专利名称：：处理气体供给机构、供给方法及气体处理装置的制作方法
技术领域：
：本发明涉及处理气体供给机构及处理气体供给方法、以及具备这种处理气体供给机构的气体处理装置，其按照对收容在处理容器内的平板显示器(FPD)用的玻璃基板等被处理体实施规定的处理的方式向处理容器内供给处理气体。
背景技术：
：在FPD的制造工艺过程中，为了对作为被处理体的FPD用的玻璃基板实施蚀刻处理或成膜处理等规定的处理而使用着等离子体蚀刻装置或等离子体CVD成膜装置等的等离子体处理装置。在等离子体处理装置中，一般情况下，玻璃基板是在被载置在处理容器内的载置台上的状态下，通过在向处理容器内供给处理气体的同时产生高频电场而生成的处理气体的等离子体而进行处理的。向处理容器内供给处理气体通常是经由一端与处理气体供给源连接、另一端与处理容器连接着的配管等流路，并且在通过质量流量控制器等流量调整机构调整流量的同时所进行的(例如参照专利文献1)。但是，近来，FPD朝着大型化的方向发展，甚至也出现了一边超过2m的巨大玻璃基板，处理容器也随之变大，因此，如果使用所述现有技术的处理气体供给方式，则从开始供给处理气体至处理容器内的压力达到设定压力则需要很长的时间，于是就会出现总处理能力下降的问题。专利文献1日本特开2002-313898号公报
发明内容本发明就是鉴于上述情况而产生的，其目的在于提供能够在短时间内供给使得处理容器内变成设定压力的处理气体的处理气体供给机构以及处理气体供给方法、具备这样的处理气体供给机构的气体处理装置、以及存储着用于实施这种处理气体供给方法的控制程序的计算机可读取的存储介质。为了解决上述课题，在本发明的第一观点中提供一种处理气体供给机构，其特征在于，该处理气体供给机构按照对收容在处理容器内的被处理体实施规定处理的方式向上述处理容器内供给处理气体，并且该处理气体供给机构包括用于向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给源；用于暂时贮存来自上述处理气体供给源的处理气体的处理气体罐；和将来自上述处理气体供给源的处理气体供给上述处理气体罐，并将上述处理气体罐内的处理气体供给上述处理容器内的处理气体流通部件，并且，处理气体从上述处理气体供给源被暂Il寸贮存在上述处理气体罐中，并从上述处理气体罐向上述处现容器内供给。另外，在本发明的第二观点中提供一种气体处理装置，其特征在于，包括收容被处理体的处理容器；向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；以及对上述处理容器内进行排气的排气单元，并且，在将被处理体收容在上述处理容器内的状态下，利用上述排气单元进行排气，同时利用上述处理气体供给机构供给处理气体，对被处理体实施规定处理，上述处理气体供给机构包括用于向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给源；用于暂时j)C:存来自上述处理气体供给源的处理气体的处理气体罐；和将来自上述处理气体供给源的处理气体供给上述处理气体罐，并将上述处理气体罐内的处理气体供给上述处理容器内的处理气体流通部件，且，处理气体从上述处理气体供给源被暂时贮存在上述处理气体罐中，并从上述处理气体罐向上述处理容器内供给。在本发明的第二观点中，有一种优选实施方式，上述处理气体流通部件包括与上述处理气体供给源以及上述处理容器连接着的第一处理气体流路；以及从上述第一处理气体流路分支并与上述处理气体罐连接着的第二处理气体流路，上述处理气体供给机构也从上述处理气体供给源向上述处理容器内供给处理气体。在这种情况下，有另一种优选实施方式，设置有多个上述处理气体罐，并且，与上述处理气体罐的数量对应而设置有多个上述第二处理气体流路，上述各第二处理气体流路分别具有用于将处理气体送入上述处理气体罐的送入流路；以及用于将处理气体从上述处理气体罐送出的送出流路。在这种情况下，还优选，包括控制上述处理气体供给机构的控制部，上述控制部进行如下控制使处理气体从上述多个处理气体罐的一部分通过上述送出流路向上述处理容器内供给，同时使处理气体从上述处理气体供给源通过上述送入流路贮存在上述多个处理气体罐的剩余的一部分或全部中。或者说，在这种情况下，还有另一种优选实施方式，上述第二处理气体流路分别具有用于将处理气体送入上述处理气体罐的送入流路；以及用于将处理气体从上述处理气体罐送出的送出流路，并设置有多个上述处理气体供给源以供给不同的多种处理气体，并且，上述第一处理气体流路具有与上述处理气体供给源的数量相对应地分支成多个并与上述各处理气体供给源连接着的供给源连接流路，上述第二处理气体流路的上述送入流路是从上述第一处理气体流路的上述各供给源连接流路分支的。再者，在这种情况下，还可优选，包括控制上述处理气体供给机构的控制部，上述控制部进行如下控制在使由规定种类及比例组成的处理气体从上述处理气体罐通过上述送出流路向上述处理容器内供给之后，使由上述规定种类及比例组成的处理气体从上述多个处理气体供给源的一部分或全部通过上述第一处理气体流路向上述处理容器内供给，与此同时，使由与上述规定种类及比率不同的种类以及/或者比例组成的处理气体，从上述多个处理气体供给源的一部分或者全部通过上述送入流路贮存在上述处理气体罐中。另外，在这种情况下，有一种优选实施方式，设置有多个上述处理气体罐，并且，与上述处理气体罐的数量对应而设置有多个上述第二处理气体流路，上述各第二处理气体流路分别具有用于将处理气体送入上述处理气体罐的送入流路；以及用于将处理气体从上述处理气体罐送出的送出流路，设置有多个上述处理气体供给源以供给不同的多种处理气体，并且，上述第一处理气体流路具有与上述处理气体供给源的数量相对应地分支成多个并与上述各处理气体供给源连接着的供给源连接流路，上述各第二处理气体流路的上述送入流路是从上述第一处理气体流路的上述各供给源连接流路分支的。再者，在这种情况下，还优选，包括控制上述处理气体供给机构的控制部，上述控制部进行如下控制使由规定种类及比例组成的处理气体从上述多个处理气体罐的一部分通过上述送出流路向上述处理容器内供给，并且使由上述规定种类及比例组成的处理气体从上述多个处理气体供给源的一部分或全部通过上述第一处理气体流路向上述处理容器内供给，与此同时，使由与上述规定种类及比率不同的种类以及/或者比例组成的处理气体，从上述多个处理气体供给源的一部分或者全部通过上述送入流路贮存在上述多个处理气体罐剩余的一部分或者全部中。再者，在这些情况下，也可以是上述第一处理气体流路分别具有在使来自上述处理气体供给源的处理气体贮存在上述处理气体罐中的吋候而使其流通的贮存用流路；以及在将来自上述处理气体供给源的处理气体供给上述处理容器内的吋候而使其流通的供给用流另外，在以上本发明的第二观点中，还有一种优选实施方式，上述排气单元具有多个与上述处理容器连接着的排气流路；以及通过上述排气流路对上述处理容器内进行排气的排气装置，在这种情况下，在上述处理气体流通部件与上述多个排气流路中的一部分上连接着旁通流路，构成为上述处理气体流通部件内的处理气体通过上述旁通流路能够被上述排气单元排出，连接着上述旁通流路的上述排气流路在比其与上述旁通流路的连接部还靠上游的上游侧自如开闭。另外，在以上本发明的第二观点中，还优选，在上述处理容器内，还具备等离子体生成机构，其生成由上述处理气体供给机构所供给的处理气体的等离子体，上述规定的处理是使用着处理气体的等离子体的等离子体处理。另外，在本发明的第三观点中提供一种处理气体供给方法，其特征在于，其按照对收容在处理容器内的被处理体实施规定处理的方式向上述处理容器内供给处理气体，要准备用于向上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给源；用于暂时贮存来自上述处理气体供给源的处理气体的处理气体罐；和将来自上述处理气体供给源的处理气体供给上述处理气体罐，并将上述处理气体罐内的处理气体供给上述处理容器内的处理气体流通部件，将处理气体从上述处理气体供给源暂时贮存在上述处理气体罐中，并从上述处理气体罐向上述处理容器内供给。在本发明的第三观点中，有一种优选实施方式，预先由与上述处理气体供给源以及上述处理容器连接着的第一处理气体流路；以及从上述第一处理气体流路分支并与上述处理气体罐连接着的第二处理气体流路构成上述处理气体流通部件，也从上述处理气体供给源向_匕述处理容器内供给处理气体。在这种情况下，还有另一种优选实施方式，设置多个上述处理气体罐，并且与上述处理气体罐的数量相对应而设置多个上述第二处理气体流路，分别具有用于将处理气体送入上述处理气体罐中的送入流路；以及用于将处理气体从上述处理气体罐送出的送出流路，构成上述各个第二处理气体流路，从上述多个处理气体罐的一部分通过上述送出流路向上述处理容器内供给处理气体，同时，从上述处理气体供给源通过上述送入流路在上述多个处理气体罐的剩余的一部分或全部中贮存处理气体。或者，在这种情况下，还有另一种优选实施方式，分别具有用于将处理气体送入上述处理气体罐中的送入流路；以及用于将处理气体从上述处理气体罐送出的送出流路，构成上述第二处理气体流路，设置多个上述处理气体供给源以供给不同的多种处理气体，并且，将上述第一处理气体流路构成为具有与上述处理气体供给源的数量相对应地分支成多个并与上述各处理气体供给源连接着的供给源连接流路，将上述第二处理气体流路的上述送入流路从上述第一处理气体流路的上述各供给源连接流路分支，从上述处理气体罐通过上述送出流路向上述处理容器内供给由规定种类以及比例组成的处理气体后，从上述多个处理气体供给源的一部分或全部通过上述第一处理气伴流路向上述处理容器内供给由上述规定种类以及比例组成的处理气体，与此同时，从上述多个处理气体供给源的一部分或全部通过上述送入流路在上述处理气体罐中贮存由与上述规定种类以及比例不同的种类以及/或者比例组成的处理气体。另外，在这种情况下，还有另一种优选实施方式，设置多个上述处理气体罐，并且与上述处理气体罐的数量相对应而设置多个上述第二处理气体流路，分别具有用于将处理气体送入上述处理气体罐中的送入流路；以及用于将处理气体从上述处理气体罐送出的送出流路，构成上述各第二处理气体流路，设置多个上述处理气体供给源以供给不同的多种处理气体，并且，将上述第一处理气体流路构成为具有与上述处理气体供给源的数量相对应地分支成多个并与上述各处理气体供给源连接着的供给源连接流路，将上述第二处理气体流路的上述送入流路从上述第一处理气体流路的上述各供给源连接流路分支，从上述多个处理气体罐的一部分通过上述送出流路向—匕述处理容器内供给由规定种类以及比例组成的处理气体，并且从上述多个处理气体供给源的一部分或全部通过上述第一处理气体流路向上述处理容器内供给由上述规定种类以及比例组成的处理气体，与此同吋，从上述多个处理气体供给源的一部分或全部通过上述送入流路在上述多个处理气体罐的剩余的一部分或者全部中je存由与上述规定种类以及比例不同的种类以及/或者比例组成的处理气休。再者，在本发明的第四观点中，提供一种计算机可读取的存储介质，其特征在于，其存储着在计算机上运行的控制程序，上述控制程序在执行时按照实施上述处理气体供给方法的方式使计算机控制处理装置。根据本发明，由于使处理气体经由处理气体流通部件从处理气体供给源暂时贮存在处理气体罐中，并从处理气体罐供给处理容器内，因此能够在短时间内供给使处理容器内变成设定压力的量的处理气体。因此，能够縮短被处理体的处理时间。图1是本发明所涉及的气体处理装置的一实施方式的等离子体蚀刻装置的大致截面图。图2是测定处理气体的填充时间、以及处理气体供给时的稳定时间所使用的等离子体蚀刻装置的大致截面图。图3是表示处理气体的填充时间、以及处理气体供给时的稳定时间的测定结果的图。图4是本发明所涉及的气体处理装置的其它实施方式的等离子体蚀刻装置的大致截面图。图5是在等离子体蚀刻装置中所设置的处理气体供给机构的供给源连接流路的变形例子。符号说明i、r:等离子体蚀刻装置(气体处理装置)2:腔室(处理容器)3、3':处理气体供给机构4:排气单元5:等离子体生成机构41:排气管(排气流路)42:排气装置30:He气体供给源(处理气体供给源)31:HC1气体供给源(处理气体供给源)32:SF/气体供给源(处理气体供给源)33、34:处理气体罐(tank)35:处理气体流通部件36:第一处理气体流路36a、36b、36c:供给源连接流路36j、36k、361:贮存用流路36m、36n、36o:供给用流路37、37、、38、38、第二处理气体流路37a、37a、、38a、38a、:送入流路37b、38b:送出流路39、39':旁通流路90:工艺控制器91:用户接口92:存储部93:单元控制器(控制部)G:玻璃基板(被处理体)具体实施方式下面，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。图1是作为本发明所涉及的处理装置的一实施方式的等离子体蚀刻装置的大致截面图。该等离子体蚀刻装置1构成为对作为被处理体的FPD用的玻璃基板(以下简称"基板")G进行蚀刻处理的电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置。作为FPD可以列举出液晶显示器(LCD)、电致发光(ElectroLuminescence;EL)显示器、等离子体显示面板(PDP)等。等离子体蚀刻装置1包括作为收容基板G的处理容器的腔室2、向腔室2内供给处理气体的处理气体供给机构3、对腔室2内进行排气的排气单元4、以及生成被处理气体供给机构3供给到腔室2内的处理气体的等离子体的等离子体生成机构5。腔室2由例如表面被耐蚀铝处理(阳极氧化处理)过的铝构成，并与基板G的形状对应而形成四角筒形状。在腔室2内的底壁上设置有作为载置基板G的载置台的基座20。基座20与基板G的形状对应而形成四角板状或柱状，它具有由金属等导电性材料构成的基底20a;由覆盖基底20a的周边的绝缘材料构成的绝缘部件20b;和按照覆盖基底20a及绝缘部件20b的底部的方式而设置并且由对它们进行支承的绝缘材料构成的绝缘部件20c。在基底20a中内置有用于吸附被载置着的基板G的静电吸附机构、以及由用于对被载置着的基板G的温度进行调节的制冷剂流路等冷却单元等组成的温度调节机构(图中均未表示)。在腔室2的侧壁上形成有用于搬入搬出基板G的搬入搬出口21，并且设置有开闭该搬入搬出口21的闸阀22。当搬入搬出口21开放时，利用图中未示的搬送机构向腔室2的内外搬入搬出基板G。在腔室2的底壁以及基座20上，例如在基座20的周边部位置隔开间隔地形成有多个贯通它们的通插孔23。在各通插孔23中，按照能够相对于基座20的基板载置面突出没入的方式插入有从下方支承基板G并使其升降的升降销24。在各个升降销24的下部形成有法兰部25，在各个法兰部25上连接有按照围绕升降销24的方式而设置着的能够伸缩的波形管26的一个端部(下端部)，该波形管26的另一个端部(上端部)与腔室2的底壁连接。这样，波形管26随着升降销24的升降而仲縮，并且对通插孔23与升降销24的间隙进行密封。在腔室2的上部或者上壁，按照与基座20相向的方式设置有向腔室2内吐出被后述的处理气体供给机构3所供给的处理气体，并且具有作为上部电极的功能的喷头27。喷头27被接地，形成有使处理气体在内部扩散的气体扩散空间28，并在下表面或者与基座20的相对面上形成有用于吐出在气体扩散空间28中被扩散后的处理气体的多个吐出孔29。排气单元4包括作为与腔室2的例如底壁连接着的排气流路的排气管41;与该排气管41连接并且通过排气管41对腔室2内进行排气的排气装置42;以及被设置在排气管41的比其与排气装置42的连接部还靠向上游的上游侧，用于调整腔室2内的压力的压力调整阀43。排气装置42构成为具有涡轮分子泵等真空泵，由此，能够将腔室2内杣真空至规定的减压气氛。在腔室2的圆周方向上隔开间隔地设置有多个排气管41，与各排气管41对应地设置有多个排气装置42以及压力调整阀43。等离子体生成机构5包括与基座20的基底20a连接着的，用于供给高频电力的供电线51;以及与该供电线51连接着的匹配器52以及高频电源53。从高频电源53向基座20供给例如13.56MHz的高频电力，这样，基座20就具有作为下部电极的功能，并与喷头27共同构成一对平行平板电极。基座20以及喷头27构成等离子体生成机构5的一部分。处理气体供给机构3包括用于向腔室2内供给处理气体、例如He气体、HC1气体以及SF6气体的处理气体供给源、例如He气体供给源30、HC1气体供给源31以及SF6气体供给源32;用于暂时贮存或填充来自He气体供给源30、HC1气体供给源31以及SF6气体供给源32的处理气体的多个例如2个处理气体罐33、34;以及处理气体流通部件35，该处理气体流通部件包括将来自He气体供给源30、HC1气体供给源31以及SF6气体供给源32的处理气体向处理气体罐33、34以及腔室2内供给，并将被贮存在处理气体罐33、34中的处理气体供给腔室2内的配管等。处理气体流通部件35包括连接着He气体供给源30、HC1气体供给源31以及SF6气体供给源32和腔室2的第一处理气体流路36;和按照与2个处理气体罐33、34相对应的方式分别从第一处理气体流路36分支并与处理气体罐33、34连接着的第二处理气体流路37、38。第一处理气体流路36在一侧或者说上游侧部具有按照与3个处理气体供给源(He气体供给源30、HC1气体供给源31以及SF6气体供给源32)相对应的方式而分支成3个并与各个处理气体供给源连接着的供给源连接流路36a、36b、36c，另一端部或下游侧端部按照与气体扩散空问28连通的方式与喷头27的上面连接。在第一处理气体流路36'l'，在供给源连接流路36a、36b、36c中分别设置有用于调整处理气体的流量的质量流量控制器36d、36e、36f以及阀36g、36h、36i，在比其与第二处理气体流路37、38的分支部还靠向另一侧的例如一个端部以及另一个端部上也分别设置有阔36s、36t。第二处理气体流路37、38分别从比第一处理气体流路36的供给源连接流路36a、36b、36c还靠向下游的下游侧分支，并按照与气体扩散空间28连通的方式与喷头27的上面连接，在中间部连接着处理气体罐33、34。这样，第二处理气体流路37、38分别具有用于将处理气体送入处理气体罐33、34中的送入流路37a、38a;以及用于从处理气体罐33、34送出处理气体的送出流路37b、38b。在送入流路37a、38a以及送出流路37b、38b中分别设置有阀37c、38c以及阀37d、38d，在处理气体罐33、34上分别设置有用于测定内部压力的压力计33a、34a。在处理气体流通部件35、例如第一处理气体流路36和多个排气管41中的一部分例如1根中连接着配管等旁通流路39，处理气体流通部件35内的处理气体就能够通过旁通流路39被排气单元4排出。旁通流路39构成为，被连接在排气管41的压力调整阀43和排气装置42之间，通过关闭该压力调整阀43，则能够防止从旁通流路39被排出的处理气体通过排气管41而流入腔室2内。等离子体蚀刻装置1的各个构成部分被具有微处理器(计算机)的工艺控制器90所控制。在该工艺控制器90上，连接着用户接口91，该用户接口由工艺过程管理者为管理等离子体蚀刻装置1而进行命令输入操作等的键盘以及可视化地显示等离子体蚀刻装置1的运转情况的显示器等构成；以及存储部92，该存储部存储着对用于在工艺控制器卯的控制下而实现在等离子体蚀刻装置1中所实施的处理的控制程序和处理条件数据等进行记录的方案。根据需要，按照来自用户接口91的指示等从存储部92中调取任意的方案并使其在工艺控制器90中运行，这样，就能在工艺控制器90的控制下实施在等离子体蚀刻装置1中的处理。所述方案可以被存储在例如CD-ROM、硬盘、闪存等计算机能够读取的存储介质中，或者从其它的装置例如通过专线随时进行传送，以加以利用。更具体地来讲，处理气体供给机构3的各阀36g、36h、36i、36s、36t、37c、37d、38c、38d、39a构成为被与工艺控制器90连接着的单元控制器93(控制部)所控制。根据需要，按照来自用户接口91的指示等，工艺控制器90从存储部92中调取任意的方案并使其由单元控制器93所控制。在采用上述方式构成的等离子体蚀刻装置1中，通过排气单元4将腔室2内保持为规定的真空度，在维持着这种状态的情况下，首先，在通过闸阀22使搬入搬出口21被打开着的状态下，由图中未示的搬送机构从被打开着的搬入搬出口21搬入基板G，之后使各升降销24上升，利用各升降销24从搬送机构接收基板G并支承基板。搬送机构从搬入搬出口21退出至腔室2外之后，利用闸阀22关闭搬入搬出口21，并且使各升降销24下降并使其没入基座20的基板载置面，使基板G载置在基座20上。接着，通过处理气体供给机构3向腔室2内供给处理气体。此处的处理气体的供给是通过打开阀37d，放出从He气体供给源30、HC1气体供给源31以及SF6气体供给源32被预先填充在处理气体罐33中的He气体、HC1气体以及SF6气体而进行的。由于腔室2内被排气单元4排气，因此，如果仅供给被填充在处理气体罐33中的处理气体，则经过一段时间之后，腔室2内的压力就会降低。因此，供给被填充在处理气体罐33中的处理气体时或紧接着的供给之后，打开阀36s、36t、36g、36h、36i，通过质量流量控制器36d、36e、36f来调整来自He气体供给源30、HC1气体供给源31以及SF/气体供给源32的He气体、HC1气体以及SF6气体的流量，并供给到腔室2内，同时，利用压力控制阀43将腔室2内保持在设定压力、例如23.3Pa(0.175Toit)。这样，就能迅速地保持在腔室2内的设定压力。另外，处理气体流通部件35包括连接着He气体供给源30、HC1气体供给源31以及SF6气体供给源32和腔室2的第一处理气体流路36;以及从第一处理气体流路36分支并分别与处理气体罐33、34连接着的第二处理气体流路37、38，所以，没有使来自He气体供给源30、HC1气体供给源31以及SF6气体供给源32的氦气、氯化氢气体以及SF6气体经由第一处理气体流路36而通过作为较大空间的处理气体罐33、34，能够在短时间内供给到腔室2内，这样，就能实现腔室2内的压力保持的进一步迅速化。在此状态下，向被内置在基座20中的静电吸附机构施加直流电压从而使基板G吸附在基座20上，同时，利用被内置在基座20中的调温机构来调节基板G的温度。从高频电源53经由匹配器52向基座20施加高频电力，在作为下部电极的基座20与作为上部电极的喷头27之间生成高频电场，并使腔室2内的处理气体等离子体化。利用该处理气体的等离子体对基板G实施蚀刻处理。对基板G实施蚀刻处理之后，停止施加来自高频电源53的高频电力。接着，关闭阀36g、36h、36i并停止供给来自He气体供给源30、HC1气体供给源31以及SF6气体供给源32的氦气、氯化氢气体以及SF6气体，同吋，禾拥排气单元4排出腔室2内以及第一处理气体流路36或处理气体流通部件35内的处理气体。解除静电吸附机构对基板G的吸附，之后，在向腔室2内供给处理气体，并将腔室2内保持在设定压力、例如26.7Pa(0.2Torr)的状态下，向基座20施加高频电力并使处理气体等离子体化，对基板G实施除电处理。此处的处理气体的供给是通过以下方式进行的，打开阀38d，放出从He气体供给源30预先填充在处理气体罐34中的氦气，并且，打开阀36s、36t、36g，按照将腔室2内保持在设定压力的方式，利用质量流量控制器36d来调整来自He气体供给源30的氦气的流量并将其送出。这样，不仅能使腔室2内的压力瞬间保持在设定压力或接近设定压力，还能够迅速地进行基板G的除电处理。一旦进行过基板G的除电处理，则通过排气单元4排出腔室2内以及第一处理气体流路36或处理气体流通部件35内的处理气体。接着，使用闸阀22开放搬入搬出口21，并且使升降销24上升，使基板G从基座20向上方离开。之后，在图中未示的搬送机构从搬入搬出口21进入腔室2内之后，使升降销24下降，将基板G转移到搬送机构上。之后，基板G被搬送机构从搬入搬出口21搬出至腔室2外。向处理气体罐33、34再次填充处理气体是在基板G的搬入搬出时进行的。首先，打开阀37c，向处理气体罐33中填充处理气体。此吋，为了防止处理气体流入处理气体罐34以及腔室2内，预先关闭陶37d、38c、36s。向处理气体罐33填充处理气体完成之后，关闭阀37c，为了排出残留在第一处理气体流路36以及送入流路37a、38a中的处理气体而打开阀39a。此时，为了使处理气体不流入腔室2内，预先关闭连接着旁通流路39的排气管41的压力调整阀43。排出处理气体完成之后，与向处理气体罐33填充同样，向处理气体罐34填充处理气体，填充结朿后，同样进行残留在第一处理气体流路36以及送入流路37a、38a中的处理气体的排出。再者，也可以先进行向处理气体罐34的处理气体的填充。在本实施方式中，由于通过处理气体流通部件35，在处理气体罐33、34中暂吋填充来自处理气体供给源、例如He气体供给源30、HC1气体供给源31以及SF6气体供给源32的处理气体、例如氦气、氯化氢气体以及SF6气体，将被填充在处理气体罐33、34中的处理气体供给腔室2内并进行包括基板G的等离子体蚀刻的处理，因此，即使腔室2的容量较大，也能在短时间内供给使该腔室2内变成设定压力的处理气体，这样就能实现处理时间的縮短。另外，在本实施方式中，填充等离子体蚀刻处理时所供给的处理气体而使用处理气体罐33，填充等离子体蚀刻处理后所供给的处理气体而使用处理气体罐34，它们也可以替换使用。另外，在本实施方式中，使第二处理气体流路37、38分别从第一处理气体流路36分支而设置，但是，也可以在使它们的一个端部汇合的状态下从第一处理气体流路36分支而设置。或者，也可以使第二处理气体流路37、38不与喷头27的上面连接，而是与腔室2的其它部分例如侧壁连接，于是不通过喷头27而将处理气体供给腔室2内。再者，在本实施方式中，使第二处理气体流路37、38的送出流路37b、38b分别与腔室2连接，但是，它们也可以与第一处理气体流路36连接。在本实施方式中，为了连续进行使用着不同的处理气体的两种处理而使用了两个处理气体罐33、34，但是，在处理仅为一种的情况下，可以仅使用一个处理气体罐，在连续进行三种以上的处理等的情况下，也可以使用三个以上的处理气体叙t。—F而，使用等离子体蚀刻装置1，分别测定了以规定的压力在处理气体罐33屮填充处理气体的吋间(以下记作填充吋间)、以及将填充在处理气体罐33中的处理气体及来自处理气体供给源30、31、32的处理气体供给腔室2内，至腔室2内的压力稳定在设定压力左右的时间(以下记作稳定时间)。如图2所示，此处的等离子体蚀刻装置1使用了将处理气体供给机构3的第二处理气体流路37、38变形为简化结构之后的例子。此处的第二处理气体流路37、38分别是一个端部从第一处理气体流路36分支、另一个端部与处理气体罐33、34连接，并在中间部设置有阀37z、38z。因此，此处的第二处理气体流路37、38分别兼具用于将来自处理气体供给源30、31、32的处理气体导入处理气体罐33、34中的流路；以及用于将处理气体罐33、34内的处理气体导入腔室2内的流路。设定作为处理气体的氦气、氯化氢气体以及SF6气体的流量比为2:1:1，总流量为5slm，腔室2的容量I。为23101，处理气体罐33的容量1,为31，腔室2内的设定压力Po为23.3Pa(0.175Torr)，分别对下述情况进行测定，被填充在处理气体罐33中的处理气体的压力P,为26.7kPa(200Torr)的情况(实施例1);53.3kPa(400Torr)的情况(实施例2);以及80.0kPa(600Torr)的情况(实施例3)。另外，作为比较例，测定了未使用处理气体罐33而仅将来自处理气体供给源30、31、32的处理气体供给到腔室2内的情况下的稳定时间。测定结果如表1所示。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>如表1所示，可以确认，在实施例1、2、3中，与比较例相比稳定吋间变短。即、可以确认，通过使用等离子体蚀刻装置1，与未使用处理气体罐33的现有技术的等离子体蚀刻装置的情况相比，则能够縮短稳定吋间。另外，可以确认，虽然被填充在处理气体罐33中的处理气体的压力越低填充吋间越短，但是被填充在处理气体罐33中的处理气体的压力越高则稳定吋间越短，并且压力为80.0kPa的情况与压力为26.7kPa的情况相比大约变为一半。这也是因为，如果被填充在处理气体罐33内的处理气体的压力低，则从处理气体供给源30、31、32被供给腔室2内的处理气体会通过第二处理气体流路37而流入处理气体罐33中。因此，通过测定从处理气体罐33向腔室2内开始供给处理气体前后的处理气体流通部件35内的压力变化得出以下结果就从处理气体罐33向腔室2内刚刚开始供给处理气体之后的处理气体流通部件35内的压力来说，如图3(a)的箭头部分所示，被填充在处理气体罐33中的处理气体的压力P,为26.7kPa的情况下，接近稳定时的处理气体流通部件35内的压力29.9kPa(224Torr)，如图3(b)的箭头部分所示，被填充在处理气体罐33中的处理气体的压力P,不足29.9kPa例如为17.9kPa(135Torr)的情况下，比稳定时的处理气体流通部件35内的压力小，如图3(c)的箭头部件所示，被填充在处理气体罐33中的处理气体的压力P,比29.9kPa还大、例如为53.3kPa的情况下，比稳定时的处理气体流通部件35内的压力还大。另外，在被填充于处理气体罐33中的处理气体的压力Pi为17.9kPa的情况下，与26.7kPa的情况相比，稳定时间延长2秒之多，g卩，其结果为，比未使用处理气体罐33而仅向腔室2内供给来自处理气体供给源30、31、32的处理气体时的稳定时间还长。因此，在第二处理气体流路37(38)兼作为用于将处理气体送入处理气体罐33(34)中的流路、以及用于将处理气体从处理气体罐33(34)中送出的流路的情况下，如果使被填充在处理气体罐33中的处理气体的压力比处理气体流通部件35内的压力高，那么，不仅能够防止处理气体流入处理气体罐33、34中，而且，越是提高被填充在处理气体罐33中的处理气体的压力，则越能够缩短稳定时间。下面，对等离子体蚀刻装置的其它实施方式进行说明。图4是作为本发明所涉及的气体处理装置的其它实施方式的等离子体蚀刻装置的大致截面图。如图4所示，等离子体蚀刻装置r是将等离子体蚀刻装置1中的处理气体供给机构3的第二处理气体流路37、38的送入流路37a、38a以及旁通流路39变形后的例子，对于与等离子体蚀刻装置1相同的部位标注相同的符号并省略其说明。等离子体蚀刻装置r中的处理气体供给机构3、的第二处理气体流路37、(38、)的向处理气体罐33(34)的送入流路37a、(38a')包括分支送入流路37e、37f、37g(38e、38f、38g)，这些分支送入流路是一个端部或者上游侧端部从导入分支流路37i、37j、37k而继续分支的，而这些导入分支流路按照分别从供给源连接流路36a、36b、36c的比质量流量控制器36d、36e、36f还靠向上游的上游侧分支的方式而设置；以及分支送入流路37e、37f、37g(38e、38f、38g)的另一个端部或下游侧端部相互合流并且与处理气体罐33(34)连接着的合流送入流路37h(38h)。在导入分支流路37i、37j、37k中分别设置有质量流量控制器371、37m、37n，在分支送入流路37e、37f、37g、38e、38f、38g中分别设置有阀37o、37p、37q、38o、38p、38q。处理气体供给机构3、中的旁通流路39'的一侧或者说上游侧分支并分别与合流送入流路37h、38h连接，并在各个分支部上设置有阀39b、39c。在采用这种方式构成的处理气体供给机构3、中，从He气体供给源30、HC1气体供给源31以及SF6气体供给源32经由第一处理气体流通部件35而向腔室2内供给氦气、氯化氢气体以及SF6气体，与此同时，能够从He气体供给源30、HCI气体供给源31以及SF6气体供给源32经由第二处理气体流路37、(38、)向处理气体罐33(34)填充氦气、氯化氢气体以及SF6气体，并且，能够通过各个质量流量控制器36d、36e、36f、371、37m、37n以及各阀36g、36h、36i、37o(38o)、37pG8p)、37q(38q)来分别调整被供给腔室2内的氦气的流量、氯化氢气体的流量、SF6气体的流量、被送给处理气体罐33(34)的氦气的流量、氯化氢气体的流量、SF6气体的流量。另外，使旁通流路39'分支而分别与合流送入流路37h、38h连接，这样，则能够分别排出包括合流送入流路37h的第二处理气体流路37'内的处理气体与包括合流送入流路38h的第二处理气体流路38、内的处理气体。因此，将预先被填充在处理气体罐33(34)中的由规定种类及比例组成的处理气体、以及来自处理气体供给源30、31、32的由规定种类及比率组成的处理气体供给腔室2内，进行某种处理，由于与此同时，能够将在下一处理中所使用的、由与规定种类及比例不同的种类以及/或者比例组成的处理气体埙充在处理气体罐34(33)中，所以能够连续进行所使用的处理气体种类或比率等不同的三种以上的处理。再者，在本实施方式中，使分支送入流路37e、38e、37f、38f、37g、38g经由导入分支流路37i、37j、37k从供给源连接流路36a、36b、36c分支，但是，也可以不通过导入分支流路37i、37j、37k而从供给源连接流路36a、36b、36c直接分支。在这种情况下，能够在分支送入流路37e、38e、37f、38f、37g、38g中分别设置质量流量控制器。图5表示在等离子体蚀刻装置1中所设置着的处理气体供给机构3的供给源连接流路的变形例。为了在短时间内从处理气体供给源30、31、32向处理气体罐33、34填充处理气体，优选采用能够适用大流量的部件构成在供给源连接流路36a、36b、36c中所设置的质量流量控制器以及阀，从而按照大流量向处理气体罐33、34供给处理气体。但是，为了提高基板G的处理质量，必须细致地调整从处理气体供给源30、31、32供给至腔室2内的处理气体的流量，如果在供给源连接流路36a、36b、36c中设置能够适用大流量的质量流量控制器，那么就无法对流量进行微妙的调整，有可能使基板G的处理质量下降。因此，如图5所示，在各供给源连接流路36a、36b、36c中，使其分支为使来自处理气体供给源30、31、32的处理气体贮存或填充在处理气体罐33、34中时而使其流通的贮存用流路36j、36k、361;以及在将来自处理气体供给源30、31、32的处理气体供给腔室2内时使其流通的供给用流路36m、36n、36o，进行设置，在贮存用流路36j、36k、361中分别设置能够适用大流量的质量流量控制器36p以及阀36q，并且，在供给用流路36m、36n、36o中分别设置能够进行微调的例如小流量用的质量流量控制器36r以及阀36s。通过采用这种构造，能够在按照短时间向处理气体罐33、34中填充处理气体的同吋细致地调整被供给到腔室2内的处理气体的流瓜o以上，说明了本发明的最佳实施方式，但是，本发明并不局限于上述实施方式，可以有各种各样的改变。在上述实施方式中，对应用在向下部电极施加高频电力的RIE式的电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置中的例子进行了说明，但是，并不局限于此，也能够应用在灰化、CVD成膜等其它的等离子体处理装置中，而且，也能应用在将基板等被处理体收容在处理容器内进行气体处理的、等离子体处理装置以外的一般气体装置中。另外，在上述实施方式中，对应用在FPD用的玻璃基板的处理中的例子进行了说明，但并不局限于此，即能应JIJ在半导体基板等一般的基板处理中，也能应用在基板以外的被处理体的处理中。权利要求1.一种处理气体供给机构，其特征在于，其按照对收容在处理容器内的被处理体实施规定处理的方式向所述处理容器内供给处理气体，该处理气体供给机构包括用于向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给源；用于暂时贮存来自所述处理气体供给源的处理气体的处理气体罐；和将来自所述处理气体供给源的处理气体供给所述处理气体罐，并将所述处理气体罐内的处理气体供给所述处理容器内的处理气体流通部件，处理气体从所述处理气体供给源被暂时贮存在所述处理气体罐中，并从所述处理气体罐向所述处理容器内供给。2.—种气体处理装置，其特征在于，包括收容被处理体的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；以及对所述处理容器内进行排气的排气单元，并且，在将被处理体收容在所述处理容器内的状态下，利用所述排气单元进行排气，同时利用所述处理气体供给机构供给处理气体，对被处理体实施规定处理，所述处理气体供给机构包括-用于向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给源；用于暂时贮存来自所述处理气体供给源的处理气体的处理气体罐；禾口将来自所述处理气体供给源的处理气体供给所述处理气体罐，并将所述处理气体罐内的处理气体供给所述处理容器内的处理气体流通部件，处理气体从所述处理气体供给源被暂时贮存在所述处理气体罐中，并从所述处理气体罐向所述处理容器内供给。3.根据权利要求2所述的气体处理装置，其特征在于，所述处理气体流通部件包括与所述处理气体供给源以及所述处理容器连接着的第一处理气体流路；以及从所述第一处理气体流路分支并与所述处理气体罐连接着的第二处理气体流路，所述处理气体供给机构也从所述处理气体供给源向所述处理容器内供给处理气体。4.根据权利要求3所述的气体处理装置，其特征在于，设置有多个所述处理气体罐，并且，与所述处理气体罐的数量对应而设置有多个所述第二处理气体流路，所述各第二处理气体流路分别具有用于将处理气体送入所述处理气体罐的送入流路；以及用于将处理气体从所述处理气体罐送出的送出流路。5.根据权利耍求4所述的气体处理装置，其特征在于，包括控讳lj所述处理气体供给机构的控制部，所述控制部进行如下控制使处理气体从所述多个处理气体罐的一部分通过所述送出流路向所述处理容器内供给，同时使处理气体从所述处理气体供给源通过所述送入流路贮存在所述多个处理气体罐的剩余的一部分或全部中。6.根据权利要求3所述的气体处理装置，其特征在于，所述第二处理气体流路分别具有用于将处理气体送入所述处理气体罐的送入流路；以及用于将处理气体从所述处理气体罐送出的送出流路，设置有多个所述处理气体供给源以供给不同的多种处理气体，并且，所述第一处理气体流路具有与所述处理气体供给源的数量相对应地分支成多个并与所述各处理气体供给源连接着的供给源连接流路，所述第二处理气体流路的所述送入流路是从所述第一处理气体流路的所述各供给源连接流路分支的。7.根据权利要求6所述的气体处理装置，其特征在于，包括控制所述处理气体供给机构的控制部，所述控制部进行如下控制在使由规定种类及比例组成的处理气体从所述处理气体罐通过所述送出流路向所述处理容器内供给之后，使由所述规定种类及比例组成的处理气体从所述多个处理气体供给源的一部分或全部通过所述第一处理气体流路向所述处理容器内供给，与此同时，使由与所述规定种类及比率不同的种类以及/或者比例组成的处理气体，从所述多个处理气体供给源的一部分或者全部通过所述送入流路贮存在所述处理气体罐中。8.根据权利要求3所述的气体处理装置，其特征在于，设置有多个所述处理气体罐，并且，与所述处理气体罐的数量对应而设置有多个所述第二处理气体流路，所述各第二处理气体流路分别具有用于将处理气体送入所述处理气体罐的送入流路；以及用于将处理气体从所述处理气体罐送出的送出流路，设置有多个所述处理气体供给源以供给不同的多种处理气体，并且，所述第一处理气体流路具有与所述处理气体供给源的数量相对应地分支成多个并与所述各处理气体供给源连接着的供给源连接流路，所述各第二处理气体流路的所述送入流路是从所述第一处理气体流路的所述各供给源连接流路分支的。9.根据权利要求8所述的气体处理装置，其特征在于，包括控制所述处理气体供给机构的控制部，所述控制部进行如下控制使由规定种类及比例组成的处理气体从所述多个处理气体罐的一部分通过所述送出流路向所述处理容器内供给，并且使由所述规定种类及比例组成的处理气体从所述多个处理气体供给源的一部分或全部通过所述第一处理气体流路向所述处理容器内供给，与此同时，使由与所述规定种类及比率不同的种类以及/或者比例组成的处理气体，从所述多个处理气体供给源的一部分或者全部通过所述送入流路贮存在所述多个处理气体罐剩余的一部分或者全部中。10.根据权利要求39中任一项所述的气体处理装置，其特征在于，所述第一处理气体流路分别具有在使来自所述处理气体供给源的处理气体贮存在所述处理气体罐中的时候而使其流通的贮存用流路；以及在将来自所述处理气体供给源的处理气体供给所述处理容器内的吋候而使其流通的供给用流路。11.根据权利要求210中任一项所述的气体处理装置，其特征在于，所述排气单元具有多个与所述处理容器连接着的排气流路；以及通过所述排气流路对所述处理容器内进行排气的排气装置，在所述处理气体流通部件与所述多个排气流路中的一部分上连接着旁通流路，构成为所述处理气体流通部件内的处理气体通过所述旁通流路能够被所述排气单元排出，连接着所述旁通流路的所述排气流路在比其与所述旁通流路的连接部还靠上游的上游侧自如开闭。12.根据权利要求211中任一项所述的气体处理装置，其特征在于，在所述处理容器内，还具备等离子体生成机构，其生成由所述处理气体供给机构所供给的处理气体的等离子体，所述规定的处理是使用着处理气体的等离子体的等离子体处理。13.—种处理气体供给方法，其特征在于，其按照对收容在处理容器内的被处理体实施规定处理的方式向所述处理容器内供给处理气体，准备用于向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给源；用于暂时贮存来自所述处理气体供给源的处理气体的处理气体罐；禾口将来自所述处理气体供给源的处理气体供给所述处理气体罐，并将所述处理气体罐内的处理气体供给所述处理容器内的处理气体流通部件，将处理气体从所述处理气体供给源暂时贮存在所述处理气体罐屮，并从所述处理气体罐向所述处理容器内供给。14.根据权利要求13所述的处理气体供给方法，其特征在于，预先由与所述处理气体供给源以及所述处理容器连接着的第一处理气体流路；以及从所述第一处理气体流路分支并与所述处理气体罐连接着的第二处理气体流路构成所述处理气体流通部件，也从所述处理气体供给源向所述处理容器内供给处理气体。15.根据权利要求14所述的处理气体供给方法，其特征在于，设置多个所述处理气体罐，并且与所述处理气体罐的数量相对应而设置多个所述第二处理气体流路，分别具有用于将处理气体送入所述处理气体罐中的送入流路；以及用于将处理气体从所述处理气体罐送出的送出流路，构成所述各个第二处理气体流路，从所述多个处理气体罐的一部分通过所述送出流路向所述处理容器内供给处理气体，同时，从所述处理气体供给源通过所述送入流路在所述多个处理气体罐的剩余的一部分或全部中t!:存处理气体。16.根据权利要求14所述的处理气体供给方法，其特征在于，分别具有用于将处理气体送入所述处理气体罐中的送入流路；以及用于将处理气体从所述处理气体罐送出的送出流路，构成所述第二处理气体流路，设置多个所述处理气体供给源以供给不同的多种处理气体，并且，将所述第一处理气体流路构成为具有与所述处理气体供给源的数量相对应地分支成多个并与所述各处理气体供给源连接着的供给源连接流路，将所述第二处理气体流路的所述送入流路从所述第一处理气体流路的所述各供给源连接流路分支，从所述处理气体罐通过所述送出流路向所述处理容器内供给由规定种类以及比例组成的处理气体后，从所述多个处理气体供给源的一部分或全部通过所述第一处理气体流路向所述处理容器内供给由所述规定种类以及比例组成的处理气体，与此同时，从所述多个处理气体供给源的一部分或全部通过所述送入流路在所述处理气体罐中贮存由与所述规定种类以及比例不同的种类以及/或者比例组成的处理气体。17.根据权利要求14所述的处理气体供给方法，其特征在于，设置多个所述处理气体罐，并且与所述处理气体罐的数量相对应而设置多个所述第二处理气体流路，分另U具有用于将处理气体送入所述处理气体罐中的送入流路；以及用于将处理气体从所述处理气体罐送出的送H1流路，构成所述各第二处理气体流路，设置多个所述处理气体供给源以供给不同的多种处理气体，并且，将所述第一处理气体流路构成为具有与所述处理气体供给源的数量相对应地分支成多个并与所述各处理气体供给源连接着的供给源连接流路，将所述第二处理气体流路的所述送入流路从所述第一处理气体流路的所述各供给源连接流路分支，从所述多个处理气体罐的一部分通过所述送出流路向所述处理容器内供给由规定种类以及比例组成的处理气体，并且从所述多个处理气体供给源的一部分或全部通过所述第一处理气体流路向所述处理容器内供给由所述规定种类以及比例组成的处理气体，与此同时，从所述多个处理气体供给源的一部分或全部通过所述送入流路在所述多个处理气体罐的剩余的一部分或者全部中贮存由与所述规定种类以及比例不同的种类以及/或者比例组成的处理气体。18.—种计算机可读取的存储介质，其特征在于，其存储着在计算机上运行的控制程序，所述控制程序在执行吋按照实施权利要求1317中任一项所述的处理气体供给方法的方式使计算机控制处理装置。全文摘要本发明涉及处理气体供给机构、供给方法及气体处理装置，该处理气体供给机构能够在短时间内供给使处理容器内变成设定压力的量的处理气体。处理气体供给机构(3)包括用于向作为收容基板(G)的处理容器的腔室(2)内供给作为处理气体的氦气的He气体供给源(30)；用于暂时贮存来自He气体供给源(30)的氦气的处理气体罐(33)；和将来自He气体供给源(30)的氦气供给处理气体罐(33)并将处理气体罐(33)内的氦气供给腔室(2)内的处理气体流通部件(35)，氦气经由处理气体流通部件(35)被从He气体供给源(30)暂时贮存在处理气体罐(33)中，并从处理气体罐(33)供给到腔室(2)内。文档编号C23C16/448GK101159228SQ20071015444公开日2008年4月9日申请日期2007年9月12日优先权日2006年10月2日发明者佐藤亮,齐藤均申请人:东京毅力科创株式会社