片110之间形成底部填充剂200。具体地，在与LED芯片110的光出射面EA对应的表面上形成阻挡件170。阻挡件170接触LED芯片110的光出射面EA。将阻挡件170设置为邻接基底140。可以利用包括光致抗蚀剂或粘合剂的框架结构在基底140上形成阻挡件170。在形成阻挡件170之后，将底部填充剂注入到基底和LED芯片之间的区域中。在这种情况下，阻挡件170起到限定将要形成底部填充剂200的区域的作用。具体地，阻挡件170防止底部填充剂200延伸到光出射面EA。在形成底部填充剂200之后，可以通过蚀刻或其他物理方法去除阻挡件170。
[0097]底部填充剂200起到反射从LED芯片110产生的光的作用，从而提高发光效率，底部填充剂200还起到防止湿气渗透的作用。底部填充剂200包括反射材料。例如，底部填充剂200可以包括树脂和树脂内的反射材料，反射材料可以包括从由Ti02、S12, ZrO2, PbCO3>PbO、A1203、ZnO, Sb2O3和它们的组合所构成的组中选择的一种材料。阻挡件170允许底部填充剂200形成到与光出射面EA对齐的区域。即使没有具体限定，也可以通过点胶来形成底部填充剂200。底部填充剂200还可以包括荧光物质(未示出)。底部填充剂200可以具有预定的粘合强度。
[0098]如上所述，根据本发明的实施例的光源模块能够利用反射器130和底部填充剂200将光聚集在光源模块的一侧上，同时使光损失最小化，从而使发光效率最大化。
[0099]另外，LED芯片110通过直接倒装芯片接合或SMT而电连接到基底140的根据本发明的光源模块，与常用的利用弓I线的封装式光源模块相比能够实现高效率和高致密度。
[0100]虽然已经描述了本发明的各种实施例，但是本发明不限于具体的实施例。另外，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以将在具体实施例中示出的元件以相同或相似的方式用于其他实施例。
[0101]〈附图标记的列表〉
[0102]100:光源模块
[0103]110:发光二极管芯片
[0104]120:波长转换器
[0105]130:反射器
[0106]140:基底
[0107] 200:底部填充剂
【权利要求】
1.一种光源模块，所述光源模块包括: 发光二极管芯片，通过发光二极管芯片的下表面电连接到基底，并包括形成在发光二极管芯片的一个侧表面上使得发光二极管芯片的光经其发出的光出射面； 波长转换层，形成在发光二极管芯片上，并至少包围发光二极管芯片的光出射面；以及 反射器，形成在发光二极管芯片的除光出射面之外的区域上。
2.根据权利要求1所述的光源模块，所述光源模块还包括: 底部填充剂，设置在基底和发光二极管芯片之间并包括反射材料。
3.根据权利要求2所述的光源模块，其中，反射材料包括从由Ti02、S12,ZrO2, PbC03、PbO、A1203、ZnO、Sb2O3和它们的组合所构成的组中选择的一种材料。
4.根据权利要求2所述的光源模块，其中，底部填充剂包括荧光物质。
5.根据权利要求1所述的光源模块，其中，发光二极管芯片通过倒装芯片接合或表面贴装技术安装在基底上。
6.根据权利要求1所述的光源模块，其中，所述发光二极管芯片包括: 第一半导体层，掺杂有第一导电型杂质； 活性层，形成在第一半导体层下方； 第二半导体层，掺杂有第二导电型杂质，并形成在活性层下方； 第一电极，电连接到第一半导体层； 第二电极，电连接到第二半导体层； 第一电极焊盘，电连接到第一电极；以及 第二电极焊盘，电连接到第二电极， 其中，发光二极管芯片通过第一电极焊盘和第二电极焊盘电连接到基底。
7.一种背光单元，所述背光单元包括: 导光板；以及 光源模块，位于导光板的至少一侧上并发射光， 其中，所述光源模块包括: 发光二极管芯片，通过发光二极管芯片的下表面电连接到基底，并包括形成在发光二极管芯片的一个侧表面上使得发光二极管芯片的光经其发出的光出射面； 波长转换层，形成在发光二极管芯片上，并至少包围发光二极管芯片的光出射面；以及 反射器，形成在发光二极管芯片的除光出射面之外的区域上。
8.根据权利要求7所述的背光单元，其中，所述光源模块还包括:底部填充剂，设置在基底和发光二极管芯片之间并包括反射材料。
9.根据权利要求8所述的背光单元，其中，底部填充剂包括荧光物质。
10.根据权利要求7所述的背光单元，其中，发光二极管芯片通过倒装芯片接合或表面贴装技术安装在基底上。
11.一种制造光源模块的方法，所述方法包括: 制造发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括形成在发光二极管芯片的一个侧表面上使得发光二极管芯片的光经其发出的光出射面； 在发光二极管芯片上形成波长转换层，以至少包围发光二极管芯片的光出射面；以及 在发光二极管芯片的除光出射面之外的区域上形成反射器。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成反射器的步骤包括: 在发光二极管芯片的上表面和侧表面上形成反射器；以及 当反射器形成在光出射面上时，通过从与光出射面对应的区域中去除反射器而暴露波长转换层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，暴露波长转换层的步骤包括: 通过飞刀切削从与光出射面对应的区域中去除反射器。
14.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括: 在形成反射器之后在基底和发光二极管芯片之间形成包含反射材料的底部填充剂。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，形成底部填充剂的步骤包括: 形成位于基底上的阻挡件，以邻接发光二极管芯片的光出射面； 将底部填充剂注入到基底和发光二极管芯片之间的区域中；以及 在形成底部填充剂之后，去除阻挡件。
16.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括: 将发光二极管芯片电连接到基底， 其中，通过倒装芯片接合或表面贴装技术将发光二极管芯片安装在基底上。
17.根据权利要求11所述的方法，其中，制造发光二极管芯片的步骤包括: 形成掺杂有第一导电型杂质的第一半导体层； 在第一半导体层下方形成活性层； 在活性层下方形成掺杂有第二导电型杂质的第二半导体层； 形成电连接到第一半导体层的第一电极； 形成电连接到第二半导体层的第二电极； 形成电连接到第一电极的第一电极焊盘；以及 形成电连接到第二电极和第二电极焊盘。
【文档编号】F21S8/00GK104515040SQ201410505174
【公开日】2015年4月15日 申请日期:2014年9月26日 优先权日:2013年9月26日
【发明者】南基范, 郑丞晧, 韩釉大, 李贞勋, 崔爀仲 申请人:首尔半导体株式会社