Ito银浆激光刻蚀方法

专利名称：Ito银浆激光刻蚀方法
技术领域：
本发明涉及一种激光刻蚀电子产品的方法，特别是涉及ITO银浆激光刻蚀方法。
背景技术：
用于刻蚀显示触摸屏ITO薄膜、玻璃基底或PET基底的银浆激光刻蚀设备多采用二维振镜头和F- θ透镜组组合，二维振镜头安装在机架、升降机构或二维运动平台上， F-θ透镜组安装在二维振镜头下部，被刻蚀的ITO薄膜或银浆薄膜放置在F-θ透镜下方的工作台上，二维振镜头的振动电机偏转使激光光束运动，再经F- θ透镜组聚焦的焦点轨迹为激光刻蚀的轨迹，也就是所要刻蚀的图形。对于单独的ITO薄膜或单独的银浆薄膜，只要单独地对ITO薄膜或单独地对银浆薄膜进行刻蚀就可以完成加工。专利号为200710077447. 9的一种ITO薄膜激光蚀刻设备及蚀刻方法，包括机架、 工控机、显示系统、激光发生器、切割头、吸附盘、X轴运动系统、Y轴运动系统和Z轴运动系统，所述工控机、激光发生器、显示系统和Z轴运动系统都安装在机架上，所述切割头安装在Z轴运动系统上，所述吸附盘固定在X轴运动系统上，位于Y轴运动系统的上方，所述X 轴运动系统安装在Y轴运动系统上，并交叉呈十字状，Y轴运动系统固定安装在机架上。该蚀刻方法包括预设激光蚀刻图形；将被蚀刻产品放置在激光蚀刻设备的工作台上，并进行定位；根据所述预设的激光蚀刻图形控制激光蚀刻设备对被蚀刻产品进行蚀刻。专利号为201110128579.6的用于刻蚀电子产品上银浆的装置及其方法，高频率短脉冲激光器的输出端布置有光间，光间的输出端设置有扩束镜，扩束镜的输出端依次布置有1/2波片和格兰棱镜，格兰棱镜的输出端布置有45度全反射镜，45度全反射镜的输出端依次布置有振镜和扫描场镜，扫描场镜正对于四轴吸附平台，四轴吸附平台上安装有同轴吹吸气集尘系统，四轴吸附平台对角位置分别安装有CCD对位观察系统。采用高频率红外脉冲激光器作为激光源，通过对角线CCD抓靶加工材料的靶标位置，确定加工图形与平台上的样品位置一一对应，对不同触摸屏产品中不可视区域银浆或者铜薄膜或钼铝钼层进行蚀刻，使不可视区域的薄膜材料在高频率短脉冲红外激光器作用下气化而达到蚀除目的。所述的高频率短脉冲激光器波长1000 1100歷、脉宽100ps 50ns、频率IOkHz 200kHz。专利号为200710077447. 9的一种ITO薄膜激光蚀刻设备及蚀刻方法，提供了 ITO 薄膜的刻蚀方法；专利号为201110U8579. 6的用于刻蚀电子产品上银浆的装置及其方法， 提供了银浆刻蚀的方法。然而，现在很多电子产品的基底上，特别的显示触摸屏的基底上，既有ITO薄膜， 同时又有银浆，ITO薄膜和银浆都要进行刻蚀，专利号为200710077447. 9的一种ITO薄膜激光蚀刻设备及蚀刻方法和专利号为201110U8579. 6的用于刻蚀电子产品上银浆的装置及其方法无法完成ITO薄膜和银浆的同时加工。而目前采用先在一种设备上加工银浆或ITO薄膜，再在另一种设备上加工ITO薄膜或银浆，这种不但费时费力，设备投资大，而且要两次定位加工，图形定位困难，成品率低。

发明内容
本发明的目的是提供一种ITO银浆激光刻蚀方法，此ITO银浆激光刻蚀方法能一次完成ITO薄膜和银浆的刻蚀，生产率高，成品率高，设备投资小。为了达到上述目的，本发明的ITO银浆激光刻蚀方法，其特征在于
①、将ITO银浆工件正面朝上放置在激光刻蚀机的工作平台上并定位；
②、调整激光刻蚀机的工作平台或激光刻蚀机激光头高度，使激光刻蚀机的激光焦点落在ITO银浆工件正面平面上；
③、将要刻蚀的ITO图形和银浆图形分别输入或导入激光刻蚀软件，并作为两个图层；
④、分别对ITO图形图层和银浆图形图层设置激光参数和运动参数，ITO图形图层的激光功率2W 6W，激光脉冲频率为30kHz l IOkHz，激光刻蚀线速度为500mm/iTl500mm/S，刻蚀重复次数为1次；银浆图形图层的激光功率2W飞W，激光脉冲频率为40HZ SOHz，激光刻蚀线速度为500mm/iTl500mm/S，刻蚀重复次数为2次、次；
⑤、启动激光刻蚀机，对ITO银浆工件的ITO图形图层和银浆图形图层进行刻蚀。所述的ITO银浆激光刻蚀方法，其特征在于激光刻蚀机的激光波长为1064nm、 F- θ透镜组的焦距在15(T300mm之间、激光器的额定输出功率为5W 20W。所述的ITO银浆激光刻蚀方法，其特征在于激光刻蚀机的工作平台为一吸附平台，吸附平台的内部为空腔，上面表设置多个与空腔连通的小孔，吸附平台的侧面或下部开有与空腔相连通的通孔，其中，至少有一个通孔与真空装置或抽风装置连接，真空装置或抽风装置工作时把ITO银浆工件吸附于吸附平台，使工作平台平展于吸附平台，保证刻蚀质量。因为本发明的ITO银浆激光刻蚀方法是在同一台激光刻蚀机上一次定位完成ITO 图形和银浆图形的刻蚀，所以生产率高，设备投资小，一次定位也避免了 ITO图形和银浆图形两次定位产生的误差，成品率高。本发明的ITO银浆激光刻蚀方法能一次完成ITO薄膜和银浆的刻蚀，生产率高，成品率高，设备投资小。


图1是本发明的流程示意图。
具体实施例方式参见图1，本发明ITO银浆激光刻蚀方法的实施例采用下面步骤对某生产手机显示触摸屏进行加工，手机显示触摸屏的ITO薄膜刻蚀后的轨迹作为手机显示传导线路， 刻蚀后的银浆线路作为与显示传导线路的连接线路和焊接点。激光刻蚀机的激光波长为 1064nm、F-e透镜组的焦距在185mm、激光器的额定输出功率为10W。①、将手机显示触摸屏正面朝上放置在激光刻蚀机的工作平台上并定位；
②、调整激光刻蚀机的工作平台或激光刻蚀机激光头高度，使激光刻蚀机的激光焦点落在手机显示触摸屏正面平面上；
③、将要刻蚀的ITO图形和银浆图形分别导入激光刻蚀软件，并作为两个图层；
④、分别对ITO图形图层和银浆图形图层设置激光参数和运动参数，ITO图形图层的激光功率4W，激光脉冲频率为70kHz，激光刻蚀线速度为1000mm/S，刻蚀重复次数为1次；银浆图形图层的激光功率4W，激光脉冲频率为60HZ，激光刻蚀线速度为1000mm/S，刻蚀重复次数为2次；
⑤、启动激光刻蚀机，对手机显示触摸屏的ITO图形图层和银浆图形图层进行刻蚀。采用本发明ITO银浆激光刻蚀方法生产的手机显示触摸屏成品率在95%以上，生产率高。而此前此生产厂家采用的ITO图形图层用激光刻蚀，银浆采用印刷，不但生产率低，成品率也只有80%左右，生产工序复杂，生产成本高。本发明的ITO银浆激光刻蚀方法能一次完成ITO薄膜和银浆的刻蚀，生产率高，成品率高，设备投资小，它的推广应用，对提高ITO银浆的刻蚀生产率、提高刻蚀质量和降低生产成本有着积极的意义，特别适合既有ITO膜，又有银浆的电子产品的刻蚀加工。
权利要求
1.ITO银浆激光刻蚀方法，其特征在于①、将ITO银浆工件正面朝上放置在激光刻蚀机的工作平台上并定位；②、调整激光刻蚀机的工作平台或激光刻蚀机激光头高度，使激光刻蚀机的激光焦点落在ITO银浆工件正面平面上；③、将要刻蚀的ITO图形和银浆图形分别输入或导入激光刻蚀软件，并作为两个图层；④、分别对ITO图形图层和银浆图形图层设置激光参数和运动参数，ITO图形图层的激光功率2W 6W，激光脉冲频率为30kHz l IOkHz，激光刻蚀线速度为500mm/iTl500mm/S，刻蚀重复次数为1次；银浆图形图层的激光功率2W飞W，激光脉冲频率为40HZ SOHz，激光刻蚀线速度为500mm/iTl500mm/S，刻蚀重复次数为2次、次；⑤、启动激光刻蚀机，对ITO银浆工件的ITO图形图层和银浆图形图层进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的ITO银浆激光刻蚀方法，其特征在于激光刻蚀机的激光波长为1064nm、F-e透镜组的焦距在15(T300mm之间、激光器的额定输出功率为5W 20W。
3.根据权利要求1所述的ITO银浆激光刻蚀方法，其特征在于激光刻蚀机的工作平台为一吸附平台，吸附平台的内部为空腔，上面表设置多个与空腔连通的小孔，吸附平台的侧面或下部开有与空腔相连通的通孔，其中，至少有一个通孔与真空装置或抽风装置连接。
全文摘要
本发明提供一种ITO银浆激光刻蚀方法，其特征在于①、将ITO银浆工件正面朝上放置在激光刻蚀机的工作平台上并定位；②、调整激光刻蚀机的工作平台或激光刻蚀机激光头高度，使激光刻蚀机的激光焦点落在ITO银浆工件正面平面上；③、将要刻蚀的ITO图形和银浆图形分别输入或导入激光刻蚀软件，并作为两个图层；④、分别对ITO图形图层和银浆图形图层设置激光参数和运动参数；⑤、启动激光刻蚀机，对ITO银浆工件的ITO图形图层和银浆图形图层进行刻蚀。本发明的ITO银浆激光刻蚀方法能一次完成ITO薄膜和银浆的刻蚀，生产率高，成品率高，设备投资小。
文档编号B23K26/40GK102528296SQ20121000267
公开日2012年7月4日 申请日期2012年1月6日 优先权日2012年1月6日
发明者曹红兵, 袁聪, 赖旭员, 辛天才, 邹金国, 陈刚 申请人:武汉吉事达激光技术有限公司