专利名称：电磁屏蔽面板及其制备方法和显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及电磁屏蔽技术领域，特别是涉及一种电磁屏蔽面板及其制备方法和一种含有该电磁屏蔽面板的显示器。
背景技术：
传统的电磁屏蔽面板包括玻璃基底及镀于玻璃基底表面上的一层ITO膜，这种电磁屏蔽面板具有一定的电磁屏蔽效果，但其透光效果较差，满足不了一些应用要求。例如，将传统的电磁屏蔽面板应用于液晶显示屏时，其透光效果和视觉效果皆较差；又例如，将传统的电磁屏蔽面板应用于飞机内部时，既要求电磁屏蔽面板具有较好的电磁屏蔽效果，同时还需要电磁屏蔽面板具有较高的透射率，只有这样才使飞行员很好地看到外面的场景，才能满足正常的飞行的需要。而且传统的电磁屏蔽面板中的ITO膜层裸露在外，长时间使用后，容易出现ITO膜层吸水或由于使用不当导致部分ITO膜层刮落，从而导致电磁屏蔽效果下降，进而缩短其使用寿命。
发明内容
基于此，有必要提供一种透射率高且使用寿命较长的电磁屏蔽面板及其制备方法。—种电磁屏蔽面板，包括玻璃基底、设于所述玻璃基底一侧表面的ITO层、设于所述ITO层上的第一 SiO2层、设于所述玻璃基底另一侧表面的Nb2O5层及设于所述Nb2O5层上的第二 SiO2层。在其中一个实施例中，所述ITO层的厚度为8(Tl00nm ;所述第一 SiO2层的厚度为85 95nm ;所述第二 SiO2层的厚度为117 122nm ;所述Nb2O5层的厚度为13 16nm。上述电磁屏蔽面板通过在玻璃基底的一侧表面上镀制ITO层、ITO层上镀制SiO2层，由于ITO具有电阻率低，透明性好且折射率较高(一般为2. O左右)等优点，而且SiO2的折射率较低(一般为I. 5左右)，利用光的衍射原理及光的波动性特性，ITO层与SiO2层构成两层减反射膜系，在保证电磁屏蔽效果的同时提高了其透射率。为了进一步增进玻璃基底-ITO层-SiO2层的电磁屏蔽效果和提高其透射率，在玻璃基底的另一侧表面上镀制Nb2O5层、在Nb2O5层上镀制SiO2层，Nb2O5具有折射率较高(一般为2. 3左右)等优点，同样利用光的衍射原理及光的波动性特性，Nb2O5层与SiO2层构成两层减反射膜系，从而形成一种双面高透防电磁屏蔽的电磁屏蔽面板。因此，上述电磁屏蔽面板具有优良的电磁屏蔽效果和高透射率，同时，ITO层外的SiO2层对ITO层能够起到很好的保护作用，从而上述电磁屏蔽面板具有相对较长的使用寿命。通过测试传统的方阻为15 20欧姆的电磁屏蔽面板和上述方阻为15 20欧姆的电磁屏蔽面板的透射率，透射率分别81%和95%，因此上述设计的电磁屏蔽面板的透射率得到了较大的提高。一种电磁屏蔽面板的制备方法，包括如下步骤使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底一侧表面上镀制ITO层；
使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述ITO层上镀制第一 SiO2层；使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在所述玻璃基底另一侧表面上镀制Nb2O5层；使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述Nb2O5层上镀制第二 SiO2层。在其中一个实施例中，所述使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底一侧表面上镀制ITO层的过程是在直流或中频电源下进行磁控溅射镀膜，其中气体氛围为流量10(T200sccm的氩气氛围。在其中一个实施例中，所述使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述ITO层上镀制第 一SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHZ，气体氛围是Ar与O2的混合气体氛围，其中Ar的流量为100 200sccm, O2的流量为80 120sccm。在其中一个实施例中，所述使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在所述玻璃基底另一侧表面上镀制Nb2O5层的过程中，磁控溅射频率为40KHZ，气体氛围是Ar与O2的混合气体氛围，其中Ar的流量为10(T200sccm，O2的流量为8(Tl00sccm。在其中一个实施例中，所述使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述Nb2O5层上镀制第
二SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHZ，气体氛围是Ar与O2的混合气体氛围，其中Ar的流量为100 200sccm, O2的流量为80 120sccm。上述电磁屏蔽面板的制备方法的制备工艺相对简单，制备得到的电磁屏蔽面板具有优良的电磁屏蔽效果和高透射率。此外，还有必要提供一种使用上述电磁屏蔽面板的显示器。—种显不器,包括电磁屏蔽面板，所述电磁屏蔽面板包括玻璃基底、设于所述玻璃基底一侧表面上的ITO层、设于所述ITO层上的第一 SiO2层、设于所述玻璃基底另一侧表面上的Nb2O5层及设于所述Nb2O5层上的第二 SiO2层。在其中一个实施例中，所述ITO层的厚度为8(Tl00nm ;所述第一 SiO2层的厚度为85 95nm ;所述第二 SiO2层的厚度为117 122nm ;所述Nb2O5层的厚度为13 16nm。上述显示器由于使用了上述双面高透的电磁屏蔽膜，其透光效果和视觉效果均得到提闻。
图I为一实施方式的电磁屏蔽面板的结构示意图。
具体实施例方式下面主要结合附图及具体实施方式
对电磁屏蔽面板及其制备方法和应用作进一步详细的说明。如图I所示，一实施方式的电磁屏蔽面板100，包括玻璃基底110、ITO层120、第一SiO2 层 130、Nb2O5 层 140 及第二 SiO2 层 150。其中，ITO层120位于玻璃基底110—侧表面上；第一 SiO2层130位于ITO层120上；Nb205层140位于玻璃基底110另一侧表面上；第二 SiO2层150位于Nb2O5层140上。在本实施方式中，ITO层120的厚度可以为8(Tl00nm ;第一 SiO2层130的厚度可以为85 95nm ;Nb205层140的厚度可以为13 16nm ;第二 SiO2层150的厚度可以为117 122nm。其中，ITO层120与第一 SiO2层130构成两层减反射膜系，ITO和SiO2均为透光性良好的材料，而且ITO具有导电性，从而使得ITO层120与第一 SiO2层130构成两层减反射膜系具有电磁屏蔽的效果；而且ITO层120和第一 SiO2层130的厚度是根据光的衍射原理及光的波动性特性设计的，以使ITO层120与第一 SiO2层130构成两层减反射膜系具有高的透射率。Nb2O5层140与第二 SiO2层150也构成两层减反射膜系，Nb2O5和SiO2均为透光性良好的材料，从而使得Nb2O5层140与第二 SiO2层150构成两层减反射膜系；而且Nb2O5层140和第二 SiO2层150的厚度是根据光的衍射原理及光的波动性特性设计的，以使Nb2O5层140与第二 SiO2层150构成两层减反射膜系具有高的透射率。在本实施方式中，电磁屏蔽面板100由ITO层120与第一 SiO2层130构成的两层减反射膜系、玻璃基底110及Nb2O5层140第二 SiO2层150构成的两层减反射膜系构成，形成一种双面高透率防电磁屏蔽的电磁屏蔽面板100 ;ΙΤ0层120与第一 SiO2层130构成的 两层减反射膜系与Nb2O5层140第二 SiO2层150构成的两层减反射膜系协同作用，从而使得电磁屏蔽面板100具有高电磁屏蔽的效果和高透射率等优点。此外，利用高透过率反射膜的膜系原理，上述设计的电磁屏蔽膜具有紫红色的颜色，可以应用在一些对颜色有特别要求的领域。而且电磁屏蔽面板100中的第一 SiO2层130能够对ITO层120起到很好的保护作用；从而能够确保电磁屏蔽面板100具有相对较长的使用寿命。此外，本实施方式还提供一种电磁屏蔽面板的制备方法，包括如下步骤 使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底一侧表面上镀制ITO层；使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在ITO层上镀制第一 SiO2层；使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底另一侧表面上镀制Nb2O5层；使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在Nb2O5层上镀制第二 SiO2层。其中，使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底一侧表面上镀制ITO层的过程是在直流或中频电源下进行磁控溅射镀膜，其中气体氛围为流量10(T200SCCm的氩气氛围。使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在ITO层上镀制第一 SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHZ，气体氛围是Ar与O2的混合气体氛围，Ar的流量为10(T200SCCm，O2的流量为8(Tl20sCCm。使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底另一侧表面上镀制Nb2O5层的过程中，磁控溅射频率为40KHZ，气体氛围是Ar与O2的混合气体氛围，Ar的流量为10(T200SCCm，O2的流量为8(Tl00sCCm。Si靶进行磁控溅射镀膜，在Nb2O5层上镀制第二 SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHZ，气体氛围是Ar与O2的混合气体氛围，Ar的流量为10(T200SCCm，O2的流量为80 120sccm。上述电磁屏蔽面板通过在玻璃基底的一侧表面上镀制ITO层、ITO层上镀制SiO2层，由于ITO具有电阻率低，透明性好且折射率较高(一般为2. O左右)等优点，而且SiO2的折射率较低(一般为I. 5左右)，利用光的衍射原理及光的波动性特性，ITO层与SiO2层构成两层减反射膜系，在保证电磁屏蔽效果的同时提高了其透射率。为了进一步增进玻璃基底-ITO层-SiO2层的电磁屏蔽效果和提高其透射率，在玻璃基底的另一侧表面上镀制Nb2O5层、在Nb2O5层上镀制SiO2层，同样利用光的衍射原理及光的波动性特性，Nb2O5层与SiO2层构成两层减反射膜系，从而形成一种双面高透防电磁屏蔽的电磁屏蔽面板。因此，上述电磁屏蔽面板具有优良的电磁屏蔽效果和高透射率，同时，ITO层外的SiO2层对ITO层能够起到很好的保护作用，从而上述电磁屏蔽面板具有相对较长的使用寿命。且上述电磁屏蔽面板的制备方法的制备工艺相对简单，制备得到的电磁屏蔽面板具有优良的电磁屏蔽效果和高透射率；同时测试了传统的方阻为17欧姆的电磁屏蔽面板和按上述方法制备得到的方阻为17欧姆的电磁屏蔽面板的透射率，透射率分别81%和95%，该方法制备得到的电磁屏蔽面板的透射率得到了较大的提高。此外，本实施方式还提供一种显示器，包括电磁屏蔽面板，所述电磁屏蔽面板包括玻璃基底、设于所述玻璃基底一侧表面上的ITO层、设于所述ITO层上的第一 SiO2层、设于所述玻璃基底另一侧表面上的Nb2O5层及设于所述Nb2O5层上的第二 SiO2层。本实施方式中，ITO层的厚度为8(Tl00nm;第一 SiO2层的厚度为85 95nm;第二SiO2层的厚度为117 122nm ；Nb2O5层的厚度为13 16nm。
上述显示器的透光效果和视觉效果皆好。以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求
1.一种电磁屏蔽面板,其特征在于,包括玻璃基底、设于所述玻璃基底一侧表面的ITO层、设于所述ITO层上的第一 SiO2层、设于所述玻璃基底另一侧表面的Nb2O5层及设于所述Nb2O5层上的第二 SiO2层。
2.如权利要求I所述的电磁屏蔽面板，其特征在于，所述ITO层的厚度为8(Tl00nm;所述第一 SiO2层的厚度为85 95nm ;所述第二 SiO2层的厚度为117 122nm ;所述Nb2O5层的厚度为13 16nm。
3.—种电磁屏蔽面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤 使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底一侧表面上镀制ITO层； 使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述ITO层上镀制第一 SiO2层； 使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在所述玻璃基底另一侧表面上镀制Nb2O5层； 使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述Nb2O5层上镀制第二 SiO2层。
4.如权利要求3所述的电磁屏蔽面板的制备方法，其特征在于，所述使用ITO靶材进行磁控溅射镀膜，在玻璃基底一侧表面上镀制ITO层的过程是在直流或中频电源下进行磁控溅射镀膜，其中气体氛围为流量10(T200SCCm的氩气氛围。
5.如权利要求3所述的电磁屏蔽面板的制备方法，其特征在于，所述使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述ITO层上镀制第一 SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHZ，气体氛围是Ar与O2的混合气体氛围，其中Ar的流量为10(T200SCCm，O2的流量为80 120sCCm。
6.如权利要求3所述的电磁屏蔽面板的制备方法，其特征在于，所述使用Nb靶进行磁控溅射镀膜，在所述玻璃基底另一侧表面上镀制Nb2O5层的过程中，磁控溅射频率为40KHZ，气体氛围是Ar与O2的混合气体氛围，其中Ar的流量为10(T200SCCm，O2的流量为80 IOOsccm0
7.如权利要求3所述的电磁屏蔽面板的制备方法，其特征在于，所述使用Si靶进行磁控溅射镀膜，在所述Nb2O5层上镀制第二 SiO2层的过程中，磁控溅射频率为40KHZ，气体氛围是Ar与O2的混合气体氛围，其中Ar的流量为10(T200SCCm，O2的流量为8(Tl20sCCm。
8.—种显示器，包括电磁屏蔽面板，其特征在于，所述电磁屏蔽面板包括玻璃基底、设于所述玻璃基底一侧表面的ITO层、设于所述ITO层上的第一 SiO2层、设于所述玻璃基底另一侧表面的Nb2O5层及设于所述Nb2O5层上的第二 SiO2层。
9.如权利要求8所述的显示器，其特征在于，所述ITO层的厚度为8(Tl00nm;所述第一 SiO2层的厚度为85 95nm ;所述第二 SiO2层的厚度为117 122nm ;所述Nb2O5层的厚度为13 16nm。
全文摘要
本发明涉及一种电磁屏蔽面板，包括玻璃基底、设于玻璃基底一侧表面上的ITO层、设于ITO层上的第一SiO2层、设于玻璃基底另一侧表面上的Nb2O5层及设于Nb2O5层上的第二SiO2层。该电磁屏蔽面板由ITO层与第一SiO2层构成的两层减反射膜系、玻璃基底及Nb2O5层第二SiO2层构成的两层减反射膜系构成，形成一种双面高透防电磁屏蔽的电磁屏蔽面板；ITO层与第一SiO2层构成的两层减反射膜系与Nb2O5层第二SiO2层构成的两层减反射膜系协同作用，从而使得电磁屏蔽面板具有高电磁屏蔽的效果和高透射率等优点。此外，本发明还提供一种电磁屏蔽面板的制备方法。
文档编号C23C14/35GK102963076SQ201210486998
公开日2013年3月13日 申请日期2012年11月26日 优先权日2012年11月26日
发明者郑芳平, 张迅, 易伟华 申请人:江西沃格光电科技有限公司