专利名称：向上成膜磁控溅射装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及磁控溅射成膜技术领域，特别涉及ー种向上成膜的磁控溅射装置。
背景技术：
磁控溅射法是在高真空条件下充入适量的氩气，在阴极(柱状靶或平面靶)和阳极(镀膜室壁)之间施加几百千伏的直流电压，在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电，使氩气发生电离。氩离子被阴极加速并轰击阴极靶表面，将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。通过更换不同材质的靶和控制不同的溅射时间，便可以获得不同材质和不·同厚度的薄膜。磁控溅射法具有镀膜层与基材的结合力强、镀膜层致密、均匀等优点。目前，磁控溅射法已经普遍应用在エ业生产中，例如制备铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池的过程中薄膜的沉积一般需要采用磁控溅射法。目前，现有的磁控溅射装置中，通常将溅射靶材及其附属设备或零部件安装在镀膜室上部，增大镀膜室上部空间，缩小镀膜室下部空间，例如当生产铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池片时，将铜铟镓硒膜层镀于基片材料基片正面；现有的磁控溅射装置中或者将溅射靶材安装在镀膜室左右两侧的ー侧。图I所示为现有技术中ー种磁控溅射装置的结构示意图，如图I所示，现有技术中ー种磁控溅射装置的镀膜室中包括上部腔体10、位于上部腔体10上的溅射靶材40、下部腔体20、基片30，基片30位于上部腔体10和下部腔体20之间的空间，并且位于溅射靶材40的下方。现有的磁控溅射装置中，因溅射靶材安装在基片材料上部或左右两侧，在设备运行吋，靶材溅射容易产生ー些残渣掉在基片上，从而将残渣镀在基片材料表面，导致基片材料膜层不平整、不均匀，影响了产品性能和良率；另外，因靶材溅射过程中，除了将靶材溅射在基片材料上，还有很大一部分溅射在了上部腔体的顶部和镀膜室四周墙壁上，而镀在镀膜室腔体上的膜层(即残渣)在生产一段时间后极易脱落，因此，必须隔段时间就将设备打开清理残渣,从而花费大量人工成本的,并且使设备保养总时间加长、设备生产总时间缩短，而降低了设备的生产效率。
实用新型内容本实用新型提出ー种向上成膜磁控溅射装置，可以提高镀膜的产品性能和良率。本实用新型所采用的技术方案具体是这样实现的本实用新型提供了ー种向上成膜磁控溅射装置，包括镀膜室，其中，所述镀膜室中具有上部腔体、下部腔体、溅射靶材和基片，所述溅射靶材位于所述上部腔体和所述下部腔体之间并靠近所述下部腔体的ー侧，所述基片位于所述溅射靶材与所述上部腔体之间，所述溅射靶材材料被溅射后向上成膜于所述基片的靠近所述溅射靶材的ー侧。优选地，还包括与镀膜室连接为镀膜室内部提供惰性气体的气体存储装置。优选地，还包括外部电源控制部分。[0009]优选地，所述溅射靶材为圆形或方形靶材。优选地，所述基片为玻璃。优选地，所述基片可根据实际需要调节位置和发生移动。本实用新型的向上成膜磁控溅射装置，能有效避免装置中的残渣对产品的污染、提高良率、节省成本的同时提高生产效率。
图I是现有技术的磁控溅射装置的结构示意图；图2是本实用新型实施例的向上成膜磁控溅射装置的结构示意图。
具体实施方式为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式
做详细的说明，使本实用新型的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按比例绘制附图，重点在于示出本实用新型的主本实用新型中出现的“上”、“下” “向上” “向下”等方位词均表示的是装置在正常使用状态下的情況。下面结合图2对本实用新型的向上成膜磁控溅射装置的具体实施例进行详细说明。图2是本实用新型实施例的向上成膜磁控溅射装置的结构示意图，如图2所示，本实用新型的向上成膜磁控溅射装置包括镀膜室，其中，镀膜室中具有上部腔体200、下部腔体100、溅射靶材400和基片300，溅射靶材400位于上部腔体200和下部腔体100之间并靠近下部腔体100的ー侧，基片300位于溅射靶材400与上部腔体200之间，溅射靶材400的材料被派射后向上成膜于基片300的靠近派射祀材400的ー侧。本实用新型实施例的向上成膜磁控溅射装置中，优选地，还包括与镀膜室连接为镀膜室内部提供惰性气体的气体存储装置(未图示)，为使得本实用新型的向上成膜磁控溅射装置正常工作，还包括外部电源控制部分(未图示)；优选地，溅射靶材400为圆形或方形靶材，也可以根据实际情况采用其他形状的靶材；基片300为玻璃或者其他材料，基片300可根据实际需要调节位置和发生移动。本实用新型的向上成膜磁控溅射装置，可以应用于形成多种薄膜的生产中，例如应用于形成铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池片的设备中，本实用新型的向上成膜磁控溅射装置将溅射靶材及其附属设备或零部件从镀膜室上部移植到镀膜室下部，增大镀膜室下部空间，缩小镀膜室上部空间。本实用新型的向上成膜磁控溅射装置，能有效避免装置中的残渣对产品的污染、提闻良率、节省成本的同时提闻生广效率。因灘射革G材安装在基片材料下部，在设备运行吋，靶材溅射产生的ー些残渣不会再掉在基片材料上，避免了将残渣镀在基片材料表面，导致基片材料膜层不平整，不均匀、影响了产品质量和性能的问题。现有技术中设备清理周期较长，而本实用新型则大大节省了人工成本，本实用新型中，有效避免了在生产时溅射残渣掉到基片材料上的情况，同时，镀膜室下部空间很大，可以储存相当多的溅射残渣，现有技术中需要半个月或I个月对磁控溅射装置清理一次，而本实用新型的向上成膜磁控溅射装置可以延长至6个月甚至I年才清理一次，从而大大节约了人工清理的成本，使设备保养总时间大大缩短，设备生产总时间大大増加，提高了设备的生产效率和产量。在以上的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是以上描述仅是本实用新型的较佳实施例而已，本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，因此本实用新型不受上面公开的具体实施的限制。同时任何熟悉本领域技术人员在不脱离本实用新型技术方案范围情况下，都可利用上述掲示的方法和技术内容对本实用新型技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本实用新型技术方案保护的范围内。·
权利要求1.ー种向上成膜磁控溅射装置，包括镀膜室，其特征在于，所述镀膜室中具有上部腔体、下部腔体、溅射靶材和基片，所述溅射靶材位于所述上部腔体和所述下部腔体之间并靠近所述下部腔体的ー侧，所述基片位于所述溅射靶材与所述上部腔体之间，所述溅射靶材材料被溅射后向上成膜于所述基片的靠近所述溅射靶材的ー侧。
2.如权利要求I所述的向上成膜磁控溅射装置，其特征在于，还包括与镀膜室连接为镀膜室内部提供惰性气体的气体存储装置。
3.如权利要求I所述的向上成膜磁控溅射装置，其特征在于，还包括外部电源控制部分。
4.如权利要求I所述的向上成膜磁控溅射装置，其特征在于，所述溅射靶材为圆形或方形靶材。
5.如权利要求I所述的向上成膜磁控溅射装置，其特征在于，所述基片为玻璃。
6.如权利要求I所述的向上成膜磁控溅射装置，其特征在于，所述基片可根据实际需要调节位置和发生移动。
专利摘要本实用新型提供了一种向上成膜磁控溅射装置，包括镀膜室，其中，所述镀膜室中具有上部腔体、下部腔体、溅射靶材和基片，所述溅射靶材位于所述上部腔体和所述下部腔体之间并靠近所述下部腔体的一侧，所述基片位于所述溅射靶材与所述上部腔体之间，所述溅射靶材材料被溅射后向上成膜于所述基片的靠近所述溅射靶材的一侧。本实用新型的向上成膜磁控溅射装置，能有效避免装置中的残渣对产品的污染、提高良率、节省成本的同时提高生产效率。
文档编号C23C14/35GK202626279SQ20122007471
公开日2012年12月26日 申请日期2012年3月2日 优先权日2012年3月2日
发明者王进东 申请人:江苏宇天港玻新材料有限公司