专利名称：含铜固结磨料研磨抛光垫的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种精加工工具，尤其是一种研磨抛光加工用的研磨抛光垫，具体地说是一种树脂含铜的固结磨料研磨抛光垫。
背景技术：
据预测，全球LED照明市场规模2012年将高达120亿美元，手持式家用电器需求增长强劲，因而，蓝宝石衬底材料和玻璃显示屏市场看好。美国、中国等国家先后启动了核聚变发电计划，其中仅美国“国家点火计划”中，光学元件用量达到4万多件，光学元件还广泛应用于武器精确制导系统、空间遥感系统、全固态激光显示和医疗系统等。上述产品中， 大量采用超精密研磨抛光作为其加工手段。研磨抛光加工技术水平制约着我国硬盘、光学、 半导体等与我国国民经济运行安全和国防安全密切相关的技术发展。研磨抛光垫是研磨抛光加工最重要的工具之一，其决定器件最终的加工质量、加工效率及加工成本。目前研磨抛光加工中使用的抛光垫主要有浙青盘、聚氨酯和绒布研磨抛光垫。浙青盘较软，加工过程易变形，要不断的修整以保证被抛光工件的面形，没有自修整能力 ’聚氨酯研磨抛光垫有一定的硬度，但被抛光工件在压力的作用下易陷入抛光垫，工件易塌边、 影响工件的面形精度，同时，磨料颗粒易陷入抛光垫的孔中，影响加工的继续进行，所以，每隔一段时间抛光垫需要修整；绒布抛光垫较软，一般用于提高工件的表面粗糙度，不易改变工件的面形精度。目前使用的研磨抛光垫刚度不够，易变形、难以保证工件的面形精度，同时要不断的修整以维持加工的继续进行，加工效率低。目前加工中使用的树脂铜盘主要用于研磨，加工过程中需要添加含磨料的抛光液，加工后清洗困难，树脂铜盘容易磨钝，需定时修整、加工效率低，表面质量差、研磨后还需要抛光等工序提高表面质量。
发明内容
本发明的目的是针对现有加工过程中研磨抛光垫的刚度不够、需要不断修整，影响加工的面形精度、降低加工效率的问题，发明一种刚度高具有自修整功能的树脂含铜的固结磨料研磨抛光垫。本发明的技术方案是
一种含铜固结磨料研磨抛光垫，其特征是它主要由磨料、铜粉和树脂均勻混合固化而成，所述的磨料、铜粉和树脂的质量百分比为磨料铜粉树脂=5%-50% 0. 1%-30% 20%-90%。所述的磨料为金刚石、氧化硅、氧化铈、氧化铝、碳化硅、碳化硼、氧化锆中的一种
或几种组合。所述的磨料的粒度为50纳米-100微米。所述的铜粉为雾化纯铜粉、电解铜粉、纯铜粉、黄铜粉、青铜粉、金属铜粉中的一种或几种组合。
所述的铜粉粒度为50纳米-50微米。本发明的有益效果
本发明的研磨抛光垫可广泛应用于半导体、玻璃、光学晶体、陶瓷等材料的研磨抛光加工，加工过程提高工件的面形精度、避免停工修整研磨抛光垫，加工效率高、表面质量优。本发明的研磨抛光垫，在固结磨料研磨抛光垫中添加铜粉，提高研磨抛光垫的刚度，加工过程中不易变形，改善工件的面形；同时，加工过程中与研磨抛光液配合，提高研磨抛光垫的自修整能力，避免停工修整研磨抛光垫，有利于加工过程长时间连续进行，提高加工效率；在树脂铜盘中添加磨料，提高加工效率和工件的表面质量。本发明结构简单，易于实现，具有成本低、产出高的优点。本发明有利于提高研磨抛光垫的刚度，改善工件面形精度；与研磨抛光液配合，提高研磨抛光垫的自修整能力，有利于加工过程长时间连续进行，提高加工效率和工件的表
面质量。
具体实施例方式下面结合实施例对本发明作进一步的说明。实施例1 一种含铜固结磨料研磨抛光垫，它由350g粒度为40微米的金刚石磨料、150g粒度为20微米的雾化纯铜粉和500g树脂(可采用与现有抛光垫中使用的完全相同的树脂，如亲水树脂，也可采用申请人在先申请的申请号为2007100248219、 2008102440960,2008100227414,2009102135958,201010145260X 中所使用的树脂配方加以实现，下同)均勻混合固化后形成，其制备方法与现有的抛光垫相同。本发明的关键点是在抛光垫中增加了铜粉，其余组份除配比关系外与现有技术基本相同。用制成研磨抛光垫加工K9玻璃面形提高100%，材料去除率提高300%，自修整能力提高50倍。研磨抛光单晶硅片，面形提高80%，材料去除率提高400%，自修整能力提高30倍。具体实施时，磨料还可采用氧化硅、氧化铈、氧化铝、碳化硅、碳化硼、氧化锆中的一种或几种组合来代替，铜粉还可用电解铜粉、纯铜粉、黄铜粉、青铜粉、金属铜粉中的一种或几种组合来代替。实施例2 —种含铜固结磨料研磨抛光垫，它由磨料、铜粉和树脂均勻混合，固化后形成，其制备方法与现有的抛光垫相同。其中磨料为氧化铈200g，铜粉为纯铜粉250g， 树脂^0g。本发明的关键点是在抛光垫中增加了铜粉，其余组份除配比关系外与现有技术基本相同。氧化铈的粒度为10微米，纯铜粉的粒度为10微米。制成研磨抛光垫加工K9玻璃面形提高150%，材料去除率提高200%，自修整能力提高60倍。研磨抛光单晶硅片，面形提高50%，材料去除率提高150%，自修整能力提高20倍。具体实施时，磨料还可采用氧化硅、金刚石、氧化铝、碳化硅、碳化硼、氧化锆中的一种或几种组合来代替，铜粉还可用电解铜粉、雾化纯铜粉、黄铜粉、青铜粉、金属铜粉中的一种或几种组合来代替。实施例3 —种含铜固结磨料研磨抛光垫，它由磨料、铜粉和树脂均勻混合，固化后形成，其制备方法与现有的抛光垫相同，其中磨料为碳化硅400g，铜粉为黄铜粉150g 树脂450g。本发明的关键点是在抛光垫中增加了铜粉，其余组份除配比关系外与现有技术基本相同。所述的碳化硅的粒度为50-60微米，黄铜粉的粒度为20微米。制成研磨抛光垫加工K9玻璃面形提高50%，材料去除率提高300%，自修整能力提高40倍。研磨抛光单晶硅片，面形提高40%，材料去除率提高200%，自修整能力提高20倍。
实施例4 一种含铜固结磨料研磨抛光垫，它由50g粒度为50纳米的金刚石磨料、 Ig粒度为50纳米的雾化纯铜粉和200g树脂均勻混合固化后形成，其制备方法与现有的抛光垫相同。本发明的关键点是在抛光垫中增加了铜粉，其余组份除配比关系外与现有技术基本相同。用制成研磨抛光垫加工K9玻璃面形提高80%，材料去除率提高200%，自修整能力提高20倍。研磨抛光单晶硅片，面形提高70%，材料去除率提高200%，自修整能力提高20 倍。具体实施时，磨料还可采用氧化硅、氧化铈、氧化铝、碳化硅、碳化硼、氧化锆中的一种或几种组合来代替，铜粉还可用电解铜粉、纯铜粉、黄铜粉、青铜粉、金属铜粉中的一种或几种组合来代替。实施例5 —种含铜固结磨料研磨抛光垫，它由磨料、铜粉和树脂均勻混合，固化后形成，其制备方法与现有的抛光垫相同，其中磨料为氧化铈500g，铜粉为纯铜粉300g，树脂900g。本发明的关键点是在抛光垫中增加了铜粉，其余组份除配比关系外与现有技术基本相同。氧化铈的粒度为100微米，纯铜粉的粒度为50微米。制成研磨抛光垫加工K9玻璃面形提高120%，材料去除率提高150%，自修整能力提高40倍。研磨抛光单晶硅片，面形提高30%，材料去除率提高140%，自修整能力提高15倍。具体实施时，磨料还可采用氧化硅、金刚石、氧化铝、碳化硅、碳化硼、氧化锆中的一种或几种组合来代替，铜粉还可用电解铜粉、雾化纯铜粉、黄铜粉、青铜粉、金属铜粉中的一种或几种组合来代替。本发明未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。
权利要求
1.一种含铜固结磨料研磨抛光垫，其特征是它主要由磨料、铜粉和树脂均勻混合固化而成，所述的磨料、铜粉和树脂的质量百分比为磨料铜粉树脂=5%-50% 0. 1%"30% 20%-90%。
2.根据权利要求1所述的含铜固结磨料研磨抛光垫，其特征是所述的磨料为金刚石、 氧化硅、氧化铈、氧化铝、碳化硅、碳化硼、氧化锆中的一种或几种组合。
3.据权利要求1或2所述的含铜固结磨料研磨抛光垫，其特征是所述的磨料的粒度为 50纳米-100微米。
4.根据权利要求1所述的含铜固结磨料研磨抛光垫，其特征是所述的铜粉为雾化纯铜粉、电解铜粉、纯铜粉、黄铜粉、青铜粉、金属铜粉中的一种或几种组合。
5.根据权利要求1或4所述的含铜固结磨料研磨抛光垫，其特征是所述的铜粉粒度为 50纳米-50微米。
全文摘要
一种含铜固结磨料研磨抛光垫，其特征是它主要由磨料、铜粉和树脂均匀混合固化而成，所述的磨料、铜粉和树脂的质量百分比为磨料铜粉树脂=5%-50%0.1%-30%20%-90%。本发明有利于提高研磨抛光垫的刚度，改善工件面形精度；与研磨抛光液配合，提高研磨抛光垫的自修整能力，有利于加工过程长时间连续进行，提高加工效率和工件的表面质量。
文档编号B24D3/00GK102267104SQ20111022313
公开日2011年12月7日 申请日期2011年8月5日 优先权日2011年8月5日
发明者叶剑锋, 孙玉利, 左敦稳, 朱永伟, 李军, 樊吉龙 申请人:南京航空航天大学