专利名称：覆盖电子元件的保护膜的形成方法及有保护膜的电子仪器的制作方法
技术领域：
本发明涉及覆盖装载在基板一面上的电子元件的保护膜的形成方法以及具有保护膜的电子仪器，例如涉及用以保护装载在透光性基板的一面上的有机电致发光(EL)元件，能够良好地维持其发光特性的保护膜的形成方法。
背景技术：
有机EL元件如图1(A)和(B)所示，在透光性基板1的一面上作为叠层体构成。另外图1(A)是表示在基板的一部分断裂状态的立体图，图1(B)是表示叠层状态的剖视图。即，作为叠层体的有机EL元件2，在透光性基板1上第1电极3例如通过溅射形成条纹状，在它上面孔穴输送层4例如通过蒸镀形成。在孔穴输送层4的上面，由有机化合物所得的发光材料层5同样通过蒸镀成膜。多根第2电极6在与前述第1电极垂直的方向上形成于发光材料层5的上面。另外，在图1(A)中，发光材料层5和孔穴输送层4是以一层描绘的。
在这里，如图1(B)所示，在直流电源E的正极连接到第1电极3，直流电源E的负极连接到第2电极6的情况下，在两者交叉的象素部分，从第1电极3来的孔穴与从第2电极6来的电子在有机发光材料层5再次结合并发光。该发光作用所得的光通过透光性基板1向外部输出。
作为前述基板1，例如可用透明玻璃，石英，蓝宝石或有机薄膜，作为第1电极的阳极3例如采用铟锡氧化物(ITO)。此外，作为第2电极的阴极6例如采用铝合金。这种有机EL元件2具有叠层体暴露在大气中特别是阴极6被大气中含有的湿气氧化，发光特性恶化的问题。因此，在特开平9-148066号公报披露了通过密封容器在与透光性基板之间的部分密封叠层体构成的有机EL元件并在其内部填充干燥剂的结构。
可是，根据前述结构，利用一面敞开的箱型的不锈钢制的容器作为密封容器，利用粘结剂将其粘贴到透光性基板上，由此，密封叠层体构成的有机EL元件。可是，根据前述结构，由于前述容器的存在，发光显示面板的厚度显著增大。
此外，前述有机EL元件由于利用例如有机薄膜作为透光性基板，尽管具有能够得到易弯曲的发光显示面板的特质，在利用如前述金属制的容器作为密封部件的情况下，也不能发挥这种特质。另一方面，特开2000-223264号公报披露了没有密封容器而是通过无机膜，有机膜的叠层保护膜密封有机EL元件的方法。尽管通过使用保护膜密封容易做成易弯曲的发光显示面板，但是在成膜的保护膜为多个的情况下，产生了必须使用与成膜的保护膜大小相符的掩膜，掩膜的交换频率增加，需要与掩膜相符的腔室(成膜室)，掩膜保管场所等的制造工序增加等问题。
本发明基于前述技术的观点而提出，目的在于提供能够将装载于以例如前述有机EL显示面板为代表的基板的一面上的电子元件有效地密封的保护膜的形成方法，而且目的在于提供以具有前述密封用保护膜的有机EL显示面板为代表的电子仪器的新的结构。
发明内容
为了达到前述目的而提出的本发明的覆盖电子元件的保护膜的形成方法，如方案1所述，其特征在于在以覆盖装载在基板一面上的电子元件的方式，形成至少两层以上的保护膜的保护膜形成方法中，通过依次实行相对于前述基板，间隔规定的第1距离配置具有与装载于前述基板的一面上的电子元件对应的开口部的掩膜，经由前述掩膜的开口部将成膜材料作为第1层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序和相对于前述基板，间隔比前述第1距离大的第2距离配置前述掩膜，经由前述掩膜的开口部将成膜材料作为第2层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序，由此，至少形成覆盖电子元件的第1层保护膜和在第1层保护膜上更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜。
此外，本发明的覆盖电子元件的保护膜的形成方法，如方案2所述，在以覆盖装载在基板一面上的电子元件的方式，形成至少两层以上的保护膜的保护膜形成方法中，其特征在于通过一面保持前述基板与蒸发源的一定距离，一面依次实行将具有与装载于前述基板的一面上的电子元件对应的开口部的掩膜配置在前述基板与蒸发源之间，经由相对于前述基板间隔规定的第1距离配置的状态下的掩膜的开口部，将来自于蒸发源的成膜材料作为第1层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序和相对于前述基板，间隔比前述第1距离大的第2距离配置前述掩膜的位置，经由前述掩膜的开口部将来自于蒸发源的成膜材料作为第2层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序，由此，至少形成覆盖电子元件的第1层保护膜和在第1层保护膜上更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜。
进而，本发明的覆盖电子元件的保护膜的形成方法，如方案4所述，在以覆盖装载在基板一面上的电子元件的方式，形成至少两层以上的保护膜的保护膜形成方法中，其特征在于通过一面保持前述基板与掩膜的一定距离，一面依次实行将具有与装载于前述基板的一面上的电子元件对应的开口部的掩膜配置在前述基板与蒸发源之间，经由相对于前述基板间隔规定的第1距离配置的掩膜的开口部，将来自于蒸发源的成膜材料作为第1层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序和相对于前述基板，间隔比前述第1距离小的第2距离配置前述蒸发源的位置，经由前述掩膜的开口部将来自于蒸发源的成膜材料作为第2层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序，由此，至少形成覆盖电子元件的第1层保护膜和在第1层保护膜上更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜。
另一方面，为了达到前述目的而提出的本发明的具有保护膜的电子仪器，如方案7所述，在电子元件装载在基板一面上，以覆盖该电子元件的方式，具有至少两层以上的保护膜的电子仪器中，其特征在于至少具有实行相对于前述基板，间隔规定的第1距离配置具有与装载于前述基板的一面上的电子元件对应的开口部的掩膜，经由前述掩膜的开口部将成膜材料堆积到前述基板和电子元件上而得到的第1层保护膜和相对于前述基板，间隔比前述第1距离大的第2距离配置前述掩膜的位置，经由前述掩膜的开口部将成膜材料堆积到前述基板和电子元件上而得到的第2层保护膜，其中在前述第1层保护膜上形成更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜。
本发明的具有保护膜的电子仪器，如方案8所述，在以电子元件装载在基板一面上，覆盖该电子元件的方式，具有至少两层以上的保护膜的电子仪器中，其特征在于至少具有将具有与装载于前述基板的一面上的电子元件对应的开口部的掩膜配置在前述基板与蒸发源之间，经由相对于前述基板间隔规定的第1距离配置的状态下的掩膜的开口部，将来自于蒸发源的成膜材料堆积到前述基板和电子元件上而得到的第1层保护膜和相对于前述基板，间隔比前述第1距离大的第2距离配置前述掩膜的位置，经由前述掩膜的开口部将来自于蒸发源的成膜材料堆积到前述基板和电子元件上而得到的第2层保护膜，其中在前述第1层保护膜上形成更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜。
本发明的具有保护膜的电子仪器，如方案9所述，在以电子元件装载在基板一面上，覆盖该电子元件的方式，具有至少两层以上的保护膜的电子仪器中，其特征在于至少具有将具有与装载于前述基板的一面上的电子元件对应的开口部的掩膜配置在前述基板与蒸发源之间，经由相对于前述基板间隔规定的第1距离配置的掩膜的开口部，将来自于蒸发源的成膜材料堆积到前述基板和电子元件上而得到的第1层保护膜和相对于前述基板，间隔比前述第1距离小的第2距离配置前述蒸发源的位置，经由前述掩膜的开口部将来自于蒸发源的成膜材料堆积到前述基板和电子元件上而得到的第2层保护膜，其中在前述第1层保护膜上形成更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜。
图1是表示有机EL元件的叠层状态的示意图。
图2是表示在本发明的成膜方法的第1实施方式中，将第1层保护膜成膜的状态的示意图。
图3是同样将第2层保护膜成膜的状态的示意图。
图4是同样将第3层的保护膜成膜的状态的示意图。
图5是表示通过图2～图4所示的成膜工序形成的保护膜的形式的剖面图。
图6是表示在本发明的成膜方法的第2实施方式中，将第1层保护膜成膜的状态的示意图。
图7是同样将第2层保护膜成膜的状态的示意图。
图8是同样将第3层的保护膜成膜的状态的示意图。
图9是表示在本发明的成膜方法的第3实施方式中，将第1层保护膜成膜的状态的示意图。
图10是同样将第2层保护膜成膜的状态的示意图。
图11是同样将第3层的保护膜成膜的状态的示意图。
图12是表示在本发明的成膜方法中，可利用物理气相成膜法的第1例的示意图。
图13是同样表示第2例的示意图。
图14是同样表示第3例的示意图。
图15是同样表示第4例的示意图。
图16是说明在本发明的成膜方法中收容利用该方法所得的成膜材料的坩埚的结构和相互的配置关系的平面图。
具体实施例方式
以下，依据
该发明的覆盖电子元件的保护膜的形成方法。图2～图4是按照成膜工序的顺序表示其第1实施方式的示意图，图5是表示通过图2～图4的工序形成的保护膜的形态的剖面图。另外，图2～图4中的符号1表示依据图1说明的透明基板，符号2表示作为叠层在透明基板的一面上的电子元件的例如有机EL元件(组)，即，在以下说明中，虽然说明为了保护叠层在透明基板的一面上的有机EL元件，形成多层保护膜的方法，但是作为前述电子元件不限于有机EL元件，在覆盖无机EL元件等的其它结构的电子元件的保护膜的形成中，能够同样适用。
首先，在图2～图4所示第1实施方式的保护膜的形成装置中，准备具有与装载于基板1的一面上的EL元件2对应的开口部的掩膜11。即，在前述掩膜11上形成具有能够覆盖形成于基板1的EL元件2的几乎整个表面的面积的开口部11a。在该实施方式中，相对于基板1以规定的距离La1配置作为收容作为成膜材料的蒸发材料16的蒸发源的坩埚15。
图2所示的状态表示相对前述基板1间隔规定的距离Lb1配置掩膜11，通过形成在掩膜11上的开口部11a，将从坩埚15蒸发的成膜材料作为第1层保护膜堆积到前述基板1和EL元件2上的成膜工序。这种情况下，以形成于基板1的EL元件2的大致中央部位为旋转中心，基板1如图中“R”所示向基板面的方向旋转。由此，从坩埚15蒸发的成膜材料通过前述掩膜11的开口部11a，在前述EL元件2和其周缘部的基板1上，作为第1层保护膜21而被堆积。这时，第1层保护膜21对应形成在掩膜11上的开口部11a从旋转中心开始在W1的范围内堆积。
图3表示相对于在第1层保护膜21堆积的状态下的基板1和EL元件2，又堆积第2层保护膜的成膜工序。在该图3所示的工序中，相对于基板1不改变作为蒸发源的坩埚15的位置(距离La1)，将前述掩膜11相对于基板1移动到间隔比前述第1距离Lb1大的第2距离Lb2的位置，成膜材料通过掩膜11的开口部11a，在前述基板1和EL元件2上，作为第2层保护膜22而被堆积。这时，收容于前述坩埚15的蒸发材料16可适当变更。
同样，以形成于基板1的EL元件2的大致中央部位为旋转中心，基板1如图3中“R”所示向基板面的方向旋转。由此，从坩埚15蒸发的成膜材料通过前述掩膜11的开口部11a，在前述EL元件2和其周缘部的基板1上，作为第2层保护膜22而被堆积。这时，如图3所示，第2层保护膜22从旋转中心开始在W2的范围内堆积。在这里，坩埚15相对于基板1的距离La1与前述相同，掩膜11相对于基板1的距离因为存在Lb1＜Lb2的关系，从旋转中心开始的成膜范围存在W1＜W2的关系。所以，在第1层保护膜21上形成更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜22。
图4表示相对于在第2层保护膜22堆积的状态下的基板1和EL元件2，又堆积第3层保护膜的成膜工序。在该图4所示的工序中，相对于基板1不改变作为蒸发源的坩埚15的位置(距离La1)，将前述掩膜11相对于基板1移动到间隔比前述第2距离Lb2更大的第3距离Lb3的位置，成膜材料通过掩膜11的开口部11a，在前述基板1和EL元件2上，作为第3层保护膜23而被堆积。这时，收容于前述坩埚15的蒸发材料16可适当改变。
同样，以形成于基板1的EL元件2的大致中央部位为旋转中心，基板1如图4中“R”所示向基板面的方向旋转。由此，从坩埚15蒸发的成膜材料通过前述掩膜11的开口部11a，在前述EL元件2和其周缘部的基板1上，作为第3层保护膜23而被堆积。这时，如图4所示，第3层的保护膜23从旋转中心开始在W3的范围内堆积。即，坩埚15相对于基板1的距离La1与前述相同，掩膜11相对于基板1的距离因为存在Lb2＜Lb3的关系，从旋转中心开始的成膜范围存在W2＜W3的关系。所以，在第2层保护膜22上形成更宽地覆盖第2层保护膜的第3层的保护膜23。
以上的说明对直至形成第3层的保护膜23的工序进行了阐述，必要时也可与之对应同样形成第4层以上的保护膜。图5表示经过前述成膜工序形成的第1～第3的保护膜21～23的成膜状态。根据通过前述成膜工序形成的保护膜的结构，如图5所示，第1层保护膜21以覆盖前述EL元件2和其周缘部的基板1的方式形成，第2层保护膜22以更宽地覆盖第1层保护膜21的方式成膜，同样，第3层的保护膜23以更宽地覆盖第2层保护膜22的方式成膜。
所以，根据前述的实施方式，例如能够利用一张掩膜形成多层的保护膜。此外，在采用通过保护膜覆盖例如EL元件的结构的情况下，通过适当选择分别形成各保护膜的材料，能够有效避免特别是如EL元件那样受大气中所含的湿气影响，缩短元件寿命的问题。
而且，根据前述保护膜的结构，与利用金属制的密封容器的现有结构相比时，能够显著降低面板整体的厚度。更进一步说，在前述基板上利用例如有机薄膜作为覆盖EL元件的各保护膜的材料，在利用这种富于柔软性的材料的情况下，能够得到有防范湿度措施的易弯曲的发光显示面板。
另外，在前述图2～图4所示保护膜的成膜工序中，以具备作为蒸发源的坩埚15的物理气相成膜法为例，也可利用在成膜室内气体流动的化学气相成膜法。在该情况下，通过掩膜11的开口部11a，在基板1侧发生所谓气体的绕入，特别在成膜状态下也发生称为“污点”或“模糊”的现象。可是，由此得到的保护膜在实际应用中有充分的耐湿特性。
下一步，图6～图8说明该发明的成膜方法中的第2实施方式。另外，在图6～图8中，相当于已经说明各部的部分用相同符号表示，所以，省略其详细说明。在该图6～图8所示的保护膜的形成装置中，具备个别地收容成膜材料的多个坩埚15a～15c，它们配置在同一成膜室内。在各坩埚15a～15c上，分别附带有如图6～图8所示的挡板S1～S3。
在图6～图8中，进行与图2～图4所示工序相同的已经说明的同一成膜动作。这种情况下，在图6所示的第1层保护膜21的成膜工序中，在分别附带在各坩埚15a～15c上的挡板S1～S3中，进行控制使第1坩埚15a附带的挡板S1被打开。即，在图6中，挡板S1在图中未示出，表示来自于第1坩埚15a的成膜材料能够向基板1的配置方向蒸发的状态。
这时，附带于第2和第3坩埚15b，15c的各挡板S2，S3使前述各坩埚15b，15c处于闭塞状态。由此，仅有来自于第1坩埚15a的成膜材料通过形成在掩膜11的开口部11a，在前述基板1和EL元件2上，作为第1层保护膜21而被堆积。
接下来，在使第2层保护膜22成膜的情况下，如图7所示，进行控制使第2坩埚15b附带的挡板S2被打开。即，在图7中，挡板S2在图中未示出，表示来自于第2坩埚15b的成膜材料能够向基板1的配置方向蒸发的状态。这时，附带于第1和第3坩埚15a，15c的各挡板S1，S3使前述各坩埚15a，15c处于闭塞状态。由此，仅有来自于第2坩埚15b蒸发的成膜材料通过形成在掩膜11的开口部11a，在前述基板1和EL元件2上，作为第2层保护膜22而被堆积。
另外，在使第3层保护膜23成膜的情况下，如图8所示，进行控制使第3坩埚15c附带的挡板S3被打开。即，在图8中，挡板S3在图中未示出，表示来自于第3坩埚15c的成膜材料能够向基板1的配置方向蒸发的状态。这时，附带于第1和第2坩埚15a，15b的各挡板S1，S2使前述各坩埚15a，15b处于闭塞状态。由此，仅有来自于第3坩埚15c的成膜材料通过形成在掩膜11的开口部11a，在前述基板1和EL元件2上，作为第3层保护膜23而被堆积。
如上所述，采用图6～图8所示成膜工序的情况下，能够得到与已经说明的图2～图4所示的成膜工序同样的作用效果。由此得到的保护膜的各结构与图5所示结构也相同。此外，在图6～图8所示成膜工序中，通过具备个别地收容生成薄膜材料的材料的带有挡板的各坩埚，利用同一掩膜的同时，能够在同一成膜室内进行一连串的成膜工序，有助于大幅提高效率。
下一步，图9～图11说明该发明的保护膜的形成方法中的第3实施方式。另外，在图9～图11中，相当于已经说明各部的部分用相同符号表示，所以，省略其详细说明。在该图9～图11所示的保护膜的形成装置中，也准备具有与装载于基板1的一面上的EL元件2对应的开口部的掩膜11。将个别地收容生成成膜材料的材料的多个坩埚15a～15c配置在同一成膜室内。在各坩埚15a～15c上，分别附带有如图9～图11所示的挡板S1～S3。
在图9～图11所示的实施方式中，一面保持基板与掩膜间的一定距离，一面以作为蒸发源的坩埚逐渐接近相对于基板的位置的方式成膜。即，如图9所示，相对装载EL元件2的基板1间隔规定的距离Lb2配置掩膜11。另一方面，相对基板1，作为蒸发源的坩埚15a～15c间隔规定的第1距离La1配置。
这种情况下，在图9所示的第1层保护膜21的成膜工序中，在分别附带在各坩埚15a～15c上的挡板S1～S3中，进行控制使第1坩埚15a附带的挡板S1被打开。即，在图9中，挡板S1在图中未示出，表示来自于第1坩埚15a的成膜材料能够向基板1的配置方向蒸发的状态。这时，附带于第2和第3坩埚15b，15c的挡板S2，S3使前述各坩埚15b，15c处于闭塞状态。由此，仅有来自于第1坩埚15a蒸发的成膜材料通过形成在掩膜11的开口部11a，在前述基板1和EL元件2上，作为第1层保护膜21被堆积。
这种情况下，以形成于基板1的EL元件2的大致中央部位为旋转中心，基板1如图中“R”所示向基板面的方向旋转。由此，从坩埚15a蒸发的成膜材料通过前述掩膜11的开口部11a，在前述EL元件2和其周缘部的基板1上，作为第1层保护膜21而被堆积。这时，第1层保护膜21对应形成在掩膜11上的开口部11a从旋转中心开始在W1的范围内堆积。
接下来，不改变如图10所示掩膜11相对基板1的位置(距离Lb2)，相对基板1，作为蒸发源的坩埚15a～15c间隔第2距离La2配置。即，坩埚15a～15c接近基板1侧。在该状态下，在分别附带在各坩埚15a～15c上的挡板S1～S3中，进行控制使第2坩埚15b附带的挡板S2被打开。
即，在图10中，挡板S2在图中未示出，表示来自于第2坩埚15b的成膜材料能够向基板1的配置方向蒸发的状态。这时，附带于第1和第3坩埚15a，15c的挡板S1，S3使前述各坩埚15a，15c处于闭塞状态。由此，仅有来自于第2坩埚15b蒸发的成膜材料通过形成在掩膜11的开口部11a，在前述基板1和EL元件2上，作为第2层保护膜22被堆积。
这种情况下，以形成于基板1的EL元件2的大致中央部位为旋转中心，基板1如图中“R”所示向基板面的方向旋转。由此，从坩埚15b蒸发的成膜材料通过前述掩膜11的开口部11a，在前述EL元件2和其周缘部的基板1上，作为第2层保护膜22而被堆积。这时，第2层保护膜22对应形成在掩膜11上的开口部11a从旋转中心开始在W2的范围内堆积。
接下来，不改变如图11所示掩膜11相对基板1的位置(距离Lb2)，相对基板1，作为蒸发源的坩埚15a～15c间隔第3距离La3配置。即，坩埚15a～15c接近基板1侧。在该状态下，在分别附带在各坩埚15a～15c上的挡板S1～S3中，进行控制使第3坩埚15c附带的挡板S3被打开。
即，在图11中，挡板S3在图中未示出，表示来自于第3坩埚15c的成膜材料能够向基板1的配置方向蒸发的状态。这时，附带于第1和第2坩埚15a，15b的挡板S1，S2使前述各坩埚15a，15b处于闭塞状态。由此，仅有来自于第3坩埚15c蒸发的成膜材料通过形成在掩膜11的开口部11a，在前述基板1和EL元件2上，作为第3层保护膜23被堆积。
这种情况下，以形成于基板1的EL元件2的大致中央部位为旋转中心，基板1如图中“R”所示向基板面的方向旋转。由此，从坩埚15c蒸发的成膜材料通过前述掩膜11的开口部11a，在前述EL元件2和其周缘部的基板1上，作为第3层保护膜23而被堆积。这时，第3层的保护膜23对应形成在掩膜11上的开口部11a从旋转中心开始在W3的范围内堆积。
根据图9～图11所示的成膜方法，掩膜11相对于基板1的距离相同，以存在按照成膜顺序坩埚15a～15c相对于基板1的距离逐渐减小(La1＞La2＞La3)的关系的方式进行控制。所以，各工序中的从旋转中心开始的成膜范围存在W1＜W2＜W3的关系，能够在保护膜上依次形成更宽地覆盖该保护膜的上层保护膜。
另外，以上的说明对直至形成第3层的保护膜的工序进行了阐述，必要时也可与之对应同样形成第4层以上的保护膜，在图9～图11所示成膜方法中，能够得到与已经说明的图6～图8所示的成膜方法同样的作用效果。由此得到的保护膜的结构与图5所示的也相同。
图12～图15表示在前述成膜方法中利用物理气相成膜法得到的例子。图12表示阻力加热真空蒸镀法的例子，该例子以将加热器18配置在收容成膜材料的坩埚15的周围，通过该加热器18，以加热蒸发成膜材料而相对于基板1成膜的方式构成。此外，图13表示高频感应加热真空蒸镀法的例子，该例子同样以将感应加热部件18b配置在收容成膜材料的坩埚15的周围，通过该感应加热部件18b供给的高频电流，加热蒸发成膜材料而相对于基板1成膜的方式构成。
图14表示电子束加热真空蒸镀法的例子，该例子以投射来自于电子束发生部件18c的电子束而对收容在坩埚15的成膜材料加热，使材料蒸发而相对于基板1成膜的方式构成。图15表示磁控管溅射法的例子，该例子是通过外加磁控管装置18d生成的与电场交叉的磁场，将作为目标的材料16a对基板1溅射而得的装置。
另外，在该发明的保护膜的形成方法中，作为物理气相成膜法，还能够利用其它的蒸镀聚合法，等离子蒸镀法，分子外延法，调速离子束法，离子电镀法，等离子聚合法等方法。此外，在该发明的保护膜的形成方法中，作为图中未示出的化学气相成膜法，可利用等离子CVD(化学气相沉积)法，激光CVD法，热CVD法，气体来源CVD法等方法。可考虑叠层膜的材质等，适当选择这些方法。
此外，图16对在该发明的形成方法中，收容利用该方法所得的成膜材料的坩埚的结构和相互配置关系进行说明。即，图16(A)表示第1～第3的圆筒型坩埚15a～15c在俯视状态下集合成三角状配置。图16(B)表示第1～第3的圆筒型坩埚15a～15c在俯视状态下以大致直线状配置。
此外，图16(C)表示第1～第4的以长方体状形成的坩埚15a～15d在俯视状态下集合成“田”字状配置。图16(D)表示第1～第3的以蜂窝状形成的坩埚15a～15c在俯视状态下集合成三角状配置。在该发明的成膜方法中，能够适当采用图16所示坩埚以外的各坩埚的结构和排列形式。
在该发明的成膜方法中，作为可使用的成膜材料，无机物有机物都可使用。虽然不限于下面所示的材料，作为无机物的成膜材料，可以举出SiN，AlN，GaN等氮化物，SiO，Al2O3，Ta2O5，ZnO，GeO等氧化物、SiON等的氧化氮化物，SiCN等的碳化氮化物，金属氟化合物，金属膜等。
虽然不限于下面所示的材料，作为有机物的成膜材料，可以举出环氧树脂，丙烯树脂，聚对二甲苯，高分子氟系列(全氟烯烃，全氟乙醚，四氟乙烯，氯三氟乙烯，二氟(代)乙烯等)，烃氧基金属(CH3OM，C2H5OM等)，聚酰亚胺前驱体，二萘嵌苯化合物等。
权利要求
1.一种覆盖电子元件的保护膜的形成方法，在以覆盖装载在基板一面上的电子元件的方式，形成至少两层以上的保护膜的保护膜形成方法中，其特征在于通过依次实行相对于前述基板，间隔规定的第1距离配置具有与装载于前述基板的一面上的电子元件对应的开口部的掩膜，经由前述掩膜的开口部将成膜材料作为第1层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序，和相对于前述基板，间隔比前述第1距离大的第2距离配置前述掩膜，经由前述掩膜的开口部将成膜材料作为第2层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序，由此，至少形成覆盖电子元件的第1层保护膜和在第1层保护膜上更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜。
2.一种覆盖电子元件的保护膜的形成方法，在以覆盖装载在基板一面上的电子元件的方式，形成至少两层以上的保护膜的保护膜形成方法中，其特征在于通过一面保持前述基板与蒸发源的一定距离，一面依次实行将具有与装载于前述基板的一面上的电子元件对应的开口部的掩膜配置在前述基板与蒸发源之间，经由相对于前述基板间隔规定的第1距离配置的状态下的掩膜的开口部，将来自于蒸发源的成膜材料作为第1层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序，和相对于前述基板，间隔比前述第1距离大的第2距离配置前述掩膜的位置，经由前述掩膜的开口部将来自于蒸发源的成膜材料作为第2层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序，由此，至少形成覆盖电子元件的第1层保护膜和在第1层保护膜上更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜。
3.如权利要求1或2所述的覆盖电子元件的保护膜的形成方法，其特征在于通过依次加大地设定前述掩膜相对于前述基板的距离，进而依次堆积保护膜，由此，在内装的保护膜上形成更宽地覆盖该保护膜的3层以上的保护膜。
4.一种覆盖电子元件的保护膜的形成方法，在以覆盖装载在基板一面上的电子元件的方式，形成至少两层以上的保护膜的保护膜形成方法中，其特征在于通过一面保持前述基板与膜片的一定距离，一面依次实行将具有与装载于前述基板的一面上的电子元件对应的开口部的掩膜配置在前述基板与蒸发源之间，经由相对于前述基板间隔规定的第1距离配置的状态下的掩膜的开口部，将来自于蒸发源的成膜材料作为第1层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序，和相对于前述基板，间隔比前述第1距离小的第2距离配置前述蒸发源的位置，经由前述掩膜的开口部将来自于蒸发源的成膜材料作为第2层保护膜堆积到前述基板和电子元件上的成膜工序，由此，至少形成覆盖电子元件的第1层保护膜和在第1层保护膜上更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜。
5.如权利要求4所述的覆盖电子元件的保护膜的形成方法，其特征在于通过依次减小地设定前述蒸发源相对于前述基板的距离，进一步依次堆积保护膜，由此，在内装的保护膜上形成更宽地覆盖该保护膜的3层以上的保护膜。
6.如权利要求2或4所述的覆盖电子元件的保护膜的形成方法，其特征在于将个别地收容成膜材料并附带有挡板的各坩埚配置在同一成膜室内，在前述保护膜依次堆积到基板和电子元件上的各成膜工序中，通过有选择地打开附带在前述各坩埚上的挡板，依次形成由不同成膜材料所得的保护膜。
7.一种具有保护膜的电子仪器，在电子元件装载在基板一面上，以覆盖该电子元件的方式，具有至少两层以上的保护膜的电子仪器中，其特征在于至少具有相对于前述基板，间隔规定的第1距离配置具有与装载于前述基板的一面上的电子元件对应的开口部的掩膜，经由前述掩膜的开口部将成膜材料堆积到前述基板和电子元件上而得到的第1层保护膜和相对于前述基板，间隔比前述第1距离大的第2距离配置前述掩膜的位置，经由前述掩膜的开口部将成膜材料堆积到前述基板和电子元件上而得到的第2层保护膜，其中在前述第1层保护膜上形成更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜。
8.一种具有保护膜的电子仪器，在电子元件装载在基板一面上，以覆盖该电子元件的方式，具有至少两层以上的保护膜的电子仪器中，其特征在于至少具有将具有与装载于前述基板的一面上的电子元件对应的开口部的掩膜配置在前述基板与蒸发源之间，经由相对于前述基板间隔规定的第1距离配置的状态下的掩膜的开口部，将来自于蒸发源的成膜材料堆积到前述基板和电子元件上而得到的第1层保护膜，和相对于前述基板，间隔比前述第1距离大的第2距离配置前述掩膜的位置，经由前述掩膜的开口部将来自于蒸发源的成膜材料堆积到前述基板和电子元件上而得到的第2层保护膜，其中在前述第1层保护膜上形成更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜。
9.一种具有保护膜的电子仪器，在电子元件装载在基板一面上，以覆盖该电子元件的方式，具有至少两层以上的保护膜的电子仪器中，其特征在于至少具有将具有与装载于前述基板的一面上的电子元件对应的开口部的掩膜配置在前述基板与蒸发源之间，经由相对于前述基板间隔规定的第1距离配置的状态下的掩膜的开口部，将来自于蒸发源的成膜材料堆积到前述基板和电子元件上而得到的第1层保护膜，和相对于前述基板，间隔比前述第1距离小的第2距离配置前述蒸发源的位置，经由前述掩膜的开口部将来自于蒸发源的成膜材料堆积到前述基板和电子元件上而得到的第2层保护膜，其中在前述第1层保护膜上形成更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜。
10.如权利要求7～9的任一项所述的具有保护膜的电子仪器，其特征在于前述基板由透光性的材料形成，装载于前述基板的一面上的电子元件是相对于基板形成叠层的至少含有第1电极、有机发光材料层和第2电极的有机电致发光元件。
全文摘要
提供能够有效地密封例如装载于基板的一面上的有机EL元件的保护膜的形成方法。与装载于透明基板(1)的一面上的有机EL元件(2)对置地配置作为蒸发源的坩埚(15a)～(15c)。此外，准备具有与有机EL元件(2)对应的开口部(11a)的掩膜(11)，该掩膜(11)配置在基板(1)与坩埚(15)之间。阶段性地增大掩膜(11)相对于前述基板(1)的位置的同时，选择来自于坩埚(15a)～(15c)并被蒸发的材料。由此，形成覆盖有机EL元件(2)的第1层保护膜(21)和在该第1层保护膜上更宽地覆盖第1层保护膜的第2层保护膜(22)，进而同样形成第3层以上的保护膜。
文档编号C23C14/24GK1487777SQ03155639
公开日2004年4月7日 申请日期2003年8月29日 优先权日2002年8月30日
发明者大畑浩, 尾越国三, 木村政美, 三, 大 浩, 美 申请人:东北先锋电子股份有限公司