一种镁合金无氰电镀工艺打底铜处理液的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种镁合金无氰电镀工艺打底铜处理液，该处理液由下列组份组成：二价铜离子60-80g/L，镍离子10-20g/L，镁离子0-6g/L，醋酸10-16g/L，柠檬酸8-12g/L，羟基亚乙基二膦酸（HEDP）20-24g/L，硫脲或其衍生物适量，十二烷基硫酸钠1-2g/L，处理液pH值为0.5-1.5。
【专利说明】一种镁合金无氰电镀工艺打底铜处理液
【技术领域】
[0001]本发明涉及电镀领域，特别涉及一种镁合金无氰电镀工艺打底铜处理液。
【背景技术】 [0002]镁合金由于具有重量轻，高的比强度和比刚度，优良的薄壁成型性能和可再生性能、热传导性，以及良好的电磁屏蔽作用，很高的抗电磁干扰(EMI)性能等优点，在国防军工、交通运输、光学仪器、电子器件壳体等领域有广泛的应用。镁合金的最大用途是作为汽车、笔记本电脑及其它微型电器上压铸件的使用，汽车工业的减震与轻质节能促使镁合金在制造汽车零部件方面的比例不断增加。通讯与电子行业也出现了大量使用镁合金的便携式电子器材，如手提电话、便携式电脑和小型摄录像机等产品。近几年来，镁合金在电子产品、汽车零部件中的应用已具有其它材料不可替代的作用，其用量每年以20%的速率增长，被称为“时代金属”和“21世纪金属”。
[0003]然而,镁的电极电势低,化学活性高。在潮湿的空气、含硫气氛和海洋大气中均会遭受严重的电化学腐蚀，这阻碍了镁合金产品在应用中发挥其优势，限制了其应用范围。为克服镁合金的上述缺陷，在许多环境中需要使用耐蚀的金属及其合金作为保护镁合金的防护层，但镁合金是一种难镀的基材，在其表面直接进行电镀或化学镀相当困难。
[0004]国内外报道，用于镁合金表面防护较为成熟的技术是Dow的浸Zn氰化镀Cu打底和直接化学镀工艺。由Dow公司开发的浸Zn工艺的工艺流程为:表面处理一活化一浸Zn —氰化镀Cu —化学镀N1-P。但此工艺中氰化镀铜打底时的镀液中含有大量CuCN、KCN、NaCN等氰化物，毒性大，对环境污染严重，后处理麻烦；且对含Al量高的合金不适用。采用直接化学镀N1-P的方法，其工艺简单，镀液中不含氰化物，逐渐受到重视，但镀层与基体的结合力不如氰化镀铜打底的镀件高。
【发明内容】
[0005]针对现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种镁合金无氰电镀工艺打底铜处理液。该处理液能替代氰化镀铜的工艺进行打底铜处理，以解决因氰化镀铜造成的环境污染，减少电镀废水的处理成本，提高经济和社会效益。
[0006]为实现上述目的，本发明采用如下的技术方案:
[0007]—种镁合金无氰电镀工艺打底铜处理液，该处理液由下列组份组成:二价铜离子60-80g/L,镍离子10-20g/L,镁离子0_6g/L,醋酸10_16g/L,柠檬酸8_12g/L,羟基亚乙基二膦酸(HEDP) 20-24g/L，硫脲或其衍生物适量，十二烷基硫酸钠l_2g/L，处理液pH值为
0.5-1.5o
[0008]其中二价铜离子可以是无机酸或有机酸的铜盐，如硫酸铜，碳酸铜，醋酸铜等。
[0009]其中柠檬酸可用酒石酸或葡萄糖酸代替。
[0010]其中羟基亚乙基二膦酸(HEDP)可用乙二胺四乙酸代替。
[0011]本发明的打底铜处理液的使用方法为将镁合金进行除油前处理后浸在上述处理液中，处理液的温度为66-70°C，处理时间为2-3分钟。
[0012]本发明的电镀工艺打底铜处理液具有如下有益效果:
[0013]本发明的打底铜处理液，增强了后续镀层与基体的结合力，并且避免了氰化镀铜打底造成环境被严重污染的后果，是一种环保产品；采用该处理液打底后，经后续镀覆可获得结合力强的金属涂层，镀膜厚度均匀，耐蚀性高。本发明工艺中使用的原料，价格便宜，生产成本低廉，经济效益明显提高。
【具体实施方式】
[0014]实施例一
[0015]一种镁合金无氰电镀工艺打底铜处理液，该处理液由下列组份组成:硫酸铜60g/L，硫酸镍20g/L，醋酸10g/L，柠檬酸12g/L，羟基亚乙基二膦酸(HEDP)20g/L，硫脲或其衍生物适量，十二烷基硫酸钠2g/L，处理液pH值为0.5。
[0016]实施例二
[0017]一种镁合金无氰电镀工艺打底铜处理液，该处理液由下列组份组成:碳酸铜60g/L，硫酸镍20g/L，硫酸镁lg/L，醋酸10g/L，酒石酸12g/L，乙二胺四乙酸20g/L，硫脲或其衍生物适量，十二烷基硫酸钠2g/L，处理液pH值为0.5。
[0018]实施例三
[0019]一种镁合金无氰电镀工艺打底铜处理液，该处理液由下列组份组成:醋酸铜80g/L，硫酸镍10g/L，醋酸16g/L，柠檬酸8g/L，羟基亚乙基二膦酸(HEDP) 24g/L，硫脲或其衍生物适量，十二烷基硫酸钠lg/L，处理液pH值为1.5。
[0020]实施例四
[0021]一种镁合金无氰电镀工艺打底铜处理液，该处理液由下列组份组成:醋酸铜80g/L，硫酸镍10g/L，碳酸镁6g/L，醋酸16g/L，葡萄糖酸8g/L，羟基亚乙基二膦酸(HEDP)24g/L，硫脲或其衍生物适量，十二烷基硫酸钠lg/L，处理液pH值为1.5。
[0022]实施例五
[0023]一种镁合金无氰电镀工艺打底铜处理液，该处理液由下列组份组成:硫酸铜70g/L，硫酸镍15g/L，碳酸镁3g/L，醋酸13g/L，柠檬酸10g/L，羟基亚乙基二膦酸(HEDP) 22g/L，硫脲或其衍生物适量，十二烷基硫酸钠l_2g/L，处理液pH值为0.5-1.5。
[0024] 申请人:声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程，但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程，即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属【技术领域】的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
【权利要求】
1.一种镁合金无氰电镀工艺打底铜处理液，其特征在于，该处理液由下列组份组成:二价铜离子60-80g/L，镍离子10-20g/L，镁离子0_6g/L，醋酸10_16g/L，柠檬酸8_12g/L，羟基亚乙基二膦酸(HEDP) 20-24g/L，硫脲或其衍生物适量，十二烷基硫酸钠l_2g/L，处理液pH 值为 0.5-1.5。
2.如权利要求1所述的一种镁合金无氰电镀工艺打底铜处理液，其特征在于，其中二价铜离子是无机酸或有机酸的铜盐，所述的铜盐为硫酸铜，碳酸铜，醋酸铜。
3.如权利要求1所述的一种镁合金无氰电镀工艺打底铜处理液，其特征在于，其中柠檬酸可用酒石酸或葡萄糖酸代替。
4.如权利要求1所述的一种镁合金无氰电镀工艺打底铜处理液，其特征在于，其中羟基亚乙基二膦酸(HEDP )可用乙二胺四乙酸代替。
【文档编号】C23C18/40GK103668137SQ201210323957
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月4日 优先权日:2012年9月4日
【发明者】丁汉林, 魏峰, 严峻, 陈伟 申请人:无锡福镁轻合金科技有限公司