扁平状软磁性金属粉末以及rfid天线用磁心构件的制作方法

专利名称：扁平状软磁性金属粉末以及rfid天线用磁心构件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种天线用磁心构件，其优选在采用了RFID(射频识别Radio Frequency Identification)技术的非接触IC标签等中使用。
背景技术：
作为采用了RFID技术的非接触IC卡以及识别标签等非接触IC标签，为人所知的是将记录着信息的IC芯片以及共振用电容器与天线线圈进行电连接。该非接触IC标签从读/写收发天线向天线线圈发送预定频率的电波，由此使非接触IC标签激活，然后根据由电波的数据通信发出的读出指令，通过读取IC芯片所记录的信息、或者判别对于特定频率的电波是否发生共振来进行识别或监视。除此以外，大多数非接触IC标签可以更新所读取的信息，或写入日志信息。
例如专利文献1中已经公开作为识别标签所使用的天线组件，是在以螺旋状卷绕于平面内的天线线圈中，与该天线线圈的平面大致平行地插入磁心构件。该天线组件中的磁心构件含有非晶片材或电磁钢板这样的高导磁率材料，通过与天线线圈的平面大致平行地插入磁心构件，天线线圈的电感增大，从而可以谋求通信距离的增加。
关于该磁心构件，专利文献2以抑制涡流的产生、降低因涡流的产生所引起的损耗为课题，提出了如下的方案，即在RFID天线用磁心构件所含有的铁基合金粒状粉末中，该粉末的90wt％以上由具有30μm以下粒径的粉末粒子构成，而且该粉末具有80×18-8Ωm以上的电阻率。作为该铁基合金，含有6～15wt％的Si，且容许含有1wt％以下的铝、3wt％以下的铜、3wt％以下的镍、5wt％以下的铬、以及10wt％以下的钴之中的至少一种。通过使用该铁基合金粒状粉末，显示出可以获得30以上的Q值。
据专利文献3报道其以提供一种不增大组件厚度、可以谋求提高通信距离的天线组件用磁心构件为课题而进行了潜心的研究，结果发现着眼于磁心构件在使用频率(例如13.56MHz)下的损耗系数而构成磁心构件，使得该损耗系数的倒数与复数导磁率的实部之积为预定值以上，由此不增加组件的厚度便可以谋求通信距离的提高。而且当设可以用磁心构件在使用频率下的复数导磁率的实部μ’以及虚部μ”表示的损耗系数(tanδ＝μ”/μ’)的倒数为Q时，将用μ’×Q表示的性能指数设定为300以上，藉此可以降低起因于涡流损耗的天线组件的功率损耗，显示出不增加磁心组件的厚度便可以谋求通信距离的提高。
专利文献3公开了使用Fe-Si系合金的磁心构件。其中公开了磁心构件使用Fe-10wt％-Si-Cr合金，其性能指数μ’×Q约为2000左右。
专利文献1特开2000-48152号公报专利文献2特开2004-52095号公报专利文献3特开2005-340759号公报发明内容本发明的目的在于进一步提高使用该Fe-Si-Cr系合金的磁心构件的性能指数μ’×Q。
本发明人发现本发明以上的目的可以通过特定天线用磁心构件所使用的扁平状软磁性金属粉末的Ms(饱和磁化)/Hc(顽磁力)来实现。也就是说，本发明涉及一种由扁平状软磁性金属粉末与粘结材料构成的RFID天线用磁心构件所使用的扁平状软磁性金属粉末，其特征在于由Fe-Si-Cr合金构成，在398kA/m的外加磁场下的Ms(饱和磁化)/Hc(顽磁力)为0.8～1.5(mT/Am-1)。
本发明在扁平状软磁性金属粉末所具有的组成是Si7～23at％、Cr15at％以下(但不包含0)、余量由Fe以及不可避免的杂质构成、且重量平均粒径D50为5～30μm、平均厚度为0.1～1μm的情况下，则能够将398kA/m的外加磁场下的Ms/Hc设定为0.8～1.5(mT/Am-1)。
另外，本发明提供一种由扁平状软磁性金属粉末与粘结材料构成的RFID天线用磁心构件，其特征在于扁平状软磁性金属粉末由Fe-Si-Cr合金构成，在398kA/m的外加磁场下的Ms(饱和磁化)/Hc(顽磁力)为0.8～1.5(mT/Am-1)。而且如上所述，优选扁平状软磁性金属粉末所具有的组成是Si7～23at％、Cr15at％以下(但不包含0)、余量由Fe以及不可避免的杂质构成，且重量平均粒径D50为5～30μm，平均厚度为0.1～1μm。
正如以上所说明的那样，根据本发明，通过将由Fe-Si-Cr合金构成的扁平状软磁性金属粉末的Ms/Hc设定为0.8～1.5(mT/Am-1)，可能得到2500以上的性能指数μ’×Q。


图1是表示使用本发明的磁心构件的非接触数据通信用天线组件之构成的分解立体图。
图2是表示复数导磁率的实部μ’以及复数导磁率的虚部μ”与Si量的关系曲线。
图3是表示Si量与磁心片材的性能指数(μ’×Q)的关系曲线。
图4是表示不同Si量的磁心片材的导磁率μ的频率特性的曲线。
图5是表示磁心片材的临界频率fr与损耗系数tanδ的关系曲线。
图6是表示扁平状Fe-Si-Cr合金粉末的(Ms·Hc)1/2的值与临界频率fr的关系曲线。
图7是表示扁平状Fe-Si-Cr合金粉末的Ms/Hc(饱和磁化/顽磁力)与磁心片材的性能指数(μ’×Q)的关系曲线。
图8是表示使用了扁平状Fe-Si-Cr合金粉末的磁性片材的性能指数(μ’×Q)与通信距离的关系曲线。
符号说明
1 基板 2 磁心构件3 金属屏蔽板 4 天线线圈5 信号处理电路 6 外部连接部10 天线组件具体实施方式
下面基于实施方案，就本发明进行说明。
图1是表示使用本发明的磁心构件的非接触数据通信用天线组件10的构成的分解立体图。
在图1的天线组件10中，作为支持体的基板1、磁心构件2以及金属屏蔽板3构成叠层结构。基板1和磁心构件2、磁心构件2和金属屏蔽板3例如通过双面粘贴片材进行层叠。
在基板1上，装载着以环状卷绕于平面内的天线线圈4。天线线圈4是用于发挥非接触IC标签功能的天线线圈，它与图中未示出的外部读/写天线部产生感应耦合而进行通信。该天线线圈4由在基板1上布图的铜、铝等金属图案构成。
在基板1位于磁心构件2侧的表面上，装载着与天线线圈4进行电连接的信号处理电路5。信号处理电路5由非接触数据通信所必要的信号处理电路和存储信息的IC基片5a、以及调谐用电容等电气-电子部件构成。信号处理电路5通过安装于基板1上的外部连接部6，与图中未示出的便携信息终端的印刷电路板进行连接。
其次，磁心构件2例如在合成树脂材料或橡胶等绝缘性粘结材料中混入软磁性金属粉末而构成片材状。本发明的该软磁性合金粉末有其特点，关于这一点容后叙述。磁心构件2作为天线线圈4的磁心(core)发挥作用，同时通过夹设于基板1与下层的金属屏蔽板3之间，以避免天线线圈4与金属屏蔽板3之间的电磁干扰。在该磁心构件2的中心部，形成有开口2a，借以收纳安装于基板1上的信号处理电路5。另外，在磁心构件2的一侧面形成有凹部2b，以便在与基板1层叠时配设外部连接部6。
金属屏蔽板3可以由不锈钢板、铜板以及铝板等构成。天线组件10收纳于便携信息终端内的预定位置，因此设置金属屏蔽板3，借以保护天线线圈4免受终端主体内部的印刷电路板上的金属部分(部件、配线)的电磁干扰。
其次，就磁心构件2进行详细的说明。
磁心构件2为片材状构件，由合成树脂等绝缘性粘结材料与后述的Fe-Si-Cr合金粉末构成。本发明当设可以用磁心构件2在使用频率(本发明为13.56MHz)下的复数导磁率(μ＝μ’-i·μ”，i为虚数单位)的实部μ’以及虚部μ”表示的损耗系数(tanδ＝μ”/μ’)的倒数为Q时，能够将用μ’×Q定义的性能指数设定为2500以上。这样的磁心构件2通过使用如下的Fe-Si-Cr合金粉末便能够实现该合金粉末所具有的特性是在398kA/m的外加磁场下的Ms(饱和磁化)/Hc(顽磁力)为0.8～1.5(mT/Am-1)。在398kA/m的外加磁场下的Ms/Hc优选为0.9～1.45mT/Am-1，更优选为1.0～1.4mT/Am-1。通过设定为优选的范围，则能够将性能指数μ’×Q设定为3000以上，进而设定为4000以上。
据专利文献3记载，通过使用涡流损耗较小的磁性粉末，导致磁心构件2的复数导磁率的虚部(损耗项)μ”分量减小，这有助于损耗系数的降低，但根据本发明人的研究，磁心构件2产生损耗的主要原因可以理解为是由于磁踌壁共振引起的。于是，本发明着眼于通过将Ms/Hc设定为上述范围，可以得到高性能指数μ’×Q。
为了将Fe-Si-Cr合金粉末的Ms/Hc设定在0.8～1.5mT/Am-1的范围，其合金组成可以设定为Si7～23at％、Cr15at％以下(但不包含0)、余量Fe以及不可避免的杂质。当Fe-Si-Cr合金的Si量不足7at％时，则Ms/Hc不足0.8～1.5mT/Am-1，同时性能指数μ’×Q只有2000左右。另一方面，当Fe-Si-Cr合金的Si量超过23at％时，则Ms/Hc超过1.5mT/Am-1，同时性能指数μ’×Q仍然只有2000左右。优选的Si量为10～20at％，更优选的Si量为12～17at％。
在本发明的Fe-Si-Cr合金中，Cr能够赋予其以耐蚀性。但是，当其含量增加时，则饱和磁化降低。但是，当为15at％以下(不含0)时，则能够充分获得本发明的效果。优选的Cr量为0.5～5at％，更优选的Cr量为0.5～3at％。
本发明的Fe-Si-Cr合金粉末将其重量平均粒径D50(以下简称为D50)设定为5～30μm。当D50大于30μm时，则Ms/Hc很有可能超过1.5mT/Am-1。于是，本发明将Fe-Si-Cr合金粉末的D50的上限设定为30μm。另外，当Fe-Si-Cr合金粉末过分细小时，则Hc增大，Ms/Hc很有可能不足0.8mT/Am-1，因此，Fe-Si-Cr合金粉末的D50优选设定为5μm以上。Fe-Si-Cr合金粉末更优选的D50为10～25μm，进一步优选的D50为15～25μm。此外，D50是将构成Fe-Si-Cr合金粉末的粒子的重量从小粒径一侧开始进行累积，当该值达到Fe-Si-Cr合金粉末总重量的50％时的Fe-Si-Cr合金粉末粒子的粒径(长轴的长度)。另外，此时的粒径可以采用光散射法进行测定，将测定对象例如一边循环、一边以激光和卤素灯等为光源，测定Fraunhofer衍射或Mie散射的散射角，从而测定其粒度分布。
本发明的Fe-Si-Cr合金粉末将其厚度设定为0.1～1μm，将更优选的范围设定为0.3～0.7μm。当Fe-Si-Cr合金粉末的厚度设定为不足0.1μm时，则不容易制造，而且也难以操作。另外，当其厚度超过1μm时，则退磁增大，表观的μ’降低，因而是不优选的。
另外，本发明的Fe-Si-Cr合金粉末将纵横尺寸比(＝平均粒径D50/平均厚度)优选的范围设定为10～200，更优选的范围设定为20～100。当纵横尺寸比不足10时，则退磁增大，将其作为Fe-Si-Cr合金粉末时的表观导磁率降低；当超过200时，则充填率(＝Fe-Si-Cr合金粉末的体积/磁心构件2的体积)下降，从而导磁率降低。
本发明的Fe-Si-Cr合金粉末可以通过制作具有上述组成的原料合金粉末、并对其进行扁平化处理而得到。原料合金粉末可以通过粉碎铸块而得到，也可以采用水雾化法、气雾化法、辊急冷法等熔体急冷法而获得。原料粉末的D50优选设定为15μm以下。当原料粉末的D50超过15μm时，通过扁平化处理将D50设定为30μm以下是不大容易的。
对原料合金粉末进行扁平化处理的手段并没有特别的限制，只要能够实现所期望的扁平化，则无论采用何种手段都可以。例如，可以使用介质搅拌磨机、滚动球磨机等进行扁平化处理，其中特别优先使用介质搅拌磨机。介质搅拌磨机是也可以称之为销孔型磨机、玻璃珠磨机或搅拌球磨机的搅拌机。扁平化处理优选使用甲苯等有机溶剂，且以湿式的方式来进行。此时的Fe-Si-Cr合金粉末的粒度分布未必是尖锐的，也可以是2个峰的分布。
<热处理>
扁平化处理后进行热处理。通过热处理，将扁平状Fe-Si-Cr合金粉末进行干燥，并且消除伴随扁平化带来的应变。该热处理可以在大气中进行，也可以在含有一定量氧(例如氧分压为1％以下)的不活泼气体(例如氮气)中进行。
热处理温度将稳定温度设定为275～450℃，优选设定为300～400℃。另外，该稳定时间优选设定为30～180分钟。这是因为Fe-Si-Cr合金的热处理在偏离上述温度范围时，热处理后得到的顽磁力Hc升高。优选在上述温度范围进行热处理，其中上述温度范围包括使顽磁力Hc成为极小值的温度。
上述的稳定温度可以根据Fe-Si-Cr合金粉末组成的不同而适当地有所不同，但优选设定为最佳条件。例如对于Fe98.5-xSixCr1.5合金(at％)，当x＝15时，稳定温度优选设定为325～450℃，更优选设定为350～400℃。另外，当x＝21时，稳定温度优选设定为275～375℃，更优选设定为300～350℃。
如以上那样得到的Fe-Si-Cr合金粉末所具有的组成是Si7～23at％、Cr15at％以下(但不包含0)、余量Fe以及不可避免的杂质，D50为5～30μm、平均厚度为0.1～1μm。使用该Fe-Si-Cr合金粉末可以如以下那样制作磁心构件2。
将Fe-Si-Cr合金粉末与粘结材料进行混炼之后，采用压力成形、挤压成形将其制成片材状；或者使Fe-Si-Cr合金粉末与粘结材料分散在有机溶剂中，用刮刀法将其制成预定厚度的膜后进行干燥，然后采用压延机进行压延，将其制成片材状。这样，可以得到厚度为0.05～2mm的磁心构件2。
将磁心构件2的厚度设定为0.05～2mm是基于以下的理由。也就是说，是基于以下的制约条件当磁心构件2薄于0.05mm时，不能得到充分的通信距离；另一方面，当磁心构件2的厚度超过2mm时，难以收纳在电气设备的框体内部的狭窄空间内。
磁心构件2中的Fe-Si-Cr合金粉末的充填率优选为60～95wt％。当充填率不足60wt％时，μ’减小；当超过95wt％时，由于Fe-Si-Cr合金粉末彼此之间不能通过粘结材料而牢固地粘结在一起，导致磁心构件2的强度下降。充填率更优选为70～90wt％。
作为粘结材料，可以使用公知的热塑性树脂、热固性树脂、紫外线固化树脂、放射线固化树脂、以及橡胶类材料等。具体地为聚酯类树脂、聚乙烯树脂、聚氯乙烯类树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚氨酯树脂、纤维素类树脂、ABS树脂、丁腈类橡胶、丁苯类橡胶、环氧树脂、酚醛树脂、酰胺类树脂等。
此外，磁心构件2除了Fe-Si-Cr合金粉末以及粘结材料以外，也可以含有固化剂、分散剂、稳定剂、偶联剂等。另外，本发明的磁心构件2在成形为所期望的形状或在涂布磁心构件2时，通过外加取向磁场或进行机械的取向，便能够设定为高取向性的磁心构件2。
实施例采用水雾化法制作表1所示组成(Si＝4～28at％、Cr＝1～15at％)的Fe-Si-Cr原料合金粉末。于甲苯溶剂中将原料合金粉末运用介质搅拌磨机进行扁平化处理，得到平均厚度为0.1～1.0μm的扁平状Fe-Si-Cr合金粉末。将其进行热处理后，用振动试料型磁力计(VSM、施加磁场398kA/m)进行磁特性(Ms饱和磁化、Hc顽磁力)的测定。热处理在使Hc(顽磁力)成为极小的温度(300～400℃)下进行。另外，测定了扁平状Fe-Si-Cr合金粉末的粒径D50。此外，D50是采用光散射法并通过HELOS SYSTEM(日本电子公司生产，干式法)得到的50％粒子的粒径。其结果一并示于表1中。
其次，使用以上的扁平状Fe-Si-Cr合金粉末，按照以下的步骤制作磁心构件。
使用稀释剂将扁平状Fe-Si-Cr合金粉末与15wt％粘结剂进行混合，并将得到的料浆涂布于PET(聚对苯二甲酸乙二酯)薄膜上，然后进行磁场取向。扁平状Fe-Si-Cr合金粉末以使D50成为最大的处理时间进行扁平化，磁场取向是使其通过同极对置的磁体之间而进行的。进而使其多层化，然后进行辊压或热压，便得到厚度为0.5mm、密度3.5Mg/m3的片材状磁心构件。由该片材制作外径为18mm、内径为10mm的螺旋管形的试料，运用阻抗分析仪(ヒユ一レツトパツカ一ド公司生产，HP4281)测定复数导磁率的实部μ’以及复数导磁率的虚部μ”。另外，根据测定的复数导磁率的实部μ’以及复数导磁率的虚部μ”，求出损耗系数tanδ、以及性能指数μ’×Q。然后，评价片材在装入便携信息终端的状态下的通信距离。以上的结果如表1所示。此外，表1的fr是复数导磁率的虚部μ”表现为峰值时的频率(临界频率)。
图2是表示比较例1(Si＝28.0at％)、比较例2(Si＝25.9at％)、比较例3(Si＝23.8at％)、实施例2(Si＝21.4at％)、实施例6(Si＝15.3at％)、实施例8(Si＝13.5at％)、实施例10(Si＝8.0at％)、以及比较例9(Si＝4.0at％)的复数导磁率的实部μ’以及复数导磁率的虚部μ”与Si量的关系曲线。由图2可知，Si量减少时，损耗系数tanδ(＝μ”/μ’)减小，而以Si＝13.5at％为分界，损耗系数tanδ(＝μ”/μ’)转为增加。
此外，比较例1、比较例2、比较例3、实施例2、实施例6、实施例8、实施例10、以及比较例9的共同点是Cr量为1.5at％左右，D50为20μm左右。
图3是表示比较例1(Si＝28.0at％)、比较例2(Si＝25.9at％)、比较例3(Si＝23.8at％)、实施例2(Si＝21.4at％)、实施例6(Si＝15.3at％)、实施例8(Si＝13.5at％)、实施例10(Si＝8.0at％)、以及比较例9(Si＝4.0at％)的Si量与磁心片材的性能指数(μ’×Q)的关系曲线。由该曲线可知通过将Si量控制在预定的范围，可以得到高的性能指数μ’×Q。
如上所述，如果将Fe-Si-Cr合金的Si量设定为预定的范围，则能够得到高的性能指数μ’×Q，但也有例外，它们是表1的比较例5、比较例6以及比较例7。这些磁心构件尽管是Si量为18.5at％、21.4at％和图3中可以得到高性能指数μ’×Q的组成，但性能指数μ’×Q却停留在2000～2300。也就是说，只是特定Si量，不能够得到高的性能指数μ’×Q。于是，就其进行了进一步的研究。
图4是表示比较例1(Si＝28.0at％)、实施例2(Si＝21.4at％)、实施例8(Si＝13.5at％)、以及比较例9(Si＝4.0at％)的导磁率μ的频率特性的曲线。由图4可知，Fe-Si-Cr合金的Si量越少，临界频率fr(复数导磁率的虚部μ”的峰位置)越向高频侧移动。
图5是表示表1所示的全部实施例、比较例的临界频率fr与损耗系数tanδ的关系曲线。由此可知临界频率fr越大，则损耗系数tanδ越具有减小的倾向，但以150MHz附近为分界，损耗系数tanδ转为上升。
图6是表示扁平状Fe-Si-Cr合金粉末的(Ms·Hc)1/2的值(Ms饱和磁化、Hc顽磁力)与临界频率fr的关系曲线。在此，作为残余损耗之一的磁畴壁共振频率被认为是与Ms/μ1/2成正比(例如，磁気工学の基礎II，P313～317共立全書)，如果将Ms/Hc作为该材料的导磁率μ的代用特性，则Ms/μ1/2与(Ms·Hc)1/2成正比。根据图6，由于扁平状Fe-Si-Cr合金粉末的(Ms·Hc)1/2与临界频率fr成正比关系，因而临界频率fr可以理解为磁畴壁共振频率。
一般地说，损耗系数tanδ可以用磁滞损耗(tanδh)、涡流损耗(tanδe)、残余损耗(tanδr)之和来表示，残余损耗被认为是从全部损耗中减去磁滞损耗(tanδh)与涡流损耗(tanδe)而得到的。残余损耗包括磁畴壁共振以及自然共振，但考虑到自然共振还出现在高频侧，则从该频率开始极限频率fr应理解为取决于磁畴壁共振。
于是，图7表示了扁平状Fe-Si-Cr合金粉末的Ms/Hc(饱和磁化/顽磁力)与磁心片材的性能指数μ’×Q的关系曲线。RFID天线用磁心构件被认为是其性能指数μ’×Q越大，通信距离就越远，通过将扁平状Fe-Si-Cr合金粉末的Ms/Hc设定为0.8～1.5的范围，便能够得到2500以上的性能指数μ’×Q。
Si量为18.5at％和21.4T％的比较例5、比较例6以及比较例7，其扁平状Fe-Si-Cr合金粉末的Ms/Hc超过1.5。另外，比较例5、比较例6以及比较例7的扁平状Fe-Si-Cr合金粉末的D50超过30μm，并且比较例8的扁平状Fe-Si-Cr合金粉末的平均厚度超过1μm，因此已经判明为了将Ms/Hc设定为0.8～1.5的范围，扁平状Fe-Si-Cr合金粉末的粒径也是重要的。
图8是表示使用了扁平状Fe-Si-Cr合金粉末的磁性片材的性能指数μ’×Q与通信距离的关系曲线。通过将性能指数μ’×Q设定为2500以上，便能够得到110mm以上的通信距离。
如上所述，本发明新近发现作为控制性能指数μ’×Q的指针，将使用的扁平状Fe-Si-Cr合金粉末的Ms/Hc特定在0.8～1.5的范围。另外，为了将Ms/Hc特定在0.8～1.5的范围，重要的是将Fe-Si-Cr合金的Si量、软磁性金属粉末的粒径以及厚度控制在预定的范围。
表1

权利要求
1.一种扁平状软磁性金属粉末，其用于由所述扁平状软磁性金属粉末与粘结材料构成的RFID天线用磁心构件，所述扁平状软磁性金属粉末的特征在于由Fe-Si-Cr合金构成，在398kA/m的外加磁场下的饱和磁化Ms与顽磁力Hc之比为0.8～1.5mT/Am-1。
2.根据权利要求1所述的扁平状软磁性金属粉末，其特征在于所述扁平状软磁性金属粉末所具有的组成是Si7～23at％、Cr大于0at％但不超过15at％、余量由Fe以及不可避免的杂质构成，且重量平均粒径D50为5～30μm，平均厚度为0.1～1μm。
3.根据权利要求2所述的扁平状软磁性金属粉末，其特征在于Si为10～20at％。
4.根据权利要求2所述的扁平状软磁性金属粉末，其特征在于Si为12～17at％。
5.根据权利要求2所述的扁平状软磁性金属粉末，其特征在于Cr为0.5～5at％。
6.根据权利要求2所述的扁平状软磁性金属粉末，其特征在于Cr为0.5～3at％。
7.根据权利要求2所述的扁平状软磁性金属粉末，其特征在于所述重量平均粒径D50为10～25μm。
8.根据权利要求2所述的扁平状软磁性金属粉末，其特征在于所述重量平均粒径D50为15～25μm。
9.根据权利要求2所述的扁平状软磁性金属粉末，其特征在于所述平均厚度为0.3～0.7μm。
10.根据权利要求2所述的扁平状软磁性金属粉末，其特征在于饱和磁化Ms与顽磁力Hc之比为0.9～1.45mT/Am-1。
11.一种天线用磁心构件，其是由扁平状软磁性金属粉末与粘结材料构成的RFID天线用磁心构件，所述扁平状软磁性金属粉末的特征在于由Fe-Si-Cr合金构成，在398kA/m的外加磁场下的饱和磁化Ms与顽磁力Hc之比为0.8～1.5mT/Am-1。
12.根据权利要求11所述的天线用磁心构件，其特征在于所述扁平状软磁性金属粉末所具有的组成是Si7～23at％、Cr大于0at％但不超过15at％、余量由Fe以及不可避免的杂质构成，且重量平均粒径D50为5～30μm，平均厚度为0.1～1μm。
13.根据权利要求12所述的天线用磁心构件，其特征在于Ms饱和磁化Ms与顽磁力Hc之比为0.9～1.45mT/Am-1。
14.根据权利要求11所述的天线用磁心构件，其特征在于所述天线用磁心构件是厚度为0.05～2mm的片材状。
15.根据权利要求11所述的天线用磁心构件，其特征在于所述天线用磁心构件中的所述金属粉末的粉末充填率为60～95wt％。
16.根据权利要求11所述的天线用磁心构件，其特征在于所述天线用磁心构件中的所述金属粉末的粉末充填率为70～90wt％。
全文摘要
本发明使采用Fe－Si－Cr系合金的磁心构件的性能指数μ’×Q得以更加提高。本发明提供一种扁平状软磁性金属粉末，其用于由扁平状软磁性金属粉末与粘结材料构成的RFID天线用磁心构件，所述扁平状软磁性金属粉末的特征在于由Fe－Si－Cr合金构成，在398kA/m的外加磁场下的Ms(饱和磁化)/Hc(顽磁力)为0.8～1.5(mT/Am
文档编号B22F1/00GK101064207SQ200710088729
公开日2007年10月31日 申请日期2007年3月20日 优先权日2006年3月27日
发明者松川笃人, 若山胜彦, 平井义人 申请人:Tdk株式会社