专利名称：硅晶圆抛光制程方法
技术领域：
本发明属于半导体材料生产应用领域，特别是一种硅晶圆抛光制程方法及其制造方法。
背景技术：
抛光是硅晶圆(以下简称“晶圆”)加工必经的一道工序，抛光制程的好坏直接影响到晶圆的品质，从而决定最终电子广品的质量。有蜡单面抛光制程包含以下主要步骤贴付前洗净一贴付一粗抛一中抛一精抛一
剥离一去蜡洗净。三段抛光增加了制程的繁琐性，也增加了机台的成本投入。三段抛光都可简要分为以下阶段减压水抛一加压研磨液抛光一减压水抛，每段抛光结束后都要将贴有晶圆的陶瓷板搬到下步制程机台，这之间的每步搬送时间如果超过5分钟，晶圆表面很容易产生“白雾”现象。晶圆剥离后一般会放置在加入表面活性剂的水槽中，但随着使用时间的推移，带入槽内的研磨液颗粒以及生产现场的环境颗粒会在槽内逐渐积累，晶圆产品的颗粒污染风险增加。而且更换纯水、重新配制溶液也会占用一部分生产时间。
发明内容
本发明的目的在于提供一种针对已有制程中存在的不足，有效简化了制程、提升制程的合格率的硅晶圆抛光制程方法及其制造方法。本发明硅晶圆抛光制程方法，包括如下步骤SI，前洗净；S2，贴付；S3，粗抛；S4，中抛；S5，精抛；S6，剥离；S7，去蜡洗净；其中所述粗抛、所述中抛及所述精抛分别包括，SI. 1，前减压水抛；S1. 2，加压研磨液抛光；SI. 3，后减压水抛；在所述粗抛及所述精抛中的所述后减压水抛之后加有减压表面活性剂抛光步骤。所述减压表面活性剂抛光中的表面活性剂为聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液。所述聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液的浓度为0. 1% 0. 5%。所述聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液所使用的溶剂为纯水，所述纯水的电阻率大于17MQ *cm,0. 20 iim粒径以上颗粒每毫升少于20个，总有机碳小于3ppb。本发明硅晶圆抛光制程方法简化了抛光制程，有效降低了固定资产的投入，另外通过增加“减压表面活性剂抛光”，有效消除了晶圆表面的“白雾”现象。而采用高品质的流动纯水进行剥离后晶圆的短期保存，不仅颗粒问题得以改进，更换、配制溶液的作业也无需进行，减轻了作业负担，制程的合格率也得以提升。
具体实施例方式本发明硅晶圆抛光制程方法，包括如下步骤S1，前洗净；S2，贴付；S3，粗抛；S4，中抛；S5，精抛；S6，剥离；S7，去蜡洗净；其中粗抛、中抛及精抛分别包括，SI. 1，前减压水抛；S1. 2，加压研磨液抛光；S1. 3，后减压水抛；在粗抛及精抛中的后减压水抛之后加有减压表面活性剂抛光步骤。减压表面活性剂抛光中的表面活性剂为聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液。聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液的浓度为0. 1% 0. 5%。聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液所使用的溶剂为纯水，纯水的电阻率大于17MQ cm,0. 20 iim粒径以上颗粒每毫升少于20个，总有机碳小于3ppb0本发明硅晶圆抛光制程方法将三段抛光整合为两台机器完成，其中粗抛仍使用一台机器，中抛和精抛整合到一台机器上，因为制程整合后中抛完不需要搬运陶瓷板了，因此，在“粗抛”和“精抛”的“后减压水抛”后增加“减压表面活性剂抛光”。其中，对中抛研磨液采用循环使用，精抛研磨液采用直排方式。粗抛和精抛制程中在“减压水抛”后增加“减压表面活性剂抛光”，有效解决了因搬送停留时间长而导致的晶圆表面的“白雾”现象。表面活性剂是选用聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液，根据实际情况，可选择0. 1% 0.5%不同浓度配比。其中溶剂是使用纯水，纯水要求电阻率大于17MQ. cm，0. 20iim粒径以上颗粒每毫升少于20个，总有机碳小于3ppb，槽中的纯水采取溢流方式，根据实际情况，可在0. 5L/min 5L/min范围内选择适宜的溢流量。本表面活性剂也用于晶圆剥离后放置到水槽中等待“去蜡洗净”时浸泡使用。本发明硅晶圆抛光制程方法简化了抛光制程，有效降低了固定资产的投入，另外通过增加“减压表面活性剂抛光”，有效消除了晶圆表面的“白雾”现象。而采用高品质的流动纯水进行剥离后晶圆的短期保存，不仅颗粒问题得以改进，更换、配制溶液的作业也无需进行，减轻了作业负担，制程的合格率也得以提升。以上已对本发明创造的较佳实施例进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。
权利要求
1.硅晶圆抛光制程方法，包括如下步骤 SI，前洗净；S2，贴付；S3，粗抛；S4，中抛；S5，精抛；S6，剥离；S7，去蜡洗净； 其中所述粗抛、所述中抛及所述精抛分别包括，SI. 1，前减压水抛；S1. 2，加压研磨液抛光；SI. 3,后减压水抛； 其特征在于，在所述粗抛及所述精抛中的所述后减压水抛之后加有减压表面活性剂抛光步骤。
2.根据权利要求I所述的硅晶圆抛光制程方法，其特征在于，所述减压表面活性剂抛光中的表面活性剂为聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液。
3.根据权利要求2所述的硅晶圆抛光制程方法，其特征在于，所述聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液的浓度为0. 1% 0. 5%。
4.根据权利要求3所述的硅晶圆抛光制程方法，其特征在于，所述聚氧乙烯烷基苯酚醚水溶液所使用的溶剂为纯水，所述纯水的电阻率大于17MQ cm,0. 20iim粒径以上颗粒每毫升少于20个，总有机碳小于3ppb。
全文摘要
本发明硅晶圆抛光制程方法，包括如下步骤S1，前洗净；S2，贴付；S3，粗抛；S4，中抛；S5，精抛；S6，剥离；S7，去蜡洗净；其中所述粗抛、所述中抛及所述精抛分别包括，S1.1，前减压水抛；S1.2，加压研磨液抛光；S1.3，后减压水抛；在所述粗抛及所述精抛中的所述后减压水抛之后加有减压表面活性剂抛光步骤。本发明硅晶圆抛光制程方法简化了抛光制程，有效降低了固定资产的投入，另外通过增加“减压表面活性剂抛光”，有效消除了晶圆表面的“白雾”现象。而采用高品质的流动纯水进行剥离后晶圆的短期保存，不仅颗粒问题得以改进，更换、配制溶液的作业也无需进行，减轻了作业负担，制程的合格率也得以提升。
文档编号B24B37/02GK102773790SQ20121026611
公开日2012年11月14日 申请日期2012年7月30日 优先权日2012年7月30日
发明者余图斌, 李彬, 贺贤汉, 金文明 申请人:上海申和热磁电子有限公司