半导体散热板用Mo烧结部件以及使用该Mo烧结部件的半导体装置制造方法

半导体散热板用Mo烧结部件以及使用该Mo烧结部件的半导体装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种半导体散热板用Mo烧结部件，其由含有10～50质量%铜的钼合金材料构成，其特征在于：所述钼合金材料的钼晶体的平均粒径为10～100μm，每500μm×500μm单位面积的Mo晶体的面积比的偏差在平均值的±10%以内。由于Mo和Cu的存在比例的偏差较小，因而可以得到热膨胀率等特性优良、且热膨胀率、强度等优良的半导体散热板用Mo烧结部件。
【专利说明】半导体散热板用Mo烧结部件以及使用该Mo烧结部件的半导体装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及在半导体散热板中使用的Mo烧结部件以及使用该Mo烧结部件的半导体装置。
【背景技术】
[0002]半导体装置一般用于各种各样的电子设备。半导体装置通过在半导体元件中流过电流而发挥作用。此时，半导体元件将发热。如果不使该发热有效地逃散，则可能导致半导体元件自身的破坏或者误动作。因此，对将半导体元件配置在散热板上、从而使半导体元件的热有效地向装置的外部逃散进行了尝试。
[0003]编入上述半导体装置中的半导体散热板不仅热传导系数高、而且使起因于热膨胀差的应力降低，因此，要求热膨胀率近似于半导体元件，以及具有充分的结构强度等。作为满足这样的条件的散热板的具体例子，例如在日本特开平11-307701号公报(专利文献I)中，公开了使铜熔渗进入Mo压实粉体中而形成的Mo-Cu熔渗基板。通过将作为低热膨胀率材料的Mo和作为高热传导系数材料的Cu进行组合，可以提供一种低热膨胀、且散热性优良的散热板。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开平11-307701号公报
【发明内容】

[0007]发明所要解决的课题
[0008]然而，上述专利文献I中公开的Mo-Cu熔渗基板采用使Cu熔渗到Mo压实粉体中的方法而形成，因而存在的问题是难以使Cu均匀地熔渗到内部。特别是当内部残存有气孔(空气)时，它的一部分变成热阻抗部，从而成为阻碍散热效果的原因。特别地，Mo和Cu的存在比率部分地变化不仅可能导致散热效果的恶化，而且也可能导致强度和热膨胀率的偏
ο
[0009]本发明是鉴于这样的技术课题而完成的，提供一种散热性良好、且结构强度较高的半导体散热板用Mo烧结部件以及使用该Mo烧结部件的半导体装置。
[0010]用于解决课题的手段
[0011]本发明涉及一种半导体散热板用Mo烧结部件，其由含有10-50质量％铜的钥烧结合金材料构成，其特征在于:钥合金材料的钥晶体的平均粒径为10-100 μ m，每500 μ mX 500 μ m单位面积的Mo晶体的面积比的偏差在平均值的土 10%以内。
[0012]另外，Mo烧结部件的表面粗糙度Ra优选为5μπι以下。另外，钥烧结合金材料优选以金属元素换算计含有0.1-3质量°/cN1、Co、Fe之中的至少一种以上。另外，钥烧结合金材料优选的是密度为90-98%的烧结合金材料。另外，铜优选填充在钥晶体彼此之间的间隙中。另外，钥晶体的最大晶体粒径优选为平均粒径的2倍以下。另外，相邻的钥晶体彼此之间的最远离的距离优选为50 μ m以下。
[0013]另外，Mo烧结部件优选的是厚度为0.05?1mm、直径为5?70mm的圆板状。另外，Mo烧结部件的热膨胀率优选为7?14X 10_6/°C。另外，Mo烧结部件的抗拉强度优选为
0.44GPa以上。另外，Mo烧结部件的比电阻优选为5.3 ΧΙΟ—6 Ω.m以下。
[0014]另外，本发明的半导体装置将上述本发明的半导体散热板用Mo烧结部件用作散热板而构成。
[0015]发明的效果
[0016]根据本发明的半导体散热板用Mo烧结部件以及使用该Mo烧结部件的半导体装置，由于半导体散热板用Mo烧结部件的Mo晶体尺寸的偏差较小，因而可以提供一种散热性和结构强度优良的散热板。其结果是，可以大幅度提高半导体装置的可靠性。
【专利附图】

【附图说明】
[0017]图1是表示本发明的半导体散热板用Mo烧结部件的构成例的剖视图。
[0018]图2是表示本发明的半导体散热板用Mo烧结部件的组织的一个例子的剖视图。
[0019]图3是表示本发明的半导体散热板用Mo烧结部件的形状例的立体图。
[0020]图4是表示本发明的半导体散热板用Mo烧结部件的制造方法的一个例子的剖视图。
[0021]图5是表示本发明的半`导体散热板用Mo烧结部件的其它组织的例子的剖视图。【具体实施方式】
[0022]本实施方式的半导体散热板用Mo烧结部件由含有10?50质量％铜的钥合金材料构成，其特征在于:上述钥合金材料的钥晶体的平均粒径为10?100 μ m，每500 μ mX 500 μ m单位面积的Mo晶体的面积比的偏差在平均值的土 10%以内。
[0023]当上述铜的含有量低于10质量％或者超过50质量％时,热膨胀系数(热膨胀率)偏离7?14X 10_6/°C的可能性较高。
[0024]在此，上述的所谓半导体散热板，是用于搭载半导体元件的基板或者用作散热装置(散热板)的装置。图1表示使用半导体散热板的构成部件的一个例子。在图1中，I为半导体散热板用Mo烧结部件，2为绝缘膜(绝缘层)，3为半导体元件。
[0025]图1示出了在半导体散热板用Mo部件I上经由绝缘层2而搭载半导体元件3的例子，但搭载半导体元件的基板也可以用其它材料(例如陶瓷基板)形成，由其它材料构成的基板的背面也可以使用本发明的半导体散热板用Mo部件作为散热装置。此外，Mo部件由于不是绝缘体，因而搭载半导体元件时经由绝缘层2而进行接合。
[0026]本实施方式的半导体散热板用Mo烧结部件由于热传导系数在160W/m.K以上，散热性也良好，因而即使在搭载半导体元件的情况下，也表现出优良的散热性。另外，半导体元件用Si成分等形成。半导体元件(Si系)的热膨胀系数由于为4?7X 10_6/°C左右，因而Mo部件的热膨胀率如前所述，热膨胀率优选为7?14X10_6/°C，进一步优选为8?
11X 10_6/°C。这样，由于与半导体元件的热膨胀率近似，因而可以防止起因于与半导体元件的热膨胀差的剥离。[0027]另外，钥合金材料的特征在于:钥晶体的平均粒径为10?100 μ m，每500 μ mX 500 μ m单位面积的Mo晶体的面积比的偏差在平均值的土 10%以内。
[0028]在此，如果钥晶体的平均粒径过小，低于10 μ m,则铜的比例相对增加，因而合金材料的强度降低。另一方面，如果平均粒径过大，超过ΙΟΟμπι，则铜的比例相对减少，因而是不优选的。钥合金材料为烧结体，钥和铜的存在比例(面积比)的偏差在平均值的±10%以内。如果钥和铜的面积比的偏差较少，则可以抑制钥合金材料的特性偏差。
[0029]半导体散热板用Mo烧结部件如前所述，搭载半导体元件而使用。例如，在搭载半导体元件的情况下，半导体散热板用Mo烧结部件因元件的发热而发生热膨胀。此时，如果Mo晶体和铜的存在比例的偏差较大，则部分地在膨胀方面出现差别而有可能导致半导体元件的剥离。因此，为了消除热膨胀率的部分的差别，重要的是使Mo晶体和铜的存在比例(面积比)的偏差在土 10%以内。
[0030]另外，Mo晶体和铜的面积比的测定是以单位面积500 μ mX 500 μ m为基准而测定的。之所以将单位面积设定为500 μ mX500 μ m，是因为将平均粒径的上限设定为100 μ m，因而如果为其5倍左右的面积，则测定误差有可能降低。另外，Mo晶体和铜的面积比的测定可以采用SEM照片或者EPMA的面分析来测定。
[0031]另外，半导体散热板用Mo烧结部件优选的是其表面粗糙度Ra为5μ m以下。如前所述，在嵌入模块中作为散热装置时，如果表面粗糙度Ra较大，则与绝缘层之间形成间隙，该间隙成为热阻抗体而有可能导致散热性的降低。绝缘层一般使用绝缘树脂、金属氧化物。绝缘树脂或金属氧化物的热传导系数最多为30W/m.Κ以下，散热性较差。因此，如果绝缘层太厚，则散热性进一步降低。因此，绝缘层优选为ΙΟΟμπι以下，进一步优选为50 μ m以下。Mo烧结部件的表面粗糙度Ra优选为5 μ m以下，进一步优选为2 μ m以下。
[0032]另外，钥合金材料组成虽然以Mo和Cu的2元系为根本，但也能够以金属元素换算计含有0.1?3质量％的N1、Co、Fe之中的至少一种以上。通过含有规定量的N1、Co、Fe，可以提高钥合金材料的强度和 硬度。钥合金的强度在为Mo和Cu的2元系的情况下，抗拉强度为0.44GPa以上，而通过N1、Co、Fe的添加，可以使抗拉强度增加至0.50GPa以上。
[0033]另外，钥合金材料的密度优选为90%以上，进一步优选为90?98%。密度用(根据阿基米德法得到的实测值/理论密度)x 100%来表示。理论密度使用钥的理论密度:10.22g/cm3、铜的理论密度:8.96g/cm3、铁的理论密度:7.87g/cm3、钴的理论密度:8.9g/cm3、镍的理论密度:8.9g/cm3乘以重量比而求出。例如，在Mo为70重量％、铜为30重量％的钥合金材料的情况下，70 重量 ％X 10.22 + 30 重量 ％X8.96 = 9.842g/cm3 为 Mo (70 重量 ％)_Cu (30重量％)的钥合金材料的理论密度。
[0034]在上述密度低于90%的情况下，钥合金材料的强度有可能降低。另一方面，如果密度较高而超过98%，则强度充分，但有可能招致制造成本的增大。因此，密度优选为90?98%。密度进一步优选为94?97%的范围。
[0035]图2示出了本实施方式的半导体散热板用Mo烧结部件的组织的一个例子。在图中，4表示钥晶体粒子，5表示铜。另外，铜优选填充在钥晶体彼此之间的间隙中。另外，钥晶体的最大晶体粒径优选为平均粒径的2倍以下。
[0036]Mo烧结部件是对混合有Mo粉末和铜粉末的成形体进行烧结而制造的烧结体。由于钥的熔点为2620°C，铜的熔点为1083°C，因而如果在1200°C以上的高温下进行烧结，则钥晶体粒子直接地或者一部分晶粒生长而以晶体粒子的形式存在，而铜发生熔化而可以填充在钥晶体粒子彼此之间的间隙。
[0037]另外，钥晶体的最大晶体粒径优选为平均粒径的2倍以下。如果钥晶体中有超过平均粒径的2倍的粗大粒子，则容易产生钥晶体和铜的存在比例的偏差。
[0038]此外，关于上述钥晶体的平均粒径的测定方法，使用放大的照片(SEM照片)，并求出拍摄于照片中的各个钥晶体的长径和短径，然后通过(长径+短径)/2求出其晶体粒子的粒径。对于该作业，求出任意的100个粒子的最大直径，将其平均值作为“平均粒径”，将最大的“最大直径”作为“最大晶体粒径”。
[0039]另外，在相邻的钥晶体彼此之间的距离中，最远离的距离优选为50μπι以下。图5示出了本发明的半导体散热板用Mo烧结部件的组织的另一个例子。在图中，4a以及4b表示相邻的钥晶体粒子，5表示铜。
[0040]在图5中，在处于钥晶体粒子4a周围的钥晶体粒子中，处在最远离的距离的是钥晶体粒子4b。关于距钥晶体粒子4a最远离的钥晶体粒子4b，将其最短距离D设定为“相邻的钥晶体彼此之间的最远离的距离”。在本发明中，通过将相邻的钥晶体彼此之间的最远离的距离设定为50μπι以下，可以使部分的热膨胀率的偏差得以降低，强度得以提高，从而使部分的比电阻的偏差得以降低。另外，相邻的钥晶体彼此之间的最远离的距离更优选为5 ?20 μ m0
[0041]此外，“相邻的钥晶体彼此之间的最远离的距离”的测定方法使用单位面积500 μ mX500 μ m的放大照片(SEM照片)而进行测定。
[0042]图3示出了半导体散热板用Mo烧结部件的一形状的例子。图3例示出了圆柱形状的半导体散热板用Mo烧结部件，除此以外，也可以是四棱柱形状等多棱柱形状。另外，在图3中，L表示半导体散热板用Mo烧结部件I的直径，T表示半导体散热板用Mo烧结部件I的厚度。直径L、厚度T的尺寸并 没有特别的限定，但优选的是厚度为0.05?1mm、直径为5?70mm的圆板状,进一步优选的是厚度为0.5?1mm、直径为5?IOmm的圆板状。本发明的半导体散热板用Mo烧结部件由于使Mo和Cu的存在比率变得均匀，因而基板厚度和宽度方向的散热效果没有各向异性而变得均匀。因此，即使搭载多个半导体元件，其散热效果对于各元件也变得同样。另外，也可以使采用了本发明的半导体散热板用Mo烧结部件的半导体装置的可靠性得以提高。
[0043]特别地，越是搭载着多个半导体散热板用Mo烧结部件的半导体散热板，其可靠性越是可以得到提高。在半导体装置中，半导体散热板用Mo烧结部件的搭载数并没有特别的限定，但通常为2?5个。
[0044]下面就制造方法进行说明。本发明的半导体散热板用Mo烧结部件的制造方法并没有特别的限定，但作为用于高效地得到该Mo烧结部件的方法，可以列举出如下的制造方法。
[0045]首先，准备Mo粉末和铜粉末作为原料粉末并将其混合。作为Mo粉末，使用其平均粒径优选为I?8 μ m，进一步优选为3?5 μ m的原料粉末。如果平均粒径超过8 μ m，则容易形成平均粒径的2倍以上的粗大粒子。另外，Mo粉末的纯度优选为99.9重量％以上。
[0046]另外，铜粉末的平均粒径优选为10 μ m以下,进一步优选为0.5?5 μ m。如果铜粉末的平均粒径超过10 μ m,则容易形成铜粉末不会进入Mo粒子间的状态，因而是不优选的。另外，铜粉末的纯度也优选为99.9重量％以上。另外，在根据需要添加N1、Co、Fe等第三成分的情况下，第三成分的平均粒径也设定为10 μ m以下,进一步优选设定为0.5?5μηι以下。
[0047]将各原料粉末混合后，进行混合树脂粘结剂的工序。树脂粘结剂优选的是PVA(聚乙稀醇)等。在树脂粘结剂混合工序中，对原料混合粉末进行造粒。关于原料粉末的造粒粉末，其平均粒径优选为50?200 μ m,进一步优选为80?140 μ m。在造粒粉末的阶段，优选事先使Mo粉末和铜粉末(在添加第三成分的情况下也包含第三成分粉末)均匀地混合在一起。
[0048]接着，将该造粒粉末(与树脂粘结剂混合的原料粉末)装入模具中而进行加压成形，从而进行得到半导体散热板用Mo烧结部件形状的Mo成形体的加压成形工序。加压成形压力优选为3?13吨/cm2 (294?1274MPa)。在加压成形压力低于3吨/cm3时，成形体的强度并不充分，在超过13吨/cm2而较大时，成形体的密度过于升高，从而容易给模具施加负载。
[0049]接着，进行第一烧成工序，其将得到的Mo成形体在氧化还原气氛中烧成而得到第一烧成体。第一烧成工序优选将最高到达温度设定为900?1200°C，将在最高到达温度下的保持时间设定为I?4小时。第一烧成工序处于以后述的第二烧成工序为主烧结时的预烧结(或者主烧结前的中烧结)的位置。在最高到达温度低于900°C时，成形体的致密化并不充分，在超过1200°C时，致密化变得过剩。如果过于致密化，则铜不能充分进入Mo晶体粒子间的间隙。另外，作为氧化还原气氛，优选的是湿氢气气氛。所谓湿氢气，是指含有水蒸气的氢气。
[0050]第一烧成工序不是以作为最终产品的Mo烧结体(半导体散热板用Mo烧结部件)的致密化为目的的工序，而是以在氧化`还原气氛中烧成，从而去除Mo烧结体表面的碳、同时防止Mo烧结体氧化至必要以上为目的的工序。如果Mo烧结体发生氧化，则铜有可能不会充分填充于Mo晶体粒子间。
[0051 ] 另外，通过在湿氢(含有水蒸气的氢气)气氛中进行处理，便有可能从Mo烧结体表面除去碳。除去的碳成为二氧化碳(CO2)或一氧化碳(CO)而除去。这是因为通过加热而升温的水蒸气(H2O)容易与碳(C)反应，从而容易以一氧化碳(CO)或二氧化碳(CO2)的形式而从Mo烧结体上除去。在制作Mo成形体时，使用碳成分较多的树脂粘结剂。
[0052]另外，第一烧成工序优选花费3?7个小时从600°C升温至最高到达温度。在第一烧成工序中，如果升温速度太快，则成形体中的粘结剂消失或出现致密化不均匀的部位，从而有可能成为密度不均匀的烧结体。另一方面，如果花费7小时以上进行升温，则不均匀性得以消除，但过于花费时间而使制造效率降低。
[0053]另外，在第一烧成工序中，为了防止Mo成形体在烧成中氧化，规定在湿的含氢气氛中进行烧成。从防止必要以上的氧化的角度考虑，在用氮气置换烧成炉内之后，优选将湿氢气流量设定为0.2mVh (小时)以上，进一步优选设定为0.2?17m3/H (小时)。优选以湿氢气为气流进行供给，并向Mo成形体供给新鲜的湿氢气。
[0054]另外，如果有规定的气体流量，则可以将除去的碳成分(二氧化碳、一氧化碳)与气流一起排除至烧结炉外。树脂粘结剂一旦加热，则以碳的形式残存下来。残存的碳在第一烧成工序中成为碳成分(二氧化碳或一氧化碳)，由于这些碳成分容易与铜反应，因而需要通过气流的控制而可以供给新鲜的湿氢气。
[0055]特别地，在将多个Mo成形体排列于烧成舟(Mo舟)上而I个批次同时烧成200个以上的成形体的情况下，优选的是必须进行湿氢气流量的调整，从而使此时具有烧成炉内的湿氢气流量为2m3/H以上的部位。
[0056]图4作为制造方法的一个例子，示出了以I个批次烧成多个Mo成形体时将成形体装填于烧成炉中的例子。在图中，6表不Mo成形体,7表不烧成用容器,8表不烧成舟,9表不隔板。在烧成舟8上载置有多个Mo成形体6。此时，为了使氢气在各成形体6的间隙容易流通，优选使各成形体彼此之间的间隙在1_以上。将载置有多个成形体6的烧成舟8经由隔板9以多片、多段的方式进行层叠。将其配置在烧成用容器7内。连同该烧成用容器配置于烧成炉内，便可以I个批次同时烧成200个以上、进而400个以上、甚至2000个以上的成形体。此外，烧成舟、隔板、烧成用容器从耐热性等角度考虑，优选用Mo构成。另外，为了防止烧结体的热粘接，烧成舟也可以使用根据需要而涂覆有氧化物陶瓷涂层的烧成舟。
[0057]接着，实施在含氢气氛中对第一烧成体进行烧成的用于得到第二烧成体的第二烧成工序。第二烧成工序是与所谓的主烧结工序相当的工序。
[0058]第二烧成工序优选将最高到达温度设定为1200?1600°C，将在最高到达温度下的保持时间设定为I?5小时。在最高到达温度低于1200°c时，致密化并未充分地进行而使密度容易低于90%。另一方面，在最高到达温度超过1600°C时，铜流出而使密度降低。优选为1300?1500°C的范围。
[0059]另外，在最高到达温度下的保持时间低于I小时时，Mo烧结体的致密化并不充分，而超过5小时时，铜有可能溶出。
[0060]另外，第二烧成工序也与第一烧成工序同样，为防止Mo烧结体的氧化，需要在含氢气氛中实施。因此，优选的是在用氮气置换烧成炉内之后供给氢气的方法。另外，由于优选供给新鲜的氢气，因而优选在与第一烧成工序同样的条件下调整氢气气流。特别地，为了得到I个批次200个以上、进 而400个以上的多个烧结体，需要进行湿氢气或者氢气的流量调整。
[0061]另外，从第一烧成工序到第二烧成工序通过使用图4所示的烧成容器7，可以连续地实施从第一烧成工序向第二烧成工序的移动，因而批量生产率得以提高。
[0062]另外，如上所述制造的Mo烧结体(半导体散热板用Mo烧结部件)根据需要实施表面研磨加工。研磨加工可以列举出滚磨和采用金刚石磨粒的研磨加工。
[0063][实施例]
[0064](实施例1?5以及比较例I)
[0065]将平均粒径为3 μ m且纯度为99.9重量％的Mo粉末和平均粒径为5 μ m且纯度为99.9%的铜粉末混合，进而与树脂粘结剂(PVA)混合，从而调配出平均粒径为80?120 μ m的造粒粉末。接着，以3?5吨/cm2的加压成形压力对该造粒粉末进行模具成型，从而制成Mo成形体。此外，Mo和Cu的组成比以及Mo烧结体的尺寸如表I所示。
[0066]接着，如图4所示，将制成的400个Mo成形体6以2mm的间隔排列在Mo制烧成舟8上。经由间隔物(隔板)9而将该烧成舟8重叠成3段，将其收纳在Mo烧成容器7内。将其投入推进式烧成炉中，在表I所示的条件下实施第一以及第二烧成工序。此外，烧成工序在暂且向烧成炉内部充满氮气之后，于流过湿氢气气流的气氛中实施。另外，花费3?7小时从600°C升温至最高到达温度而实施。
[0067]然后，实施表面研磨加工，从而制成各实施例的半导体散热板用Mo烧结部件。得到的半导体散热板用Mo烧结部件统一为直径50mmX厚度0.6mm。另外，表面粗糙度Ra统一为 3 μ m。
[0068]另一方面，作为比较例1，在制成密度为90%的Mo烧结体之后，准备采用熔渗Cu的熔渗法而制造的Mo烧结部件。
[0069]对于实施例以及比较例的半导体散热板用Mo烧结部件，求出了组织表面的每500 μ mX500 μ m单位面积的Mo晶体的面积比。这在任意的断面中，通过拍摄单位面积500 μ mX500 μ m的放大照片(SEM照片)，并求出拍摄于照片中的Mo晶体的面积，从而算出Mo晶体相对于单位面积的面积比。另外，对于难以识别(判別)Mo晶体和铜的部件，使用EPMA面分析。在任意的5个部位进行该作业，将其平均值设定为“Mo晶体的面积比的平均值”，并求出各测定点的与平均值之差，将最大的差设定为“偏差”。
[0070]另外，Mo晶体的平均粒径从前述的放大照片中求出。具体地说，用(长径+短径)+ 2的计算式求出各个Mo晶体粒子的粒径，将100个左右的Mo晶体粒子的平均值设定为“平均粒径”。另外，使用同样的放大照片，求出拍摄于照片中的最大粒子的粒径和平均粒径之比。另外，关于相邻的钥晶体彼此之间的最远离的距离，从前述的放大照片中，求出在拍摄于照片的钥晶体中相邻的钥晶体彼此之间的最远离的钥晶体粒子彼此之间的最短距离。另外，密度通过(阿基米德法/理 论密度)XlOO (%)来求出。
[0071]进而求出热膨胀率、抗拉强度、比电阻、热传导系数。在此，Mo烧结部件的热膨胀率以25°C至400°C的体积膨胀率求出。另外，抗拉强度通过基于JIS-Z-2241的抗拉强度(tensile strength)测定方法求出。再者，比电阻通过基于JIS-H-0505的体积电阻率的测定方法求出。另外，热传导系数通过激光闪光法求出。其结果如表2所示。
[0072]表I
【权利要求】
1.一种半导体散热板用Mo烧结部件，其由含有10?50质量％铜的钥合金材料构成，其特征在于:所述钥合金材料的钥晶体的平均粒径为10?100 μ m，每500 μ mX500 μ m单位面积的Mo晶体的面积比的偏差在平均值的±10%以内。
2.根据权利要求1所述的半导体散热板用Mo烧结部件，其特征在于:半导体散热板用Mo烧结部件的表面粗糙度Ra在5 μ m以下。
3.根据权利要求1或2所述的半导体散热板用Mo烧结部件，其特征在于:所述钥合金材料以金属元素换算计含有0.1?3质量％的N1、Co、Fe之中的至少一种以上。
4.根据权利要求1?3中的任一项所述的半导体散热板用Mo烧结部件，其特征在于:所述钥合金材料是具有90?98%的密度的烧结合金材料。
5.根据权利要求1?4中的任一项所述的半导体散热板用Mo烧结部件，其特征在于:所述铜填充于钥晶体彼此之间的间隙中。
6.根据权利要求1?5中的任一项所述的半导体散热板用Mo烧结部件，其特征在于:所述钥晶体的最大晶体粒径在平均粒径的2倍以下。
7.根据权利要求1?6中的任一项所述的半导体散热板用Mo烧结部件，其特征在于:在相邻的钥晶体彼此之间的距离中，最远离的距离为50 μ m以下。
8.根据权利要求1?7中的任一项所述的半导体散热板用Mo烧结部件，其特征在于:半导体散热板用Mo烧结部件呈厚度为0.05?1mm、且直径为5?70mm的圆板状。
9.根据权利要求1?8中的任一项所述的半导体散热板用Mo烧结部件，其特征在于:半导体散热板用Mo烧结部件的热膨胀率为7?14X 10_6/°C。
10.根据权利要求1? 9中的任一项所述的半导体散热板用Mo烧结部件，其特征在于:半导体散热板用Mo烧结部件的抗拉强度为0.44GPa以上。
11.根据权利要求1?10中的任一项所述的半导体散热板用Mo烧结部件，其特征在于:半导体散热板用Mo烧结部件的比电阻为5.3 X IO-6 Ω.m以下。
12.—种半导体装置，其特征在于:使用了权利要求1?11中的任一项所述的半导体散热板用Mo烧结部件。
【文档编号】C22C1/04GK103443314SQ201280015801
【公开日】2013年12月11日 申请日期:2012年3月19日 优先权日:2011年3月30日
【发明者】森冈勉, 青山齐 申请人:株式会社东芝, 东芝高新材料公司