专利名称：含有铜层和/或铜合金层的金属膜用蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法
技术领域：
本发明涉及用于蚀刻含有铜层和/或铜合金层的金属膜、特别是铜层和/或铜合金层/钥层压膜的蚀刻用组合物。本发明尤其涉及可以用于形成布线、电路、电极、连接部等微细结构的，典型地用于制作液晶显示器的门电路、源极及漏极电极等的金属层压膜用蚀刻液组合物。
背景技术：
以往，液晶显示器的门电路、源极及漏极电极材料等，从便宜且电阻小的角度出发，使用铝或铝合金，但在实用上，因与作为基础的玻璃基板之间的贴附性比较低，所以在下部使用钥等金属或其合金的膜形成铝/异种金属层压膜而使用。另一方面，近些年随着液晶显示器的大屏幕化、高精细化的进展，需要向更低电阻的铜布线转换。因为铜也与作为基础的玻璃基板之间的贴附性低，所以在铜的下面使用铜合金、钥等膜，作为铜/铜合金、铜/钥等层压膜，应用到门电路、源极及漏极电极材料，这样的开发研究正在活跃地进行着。此外，最近在进行一种尝试，即，为了应对3D显示的高速响应化，或应对低耗电量化，将开关元件由非晶硅TFT (薄膜晶体管)替换成氧化物半导体TFT。因此，提出了在门电路、源极及漏极电极的下层形成ZnO (氧化锌)膜或IGZO (铟-镓-锌-氧化物)膜的结构。在蚀刻加工这些氧化物半导体膜时，提出了一种中性 弱碱性的蚀刻液组合物(专利文献1)。而且，已知氧化物半导体膜即使在强碱性中也会溶解(专利文献2、非专利文献I)。例如在铜/铜合金/氧化物半导体膜或铜/钥/氧化物半导体膜这种层压结构中，为了不浸蚀氧化物半导体膜而只溶解铜/铜合金或铜/钥膜，则需要中性 碱性的蚀刻液组合物。作为碱性的铜蚀刻液组合物，已知过氧化氢类或铜(II)离子+氨类(专利文献3、4)。但是，因为过氧化氢在碱性中稳定性低、液体寿命变短，因而不实用。铜(II)离子+氨类，铜的蚀刻速度高，缺少精细加工性，加上氨的PKa为9. 25，从而在pH为9以上时氨的挥发性高，因此难以保持一定的蚀刻性能。如上所述，还未开发出在中性 碱性范围内，由铜/铜合金形成的膜的蚀刻液，或可高加工精度地蚀刻其与其他金属(例如钥)形成的层构成的层压膜且液体稳定性优异的同步蚀刻液组合物。作为以铜(II)离子为氧化剂的铜蚀刻液组合物，已知有氯化铜+盐酸类或上述的铜(II)离子+氨类。但是，不 论哪一个铜的蚀刻速度都非常高，不具有精细加工性。而且，氯化铜+盐酸类只能在强酸性中使用。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利特开2001-210630号公报
专利文献2 :日本专利特开2008-141113号公报
专利文献3 :日本专利特开2009-091656号公报
专利文献4 :日本专利特开2005-105333号公报
非专利文献
非专利文献1:内海健太郎等，《ΖΑ0 (添加Al的ZnO)薄膜的特性》，东曹(東^ 一) 研究·技术报告，第49卷，2005年，第45 48页发明内容
要解决的技术问题
即，本发明的课题为，解决上述问题，提供一种能够精度良好地蚀刻具有铜层和/ 或铜合金层的金属膜，或由该层与其他金属形成的层构成的层压膜，且液体寿命长的蚀刻液组合物。
解决技术问题的技术手段
立足于上述问题，在深入的研究中，本发明人发现，使用铜(II)离子作为氧化剂， 组合作为络合剂的β -丙氨酸，能够在弱碱性范围内对铜/铜合金，或铜/钥层压膜进行蚀刻，并进一步深入研究，结果至此完成了本发明。
S卩，本发明涉及以下蚀刻液组合物及蚀刻方法。
1.用于蚀刻含有铜层和/或铜合金层的金属膜的蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物含有铜(II)离子、β-丙氨酸及水。
2.根据I所述的蚀刻液组合物，其pH为8. 5 11。
3.根据I或2所述的蚀刻液组合物，其铜(II)离子的体积摩尔浓度为O.01 O. 6mol/l。
4.根据f 3中任意一项所述的蚀刻液组合物，其β -丙氨酸的体积摩尔浓度为O.5 3. Omol/1 ο
5.根据广4中任意一项所述的蚀刻液组合物，其含有碘酸。
6.根据I飞中任意一项所述的蚀刻液组合物，其含有O. ΟΓΟ. 6mol/l的铜(II)离子、O. 5^3. Omol/1 的 β -丙氨酸、O. θΓ . Omol/1 的碘酸、及水，pH 为 8. 5 11。
7.根据1飞中任意一项所述的蚀刻液组合物，其不含有选自乙二胺、乙二胺四乙酸、甘氨酸、L-丙氨酸中一种或两种以上的化合物。
8. 一种蚀刻方法，其使用根据f 7中的任意一项所述的蚀刻液组合物，蚀刻含有铜层和/或铜合金层的金属膜。
9.根据8所述的蚀刻方法，金属膜为铜层或铜合金层的单层膜，或者为含有至少一层的铜层或铜合金层的层压膜。
10.根据9所述的蚀刻方法，金属膜为进一步含有能被铜(II)离子氧化的材料形成的层的层压膜。
11.根据10所 述的蚀刻方法，能被铜(II)离子氧化的材料为钥。
12.根据8 11中任意一项所述的蚀刻方法，金属膜形成于玻璃基板上、硅晶上或氧化物半导体上。
发明效果
本发明的蚀刻液组合物，在碱性中可以溶解铜层、铜合金层、可被铜(I I)离子氧化的金属层(例如钥层)等。而且，可以在不浸蚀氧化物半导体膜等的中性 碱性的PH条件下使用，例如，即使上述各层形成在氧化物半导体上的情况下，也不会给暴露的氧化物半导体膜带来损害，可以有效地形成液晶显示器用的电极等的精细结构。此外，以铜(II)离子为氧化剂，没有发泡性、爆炸性等，是安全的，即使氧化剂被消耗，也会通过溶解氧自然恢复，所以液体寿命长，保存稳定性优异。而且，用作络合剂的β -丙氨酸也可以用作PH缓冲剂，所以能够防止由pH变动引起的蚀刻特性的变化。
图1是表示蚀刻液组合物中碘酸含量改变时的行为变化的图表。图2是表示蚀刻液组合物中pH改变时的蚀刻行为的图表。图3是表示蚀刻液组合物的铜离子、β -丙氨酸浓度与铜合金基板的适量蚀刻时间的图表。图4是表示蚀刻液组合物的铜离子、β -丙氨酸浓度与铜板蚀刻速度的图表。
具体实施例方式本发明的蚀刻液组合物，用于蚀刻含有铜层和/或铜合金层的金属膜(包括由铜层和/或铜合金层形成的金属膜)，特别用于蚀刻铜层和/或铜合金层/钥层压膜，其含有铜
(II)离子、β-丙氨酸及水。通过使之成为铜(II)离子+ β-丙氨酸类的蚀刻液组合物，因为没有水以外的挥发成分，所以稳定性高，能够以适于批量生产的蚀刻速度，蚀刻例如铜/铜合金膜或铜/钥膜等。
本发明的蚀刻液组合物，可以在弱碱性 碱性的范围内使用，能够在不浸蚀氧化物半导体膜等的状态下，蚀刻含有铜层等的金属膜。本发明的蚀刻液组合物的pH，优选8. 5^11,特别优选9. (TlO. 5，进一步优选1(Γ10. 5。如果pH过低，铜及钥的蚀刻速度会降低，从而会延长基板处理时间，如果pH过高，铜的蚀刻速度会降低，有时会产生氢氧化铜的沉淀。可用于本发明的蚀刻液组合物的pH调节剂，无特殊限定，可以使用氢氧化四甲铵(TMAH)、氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、氨或部分胺化合物。从不与铜离子相互作用、挥发性低的观点出发，优选氢氧化四甲铵(TMAH )。在本发明的蚀刻液组合物中，铜(II)离子作为氧化剂作用后的铜(I)离子，通过液体中的溶解氧容易地变回铜(II)离子，可以不补充水以外的成分而长期使用，液体寿命长。像这样，通过使其成为铜(II)离子+ β-丙氨酸体系，具有长期保存稳定性等以往没有的优异的性能。关于本发明的蚀刻液组合物的作用原理，概述如下。在本发明的蚀刻液组合物中，通过铜(II)离子氧化铜层、铜合金层、钥层等。在碱性中，虽然铜(II)离子作为氢氧化铜而沉淀，但通过添加β-丙氨酸，能够作为铜(ΙΙ)-β-丙氨酸络合物([CU (H2NCH2CH2COO) 2])在溶液中稳定地存在。铜(I I) _ β _丙氨酸络合物作为整体无化合价，但因为具有与铜-甘氨酸络合物一样的分子内极性，所以易溶于水。
作为蚀刻对象的金属膜中的金属铜，被铜(II)离子氧化，作为铜(I)离子溶解。氧化了金属铜的铜(II)离子被还原，一样成为铜(I)离子。这些铜(I)离子虽然不作为氧化剂起作用，但是容易被溶解氧氧化，变回铜(II)离子。如此地，恢复作为氧化剂的功能。将所涉及的铜的氧化还原反应示于(式I)及(式2)。这里，实际上铜离子作为β-丙氨酸络合物存在，所以反应式变成(式3)及(式4)。并且，式中“ β Ala”表示H2NCH2CH2C00-。
Cu+Cu2+ — 2Cu+(式 I)
2Cu++1/202+2H+ — 2Cu2++H20(式 2)
Cu+[Cu ( β Ala) 2]+2 β Ala — 2 [Cu ( β Ala) 2iT(式 3)
2 [Cu (β Ala) 2] +1/202+2Η. — 2 [Cu ( β Ala) 2]+H2O(式 4)
本发明的蚀刻液组合物，例如，还可以蚀刻由钥形成的层。即，钥也可以被铜离子氧化溶解，但不形成丙氨酸络合物，而是作为钥酸根离子在液体中稳定地存在。氧化还原反应为(式5)及(式6)，但实际上，这种情况下铜离子也是作为β -丙氨酸络合物存在的， 所以反应式变为(式7)及(式8)。
Mo+6Cu2++4H20 — Mo042-+6Cu++8H+(式 5)
6Cu++3/202+6H+ — 6Cu2++3H20(式 6)
Mo+6 [Cu ( β Ala) 2]+4H20 — MoO42+6 [Cu ( β Ala) 2] +8H.(式 7)
6 [Cu ( β Ala) 2] +3/202+6Η+ ^ 6 [Cu ( β Ala) 2] +3Η20(式 8)
乙二胺或乙二胺四乙酸等螯合物、甘氨酸或L-丙氨酸等氨基酸，容易与铜(II)离子络合。但是，即使将这些化合物用作以铜(II)离子为氧化剂的蚀刻液组合物的络合剂， 也几乎不进行蚀刻。作为其原因可认为是，第一，这些化合物与铜(II)离子形成非常稳定的络合物，铜(II)离子不能发挥作为氧化剂的作用，第二，因为这些化合物不能与铜(I)离子络合，所以在铜表面上只形成氧化膜，反应便结束等。并且，当将乙二胺、乙二胺四乙酸、 甘氨酸、L-丙氨酸用作络合剂的情况下，钥的蚀刻速度也大幅降低。在本发明的蚀刻液组合物中，因为钥不与丙氨酸络合而溶解，所以应该不受络合剂的影响。因此，除丙氨酸以外的络合剂中，铜络合物的稳定度过高，铜(II)离子难以发挥作为氧化剂的作用，第一条原因被认为是蚀刻不能进行的主要原因。
认为与乙二胺、乙二胺四乙酸、甘氨酸、L-丙氨酸等相比，因为铜(ΙΙ)-β-丙氨酸络合物的络合稳定常数比较低，因此能够适当地反复配位和解离，仅短时间存在的游离铜 (II)离子发挥作为氧化剂的作用。从化学平衡的观点出发，即使由乙二胺等所例示的化合物与铜(II)离子形成的络合物当然也发生解离，但其量极少(或者解离的时间极短)，作为氧化剂的作用不充分。像这样，β-丙氨酸同时具有合适的络合稳定常数和能与铜(I)离子、铜(II)离子二者形成络合物的性质，作为以铜(II)离子为氧化剂的蚀刻液组合物中使用的络合剂非常优异。
作为表现出相同性质的化合物，可以举如在酸性范围内的氯离子、在中性范围内的咪唑等。但是，存在前者只能在酸性范围内使用，二者都几乎不能溶解钥的缺点。
利用上述式I及 式2研究铜的溶解及再次氧化反应时，可知溶解I摩尔铜需要I 摩尔铜(11)离子，将2摩尔所生成的铜(I)离子再次氧化要消耗2摩尔氢离子。即，在一连串的氧化还原反应中，蚀刻液组合物的pH升高。
同样利用式5、式6研究关于钥的溶解时，溶解I摩尔钥消耗6摩尔铜(II)离子，产生8摩尔氢离子。氧化6摩尔所生成的铜(I)离子要消耗6摩尔氢离子。在I摩尔钥的溶解反应和其后继续的铜(I)离子的氧化反应中，因为出现扣除的2摩尔氢离子，蚀刻液组合物的pH会降低。溶解I摩尔铜及恢复铜(II)离子，会消耗2摩尔氢离子，溶解I摩尔钥及恢复铜
(II)离子，会生成2摩尔氢离子。如果将铜和钥等摩尔溶解，则蚀刻液组合物的pH不会变化，但如果考虑到铜/钥层压膜的各金属膜厚或比重、原子量等，以摩尔比计钥的溶解量为铜的l/2(Tl/5左右。因此，实际上蚀刻液组合物的pH会升高。在本发明的蚀刻液组合物中，考虑到铜(II)离子的体积摩尔浓度与丙氨酸的体积摩尔浓度之间的关系，铜(II)离子的体积摩尔浓度优选O. 0Γ0. 6mol/l，特别优选O. 05^0. 3mol/L·如果铜(II)离子的体积摩尔浓度过高，就会有因游离的β _丙氨酸不足引起蚀刻速度降低或导致PH变动的倾向，如果铜(II)离子的体积摩尔浓度过低，就会有因氧化剂不足导致蚀刻速度降低的倾向。在本发明的蚀刻液组合物中，铜(II)离子发挥作为氧化剂的功能。铜离子源，只要溶于水即可无特别限定，例如，可以举出硫酸铜、硝酸铜、醋酸铜、氯化铜、焦磷酸铜等。从蚀刻性能或对水的溶解性等观点出发，优选使用硫酸铜、硝酸铜、醋酸铜等。β_丙氨酸呈式9所示的解离平衡，在水中的酸解离常数为ρΚ&1=3. 55、pKa2=10. 24。
PKa1:3. 55PKa2:10. 24
L 」4HjNCH2CH2GOOH <+H3NCH2CH2COO- < > H2NCH2CH2GOO- ^ ^ ；在本发明的 蚀刻液组合物中，在pH为10以上，铜的蚀刻速度格外提高，对此β-丙氨酸的解离状态起着大的影响。即，这是因为要与铜离子络合，丙氨酸需要成为式9最右边所示的H2NCH2CH2COO-的形态。此外，由于pKa2为10. 24，β -丙氨酸在pHIO附近显示出强的缓冲作用。以摩尔比计，通过使β_丙氨酸为铜浓度的5 20倍，从而使铜的蚀刻速度高速化，同时过量的β-丙氨酸作为PH缓冲剂显示出充分的作用。即，如果将β-丙氨酸用作络合剂，即使铜的氧化还原是PH升高的重要原因，也能够抑制pH变动。在本发明的蚀刻液组合物中，β -丙氨酸的体积摩尔浓度为铜(II)离子的体积摩尔浓度的5 20倍范围的情况下，可得到良好的蚀刻性能，β-丙氨酸的体积摩尔浓度优选O. 5^3. Omol/Ι，更优选1. (Γ2. 5mol/L· β _丙氨酸能够发挥作为络合剂的作用，与铜(II)离子形成络合物，即使在碱性条件下铜(II)离子在液体中也能够稳定存在。此外，在铜表面被铜(II)离子氧化时，与铜(I)离子迅速络合使其在液体中扩散，抑制在铜表面上形成氧化膜或在液体中的沉淀，从而能够进行连续蚀刻。此外，因为β -丙氨酸在PHio附近缓冲作用最大，因此同时还具有作为抑制蚀刻液组合物的PH变动的缓冲剂的作用。如果β_丙氨酸过少，则铜的蚀刻速度降低、pH变动增大，如果过多，则蚀刻液组合物的粘度上升，有蚀刻性能降低的倾向。本发明的蚀刻液组合物，例如，也可以含有碘酸等蚀刻促进剂。一般地，碘酸为氧化剂，在酸性条件下能够蚀刻铜，但存在作为还原产物的碘或碘化铜在基板上析出的问题。但是，在碱性条件中，不发挥作为氧化剂的作用，单独地几乎不进行铜的蚀刻。但是，在碱性中与铜(π)-β-丙氨酸的络合物共存的条件下，能够大幅提高铜的蚀刻速度。少量添加碘酸就会发挥效果，即使大量溶解铜，成分含量也不发生变化。此外，如果添加一定量的碘酸，即使在其上再增加量，铜的蚀刻速度也不会变化。由此可见，在碱性中，在铜(π)-β-丙氨酸络合物共存的条件下，可认为碘酸起到促进铜蚀刻的催化剂的作用。大量添加碘酸不仅没有效果，而且因其自身为酸性物质，所以需要大量用于使蚀刻液组合物调整为碱性的PH 调节剂。因此，作为碘酸的加入量优选O. ΟΓ . Omol/1，更优选O. 03^0. 5mol/l。
本发明的蚀刻液组合物，优选含有O. 01 O. 6mol/l的铜(II)离子、O. 5 3. Omol/ I的3-丙氨酸、0.01 1.0!1101/1的碘酸以及水，pH为8.5 11。而且，特别优选含有O.05 O. 3mol/l的铜(II)离子、1. 0 2· 5mol/l的β -丙氨酸、O. 03 O. 5mol/l的碘酸以及水，pH 为 9. 0 10.5。
此外，本发明的蚀刻液组合物，在一个实施方式中，实质上，仅由作为铜(II)离子源的铜盐、β-丙氨酸、PH调节剂及水构成。而且，在其他实施方式中，实质上，仅由作为铜 (II)离子源的铜盐、β -丙氨酸、碘酸、PH调节剂及水构成。
本发明的蚀刻液组合物，优选不含有比β -丙氨酸更容易与铜(II)离子络合的成分。作为该成分，例如，可以例举如乙二胺、乙二胺四乙酸、甘氨酸、L-丙氨酸等。含有该成分的情况下，根据该成分含量或蚀刻液组合物的PH等诸条件，有几乎不进行铜层、铜合金层、钥层等的蚀刻，或蚀刻速度大幅降低的忧虑。
利用本发明的蚀刻液组合物，能够蚀刻含有铜层和/或铜合金层的金属膜，特别是铜层和/或铜合金层/钥层压膜。
通过本发明的蚀刻方法能够蚀刻的金属膜，典型的为铜层或铜合金层的单层膜， 或者含有至少一层铜层或铜合金层的层压膜。这里，铜合金层为含有铜及任意金属的金属层，含有铜作为主要成分。例如，可以举出CuMn层、CuMgAl层、CuMgAlO层、CuCaO层等。铜合金层典型的为含有90重量％以上的铜，优选含有95重量％以上的铜。
作为本发明的蚀刻方法的对象的金属膜，也可以是进一步含有能被铜(II)离子氧化的材料形成的层的层压膜。能被铜(11)离子氧化的材料为，在金属、金属氧化物等中，被铜(II)离子氧化形成离子，且溶解在蚀刻液中的材料，例如，可以例举钥或以钥作为主要成分的合金，及其氧化物。这里，本发明的蚀刻液组合物，从其特性出发，不适合钛、钛/钥合金的蚀刻，不包括在能被上述的铜(II)离子氧化的材料中。
通过本发明的蚀刻方法所蚀刻的膜，例如，也可以形成于玻璃基板上、硅晶上、氧化锌或IGZO等氧化物半导体上。
涉及本发明的蚀刻方法，关于进行蚀刻的温度优选3(T50°C。在低温下蚀刻速度低，蚀刻所需要的时间过长，在高温下蚀刻速度高，蚀刻的控制性低。
实施例
下面举出实施例详细地说明本发明，但本发明并不限于这些实施例。
另外，在下面的各实 施例中，在没有特别记述的情况下，作为组成例所示的蚀刻液组合物，使用22%氢氧化四甲铵，将pH升高到规定的值。但是，在调整pH时需要大量的氢氧化四甲铵，当在达到目标PH之前，超过了规定的液体用量(例如IOOml)的情况下，使用30% 的氢氧化钠水溶液。此外，在降低pH时,使用10%的硫酸。
在液温35 °C、搅拌速度500r. p.m.的条件下，将各自的压延金属板 (2cmX 2cmX O. 1mm)于IOOml组成例所示的蚀刻液组合物中浸溃2分钟，由蚀刻前后的重量变化计算出铜及钥的蚀刻速度(E.R.)。另外，在玻璃基板上通过溅射法形成铜合金膜或钥膜(200 500A )后，再用溅射法形成铜膜(3000 A ),准备层压成上部为铜层、下部为铜合金层或钥层的基板。接着，在铜层膜上使用抗蚀剂形成图形，完成铜/铜合金或铜/钥层压膜基板。将这种铜/铜合金或铜/钥层压膜基板，在IOOml组成例所示的蚀刻液组合物中，在液温35°C、搅拌速度700r. p. m的条件下进行蚀刻处理。由于组成例所示的蚀刻液组成物几乎均为蓝色 蓝紫色，因此在亚克力水槽中放入烧杯，用从背面照射透过的光来判断适量蚀刻时间(J. E. T)。将基板在各蚀刻液组合物中浸溃1. 5倍适量蚀刻时间后，进行水洗、干燥处理，实施SEM观察。实施例1在O. 079mol/l硫酸铜(以铜(II)离子计为5000ppm)、0. 5 lmol/1络合剂(根据溶解度及调整PH所需的量变动添加量)的组成下，比较各络合剂的有效性。将使用的各组合例示于表I中，将结果示于表2中。另外，在无络合剂添加的条件下，硫酸铜在碱性中未溶解。表I
权利要求
1.一种蚀刻液组合物，其用于蚀刻含有铜层和/或铜合金层的金属膜，其特征在于，含有铜(II)离子、β -丙氨酸及水。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，pH为8.5 11。
3.根据权利要求1或2所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述铜(II)离子的体积摩尔浓度为 O. ΟΓΟ. 6mol/l。
4.根据权利要求Γ3中任意一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述β-丙氨酸的体积摩尔浓度为O. 5^3. Omol/1。
5.根据权利要求广4中任意一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，含有碘酸。
6.根据权利要求广5中任意一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，含有O.01 O. 6mol/l的铜(II)离子、O. 5 3. Omol/1的β -丙氨酸、O. 01 1. Omol/1的碘酸及水， pH 为 8. 5 11。
7.根据权利要求1飞中任意一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，不含有选自乙二胺、乙二胺四乙酸、甘氨酸、L-丙氨酸中的一种或两种以上的化合物。
8.一种蚀刻方法，其特征在于，使用根据权利要求Γ7中任意一项所述的蚀刻液组合物，蚀刻含有铜层和/或铜合金层的金属膜。
9.根据权利要求8所述的蚀刻方法，其特征在于，金属膜为铜层或铜合金层的单层膜， 或者为含有至少一层铜层或铜合金层的层压膜。
10.根据权利要求9所述的蚀刻方法，其特征在于，金属膜为还含有能被铜(II)离子氧化的材料形成的层的层压膜。
11.根据权利要求10所述的蚀刻方法，其特征在于，能被铜(II)离子氧化的材料为钥。
12.根据权利要求8 11中任意一项所述的蚀刻方法，其特征在于，金属膜形成于玻璃基板上、硅晶上或氧化物半导体上。
全文摘要
本发明提供一种蚀刻液组合物，其能够精度良好地蚀刻含有铜层和/或铜合金层的金属膜或由该层与其他金属形成的层组成的层压膜，所述蚀刻液组合物的液体使用寿命长。即，本发明涉及用于蚀刻含有铜层和/或铜合金层的金属膜的蚀刻液组合物，其含有铜(II)离子、β-丙氨酸及水，本发明还涉及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。
文档编号C23F1/34GK103060810SQ201210409288
公开日2013年4月24日 申请日期2012年10月24日 优先权日2011年10月24日
发明者黑岩健次 申请人:关东化学株式会社