本发明属于微割技术领域，特别涉及一种微显蚀割刃具的制造方法。
背景技术：
随着我国微电子工业的发展，大多精密器件和特殊仪器都需要微割技术，微显蚀割装置曝光技术及其应用技术也必将被提高到新的水平。微割技术具有非常好的平行性，微显蚀割装置投影透镜的数值孔径只有0.001，其焦深可达100μm，也就是说，硅片表面任何起伏在100μm之内，离子束的分辨力基本不变。而光学曝光的焦深只有1～2μm，可清晰显示出微显蚀割装置投影曝光获得的线条图形，线条跨越硅片表面的起伏结构时其线宽没有任何变化。微显蚀割装置投影曝光的另一个优点是通过控制离子能量可以控制离子的穿透深度，从而控制抗蚀剂的曝光深度。微割技术制造的微显蚀割刃具可用于特殊精密领域的复杂微纳结构和器件的加工制造，更可用于纳米级切削。微显蚀割装置在半导体行业有着重要作用，在超精密加工中要获得高精度，除了配套的精密机床、高分检测仪器相应的环境条件以外，还须具备高精度微显蚀割刃具。刃口半径直接影响切削过程，因此，减小刃口半径，可减小刀具对金属的挤压力，有助于提高切削过程的稳定性，改善工件质量和延长刃具使用寿命。
因此，本发明设计者首先利用微显蚀割装置对刀具进行初级加工，继而采用车削或抛光方法去掉微显蚀割装置初级加工中的非晶层，再利用微显蚀割装置精制微显蚀割刃具的刃口半径，刃口圆弧半径可小于15nm。该方法具有精度高、可重复性强、适用于多种材料和刀具形状等特点。
技术实现要素：
：
本发明的目的在于提供一种微显蚀割刃具的制造方法，该技术方案克服了现有方法复杂加工刀具轮廓的缺陷，达成纳米级刃口半径，精制成一种微显蚀割刃具。
本发明采用如下的技术方案：
一种微显蚀割刃具的制造方法，通过以下步骤实现：
A.利用微显蚀割装置对微显蚀割刃具毛坯进行初级加工，形成刃具前刀面；
B.利用车削或抛光方法去除刃具前刀面产生的纳米级非晶改性层，对刃具前刀面实施精制处理；
C.将前刀面精制处理后的微显蚀割刃具放进微显蚀割装置内，按照既定规格，利用微显蚀割装置铣削精修，精制成微显蚀割刃具的后刀面和侧刀面，从而达成微显蚀割刃具的制造。
本发明较佳的方案为，上述的微显蚀割装置为15～60KeV、10～30nA；上述的微显蚀割装置铣削加工中所采用的微显蚀割装置设定为5～20KeV、2～8nA。
针对本发明提出的一种微显蚀割刃具的制造方法，本案设计者首先利用微显蚀割装置对刀具进行初级加工，继而采用车削或抛光方法去掉微显蚀割装置初级加工中的非晶层，再利用微显蚀割装置精制微显蚀割刃具的刃口半径，刃口圆弧半径可小于20nm。该方法具有精度高、可重复性强、适用于多种材料和刃具形状等特点。
附图说明
图1为本发明微显蚀割刃具的示意图。
符号说明：
A.刃具,
B.初级切削形成的非晶层,
C.微显蚀割装置精制处理后的刃具。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例,详细说明如下。
具体实施方式：
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下参照附图，并结合较佳实施例，对依据本发明提出的一种微显蚀割刃具的制造方法，其具体实施方式、特征等，详细说明如后。
实施例：
本发明提出的一种微显蚀割刃具的制造方法，可以用于加工包括车、铣、刨等各种微型刃具。上述微型刀具的质材可以是聚晶金刚石、硬质合金等超硬材料。
本发明提出的一种微显蚀割刃具的制造方法：首先利用微显蚀割装置对刀具进行初级加工，继而采用车削或抛光方法去掉微显蚀割装置初级加工中的非晶层，再利用微显蚀割装置精制微显蚀割刃具的刃口半径，刃口圆弧半径可小于20nm。该方法具有精度高、可重复性强、适用于多种材料和刃具形状等特点。
上述微显蚀割装置，可以采用铍离子、镓离子；继而采取抛光的处理方法；然后实施精制处理。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。