光源模块的制作方法

本发明是关于一种光源模块，尤指一种仿水面下太阳光光谱的光源模块。

背景技术：

在自然界中，生物所处环境的光源主要是源自于太阳光，而不同地理环境及纬度所接收到的太阳光会有不同的光谱分布，故各地区所生长的生物种类也有所不同。然而，人工培育环境所接收到的自然光通常与生物自然生长的地理环境有所差异，故人工培育的生物往往因为光源问题而无法达到最佳生长状态。

为提高生物生长效率，一般于人工培育时会采用人工光源，以满足生物光照的需求。传统用于植物栽培的人工光源主要包括白炽灯、日光灯、卤素灯、高压钠灯、荧光灯等，但该些人工光源所发出的光谱与植物自然生长环境的自然光光谱并不吻合，甚至有些人工光源会产生大量的热辐射而导致植株过热，故无法作为有效提高植物生长效率的理想光源。虽然目前已有仿太阳光的人工光源，但由于水面下的太阳光光谱与地表上的太阳光光谱并不相同，故现有的仿太阳光光源并无法提供水中生物生长所需的最佳光条件。

有鉴于上述缺陷，目前亟需发展一种仿水面下太阳光光谱且热辐射低的人工光源，以提供水中生物生长所需的光照。

技术实现要素：

本发明的一目的在于提供一种光源模块，其热辐射低且可提供仿水面下太阳光光谱的模拟光谱，可用于培育水中生物，以提高水中生物的生长率。

为达上述目的，本发明提供一种光源模块，其包括：一布线载板；以及一发光二极管阵列，其电性连接至该布线载板，并于驱动时发出一第一发光峰组、一第二发光峰组及一第三发光峰组，该第一发光峰组具有300nm≤λmax＜450nm的多个发光峰，该第二发光峰组具有450nm≤λmax＜550nm的多个发光峰，该第三发光峰组具有550nm≤λmax＜600nm的多个发光峰，其中，该些发光峰是依据水面下太阳光光谱进行拼配，当将该第二发光峰组中最大的峰值强度作为1.0时，该第一发光峰组中各发光峰的峰值强度ia为0＜ia≤0.9，而该第三发光峰组中各发光峰的峰值强度ib为0＜ib≤0.9。其中，该发光二极管阵列包含不同波长的多个发光单元，该些发光单元排列成阵列且电性连接至该布线载板，更详细地说，该些发光单元的个数可按比例配置而使该些发光峰符合上述峰值强度的条件。在此，该第一发光峰组中最大的峰值强度优选为0.5至0.9，最佳为0.6至0.9，而该第三发光峰组中最大的峰值强度优选为0.1至0.8，最佳为0.1至0.7。此外，该发光二极管阵列于驱动时更可发出一第四发光峰组，其具有600nm≤λmax＜700nm范围内的至少一发光峰，当将该第二发光峰组中最大的峰值强度作为1.0时，该第四发光峰组中各发光峰的峰值强度ic为0＜ic≤0.5。

据此，本发明可利用发光二极管(led)阵列中不同波长的发光单元相互组合混光，以提供水中动植物生长所需的光照。由于该光源模块所提供的光源为冷光源，故可避免人工光源导致生物所处环境温度升高的问题，例如，当作为栽培水中植物的植物灯时，其可避免热辐射造成植株过热的问题，进而可减少降温成本，并可实现近距离照明。此外，本发明的led阵列还可通过电路设计，以各种方式驱动各个发光单元，使led阵列不仅可同时驱动用于拼配水面下太阳光光谱的发光单元，其也可根据需求选择驱动部分特定发光单元，以调节成所需的光模式等，例如可调节成蓝光模式，使珊瑚荧光更显色，或加强红光，使红色珊瑚更显色。

于本发明中，该led阵列可由多个发光单元排列成nxm阵列(n及m为正整数，n≥3，m≥2)，且优选是以马赛克方式排列不同波长的发光单元，使多波长光可达均匀混光的效果。例如，该些发光单元的任四个相邻者优选是提供至少两个不同峰值波长(λmax)的发光峰，以形成局部混光的2x2次阵列，进而可通过多个局部混光次阵列以提高led阵列的整体混光效果。但是，本发明的led阵列并不限于上述马赛克式排列，其也可根据需求或其他考虑，排列成直条式(即，相同波长的发光单元沿纵向或横向方向上相邻排列)或任何其他排列形式。

于本发明中，每一发光单元各自包含一发光二极管芯片，而该些发光峰可直接由不同波长的多个发光二极管芯片所提供，或者部分发光单元可利用发光二极管芯片作为激发源，以激发覆盖于发光二极管芯片上的荧光材料层放光。例如，可使用λmax约200-490nm的紫外光或蓝光led激发源，以激发荧光材料层放出510nm≤λmax＜600nm范围的发光峰，其cie1931色坐标可为0.1≤x≤0.65且0.35≤y≤0.85，从而，相较于绿光led芯片，利用紫外光或蓝光led芯片激发绿色荧光材料层放光可展现较好发光效率。在此，510nm≤λmax＜600nm荧光材料层所放出的光还可具有620nm至780nm范围内的波段，以用于模拟具有红光波段的水面下太阳光光谱。同样地，600nm≤λmax＜700nm范围内的发光峰可直接由红光led芯片提供，或利用紫外光或蓝光led芯片，以激发红色荧光材料层放光。在此，led激发源所放出的激发光可完全被含单一种或数种荧光粉的荧光材料层所吸收，以使每一发光单元所放出的光为荧光材料层所发射的发光峰，或者可部分被荧光材料层所吸收，以使穿透荧光材料层的部分激发光可与荧光材料层所放出的荧光混合形成白光或是混合形成其他色光。此外，所述荧光材料层并无特殊限制，其可依据实际需求，选用适当的荧光材料，例如发光峰具有0.1≤x≤0.75且0.15≤y≤0.85色坐标(cie1931)的荧光材料层均适用于本发明，但不限于此。

于本发明中，该些发光峰的相邻两峰值波长差(δλmax)并无特殊限制，其可根据需求以固定或非固定峰值波长差(δλmax)相互间隔。例如，本发明的具体实施例是利用峰值波长差(δλmax)约20nm的led光/荧光进行水面下太阳光光谱的拼配，但此仅为其中一种实施形式，本发明并不限于此。

于本发明中，该布线载板并无特殊限制，其可为任何可提供led阵列电连接电路的单层板、双层板、三层板或其他多层板结构等。此外，本发明并不限于特定的发光二极管封装方式，例如，优选是先将led芯片封装成表面贴片式组件(smd)，以便于后续将不同波长的smd组件排列组接于布线载板上。

此外，本发明更提供一种上述光源模块的用途，其是用于提供水中生物(如藻类、珊瑚、鱼类等)生长所需的光照，可提高水中生物的生长率。

附图说明

图1为本发明第一具体实施例中光源模块的示意图；

图2为图1所示led阵列所发出的各发光峰图；

图3为图1所示led阵列所发出的仿真光谱图与水面下5公尺处的太阳光光谱图；

图4为本发明第一具体实施例中led组件的立体示意图；

图5为本发明第一具体实施例中另一形式的led阵列示意图；

图6为图5所示led阵列所发出的各发光峰图；

图7为图5所示led阵列所发出的仿真光谱图与水面下10公尺处的太阳光光谱图；

图8为本发明第一具体实施例中另一形式的led阵列示意图；

图9为图8所示led阵列所发出的各发光峰图；

图10为图8所示led阵列所发出的仿真光谱图与水面下15公尺处的太阳光光谱图；

图11为本发明第一具体实施例中另一形式的led阵列示意图；

图12为图11所示led阵列所发出的各发光峰图；

图13为图11所示led阵列所发出的仿真光谱图与水面下20公尺处的太阳光光谱图；

图14为本发明第二具体实施例的马赛克式led阵列示意图；

图15为本发明第二具体实施例中6000k白光光谱图；

图16为本发明第二具体实施例中直条式led阵列示意图；

图17为图14及16所示led阵列所发出的各发光峰图；

图18为图14及16所示led阵列所发出的仿真光谱图与水面下5公尺处的太阳光光谱图；

图19为本发明第二具体实施例中3000k、5000k及5700k白光光谱图；

图20为本发明第二具体实施例中3000k及6000k白光光谱图；

图21为本发明第二具体实施例的另一形式马赛克式led阵列示意图；

图22为本发明第二具体实施例的另一形式直条式led阵列示意图；

图23为图21及22所示led阵列所发出的各发光峰图；

图24为图21及22所示led阵列所发出的仿真光谱图与水面下10公尺处的太阳光光谱图；

图25为本发明第二具体实施例的另一形式马赛克式led阵列示意图；

图26为本发明第二具体实施例的另一形式直条式led阵列示意图；

图27为图25及26所示led阵列所发出的各发光峰图；

图28为图25及26所示led阵列所发出的仿真光谱图与水面下10公尺处的太阳光光谱图；

图29为本发明第二具体实施例的另一形式马赛克式led阵列示意图；

图30为本发明第二具体实施例的另一形式直条式led阵列示意图；

图31为图29及30所示led阵列所发出的各发光峰图；

图32为图29及30所示led阵列所发出的仿真光谱图与水面下15公尺处的太阳光光谱图；

图33为本发明第二具体实施例的另一形式马赛克式led阵列示意图；

图34为本发明第二具体实施例的另一形式直条式led阵列示意图；

图35为图33及34所示led阵列所发出的各发光峰图；

图36为图33及34所示led阵列所发出的仿真光谱图与水面下15公尺处的太阳光光谱图；

图37为本发明第二具体实施例的另一形式马赛克式led阵列示意图；

图38为本发明第二具体实施例的另一形式直条式led阵列示意图；

图39为图37及38所示led阵列所发出的各发光峰图；

图40为图37及38所示led阵列所发出的仿真光谱图与水面下20公尺处的太阳光光谱图；

图41为本发明第二具体实施例的另一形式马赛克式led阵列示意图；

图42为本发明第二具体实施例的另一形式直条式led阵列示意图；

图43为图41及42所示led阵列所发出的各发光峰图；

图44为图41及42所示led阵列所发出的仿真光谱图与水面下20公尺处的太阳光光谱图；

图45为本发明第三具体实施例的马赛克式led阵列示意图；

图46为本发明第三具体实施例的直条式led阵列示意图；

图47为图45及46所示led阵列所发出的各发光峰图；以及

图48为图45及46所示led阵列所发出的仿真光谱图与水面下5公尺处的太阳光光谱图。

【符号说明】

光源模块100

布线载板10

电极11、12

发光二极管阵列20

封装基座201

发光二极管芯片203

封胶层205

350nm发光二极管组件211

370nm发光二极管组件213

390nm发光二极管组件215

410nm发光二极管组件217

430nm发光二极管组件219

450nm发光二极管组件221

470nm发光二极管组件223

490nm发光二极管组件225

510nm发光二极管组件227

530nm发光二极管组件229

550nm发光二极管组件231

570nm发光二极管组件233

590nm发光二极管组件235

610nm发光二极管组件241

630nm发光二极管组件243

650nm发光二极管组件245

白光发光二极管组件251

具体实施方式

以下是通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容轻易地了解本发明的其他优点与效果。需注意的是，以下附图均为简化的示意图，附图中的组件数目、形状及尺寸可依实际实施状况而随意变更，且组件布局状态可更为复杂。本发明也可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的精神下进行各种修饰与变更。

[实施例1]

请参见图1，其为本发明一具体实施例的光源模块100示意图。如图1所示，本发明的光源模块100包括一布线载板10及一发光二极管阵列20，其中该发光二极管阵列20是由多波长发光二极管组件排列而成，并电性连接至该布线载板10的电极11、12。从而，本发明可利用多波长发光二极管组件，以拼配出水面下的太阳光光谱。下文将以模拟水面下5、10、15、20公尺处的太阳光光谱作示例性说明。

首先，以模拟水面下5公尺处的太阳光光谱为例，如图1所示，本具体实施例主要是使用2个390nm发光二极管组件215、3个410nm发光二极管组件217、3个430nm发光二极管组件219、1个450nm发光二极管组件221、6个470nm发光二极管组件223、8个490nm发光二极管组件225、7个510nm发光二极管组件227、9个530nm发光二极管组件229、7个550nm发光二极管组件231及3个570nm发光二极管组件233，以通过49个发光单元进行光谱拼配，其中每个发光二极管组件最大可操作电压/电流/功率为3.4v/700ma/2.38w。

如图1所示，该些发光二极管组件是排列成7x7的发光二极管阵列20，并配置成7串5并连接组与7串2并连接组，其中7串5并连接组包含有390nm至530nm的发光二极管组件，并电性连接至电极11，而7串2并连接组则包含有530nm至570nm的发光二极管组件，并电性连接至电极12。从而，于驱动发光二极管阵列20后，该些发光二极管组件可发出如下表1及图2所示的发光峰(第一及第三发光峰组中最大的峰值强度分别为0.83及0.67)，以拼配成如图3所示的模拟光谱。

[表1]模拟水面下5公尺

于本发明中，该发光二极管阵列20并不限于如图1所示的直条式排列的实施形式，其也可排列成马赛克阵列，使多波长光达均匀混光效果，或者对该些发光二极管组件分别配置各别独立电路，使各波长的发光二极管组件可各自独立被驱动，并可利用电压以调整各波长的光强度。从而，该发光二极管阵列20不仅可发出水中生物(如珊瑚、藻类、鱼类等)自然生长环境的模拟光谱，其也可根据需求或场合等，调整成各种光源模式(如蓝光观赏模式)，甚至可根据用户所输入的亮度及开关时间设定，于设定的时间点自动切换成所需模式。

此外，该光源模块100并不限于特定的发光二极管封装方式，无论采何种封装形态，均可时实现本发明目的。例如，可采用芯片直接封装(cob)方式，将具有上述波长的发光二极管芯片直接布置于布线载板10上，或者将每个发光二极管芯片先封装成具有相同尺寸规格的表面贴片式组件(smd)后，再将该些smd组件布置于布线载板10上。在此，本具体实施例是采用smd封装方式作示例性说明，如图4所示，该发光二极管组件包括一封装基座201、一发光二极管芯片203及一封胶层205，其中该发光二极管芯片203是设置于封装基座201上，接着封胶层205再覆盖于发光二极管芯片203上，以完成smd型的发光二极管组件。由于本具体实施例是直接利用多个发光二极管芯片所发出的多波长发光二极管光进行光谱拼配，故所采用的封胶层205为不含荧光材料的透明硅胶层。

接着，本具体实施例同样以7x7的led阵列，通过调整各波长led组件的数量，以分别模拟水面下10、15及20公尺处的太阳光光谱。

于模拟水面下10公尺处的形式中，请参见图5，其是使用1个390nm发光二极管组件215、2个410nm发光二极管组件217、2个430nm发光二极管组件219、3个450nm发光二极管组件221、4个470nm发光二极管组件223、6个490nm发光二极管组件225、5个510nm发光二极管组件227、6个530nm发光二极管组件229、8个550nm发光二极管组件231及12个570nm发光二极管组件233，以直接利用多波长led芯片所放出的led光进行光谱拼配。从而，本形式的led阵列于驱动后可发出如下表2及图6所示的发光峰(第一及第三发光峰组中最大的峰值强度分别为0.70及0.39)，可拼配成如图7所示的模拟光谱。

[表2]模拟水面下10公尺

于模拟水面下15公尺处的形式中，请参见图8，其是使用1个390nm发光二极管组件215、3个410nm发光二极管组件217、3个430nm发光二极管组件219、3个450nm发光二极管组件221、6个470nm发光二极管组件223、8个490nm发光二极管组件225、6个510nm发光二极管组件227、6个530nm发光二极管组件229、6个550nm发光二极管组件231及7个570nm发光二极管组件233，以直接利用多波长led芯片所放出的led光进行光谱拼配。从而，本形式的led阵列于驱动后可发出如下表3及图9所示的发光峰(第一及第三发光峰组中最大的峰值强度分别为0.68及0.21)，可拼配成如图10所示的模拟光谱。

[表3]模拟水面下15公尺

于模拟水面下20公尺处的形式中，请参见图11，其是使用1个390nm发光二极管组件215、2个410nm发光二极管组件217、4个430nm发光二极管组件219、2个450nm发光二极管组件221、6个470nm发光二极管组件223、9个490nm发光二极管组件225、7个510nm发光二极管组件227、6个530nm发光二极管组件229、6个550nm发光二极管组件231及6个570nm发光二极管组件233，以直接利用多波长led芯片所放出的led光进行光谱拼配。从而，本形式的led阵列于驱动后可发出如下表4及图12所示的发光峰(第一及第三发光峰组中最大的峰值强度分别为0.77及0.21)，可拼配成如图13所示的模拟光谱。

[表4]模拟水面下20公尺

[实施例2]

请参见图14，其为本发明另一具体实施例的发光二极管阵列20示意图。本具体实施例是通过100个发光单元仿真水面下5、10、15、20公尺处的太阳光光谱。

首先，以模拟水面下5公尺处的太阳光光谱为例，如图14所示，其主要是使用3个350nm发光二极管组件211、3个370nm发光二极管组件213、2个390nm发光二极管组件215、3个410nm发光二极管组件217、4个430nm发光二极管组件219、1个450nm发光二极管组件221、6个470nm发光二极管组件223、11个490nm发光二极管组件225、6个510nm发光二极管组件227、12个530nm发光二极管组件229、8个550nm发光二极管组件231、18个570nm发光二极管组件233、10个590nm发光二极管组件235，以直接利用led芯片发出多波长led光，同时再搭配13个白光发光二极管组件251，以组成10x10的发光二极管阵列20。在此，如图15所示，本具体实施例的白光发光二极管组件251是使用可发出400-490nm激发光(λmax约450nm)的蓝光发光二极管芯片作为发光二极管激发源，而覆盖于发光二极管激发源上的封胶层为荧光材料层，其经蓝色led光激发后可放出峰值(λmax)约550nm的荧光。从而，通过400-490nm的led激发光混合490-750nm的荧光，即可产生6000k的白光。

为使多波长光达均匀混光效果，如图14所示，该些不同波长的发光单元优选是以马赛克方式排列成10x10的发光二极管阵列20，如图14所示，发光二极管阵列20中任四个相邻发光单元可提供至少两个不同峰值的发光峰，以形成局部混光的2x2次阵列。但是，此马赛克排列方式仅是其中一种实施形式，本具体实施例也可如图16所示，以直条方式排列成10x10的发光二极管阵列，但不限于此。

从而，于驱动发光二极管阵列20后，该些发光单元可发出如下表5及图17所示的发光峰(第一及第三发光峰组中最大的峰值强度分别为0.76及0.46)，以拼配成如图18所示的模拟光谱。

[表5]模拟水面下5公尺

需特别说明的是，于发光二极管芯片搭配荧光材料层的实施形式中，其led激发光与荧光间的相对强度比可通过改变荧光材料层厚度或荧光体浓度来进行调整。例如，除了如上述使荧光材料层部分吸收激发光的实施形式外，其也可根据需求对荧光材料层进行调整，使该荧光材料层完全吸收发光二极管激发源所发出的激发光。此外，本具体实施例并不限于使用上述6000k白光，其也可选择使用其他荧光材料层，例如，本具体实施例也可改用3000k、5000k或5700k的白光进行光谱拼配(其光谱图请见图19及20)，但不限于此。再者，由于较长波长的led芯片发光效率较差，故也可改用led光激发荧光材料层放光的方式，以提供较长波长的发光峰，进而提高发光效率。例如，可通过λmax于200nm至490nm范围内的蓝光或紫外光led芯片提供激发光，以激发荧光材料层发出510nm≤λmax＜600nm范围内的发光峰(黄绿光)或600nm≤λmax＜700nm范围内的发光峰(红光)。

接着，本具体实施例同样以10x10的led阵列，通过调整各波长led组件的数量，以分别模拟水面下10、15及20公尺处的太阳光光谱。

于模拟水面下10公尺处的形式中，请参见图21，其是使用3个350nm发光二极管组件211、3个370nm发光二极管组件213、2个390nm发光二极管组件215、4个410nm发光二极管组件217、3个430nm发光二极管组件219、4个450nm发光二极管组件221、7个470nm发光二极管组件223、13个490nm发光二极管组件225、7个510nm发光二极管组件227、16个530nm发光二极管组件229、9个550nm发光二极管组件231、21个570nm发光二极管组件233及7个590nm发光二极管组件235，以直接利用led芯片发出多波长led光，同时再搭配1个白光发光二极管组件251，其使用的led激发源所提供的激发光可与荧光材料层激发后所放出的荧光混合成白光。同样地，本形式并不限于马赛克排列，其也可如图22所示，排列成直条式，但不限于此。从而，本形式的led阵列于驱动后可发出如下表6及图23所示的发光峰(第一及第三发光峰组中最大的峰值强度分别为0.79及0.43)，可拼配成如图24所示的模拟光谱。

[表6]模拟水面下10公尺

此外，请参见图25，若不使用白光led组件，本形式也可改为使用3个350nm发光二极管组件211、3个370nm发光二极管组件213、2个390nm发光二极管组件215、4个410nm发光二极管组件217、4个430nm发光二极管组件219、4个450nm发光二极管组件221、8个470nm发光二极管组件223、13个490nm发光二极管组件225、8个510nm发光二极管组件227、14个530nm发光二极管组件229、8个550nm发光二极管组件231、24个570nm发光二极管组件233及5个590nm发光二极管组件235，以通过多波长led光模拟水面下10公尺处的太阳光光谱。同样地，本形式并不限于马赛克排列，其也可如图26所示，排列成直条式，但不限于此。从而，本形式的led阵列于驱动后可发出如下表7及图27所示的发光峰(第一及第三发光峰组中最大的峰值强度分别为0.76及0.41)，可拼配成如图28所示的模拟光谱。

[表7]模拟水面下10公尺

于模拟水面下15公尺处的形式中，请见图29，其是使用3个350nm发光二极管组件211、3个370nm发光二极管组件213、2个390nm发光二极管组件215、5个410nm发光二极管组件217、6个430nm发光二极管组件219、4个450nm发光二极管组件221、10个470nm发光二极管组件223、16个490nm发光二极管组件225、7个510nm发光二极管组件227、17个530nm发光二极管组件229、8个550nm发光二极管组件231、13个570nm发光二极管组件233及3个590nm发光二极管组件235，以直接利用led芯片发出多波长led光，同时再搭配3个白光发光二极管组件251，其使用的led激发源所提供的激发光可与荧光材料层激发后所放出的荧光混合成白光。同样地，本形式并不限于马赛克排列，其也可如图30所示，排列成直条式，但不限于此。从而，本形式的led阵列于驱动后可发出如下表8及图31所示的发光峰(第一及第三发光峰组中最大的峰值强度分别为0.77及0.22)，可拼配成如图32所示的模拟光谱。

[表8]模拟水面下15公尺

此外，请参见图33，若不使用白光led组件，本形式也可改为使用3个350nm发光二极管组件211、3个370nm发光二极管组件213、2个390nm发光二极管组件215、5个410nm发光二极管组件217、6个430nm发光二极管组件219、4个450nm发光二极管组件221、10个470nm发光二极管组件223、15个490nm发光二极管组件225、8个510nm发光二极管组件227、15个530nm发光二极管组件229、8个550nm发光二极管组件231、18个570nm发光二极管组件233及3个590nm发光二极管组件235，以通过多波长led光模拟水面下15公尺处的太阳光光谱。同样地，本形式并不限于马赛克排列，其也可如图34所示，排列成直条式，但不限于此。从而，本形式的led阵列于驱动后可发出如下表9及图35所示的发光峰(第一及第三发光峰组中最大的峰值强度分别为0.73及0.26)，可拼配成如图36所示的模拟光谱。

[表9]模拟水面下15公尺

于模拟水面下20公尺处的形式中，请参见图37，其是使用3个350nm发光二极管组件211、4个370nm发光二极管组件213、2个390nm发光二极管组件215、6个410nm发光二极管组件217、7个430nm发光二极管组件219、5个450nm发光二极管组件221、12个470nm发光二极管组件223、20个490nm发光二极管组件225、9个510nm发光二极管组件227、14个530nm发光二极管组件229、9个550nm发光二极管组件231及9个570nm发光二极管组件233，以直接利用多波长led芯片所放出的led光进行光谱拼配。同样地，本形式并不限于马赛克排列，其也可如图38所示，排列成直条式，但不限于此。从而，本形式的led阵列于驱动后可发出如下表10及图39所示的发光峰(第一及第三发光峰组中最大的峰值强度分别为0.78及0.17)，可拼配成如图40所示的模拟光谱。

[表10]模拟水面下20公尺

此外，请参见图41，本形式也可改为使用3个350nm发光二极管组件211、3个370nm发光二极管组件213、2个390nm发光二极管组件215、4个410nm发光二极管组件217、6个430nm发光二极管组件219、4个450nm发光二极管组件221、11个470nm发光二极管组件223、16个490nm发光二极管组件225、10个510nm发光二极管组件227、15个530nm发光二极管组件229、12个550nm发光二极管组件231、13个570nm发光二极管组件233及1个590nm发光二极管组件235，以仿真水面下20公尺处的太阳光光谱。同样地，本形式并不限于马赛克排列，其也可如图42所示，排列成直条式，但不限于此。从而，本形式的led阵列于驱动后可发出如下表11及图43所示的发光峰(第一及第三发光峰组中最大的峰值强度分别为0.69及0.24)，可拼配成如图44所示的模拟光谱。

[表11]模拟水面下20公尺

[实施例3]

本具体实施例同样是如上述实施例2所述，以10x10的led阵列进行光谱拼配，主要差异在于，本具体实施例的led阵列还可提供第四发光峰组。以模拟水面下5公尺处的太阳光光谱为例，请参见图45，其主要是使用3个350nm发光二极管组件211、3个370nm发光二极管组件213、2个390nm发光二极管组件215、3个410nm发光二极管组件217、3个430nm发光二极管组件219、3个450nm发光二极管组件221、6个470nm发光二极管组件223、10个490nm发光二极管组件225、6个510nm发光二极管组件227、14个530nm发光二极管组件229、7个550nm发光二极管组件231、25个570nm发光二极管组件233、12个590nm发光二极管组件235、1个610nm发光二极管组件241、1个630nm发光二极管组件243及1个650nm发光二极管组件245，以直接利用多波长led芯片所放出的led光进行光谱拼配。同样地，本形式并不限于马赛克排列，其也可如图46所示，排列成直条式，但不限于此。从而，本具体实施例的led阵列于驱动后可发出如下表12及图47所示的发光峰(第一、第三及第四发光峰组中最大的峰值强度分别为0.77、0.67及0.21)，可拼配成如图48所示的模拟光谱。在此，510nm至700nm范围内的发光峰也可分别由放光峰值为510nm至700nm的荧光粉所提供。

[表12]模拟水面下5公尺

综上所述，本发明的光源模块可发出仿水面下太阳光光谱的模拟光谱，以提供水中生物自然生长环境下的光照，进而提高水中生物的生长率，并可避免热辐射造成环境温度升高的问题，其不仅适作为人工栽培用的植物灯，也可作为培育其他水中动物时所需要的光照。

上述实施例仅用来例举本发明的实施形式，以及阐释本发明的技术特征，并非用来限制本发明的保护范畴。任何本领域技术人员可轻易完成的改变或均等性的安排均属于本发明所主张的范围，本发明的权利保护范围应以权利要求为准。