蒸镀装置的控制装置及蒸镀装置的控制方法

专利名称：蒸镀装置的控制装置及蒸镀装置的控制方法
技术领域：
本发明涉及蒸镀装置的控制装置及蒸镀装置的控制方法，特别是涉 及蒸镀装置的成膜速度的控制。
背景技术：
在制造平板显示器等电子设备时，广泛使用如下的蒸镀技术，即， 通过将规定的成膜材料气化，使气化后的成膜分子附着于被处理体上，
而对被处理体成膜。使用该蒸镀技术制造的设备当中，有机EL显示器 及液晶显示器，特别是在被预测会大型化的平板显示器的制造业界，预 计今后需求不断增大的移动设备的制造业界中备受关注。
在此种社会背景中，在使用蒸镀技术制造设备之时，为了通过在被 处理体上均匀地形成优质的膜来提高产品的性能，高精度地控制在被处 理体上的成膜速度(D/R: DepositionRate)非常重要。为此，以往提 出过如下的方法，即，在基板的附近配置膜厚传感器，基于利用膜厚传 感器检测出的结果，调整蒸镀源的温度，以使成膜速度达到一定(例如 参照日本特开2005-325425号公报)。
但是，这种通过温度调整控制成膜速度当中，加热开始后到蒸镀源 实际地达到期望的温度之前需要数十秒以上，响应性差。对该温度控制 的响应性差是因蒸镀源本身的热容或成膜材料的比热而产生的，是由利 用加热器产生的热量使成膜材料的温度改变前的传热状态差造成的。
此外，即使从温度控制起经过数十秒后蒸镀源达到了期望的温度， 在收纳于蒸镀源中的成膜材料以期望的气化速度稳定地气化之前，也还 需要很多的时间。此种响应性差会妨碍高精度地控制成膜速度。
另一方面，作为控制成膜速度的其他的方法，也可以考虑如下的做 法，即，在连接使成膜材料气化的蒸镀源和喷出气化后的成膜材料的喷 出口的连接管中设置阀门，通过调整该阀门的开度来控制从喷出口喷出 的成膜分子的量。
但是，该方法中，由于需要将蒸镀装置保持为真空状态，因此需要
5准备应对真空用高热的阀门，从而使成本升高。另外，阀门内部的结构 复杂，^f艮难将阀门的内部一律保持为期望的温度，另外，因阀门的滞后， 会对高精度地控制成膜速度造成妨碍。
特别是，与成膜材料为熔融型材料的情况(即，固体材料在蒸镀源 内变为液体后蒸发的情况)相比，在成膜材料为升华型材料的情况下 (即，固体材料在蒸镀源内不变为液体而蒸发的情况)，会有收纳于蒸 镀源中的成膜材料在被消耗的过程中屡次在蒸镀源内发生崩落的状况 的情况。该情况下，由于蒸镀源与成膜材料的接触状态急剧地改变，因 此成膜材料的气化速度快速地变化，其结果是，导致成膜速度快速地变 化。但是，在利用温度来控制成膜速度的控制方法中，由于上述的响应 性的问题，很难立刻地跟踪细微的成膜速度的变化。由此，在温度控制
中，特别是对在有机EL材料中较多的升华型材料无法高精度地控制成 膜速度。

发明内容
为了消除上述问题，本发明中，提供高精度地控制成膜速度的蒸镀 装置的控制装置及蒸镀装置的控制方法。
即，为了解决上述问题，根据本发明的某个方式，提供一种蒸镀装 置的控制装置，其利用载气输送在蒸镀源中气化后的成膜材料，利用所 输送的成膜材料在期望的真空状态下对被处理体进行成膜处理。该蒸镀 装置的控制装置具有存储部，其存储表示成膜速度与载气流量之间的 关系的表格；成膜速度运算部，其基于从用于检测成膜速度的第一传感 器中输出的信号，求出在被处理体上的成膜速度；载气调整部，其使用 存储于上述存储部中的表格所示的表示成膜速度与载气流量的关系的 数据，基于利用上述成膜速度运算部求出的成膜速度和作为目标的成膜 速度，为了获得期望的成膜速度而调整流入上述蒸镀源的载气的流量。
这里所说的气化不仅包括液体变为气体的现象，还包括固体不经过 液体的状态而直接变为气体的现象(即升华)。
这样的话，例如就可以基于由QCM ( Quartz Crystal Microbalance ) 等第一传感器输出的信号，实时地算出在被处理体上的成膜速度。另夕卜， 在表格中，存储有表示成膜速度与载气流量的关系的数据。它根据的是 发明人等作为通过反复多次的实验而导出的成膜速度与载气的流量的相关关系的结果所得到的信息。使用收纳于该表格中的信息，基于所算 出的成膜速度和作为目标的成膜速度，为了获得期望的成膜速度而调整 载气的流量。
通过载气流量的调整所进行的成膜速度的控制与温度调整的情况 相比，响应性好。由此就可以将成膜速度高精度地控制为期望的速度。 这样就可以在被处理体上均匀地形成更为优质的膜。
作为载气，优选氩气、氦气、氪气、氙气等惰性气体。另外，在上
述的蒸镀装置中，也可以将有机EL成膜材料或有机金属成膜材料作为 成膜材料，利用蒸镀在被处理体上形成有机EL膜或有机金属膜。
特别是，有机EL材料耐热性差，容易分解。例如存在^f艮多如下的 有机EL材料，即，为了提高成膜速度而将蒸镀源的温度从250t:仅升高 IOC就会分解而使物性改变，无法获得期望的性能。但是，根据上述 构成，如上所述，通过使用成膜速度与载气流量的相关关系来调整载气 的流量，就可以控制成膜速度。这样，由于不需要为了控制成膜速度而 提高温度，因此就可以不改变成膜材料的物性，将成膜速度高精度地控 制为期望的速度。由此就可以在将膜的特性保持良好的同时将被处理体 成膜。
此时，也可以通过控制流量控制器来调整载气的流量。这样的话， 就不需要应对真空用高热的阀门等新的设备，而可以使用为了进行成膜 处理而预先与气体供给源连接的流量控制器。这样，就不会产生在使用 上述阀门来控制成膜分子的量的情况下所担心的阀门内部的成膜分子 的再冷凝或由部件数目增加造成的成本升高的问题，可以高精度地控制 成膜速度。
上述存储部也可以存储多个不同的表格，还具备表格选择部，其基 于工艺条件，从存储于上述存储部中的多个表格中选择期望的表格，上 述载气调整部使用由上述表格选择部选择的表格来调整载气的流量。该 情况下，上述工艺条件也可以包括上述蒸镀源的形状、上述蒸镀源的材 质、收纳于上述蒸镀源中的成膜材料的种类或收纳于上述蒸镀源中的成 膜材料的位置中的至少任一个。
例如，有时成膜速度与载气流量的相关关系会随着蒸镀源的形状、 材质、收纳于蒸镀源中的成膜材料的种类、或收纳于蒸镀源中的成膜材 料的位置等工艺条件而变化。考虑到这一点，才艮据上述构成，预先利用
7实验求出与工艺条件对应的成膜速度与载气流量的相关关系，存储于多 个表格中。此后，基于工艺条件，从存储于存储部中的多个不同的表格 中选择期望的表格，根据存储于所选择的表格中的成膜速度与载气流量 的相关关系，调整载气的流量。
像这样，通过从预先收集的数据中，选择与实际的制造中所用的蒸 镀源的形状或材质、实际收纳于蒸镀源中的成膜材料的种类或位置等对 应的最佳的表格，就可以与实际的制造中所用的工艺条件对应地将栽气 流量调整最佳化。这样就可以精度更为优良地控制成膜速度。
上述载气调整部在利用上述成膜速度运算部求出的成膜速度与作 为目标的成膜速度的偏差小于规定的阈值的情况下，也可以利用载气流 量的调整来控制成膜速度。
另外，也可以还具备温度调整部，其调整上述蒸镀装置的温度； 膜厚控制切换部，其将成膜速度的控制切换为利用上述载气调整部的控 制或将上述载气调整部的控制和利用温度调整部的控制并用的控制的 任一个，上述膜厚控制切换部在利用上述成膜速度运算部求出的成膜速 度与作为目标的成膜速度的偏差在规定的阈值以上的情况下，切换为如
下的方法，即，通过利用上述载气调整部调整载气的流量，同时利用上 述温度调整部调整上述蒸镀装置的温度来控制成膜速度。
发明人等根据实验查明，根据成膜速度与载气流量的相关关系，在 所求出的成膜速度与作为目标的成膜速度的偏差小的情况下，从响应性 的方面考虑优选调整载气的流量，在上述偏差大的情况下，由于如果只 是载气流量调整则很难将成膜速度恰当地修正到目标的成膜速度，因此 最好将温度控制和载气流量控制并用来控制成膜速度。
考虑到这一点，根据上述构成，在成膜速度的偏差小(例如5倍左 右)时，通过调整载气流量来控制成膜速度。这样就可以与成膜速度小 的变化对应地高精度地控制成膜速度。另外，在成膜速度的偏差大(例 如10倍-100倍左右)时，与温度控制(或温度控制及载气流量控制) 一起来控制成膜速度。这样，就可以与成膜速度大的变化对应地控制成 膜速度。像这样，通过与成膜速度的偏差程度对应地切换温度控制和载 气流量控制，就可以分别恰当地顺应成膜速度大的变化及成膜速度小的 变化来进一步高精度地控制成膜速度。
而且，作为为了温度调整而设于蒸镀装置中的温度控制机构的一例，可以举出嵌入在蒸镀源的底壁的加热器。作为使用了加热器的温度 控制，例如可以举出如下的方法，即，通过对来自温度调节器的施加电 压进行控制而将加热器加热，该温度调节器使用了自安装在蒸镀源中的 热电偶等温度传感器来的信号。其结果是，可以根据收纳了成膜材料的 部分的加热的程度，来调整成膜材料的气化速度。
上述蒸镀源也可以设置多个，上述成膜速度运算部基于在期望的真 空状态下从用于分别检测出收纳于上述多个蒸镀源中的成膜材料的气 化速度的多个第二传感器中输出的信号，分别求出多个成膜材料的气化 速度，上述载气调整部使用存储于上述存储部中的表格所示的表示成膜 速度与载气流量的关系的数据，基于利用上述成膜速度运算部求出的各 成膜材料的气化速度与作为目标的气化速度，按每个蒸镀源调整流入到 各蒸镀源的载气流量。
如前所述，与成膜材料为熔融型材料的情况相比，在成膜材料为升 华型材料的情况下，会有收纳于蒸镀源中的成膜材料在被消耗的过程中 在蒸镀源内发生崩落的状况的情况。该情况下，由于蒸镀源与成膜材料 的接触状态急剧地改变，因此成膜材料的气化速度变化，其结果是，成 膜速度变化。
但是，根据上述构成，基于配置于蒸镀装置中的多个蒸镀源中所收 纳的每个成膜材料的气化速度和作为目标的气化速度，对每个蒸镀源调 整流入各蒸镀源的载气的流量。这样的话，就可以与成膜材料的收纳状 态对应地对每个蒸镀源分别高精度地控制成膜材料的气化速度。其结果 是，可以在被处理体上均匀地形成更为优质的膜。
但是，如果设有用于检测成膜速度的第一传感器，就不一定需要设 置用于检测各蒸镀源的气化速度的多个第二传感器。该情况下，根据利 用第一传感器检测出的信号求出成膜速度，基于所求出的成膜速度与作 为目标的气化速度，统一地调整向多个蒸镀源供给的载气流量。这样的 话，与使用第二传感器对每个蒸镀源分别调整载气流量的情况相比，具 有如下等优点，即，不需要准备第二传感器，不需要进行由附着物堆积 在第二传感器上导致的维护，与使用了第二传感器的情况相比成膜速度 的控制变得不复杂等。
另外，为了解决上述问题，根据本发明的其他的方式，提供一种蒸 镀装置的控制装置，是利用载气输送在蒸镀源中气化后的成膜材料，利用所输送的成膜材料在期望的真空状态下对被处理体进行成膜处理的
蒸镀装置的控制装置，具有成膜速度运算部，其基于从用于检测成膜 速度的第一传感器中输出的信号，求出在被处理体上的成膜速度；载气
调整部，其基于利用上述成膜速度运算部在上次或上次以前求出的成膜 速度和利用上述成膜速度运算部在本次求出的成膜速度，为了获得期望 的成膜速度而对载气流量进行反馈控制。
这样的话，利用反馈控制准确地控制载气流量，由此可以获得期望
的成膜速度。而且，在反馈控制中，例如无论是使用PID( Proportional Integral Derivative),模糊控制、H 等哪种控制方法都可以。
另外，为了解决上述问题，根据本发明的其他的方式，提供一种蒸 镀装置的控制装置，是利用载气输送在蒸镀源中气化后的成膜材料，利 用所输送的成膜材料在期望的真空状态下对被处理体进行成膜处理的 蒸镀装置的控制装置，具有存储部，其存储有表示成膜速度与载气流 量之间的关系的表格；成膜速度运算部，其基于从用于检测成膜速度的 第一传感器中输出的信号，求出在被处理体上的成膜速度；载气调整部， 其使用存储于上述存储部中的表格所示的表示成膜速度与载气流量的 关系的数据，基于利用上述成膜速度运算部在上次或上次以前求出的成 膜速度和利用上述成膜速度运算部在本次求出的成膜速度，为了获得期 望的成膜速度而对栽气流量进行反馈控制。
这样的话，就可以根据表格所示的成膜速度与载气流量的关系，基 于上次或上次以前求出的成膜速度与本次求出的成膜速度，调整载气的 流量。这样，就可以使用预先积蓄的表示成膜速度与载气流量的相关关 系的数据，例如可以针对本次求出的成膜速度与上次求出的成膜速度的 偏差反馈控制载气的流量。其结果是，通过将成膜速度高精度地控制为 期望的速度，就可以在被处理体上均勻地形成优质的膜。
另外，为了解决上述问题，根据本发明的其他的方式，提供一种蒸 镀装置的控制方法，是利用载气输送在蒸镀源中气化后的成膜材料，利 用所输送的成膜材料在期望的真空状态下对被处理体进行成膜处理的 蒸镀装置的控制方法，将表示了成膜速度与载气流量之间的关系的表格 存储于存储部中，基于从用于检测成膜材料的气化速度的第一传感器中 输出的信号，求出在被处理体上的成膜速度，使用存储于上述存储部中 的表格所示的表示成膜速度与载气流量的关系的数据，基于上述求出的成膜速度和作为目标的成膜速度，为了获得期望的成膜速度而调整载气 的流量。
这样的话，就可以根据表格所示的成膜速度与载气的流量的关系和 所求出的成膜速度与作为目标的成膜速度，来调整载气的流量。其结果 是，由于与温度控制相比响应性良好，因此可以高精度地控制成膜速度。 由此就可以在被处理体上均匀地形成优质的膜。
发明效果
如上说明所示，根据本发明，可以高精度地控制成膜速度。


图l是本发明的第一实施方式的6层连续成膜系统的概略构成图。 图2是用于说明各实施方式的利用6层连续成膜处理形成的膜的图。
图3是表示了实验1的实验装置的概略情况的图。 图4是表示了作为实验1的结果的载气流量与成膜速度的关系的曲 线图。
图5是表示了实验2、 3的实验装置的概略情况的图。 图6是表示了作为实验2的结果的载气流量与成膜速度的关系的曲 线图。
图7是表示了作为实验3的结果的载气流量与成膜速度的关系的曲 线图。
图8是表示了各实施方式的控制器700的各功能的功能框图。
图9是表示了各实施方式的蒸镀源内温度与成膜速度的关系的曲线图。
图10是表示了各实施方式的蒸镀源内温度与成膜速度的关系的另 一曲线图。
图ll是表示了各实施方式的表格选择处理的流程图。
图12是表示了各实施方式的成膜速度控制处理的流程图。
图13是表示了气体流量的变化与成膜速度的跟踪状态的曲线图。
图14是本发明的第二实施方式的6层连续成膜系统的概略构成图。
图中符号说明10-6层连续成膜系统，100-蒸镀装置，110-蒸镀源，140-喷出机构,170-第一处理容器,180、 185-QCM, 190-第二处理容器， 200-成膜控制器，300-流量控制器，600-温度调节器，700-控制器，710-存储部，730-成膜变化量取得部，740-膜厚控制切换部，750-表格选择 部，760-载气调整部，770-温度调整部。
具体实施例方式
下面参照附图对本发明的一个实施方式进行详细的说明。而且，在 以下的说明及附图中，对于具有相同的构成及功能的构成要素，通过标 记相同的符号而省略其重复说明。另外，本说明书中lmTorr为(l(T x 101325/760 ) Pa, lsccm为(10 760) m7sec。
(第一实施方式)
首先，参照图l对本发明的第一实施方式的6层连续成膜系统进行 说明。图l是示出蒸镀装置的纵剖面并且包括控制蒸镀装置的控制装置 的6层连续成膜系统的概略图。
6层连续成膜系统10具有蒸镀装置100、成膜控制器200、流量 控制器(MFC) 300、阀门400、气体供给源500、温度调节器600及控 制器700。6层连续成膜系统IO是通过在蒸镀装置100内在玻璃基板(以 下称作基板G。)上连续地蒸镀6层有机EL层而制造有机EL显示器的蒸 镀系统的一例。 (蒸镀装置)
在蒸镀装置100中，设有第——第六蒸镀源110a—110f、第——第
六连接管120a—120f、第--第六阀门130a—130f、第——第六喷出
机构140a—140f、 7个隔壁150、滑动机构160及第一处理容器170。 本实施方式中，各蒸镀源110及各阀门130配设于大气中，经由各连接 管120与各喷出机构140连通。各喷出机构140、各隔壁150及各滑动 机构160被收纳于利用未图示的排气装置保持为期望的真空度的第一处 理容器170的内部。
第——第六蒸镀源110a—110f是采用了相同结构的坩埚，在其内 部分别收纳有不同种类的成膜材料。在第一一第六蒸镀源110a —110f 中，在其底壁内嵌设有第一一第六加热器110al — 110fl，通过使各加热 器加热，而将各蒸镀源设为例如200—500t:左右的高温，由此将各成膜 材料气化。第一一第六连接管120a—120f用其一端与第一一第六蒸镀源110a —110f连接，贯穿第一处理容器170，用其另一端与第一一第六喷出机 构140a—140f分别连接。另外，在第——第六连接管120a—120f上， 分别安装有利用开闭将第 一处理容器17 0的内部空间与收纳成膜材料的 蒸镀源110内的空间连通或隔断的第——第六阀门130a—130f。
第一一第六喷出机构140a—140f具有其内部形成了中空的矩形形 状的相同结构，被相互平行地等间隔地配置。由各蒸镀源110气化后的 成膜分子穿过各连接管12 0从设于各喷出机构140的上部中央的开口中 分别喷出。
隔壁150被按照将各喷出机构140之间分隔的方式设于各喷出机构 140之间，从而防止从各喷出机构140的上部开口中喷出的成膜分子混 入从相邻的喷出机构140中喷出的成膜分子中。
滑动机构160具有载台160a、支承体160b及滑移机构160c。载台 160a由支承体160b支承，将从设于第一处理容器170中的门阀170a 搬入的基板G利用由未图示的高电压电源施加的高电压静电吸附。滑移 机构160c安装于第一处理容器170的顶棚部并且接地，通过使吸附于 载台160a上的基板G沿第一处理容器170的长度方向滑移，而使基板G 在各喷出机构140的略微上空处平行移动。
在第一处理容器170的内部，设有QCM180 (Quartz Crystal Microbalance:晶体振子)。QCM180是用于检测从各喷出机构140的上 部开口喷出的成膜分子的生成速度，也就是成膜速度(D/R)的第一传 感器的一例。下面，对QCM的原理进行简单说明。
在石英振子表面附着了物质，使石英振动体尺寸、弹性系数、密度 等等价地变化的情况下，由于振子的压电性质会引起以下面的式子表示 的电气性谐振频率f的变化。
f=1/2t(V_C/p) t:石英片的厚度C:弹性常数p:密度
利用该现象，根据石英振子的谐振频率的变化量来定量地测定极为 微量的附着物。如此设计的石英振子的总称为QCM。如上式所示，可以 认为，频率的变化是由附着物质所致的弹性常数的变化和将物质的附着 厚度换算为石英密度时的厚度尺寸决定的，其结果是，可以将频率的变 化换算为附着物的重量。
利用此种原理，QCM18 0为了检测出附着于石英振子上的膜厚(成膜速度)而输出频率信号ft。成膜控制器200与QCM180连接，通过输入 由QCM180输出的频率信号ft,将频率的变化换算为附着物的重量，来 算出成膜速度。所算出的成膜速度是为了控制收纳于各蒸镀源110中的 各成膜材料的气化速度而使用的，而对于控制各成膜材料的气化速度的 方法，将在后面详细叙述。而且，成膜控制器200相当于基于从用于检 测成膜速度的第一传感器中输出的信号来求出在基板G上的成膜速度的 成膜速度运算部。
在各蒸镀源110中，设有通过将各蒸镀源110的侧壁贯穿而将各蒸 镀源IIO的内部与流量控制器300连通的气体线路Lg。气体线路Lg又 经由阀门400与气体供给源500连接，将从气体供给源500供给的惰性 气体(例如Ar气)向各蒸镀源内部供给。该惰性气体作为用于将在各 蒸镀源内部气化后的成膜分子输送至各喷出机构140的载气发挥作用。
在嵌设于第一一第六蒸镀源110a—110f的底壁中的第一一第六加 热器llOal —110f 1上，连接有温度调节器600。温度调节器600通过 控制施加在各加热器上的电压，将嵌入了各加热器的各蒸镀源110控制 为期望的温度，由此来控制成膜材料的气化速度。而且，第一一第六加 热器llOal —110fl是设于蒸镀装置100中的温度控制机构的一例。
控制器700具有ROM710、RAM720、输入输出1/F(接口 )730及CPU740。 R0M710、 RAM720中，例如存放有表示频率与膜厚的关系的数据或用于 对加热器进行反馈控制的程序等。输入输出I/F730输入利用成膜控制 器200算出的成膜速度。
CPU740使用存放于R0M710、 RAM720中的各种数据或程序，根据所 输入的成膜速度求出对各加热器llOal —110fl施加的电压，向温度调 节器600发送。CPU740另外还向气体供给源500指示供给作为载气发 挥作用的氩气，并且向流量控制器300指示载气流量的增减量。而且， 成膜控制器200及控制器700相当于控制蒸镀装置100的控制装置。 (6层连续成膜处理)
下面，参照图l及图2对利用蒸镀装置IOO执行的6层连续成膜处 理进行筒单说明。图2表示使用蒸镀装置100执行了 6层连续成膜处理 的结果、层叠于基板G上的各层的状态。首先，基板G在以某个速度行 进在第一喷出机构140a的上方之时，通过从第一喷出机构140a中喷出 的成膜材料附着于基板G上，而在基板G上形成第一层的空穴输送层。然后，在基板G在第二喷出机构140b的上方移动之时，通过从第二喷 出机构140b中喷出的成膜材料附着于基板G上，而在基板G上形成第 二层的不发光层(电子模块层)。同样地，在基板G从第三喷出机构140c 直到第六喷出机构140f在其上方依次移动之时，利用从各喷出机构中 喷出的成膜材料，在基板G上形成第三层的蓝色发光层、第四层的红色 发光层、第五层的绿色发光层、第六层的电子输送层。像这样，在6层 连续成膜系统10中，通过使用蒸镀装置100,在同一处理容器内连续地 形成6层有机膜，就可以提高处理量，提高产品的生产性。另外，由于 不需要像以往那样对每种不同的有机膜设置多个各自的小室(处理室), 因此就不会将设备大型化，可以降低设备成本。
(成膜速度的控制)
为了使用如上说明所示的构成的蒸镀装置IOO在基板上形成优质的 膜，高精度地控制成膜速度非常重要。为此，以往使用了利用温度调节 器600的温度控制来控制成膜速度的方法。
但是，在利用温度调整的成膜速度的控制中，例如在将加热器等温 度控制机构加热后到蒸镀源110真正地达到期望的温度之前要花费数十 秒以上，响应性差。此外，即使从温度控制起经过数十秒后蒸镀源110 达到了期望的温度，在收纳于蒸镀源110中的成膜材料以期望的气化速 度稳定地气化之前，也还需要很多的时间。此种对温度控制的响应性差 会对在基板G上均勻地形成优质的膜造成妨碍。所以，发明人等考虑能 否利用温度以外的控制来控制成膜速度，为了对其可能性进行挑战，进 行了以下的实验。 (实验l)
对于发明人等所进行的实验，在参照图3—图7的同时进行具体说 明。首先，发明人等如图3所示，制成了在第一处理容器170中仅内置 了一个蒸镀源110a的实验装置。发明人等在蒸镀源110a的底部预先收 纳了 Alq3 ( aluminum-tris-8-hyf roxyquinol ine )的有机材料3g, 将 第一处理容器170的内部控制为3101C。实验中，发明人等使用控制器 700使流量控制器300的流量在0. 5—20sccm的范围中增减。发明人等 基于QCM180的检测值ft使用成膜控制器200算出，相对于流入蒸镀源 110a中的氩气的流量的变化，形成于基板G上的Ald3有机膜的成膜速 度如何变化。作为其结果，发明人等得到了图4所示的氩气的流量与Ald3膜的成 膜速度的相关关系。才艮据该图可知，在将流量从0. 5sccm增加到20sccm 时(图4的去D/R)和将流量从20sccm减少到0. 5sccm时(图4的回 D/R)，特别是在氩气的流量为5—20sccm的范围中，基本上没有滞后的 影响，在任何的情况下，成膜速度基本上都是线性地变化。所以，发明 人等发现，在实验l的工艺条件的情况下，如果是5 —20sccm的范围， 则在想要提高成膜速度时，只要将氩气的流量减少规定量即可，在想要 降低成膜速度时，只要将氩气的流量增加规定量即可。 (实验2)
继而，发明人等在其他的工艺条件的情况下，对载气流量与成膜速 度的相关关系如何变化进行了实验。发明人等如图5所示，在实验2中 也使用了与实验l相同的实验装置。与实验l不同的方面在于成膜材料 的收纳位置、成膜材料的种类、处理室内的控制温度。即，发明人等在 蒸镀源110a的靠近喷出口 Op的位置准备蒸发皿110a2,在蒸发皿110a2 的凹陷部分中收纳ot-NPD(二苯基萘基二胺)的有机材料3g，将第一处 理容器170的内部控制为300TC。发明人等与实验l的情况相同，使用 控制器700使流量控制器300的流量在0. 5—20sccm的范围中增减，使 用QCM180及成膜控制器200算出了 ot-NPD有机膜的成膜速度。
作为其结果，发明人等得到了图6所示的氩气的流量与Alq3膜的成 膜速度的相关关系。根据该图，发明人等发现，在去D/R和回D/R中， 特别是在氩气的流量为5—20sccm的范围中，基本上没有滞后的影响， 在任何的情况下，成膜速度基本上都是线性地变化。所以，发明人等发 现，在实验2的工艺条件的情况下，如果是5 —20sccm的范围，则在想 要提高成膜速度时，只要将氩气的流量增加规定量即可，在想要降低成 膜速度时，只要将氩气的流量减少规定量即可。 (实验3)
此外，发明人等在其他的工艺条件的情况下，对载气流量与成膜速 度的相关关系如何变化进行了实验。发明人等使用与图5所示的实验2 相同的实验装置，在蒸发皿110a2的凹陷部分中收纳Al(b的有机材料 3g,将第一处理容器170的内部控制为3001C。发明人等与实验1、 2 的情况相同，使用控制器700使流量控制器300的流量在0. 5 —20sccm 的范围中增减，使用QCM180及成膜控制器200算出了 Alq3有机膜的成膜速度。
作为其结果，发明人等得到了图7所示的氩气的流量与Al(b膜的成 膜速度的相关关系。根据该图，发明人等发现，在去D/R和回D/R中， 特别是在氩气的流量为5 —20sccm的范围中，基本上没有滞后的影响， 在任何的情况下，成膜速度基本上都是线性地变化。所以，发明人等发 现，在实验3的工艺条件的情况下，在想要提高成膜速度时，只要将氩 气的流量增加规定量即可，在想要降低成膜速度时，只要将氩气的流量 减少规定量即可。
而且，图4所示的实验1的结果中，如果增加载气的流量，则成膜 速度降低，然而在图6所示的实验2及图7所示的实验3的结果中，如 果增加载气流量，则成膜速度上升，显示出相反的相关关系。这是由获 得这些数据时的工艺条件不同造成的。
基于这些实验结果，发明人等认为蒸镀装置100的工艺条件对氩气 的流量的控制造成影响，为了高精度地控制氩气的流量而获得期望的成 膜速度，将图4、图6及图7的表示气体流量与有机膜的成膜速度的相 关关系的数据与获得这些数据时的工艺条件建立关联并存储。这里，在 工艺条件中，也可以包含蒸镀源110a的材质、收纳于蒸镀源110a中的 成膜材料的种类或收纳于蒸镀源110a中的成膜材料的位置的至少任一 种信息。利用像这样积蓄的多种模型的载气流量与成膜速度的相关关 系，在本实施方式的6层连续成膜系统10中，通过调整载气流量来控 制成膜速度，而对于其具体的动作，将在对控制器700的功能构成进行 说明后说明。
(控制器的功能构成)
如图8所示，控制器700具有以存储部710、输入部720、成膜变 化量取得部730、膜厚控制切换部740、表格选择部750、载气调整部 760、温度调整部770、输出部780的功能块表示的各功能。
在存储部710中，如前所述，作为发明人等经过多次实验收集的数 据，以表格组形式存储了多个表示成膜速度与栽气流量的相关关系的图 4、图6及图7等的表格。在存储部710中，还存储有规定的阈值Th及 上次算出的成膜速度DRb。
输入部720每隔规定时间输入利用成膜控制器200算出的成膜速 度。成膜变化量取得部730求出每隔规定时间输入的成膜速度与作为目标的成膜速度的偏差。
膜厚控制切换部740在利用成膜变化量取得部730求出的成膜速度 的偏差的绝对值为规定的阈值Th以下的情况下，则按照利用载气流量 调整来控制成膜速度的方式指示，在上述偏差的绝对值大于规定的阈值 Th的情况下，则按照还并用温度调整地控制成膜速度的方式切换控制。
该切换可以从如下所示的发明人等的实验结果中看出。即，发明人 等查明，为了通过调整载气流量来高精度地控制成膜速度，最好所算出 的成膜速度与作为目标的成膜速度的偏差比较小。
发明人等查明，为了通过调整载气流量来高精度地控制成膜速度， 特别优选如图4、图6及图7所示，上述偏差(偏差)的最大值为5倍 以内。有鉴于此，本实施方式中，将存储于存储部710中的规定的阈值 设定为，在进行利用栽气流量调整的成膜控制之时，利用成膜控制器200 求出的成膜速度与作为目标的成膜速度的偏离的最大值达到5倍。
另一方面查明，在上述偏离比较大的情况下，如图9及图10所示， 优选并用温度控制来控制成膜速度。这里，图9表示蒸镀源内的绝对温 度的倒数(1/K)与成膜速度(nm/s)的相关关系。另外，图10表示在 将图9中所用的有机材料oc-NPD替换为有机材料Alq3的情况下蒸镀源 内的绝对温度的倒数(1/K)与成膜速度(nm/s)的相关关系。可知如 图9及图10所示，蒸发量(成膜速度u )可以用u =Aexp ( -B/T )表示 (A、 B为材料、装置的常数，T为绝对温度)，即使在各种各样的工艺 条件A—D下进行蒸镀，在温度与成膜速度中也分别有一定的关系，通 过在所有的情况下调整温度，就可以高精度地控制成膜速度。另外可知， 通过调整温度，可以将成膜速度变化到IOO倍左右。
表格选择部750基于工艺条件，从存储于存储部710中的多个表格 中，选择与工艺条件匹配的期望的表格。这里，在工艺条件中，包括蒸 镀源110的形状、蒸镀源110的材质、收纳于蒸镀源110中的成膜材料 的种类或收纳于蒸镀源110中的成膜材料的位置的至少任一个条件。
载气调整部760使用由表格选择部750选择的表格中所积蓄的表示 成膜速度与载气流量的关系的数据，基于利用成膜控制器200求出的成 膜速度与作为目标的成膜速度，为了获得期望的成膜速度而调整载气流 量。
温度调整部770例如使用图9或图10所示的表示成膜速度与温度的关系的数据，基于利用成膜控制器200求出的成膜速度与作为目标的 成膜速度，为了获得期望的成膜速度而调整温度。
输出部780在利用载气的流量来控制成膜速度的情况下，将按照将 载气的流量调整为期望的流量的方式来控制流量控制器(MFC) 300的信 号向流量控制器300输出。另一方面，输出部780在利用温度来控制成 膜速度的情况下，向温度调节器600输出将施加在加热器上的电压(或 电压的增减量)调整为期望的电压的信号。而且，以上所说明的控制器 700的各功能实际上例如是通过由CPU740执行记述了实现这些功能的 处理过程的程序来达成的。 (控制装置的动作)
下面，参照图ll及图12对控制器700的动作进行说明。图ll是 表示了从存储于存储部710中的多个表格中选择与成膜条件匹配的表格 的处理的流程图。图12是表示了通过控制载气流量或蒸镀源的温度来 控制成膜速度的处理的流程图。
(表格选择处理)
表格选择处理是从图11的步骤IIOO开始处理，表格选择部750在 步骤1105中取得蒸镀源110的形状(尺寸、外形、厚度等)或蒸镀源 110的材质，继而在步骤1110中，取得收纳于蒸镀源110中的有机材料 的种类。然后，在步骤1115中，表格选择部750基于所取得的信息(即 由蒸镀装置IOO执行的工艺条件)，从存储于存储部710中的数据组中， 选择与工艺条件匹配的表格，进入到步骤1195中而结束本处理。
以上所说明的表格选择处理只要在由蒸镀装置10 0执行的工艺条件 未被变更的期间(或者即使工艺条件被变更，也是对载气流量调整不造 成影响的变更的期间)，在第一片基板G被处理之前执行一次即可。与 之不同，此后所要说明的图12的成膜速度控制处理例如既可以在每处 理一片基板G时执行，也可以每隔预先确定的规定时间地执行。而且， 在开始成膜速度控制处理之前，第一处理容器170的内部被与工艺条件 匹配地保持为规定的温度。 (成膜速度控制处理)
成膜速度控制处理从图12的步骤1200开始处理，当进入到步骤 1205时，成膜变化量取得部730取得利用成膜控制器200算出的(本次 的)成膜速度DRp，在步骤1210中，求出所取得的成膜速度DRp与成为目标的成膜速度DRr的偏差的绝对值I DRp-DRr I 。
继而，在步骤1215中，膜厚控制切换部740判定成膜速度的偏差 的绝对值是否大于规定的阈值Th。在成膜速度的偏差的绝对值为规定的 阈值Th以下的情况下，进入到步骤1220，载气调整部760基于所选择 的表格，根据本次的成膜速度与作为目标的成膜速度的偏离(偏差)求 出载气的调整量。
例如，如果现在选择图6的表格,则在所取得的成膜速度DRp为4. 5、 成为目标的成膜速度DRb为4. Q时，相对于本次的成膜速度与作为目标 的成膜速度的偏差，氩气的调整流量为3. lsccm。所以，载气调整部760 进入到步骤1225，生成用于使从流量控制器(MFC) 300中喷出的氩气 的流量增减所算出的流量的控制信号，输出部780将该控制信号向流量 控制器300输出。例如，在上述例子的情况下，载气调整部760生成将 氩气的流量减少3. lsccm的控制信号，将所生成的控制信号向输出部 780输出。最后，存储部710在步骤1230中，将所取得的成膜速度DRp 作为上次的成膜速度DRb存储，进入到步骤1295而结束本处理。
另一方面，在步骤1215中，在成膜速度的偏差的绝对值大于规定 的阈值Th的情况下，进入到步骤1235，温度调整部770如图9或图10 所示，使用表示成膜速度与温度的关系的数据，基于利用成膜控制器200 求出的成膜速度和成为目标的成膜速度，为了获得期望的成膜速度而求 出必需的温度的调整量。继而，温度调整部770与所求出的温度的调整 量对应地算出施加在加热器上的电压。输出部780在向温度调节器600 输出了对加热器施加所算出的电压的控制信号后，执行载气流量控制 (步骤1220—1230 )，进入到步骤1295而结束本处理。
发明人等对在上述步骤1220、 1225中说明的载气流量控制的效果 进行了实验，得到图13所示的结果。实验中，发明人等使载气流量如 图13的上部所示地以脉冲状变化。此时，成膜速度如图13的下部所示 以数秒一数十秒单位高精度地跟踪气体流量的变化。根据以上的结果， 发明人等证实，根据本实施方式的6层连续成膜系统10,通过控制载气 的流量，可以迅捷地校正成膜速度相对于目标值的小的偏离，在基板G 上形成均匀并且优质的膜。
特别是，有机EL材料耐热性差，容易分解。例如多存在如下的有 机EL材料，即，为了提高成膜速度而将蒸镀源的温度从2501C仅升高IO"C，就会分解而使物性改变，无法获得期望的性能。此种状况下，相
对于成膜速度的细小的变化，通过取代温度调整而利用载气流量调整来 控制成膜速度，就可以不改变成膜材料的物性地将成膜速度迅捷地调整 为期望的速度，其意义十分重大。
另外，根据以上所说明的利用载气流量调整的成膜速度的控制，就 不需要应对真空用高热的岡门等新的设备，只要使用预先与气体供给源
500连接的流量控制器300即可。这样，就不会产生在使用上述阀门来 控制成膜分子的量的情况下所担心的阀门内部的成膜分子的再冷凝或 由部件数目增加而造成的成本升高的问题，可以高精度地控制成膜速 度。
另一方面，在成膜速度的偏离比较大的情况下，仅利用载气流量调 整很难将成膜速度恰当地修正到目标值。所以，本实施方式中，在成膜 速度较大地变化的情况下一并使用温度控制来控制成膜速度。像这样， 在本实施方式中，通过与成膜速度的变化的程度对应地，切换温度调整 和载气流量调整，分别恰当地顺应成膜速度的大的变化及成膜速度的小 的变化，从而可以高精度地控制成膜速度。
此外，本实施方式的6层连续成膜系统10中，从存储于存储部710
中的多个表格中选择期望的表格。具体来说，从预先收集的数据当中， 选择与实际上在产品的制造中所用的蒸镀源110的状态或工艺条件对应
的最佳的表格。由此就可以与实际上在产品的制造中所用的设备或材料 对应地将载气流量的调整量最佳化。其结果是，可以更高精度地控制成 膜速度。
而且，本实施方式中，利用步骤1215的判定，完全地切换为载气 流量调整或温度调整的任一个来控制成膜速度。但是，在步骤1215的 判定之时，在利用成膜控制器200求出的成膜速度DRp与作为目标的成 膜速度DRr的偏离为规定的阔值Th以上的情况下，也可以切换为如下 的方法，即，通过利用载气调整部760调整载气的流量，并利用温度调 整部770调整蒸镀装置100的温度，由此来控制成膜速度。 (第二实施方式)
下面，对第二实施方式的6层连续成膜系统10进行说明。第二实 施方式的6层连续成膜系统10中，各蒸镀源110及各阀门130内置于 第二处理容器中，此外，在各蒸镀源110的附近分别独立地安装有QCM，在这一点上与QCM并非存在于每个第二处理容器或蒸镀源IIO中的第一 实施方式的6层连续成膜系统10不同。为此，以该不同点为中心对本 实施方式的6层连续成膜系统10进行iJL明。
如图14所示，本实施方式的蒸镀装置100中，与第一处理容器170 分开地设有第二处理容器190。第二处理容器190中，内置有第一一第
六蒸镀源110a—110f及第--第六阀门130a—130f。第二处理容器190
被利用未图示的排气机构排气到期望的真空度。
在第--第六蒸镀源110a—llOf的上部侧壁中，设有贯穿该侧壁
的排气管，在排气管的开口附近分别设有第——第六QCM185a—185f。 第——第六QCM185a—185f被从各排气管的开口排气，为了检测出附着 于石英振子上的附着物的厚度而分别输出频率信号。QCM185是第二传感 器的一例。
成膜控制器200输入由各QCM185检测到的频率信号。成膜控制器 200基于由各QCM185输出的频率信号，分别求出多个成膜材料的气化速 度。
控制器700的输入部720输入利用成膜控制器200算出的各蒸镀源 110中的成膜材料的气化速度。载气调整部760根据存储于存储部710 中的表格所示的成膜速度与载气流量的关系，基于利用成膜控制器200 求出的各成膜材料的气化速度与作为目标的气化速度，对每个蒸镀源分 别求出向各蒸镀源110供给的载气流量的调整量，依照所求出的每个蒸 镀源的调整量，分别独立地控制流入到各蒸镀源110中的载气流量。
在成膜材料为升华型材料的情况下，与成膜材料为熔融型材料的情 况相比，会有收纳于蒸镀源中的成膜材料在被消耗的过程中在蒸镀源内 产生崩落的状况的情况。该情况下，由于蒸镀源与成膜材料的接触状态 急剧地改变，因此成膜材料的气化速度变化，其结果是，成膜速度变化。
但是，根据本实施方式的6层连续成膜系统10，如前所述，基于配 置于蒸镀装置100中的多个蒸镀源110中所收纳的每个成膜材料的气化 速度与作为目标的气化速度，对每个蒸镀源调整流入各蒸镀源的载气流 量。这样，就可以与成膜材料的收纳状态对应地对每个蒸镀源分别高精 度地控制成膜材料的气化速度。其结果是，可以在基板G上均匀地形成 更为优质的膜。 (变形例)
22以上所说明的实施方式中，基于利用成膜控制器2 0 0算出的成膜速 度与成为目标的成膜速度的偏差，调整载气的流量。但是，也可以基于 利用成膜控制器200在上次(或上次以前)算出的成膜速度与利用成膜 控制器200在本次算出的成膜速度的偏差，来调整载气的流量。
该情况下，载气调整部760基于利用成膜控制器200在上次或上次 以前求出的成膜速度和利用成膜控制器200在本次求出的成膜速度，为 了获得期望的成膜速度而对载气流量进行反馈控制。
这样的话，就可以基于上次或上次以前求出的成膜速度和本次求出 的成膜速度，调整载气的流量。如前所述，发明人等经过多次的实验， 结果发现，在载气流量与成膜速度中具有相关关系。由此，例如也可以 根据上次算出的成膜速度与本次算出的成膜速度的偏离，每次计算相对 于该偏离将载气增多即可还是减少即可而求出。另外，在该控制中，例 如可以使用PID (Proportional Integral Derivative )、模糊控制、H oo等反馈控制。其结果是，通过使用载气高精度地控制成膜速度，就可 以在基板G上均匀地形成优质的膜。
而且，在上述变形例中，载气流量的调整量既可以基于上次求出 的成膜速度与本次求出的成膜速度的偏离而求出，也可以基于上次以前 求出的成膜速度和本次求出的成膜速度而求出。
根据以上所说明的各实施方式及其变形例，通过调整载气的流量， 就可以高精度地控制成膜速度。
而且，在以上所说明的各实施方式及其变形例中，作为载气使用 了氩气。但是，栽气并不限于氩气，也可以是氦气、氪气、氙气等惰性 气体。
另外，各实施方式中的能够利用蒸镀装置IOO进行成膜处理的玻 璃基板的尺寸也可以是730mmx 920mm以上。例如，蒸镀装置100可以 对730mmx 920mm (处理室的直径1000mm x 1190mm)的G4. 5基板尺寸、 1100mmx 1300mm (处理室的直径1470mmx 1590mm)的G5基板尺寸进 行连续成膜处理。另外，在各实施方式的利用蒸镀装置IOO处理的被处 理体中，除了上述尺寸的玻璃基板以外，也包括直径例如为200mm或 300mm的硅晶片。
另外，作为上述各实施方式中在成膜速度的算出中所用的第一传 感器及第二传感器的其他的例子，例如可以举出如下的干涉仪，即，将从光源中射出的光向形成于被检物体上的膜的上面和下面照射，捕捉因
反射的2条光的光路差产生的干涉条紋，对其进行分析而检测出受检物 体的膜厚(例如激光干涉仪)。另外，也可以使用照射成膜速度的算出 宽频的波长而根据光的光镨信息算出膜厚的方法。
上述实施方式中，各部的动作相互关联，因而可以在考虑相互的 关联的同时，作为一连串的动作进行置换。这样，就可以通过如此置换， 将蒸镀装置的控制装置的实施方式变为蒸镀装置的控制方法的实施方 式。
另外，通过将上述各部的动作与各部的处理置换，就可以将蒸镀 装置的控制方法的实施方式变为控制蒸镀装置的程序的实施方式及记 录了该程序的计算机可读取记录介质的实施方式。
以上虽然参照附图对本发明的优选的实施方式进行了说明，然而 本发明当然并不限定于该例子。只要是本领域技术人员，很明显就能够
在技术方案的范围中所记载的范畴内，想到各种变更例或修正例，可以 理解，对于它们当然也属于本发明的技术范围中。
例如，在上述实施方式的蒸镀装置100中，在成膜材料中使用了 粉末状(固体)的有机EL材料，在基板G上实施了有机EL多层成膜处 理。但是，本发明的蒸镀装置例如也可以用于如下的MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition:有机金属气相生长法)中，即， 在成膜材料中主要使用液体的有机金属，通过使气化后的成膜材料在加 热为500—700TC的被处理体上分解，而在被处理体上生长薄膜。
此外，本发明的蒸镀装置的控制装置不仅可以用于控制用于形成 有机膜的蒸镀装置，而且还可以用于控制用于制造液晶显示器的蒸镀装 置。
权利要求
1.一种蒸镀装置的控制装置，该蒸镀装置利用载气输送在蒸镀源中气化后的成膜材料，利用所输送的成膜材料在期望的真空状态下对被处理体进行成膜处理，该蒸镀装置的控制装置具有存储部，其存储表示成膜速度与载气流量之间的关系的表格；成膜速度运算部，其基于从用于检测成膜速度的第一传感器中输出的信号，求出在被处理体上的成膜速度；及载气调整部，其使用存储于所述存储部中的表格所示的表示成膜速度与载气流量的关系的数据，基于利用所述成膜速度运算部求出的成膜速度与作为目标的成膜速度，为了获得期望的成膜速度而调整载气的流量。
2. 根据权利要求1所述的蒸镀装置的控制装置，其中，在所述蒸 镀装置中，设有用于控制气体的流量的流量控制器，所述载气调整部通 过控制所述流量控制器来调整流入到所述蒸镀源的载气的流量。
3. 根据权利要求1所述的蒸镀装置的控制装置，其中，所述存储 部存储多个不同的表格，还具备表格选择部，其基于工艺条件从存储于所述存储部的多个表 格中选择期望的表格，所述载气调整部使用由所述表格选择部选择的表格来调整载气流量。
4. 根据权利要求3所述的蒸镀装置的控制装置，其中，所述工艺 条件包括所述蒸镀源的形状、所述蒸镀源的材质、收纳于所述蒸镀源中 的成膜材料的种类或收纳于所述蒸镀源中的成膜材料的位置中的至少 任一个条件。
5. 根据权利要求1所述的蒸镀装置的控制装置，其中，所述载气 调整部在利用所述成膜速度运算部求出的成膜速度与作为目标的成膜 速度的偏差小于规定的阈值的情况下，利用载气流量的调整来控制成膜 速度。
6. 根据权利要求5所述的蒸镀装置的控制装置，其中，还具备 温度调整部，其调整所述蒸镀装置的温度；膜厚控制切换部，其将成膜速度的控制切换为利用所述载气调整部的控制和将所述载气调整部的控制和温度调整部的控制并用的控制中 任一个，所述膜厚控制切换部在利用所述成膜速度运算部求出的成膜速度 与作为目标的成膜速度的偏差在规定的阈值以上的情况下，切换为如下 的方法，即，通过利用所述载气调整部调整载气的流量，并利用所述温 度调整部调整所述蒸镀装置的温度来控制成膜速度。
7. 根据权利要求5所述的蒸镀装置的控制装置，其中，所述规定 的阈值被设定为，在利用所述载气调整部的控制之时，利用所述成膜速 度运算部求出的成膜速度与作为目标的成膜速度的偏差的最大值处于5倍以内。
8. 根据权利要求l所述的蒸镀装置的控制装置，其中， 所述蒸镀源设置多个，所述成膜速度运算部基于在期望的真空状态下从用于分别检测收 纳于所述多个蒸镀源中的成膜材料的气化速度的多个第二传感器中输 出的信号，分别求出多个成膜材料的气化速度，所述载气调整部使用存储于所述存储部中的表格所示的表示成膜 速度与载气流量之间的关系的数据，基于利用所述成膜速度运算部求出 的各成膜材料的气化速度与作为目标的气化速度，对每个蒸镀源调整流 入到各蒸镀源的载气的流量。
9. 根据权利要求1所述的蒸镀装置的控制装置，其中，所述控制 装置控制以有机EL成膜材料或有机金属成膜材料作为成膜材料利用蒸 镀在被处理体上形成有机EL膜或有机金属膜的蒸镀装置的成膜速度。
10. —种蒸镀装置的控制装置，该蒸镀装置利用载气输送在蒸镀源 中气化后的成膜材料，利用所输送的成膜材料在期望的真空状态下对被 处理体进行成膜处理，该蒸镀装置的控制装置具备成膜速度运算部，其基于从用于检测成膜速度的第一传感器中输出 的信号，求出在被处理体上的成膜速度；载气调整部，其基于利用所述成膜速度运算部在上次或上次以前求 出的成膜速度和利用所述成膜速度运算部在本次求出的成膜速度，为了 获得期望的成膜速度而对载气流量进行反馈控制。
11. 一种蒸镀装置的控制方法，该蒸镀装置利用栽气输送在蒸镀源 中气化后的成膜材料，利用所输送的成膜材料在期望的真空状态下对被 处理体进行成膜处理，该蒸镀装置的控制方法如下将表示了成膜速度与载气流量之间的关系的表格存储于存储部中，基于从用于检测成膜材料的气化速度的第 一传感器中输出的信号， 求出在被处理体上的成膜速度，使用存储于所述存储部中的表格所示的表示成膜速度与载气流量 的关系的数据，基于所述求出的成膜速度和作为目标的成膜速度，为了 获得期望的成膜速度而调整载气的流量。
全文摘要
本发明提供一种蒸镀装置的控制装置，是利用在蒸镀源(110)中气化后的成膜材料对基板(G)进行成膜处理的蒸镀装置(100)的控制装置(700)，控制装置(700)的存储部(710)存储表示成膜速度与载气流量之间的关系的多个表格。表格选择部(750)基于工艺条件，从存储于存储部(710)中的多个表格中选择期望的表格。成膜控制器(200)基于从用于检测成膜材料的气化速度的QCM(180)中输出的信号，求出在基板G上的成膜速度。载气调整部(760)使用存储于存储部(710)中的表格所示的表示成膜速度与载气流量的关系的数据，与利用成膜控制器(200)求出的成膜速度与作为目标的成膜速度的偏差对应地，为了获得期望的成膜速度而调整载气流量。
文档编号C23C14/24GK101622373SQ20088000703
公开日2010年1月6日 申请日期2008年2月27日 优先权日2007年3月6日
发明者吹上纪明, 生田浩之 申请人:东京毅力科创株式会社