一种离子注入机的预处理方法
【专利摘要】本发明公开了一种离子注入机的预处理方法，该方法包括两个预处理阶段；在第一预处理阶段，向所述离子注入机的离子源反应室通入一预处理气体，对所述离子源反应室进行清洗处理；在第二预处理阶段，将离子源能量调节至50keV，终端电压调节至10kV，以产生预设束流，使所述预设束流沿着离子注入机的束流通道射出，用于对所述离子注入机进行清洗处理。采用二氟化硼代替Ar气体作为预处理气体进行清洗处理，缩短了预处理时间，提高了生产周期，以及高清洗和换源效率，并保证了离子束的均一性，其中，清洗效率高达80％～95％。
【专利说明】-种离子注入机的预处理方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及半导体领域，尤其设及一种可提高离子注入机生产周期的预处理方 法。
【背景技术】
[0002] 在半导体制造技术发展的同时，晶圆制造厂也在逐步扩展产能，注入工艺作为半 导体工艺流程中非常重要的一环，尤其是集成前段设及到的离子注入步骤也相当多，因而 离子注入的效率对制造工厂的产能的贡献尤为关键。
[0003] 离子注入的种类繁多，通常要求机台能够在不同源种之间进行切换。因此在换 源之前需要进行一步或多步预处理（pretreatment)，通入氣气（Ar)，对离子源反应室 (source chamber)部分进行清洗（purge)处理；然后将离子源能量（source HV)加到 20kev，终端电压（terminal HV)加到40kev，W产生Ar+束流，使之沿着束流通道化earn guide)射出，从而达到对整个离子注入机（imp)清洗处理的目的。
[0004] 当机台在离子注入完成之后，在反应室W及束流通道上都会有不同程度沉积物 1 (含有多种元素的附着物）产生，如果仅仅通过Ar气体进行预处理，沉积物1还是会残留 在通道壁上，如图la和图化所示。当进行目标离子源注入时，沉积物1在受热情况下会进 行挥发，W干扰离子束2,从而影响束流纯度。
[0005] 中国专利（CN1977351A)公开了一种衬底的等离子体离子注入方法，所述方法包 括：提供包含处理室、在处理室内生产等离子体的源、在处理室内支持衬底的台板和加速离 子从等离子体进入衬底的电压电源的等离子体离子注入系统；在处理室的内表面上沉积新 涂层，所述涂层在组成上类似于由衬底的等离子体离子注入所产生的沉积膜；在沉积新涂 层之前，通过使用一种或多种活性清洗前体除去旧膜来清洗处理室的内表面；根据等离子 体离子注入方法进行衬底的等离子体离子注入和在一个或多个衬底的等离子体离子注入 之后重复清洗处理室的内表面和沉积新涂层的步骤。
[0006] 该专利解决了可将衬底处理系统中的处理室保持恒定的条件，从而保证过程控制 的可重复性，但并没有解决当进行目标离子源注入时，沉积物在受热情况下会进行挥发，W 干扰离子束，从而影响束流纯度的问题。
[0007] 中国专利（CN102668016A)公开了一种离子注入系统及方法，提供渗杂气体馈送 线路中渗杂气体的冷却，W对抗由于电弧腔室生成的热量而造成渗杂气体的加热与分解， 例如使用诸如B2F4的棚源材料，或其它BF3的替代物。在此描述了各种电弧腔室热管理的 设置，W及等离子体特性的改变、特定流动设置、清洗处理过程、功率管理、平衡偏移、提取 光学器件的最优化、流动通道中的沉积物的探测，W及源寿命的最优化，W实现离子注入系 统的有效操作。
[000引该专利通过改善处理工艺与系统，从而实现了注入器的增强、提高了处理效果、延 长了操作寿命，并且实现了最小化注入器装置的离子源区域中非挥发性物料的积累。但并 没有解决当进行目标离子源注入时，沉积物在受热情况下会进行挥发，W干扰离子束，从而 影响束流纯度的问题。
【发明内容】
[0009] 针对现有的预处理方法存在的上述问题，现提供一种旨在实现提高离子注入机的 换源效率、提高生产周期、且保持离子束的均一性的离子注入机的预处理方法。
[0010] 具体技术方案如下：
[0011] 一种离子注入机的预处理方法，包括两个预处理阶段；
[0012] 在第一预处理阶段，向所述离子注入机的离子源反应室通入一预处理气体，对所 述离子源反应室进行清洗处理；
[0013] 在第二预处理阶段，将离子源能量调节至50keV，终端电压调节至lOkV，W产生预 设束流，使所述预设束流沿着离子注入机的束流通道射出，用于对所述离子注入机进行清 洗处理。
[0014] 优选的，所述预处理气体采用二氣化棚。
[0015] 优选的，所述第一预处理阶段消耗的时间在5min至lOmin之间。
[0016] 优选的，所述第二预处理阶段消耗的时间在2min至5min之间。
[0017] 优选的，所述离子注入机的起电弧电流为5A。
[001引优选的，所述离子注入机的起电弧电压为110V。
[0019] 优选的，在所述第一预处理阶段之前需关闭所述离子源能量和所述终端电压。
[0020] 上述技术方案的有益效果：
[0021] 采用二氣化棚代替Ar气体作为预处理气体进行清洗处理，缩短了预处理时间， 提高了生产周期，W及高清洗和换源效率，并保证了离子束的均一性，其中，清洗效率高达 80%?95%。
【专利附图】
【附图说明】
[0022] 图la-化为采用氣气作为预处理气体进行预处理的示意图；
[0023] 图2为现有技术本发明技术的预处理效率对比曲线图。
【具体实施方式】
[0024] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其 他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0025] 需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可W相 互组合。
[0026] 下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
[0027] 一种离子注入机的预处理方法，包括两个预处理阶段；
[002引在第一预处理阶段，向离子注入机的离子源反应室通入一预处理气体，对离子源 反应室进行清洗处理；
[0029] 在第二预处理阶段，将离子源能量调节至50keV，终端电压调节至lOkV，W产生预 设束流，使预设束流沿着离子注入机的束流通道射出，用于对离子注入机进行清洗处理。
[0030] 在本实施例中，预处理气体采用二氣化棚。采用二氣化棚代替Ar气体作为预处理 气体进行清洗处理，缩短了预处理时间，提高了生产周期，W及高清洗和换源效率，并保证 了离子束的均一性，其中，清洗效率高达80 %?95 %。
[0031] 在现有的预处理过程中，通常将氣气作为预处理气体进行清洗处理，在第一预 处理阶段所消耗的时间约为lOmin?20min，预处理第二预处理阶段所消耗的时间约为 5min?lOmin，根据前一次源种的不同时间会稍微有所差异，清洗效率约为70?85 %，如图 2所示曲线。--，，表示氮气，图2中横坐标表示预处理时间，纵坐标表示预处理效率。
[0032] 在本实施例中采用二氣化棚作为预处理气体进行清洗处理，在预处理的第一预处 理阶段所耗时间为5min?lOmin，预处理第二预处理阶段所消耗的时间为2min?5min，根 据前一源种的不同时间会稍有差异，总体时间约7min?15min，清洗效率约为80 %?95%， 如图2所示曲线"-?-，，表示二氣化测。
[0033] 离子源反应室及后段一些反射挡板上的沉积物中富含各种元素，在受热的情况， 会挥发出来影响后续束流的均一性，而采用二氣化棚作为预处理气体，二氣化棚中的鹏原 子团可W附加化学刻蚀的功效，提高清洗效率。
[0034] 其工作原理为：
[003引 6尸2二 B++2 [F]+e,
[0036] y [円+X [时=Rx 巧（g)，
[0037] 其中R元素包括H，Ge，C等，g表示可挥发气体，二氣化棚可与上一个源种离子注 入后残留的元素进行反应生成易挥发的气体，从而达到清洗效果。
[003引在优选的实施例中，在第一预处理阶段之前需关闭离子源能量和终端电压；
[0039] 离子注入机的起电弧电流为5A，离子注入机的起电弧电压为110V。如表1所示，表 1为离子注入机传统换源（氣气作为预处理气体）与改良后（二氣化棚作为预处理气体） 的参数对比表。
[0040] 表 la
[0041]
【权利要求】
1. 一种离子注入机的预处理方法，其特征在于，包括两个预处理阶段； 在第一预处理阶段，向所述离子注入机的离子源反应室通入一预处理气体，对所述离 子源反应室进行清洗处理； 在第二预处理阶段，将离子源能量调节至50keV，终端电压调节至lOkV，W产生预设束 流，使所述预设束流沿着离子注入机的束流通道射出，用于对所述离子注入机进行清洗处 理。
2. 如权利要求1所述的离子注入机的预处理方法，其特征在于，所述预处理气体采用 二氣化棚。
3. 如权利要求1所述的离子注入机的预处理方法，其特征在于，所述第一预处理阶段 消耗的时间在5min至lOmin之间。
4. 如权利要求1所述的离子注入机的预处理方法，其特征在于，所述第二预处理阶段 消耗的时间在2min至5min之间。
5. 如权利要求1所述的离子注入机的预处理方法，其特征在于，所述离子注入机的起 电弧电流为5A。
6. 如权利要求1所述的离子注入机的预处理方法，其特征在于，所述离子注入机的起 电弧电压为110V。
7. 如权利要求1所述的离子注入机的预处理方法，其特征在于，在所述第一预处理阶 段之前需关闭所述离子源能量和所述终端电压。
【文档编号】H01J37/32GK104465292SQ201410710134
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月28日 优先权日:2014年11月28日
【发明者】余德钦, 邱裕明, 肖天金 申请人:上海华力微电子有限公司