含稀土元素的喷镀用粉末和覆膜、以及具备前述覆膜的构件的制作方法
【专利摘要】本发明的喷镀用粉末包含稀土元素和稀释元素，所述稀释元素为除稀土元素以外且除氧以外的元素，例如为选自锌、硅、硼、磷、钛、钙、锶和镁中的一种以上的元素。稀释元素的单一氧化物的烧结体在特定的蚀刻条件下的侵蚀速率为相同蚀刻条件下的氧化钇烧结体的侵蚀速率的5倍以上。
【专利说明】含稀土元素的喷镀用粉末和覆膜、以及具备前述覆膜的构件
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及含稀土元素的喷镀(thermal spray )用粉末。本发明还涉及含稀土元素的覆膜、以及具备这种覆膜的构件。
【背景技术】
[0002]在半导体设备制造领域中，有时利用作为干式蚀刻的一种的等离子体蚀刻进行硅晶圆等半导体基板的微细加工。该蚀刻处理时，存在暴露于反应性等离子体的半导体设备制造装置中的构件受到侵蚀(损伤)而产生颗粒的担心。若产生的颗粒堆积在半导体基板上，则依照设计的微细加工的实施变得困难，或由于颗粒中所含的元素而使半导体基板被污染。于是，一直以来进行如下的措施:在蚀刻处理时暴露于反应性等离子体的构件上设置含稀土元素的喷镀覆膜，由此保护该构件免受等离子体侵蚀(例如，参见专利文献I)。
[0003]然而，即使是含稀土元素的喷镀覆膜也无法完全地抑制颗粒的产生。为了尽可能地减小由颗粒造成的不利 影响，减少堆积在半导体基板上的颗粒的数量是首要的，减小在喷镀覆膜受到等离子体侵蚀时产生的颗粒的尺寸对其是有效的。这是因为，尺寸小的颗粒容易在蚀刻处理中漂浮并受到由反应性等离子体引起的侵蚀最终气化从而消失，或者容易随着半导体设备制造装置内的气流被排出到外部，而不会堆积在半导体基板上。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2008-133528号公报
【发明内容】
[0007]发明要解决的问题
[0008]本发明的目的在于，提供适于形成在受到等离子体侵蚀时不易产生尺寸大的颗粒的喷镀覆膜的喷镀用粉末。此外，本发明的另一个目的在于，提供在受到等离子体侵蚀时不易产生尺寸大的颗粒的覆膜、以及表面具备这种覆膜的构件。
_9] 用于解决问题的方案
[0010]为了达成上述目的，本发明的第一方案提供一种喷镀用粉末，其包含稀土元素和第一稀释元素，所述第一稀释元素为除稀土元素以外且除氧以外的元素。稀土元素和第一稀释元素例如以氧化物的形态被包含在喷镀用粉末中。第一稀释元素的单一氧化物的烧结体在如下的蚀刻条件下的侵蚀速率(erosion rate)为相同蚀刻条件下的氧化钇烧结体的侵蚀速率的5倍以上，所述蚀刻条件为在保持于133.3Pa的压力下的平行平板型等离子体蚀刻装置的腔室内、一边以1.055L/分钟的流量供给将四氟化碳、氩气和氧气以95:950:10的体积比混合而成的蚀刻气体，一边用20小时在13.56MHz下施加1300W的高频电力。第一稀释元素例如为选自锌、硅、硼、磷、钛、钙、锶、钡和镁中的一种以上的元素。喷镀用粉末还可以例如以氧化物的形态进一步包含第二稀释元素，所述第二稀释元素为除稀土元素和第一稀释元素以外且除氧以外的元素。第二稀释元素的单一氧化物的烧结体在上述蚀刻条件下的侵蚀速率为相同蚀刻条件下的氧化钇烧结体的侵蚀速率的1.5倍以上且不足5倍。第二稀释元素例如为选自铝、锆、铪、铌和钽中的一种以上的元素。
[0011]本发明的第二方案提供一种覆膜，其是将第一方案的喷镀用粉末喷镀而得到的。
[0012]本发明的第三方案提供一种覆膜，其包含稀土元素和第一稀释元素，所述第一稀释元素为除稀土元素以外且除氧以外的元素。第一稀释元素的单一氧化物的烧结体在上述蚀刻条件下的侵蚀速率为相同蚀刻条件下的氧化钇烧结体的侵蚀速率的5倍以上。覆膜还可以进一步包含第二稀释元素，所述第二稀释元素为除稀土元素和第一稀释元素以外且除氧以外的元素。第二稀释元素的单一氧化物的烧结体在上述蚀刻条件下的侵蚀速率为相同蚀刻条件下的氧化钇烧结体的侵蚀速率的1.5倍以上且不足5倍。
[0013]本发明的第四方案提供一种构件，其表面具备第二方案或第三方案的覆膜。
[0014]发明的效果
[0015]根据本发明，能够提供适于形成在受到等离子体侵蚀时不易产生尺寸大的颗粒的喷镀覆膜的喷镀用粉末。此外，根据本发明，还能够提供在受到等离子体侵蚀时不易产生尺寸大的颗粒的覆膜、以及表面具备这种覆膜的构件。
【具体实施方式】
[0016]以下，说明本发明的一个实施方式。需要说明的是，本发明并不限定于以下的实施方式，可以在不损害本发明的要旨的范围内适当变更。
[0017]本实施方式的喷镀用粉末包含稀土元素和第一稀释元素，所述第一稀释元素为除稀土元素以外且除氧以外的元素。第一稀释元素为了降低喷镀用粉末中以及将喷镀用粉末喷镀而得到的覆膜中的稀土元素的含量的比率而使用。
[0018]具体而言，稀土元素是指钪(元素符号Sc)、钇(元素符号Y)、镧(元素符号La)、铈(元素符号Ce)、镨(元素符号Pr)、钕(元素符号Nd)、钷(元素符号Pm)、钐(元素符号Sm)、铕(元素符号Eu)、钆(元素符号Gd)、铽(元素符号Tb)、镝(元素符号Dy)、钦(元素符号Ho)、铒(元素符号Er)、铥(元素符号Tm)、镱(元素符号Yb)和镥(元素符号Lu)。其中，地壳中较多存在的 Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy、Er 和 Yb、尤其是 Sc、Y、La、Ce 和 Nd 是适宜的。
[0019]第一稀释元素是指，例如锌(元素符号Zn)、硅(元素符号Si)、硼(元素符号B)、磷(元素符号P)、钛(元素符号Ti)、钙(元素符号Ca)、锶(元素符号Sr)、钡(元素符号Ba)和镁(元素符号Mg)。作为这些元素的氧化物的Zn0、Si02、B203、P205、Ti02、Ca0、Sr0、Ba0和MgO的烧结体在以下说明的特定的蚀刻条件下的侵蚀速率(即，每单位时间内的侵蚀量)均为相同蚀刻条件下的氧化钇(Y2O3)烧结体的侵蚀速率的5倍以上。特定的蚀刻条件是指，在保持于133.3Pa (1000mTorr)的压力下的平行平板型等离子体蚀刻装置的腔室内、一边以1.055L/分钟(1055sccm)的流量供给将四氟化碳(CF4)、氩气和氧气以95:950:10的体积比混合而成的蚀刻气体，一边用20小时在13.56MHz下施加130W的高频电力。
[0020]喷镀用粉末中的稀土元素的含量以氧化物换算计优选为20mol%以上、更优选为25mol%以上、进一步优选为30mol%以上、特别优选为35mol%以上。稀土元素氧化物等稀土元素的化合物的化学稳定性高，耐等离子体侵蚀性优异。因此随着喷镀用粉末中的稀土元素的含量变高，存在将喷镀用粉末喷镀而得到的覆膜的耐等离子体侵蚀性提高的倾向。[0021]另外，喷镀用粉末中的稀土元素的含量以氧化物换算计优选为90mol%以下、更优选为80mol%以下、进一步优选为70mol%以下、特别优选为60mol%以下。由于稀土元素昂贵，而且产地分布不均匀，因此稀土元素也存在供给不稳定的方面。在这方面，随着喷镀用粉末中的稀土元素的含量变低，存在喷镀用粉末的原料供给风险减少的优点。
[0022]喷镀用粉末中的第一稀释元素的含量以氧化物换算计优选为5mol%以上、更优选为10mol%以上、进一步优选为15mol%、特别优选为20mol%以上。随着喷镀用粉末中的第一稀释元素的含量变高，将喷镀用粉末喷镀而得到的覆膜在受到等离子体侵蚀时产生的颗粒的尺寸变小。可以认为其原因是，与稀土元素的化合物相比，第一稀释元素的化合物的耐等离子体侵蚀性低，因此，通过该第一稀释元素的添加而使覆膜中容易受到由等离子体造成的攻击的弱点分散地存在。另一方面，覆膜中弱点没有分散时，由等离子体造成的攻击集中于覆膜中少数的弱点，作为其结果，可能产生尺寸大的颗粒。
[0023]另外，喷镀用粉末中的第一稀释元素的含量以氧化物换算计优选为60mol%以下、更优选为50mol%以下、进一步优选为40mol%以下、特别优选为30mol%以下。如前所述，第一稀释元素的化合物的耐等离子体侵蚀性较低。因此，随着喷镀用粉末中的第一稀释元素的含量变低，将喷镀用粉末喷镀而得到的覆膜的耐等离子体侵蚀性提高。
[0024]喷镀用粉末还可以进一步包含第二稀释元素，所述第二稀释元素为除稀土元素和第一稀释元素以外且除氧以外的元素。第二稀释元素也与第一稀释元素同样，为了降低喷镀用粉末中以及将喷镀用粉末喷镀而得到的覆膜中的稀土元素的含量的比率而使用。该第二稀释元素是指，例如铝(元素符号Al)、锆(元素符号Zr)、铪(元素符号Hf)、铌(元素符号Nb)和钽(元素符号Ta)。作为这些元素的氧化物的A1203、ZrO2, HfO2, Nb2O5和Ta2O5的烧结体在前文中说明的特定的蚀刻条件下的侵蚀速率均为相同蚀刻条件下的氧化钇烧结体的侵蚀速率的1.5倍以上且不足5倍。
[0025]喷镀用粉末中的第二稀释元素的含量以氧化物换算计优选为10mol%以上、更优选为15mol%以上、进一步优选为20mol%以上、特别优选为25mol%以上。随着喷镀用粉末中的第二稀释元素的含量变高，通过稀土元素的化合物与第一稀释元素的化合物之间的具有耐等离子体侵蚀性的第二稀释元素的化合物的运动而使覆膜中的弱点进一步适度分散，从而将喷镀用粉末喷镀而得到的覆膜在受到等离子体侵蚀时产生的颗粒的尺寸进一步变小。
[0026]另外，喷镀用粉末中的第二稀释元素的含量以氧化物换算计优选为70mol%以下、更优选为60mol%以下、进一步优选为50mol%以下、特别优选为40mol%以下。随着喷镀用粉末中的第二稀释元素的含量变低，喷镀用粉末中的稀土元素的含量相对变高，存在将喷镀用粉末喷镀而得到的覆膜的耐等离子体侵蚀性提高的倾向。
[0027]喷镀用粉末例如由稀土元素的化合物与第一稀释元素的化合物的混合物、或含有稀土元素和第一稀释元素的化合物或固溶体形成。稀土元素的化合物的典型例子有稀土元素氧化物。第一稀释元素的化合物的典型例子有该元素的氧化物。含有稀土元素和第一稀释元素的化合物或固溶体的典型例子有稀土元素与第一稀释元素的复合氧化物。在喷镀用粉末包含第二稀释元素的情况下，喷镀用粉末例如由稀土元素的化合物与第一稀释元素的化合物与第二稀释元素的化合物的混合物、或含有稀土元素和第一稀释元素和第二稀释元素的化合物或固溶体形成。
[0028]喷镀用粉末例如可以如下制造:在由稀土元素氧化物等稀土元素的化合物形成的粉末中混合由第一稀释元素的化合物(例如氧化物)形成的粉末，若有必要则进一步混合第二稀释元素的化合物(例如氧化物)，从而制造。所使用的稀土元素化合物的粉末优选利用激光散射衍射式的粒度分布测定仪测定的粒径为10 μ m以下、进一步而言为6 μ m以下、3 μ m以下或I μ m以下的颗粒以粉末中的体积比计占90%以上。通过使用粒度细的粉末作为稀土元素化合物的粉末，能够减小将喷镀用粉末喷镀而得到的覆膜在受到等离子体侵蚀时产生的颗粒的尺寸。可以认为其原因是因为覆膜中的稀土元素化合物部分和第2族元素化合物部分当中稀土元素化合物部分的尺寸变小。
[0029]或者，也可以通过将如下的原料粉末造粒并烧结从而制造喷镀用粉末，所述原料粉末包含稀土元素的化合物或单质的粉末和第一稀释元素的化合物或单质的粉末，若有必要则进一步包含第二稀释元素的化合物或单质。此时，即使在稀土元素、第一稀释元素和第二稀释元素分别以氧化物以外的形态，例如单质、氢氧化物、盐的形态存在于原料粉末中的情况下，也可以在烧结的过程中将它们转化成氧化物。
[0030]在制造包含通过原料粉末的造粒和烧结而得到的造粒-烧结颗粒的喷镀用粉末时，原料粉末的造粒可以通过将在适当的分散介质中混合原料粉末并根据需要添加粘结剂而成的浆料喷雾造粒而进行，也可以利用滚动造粒或压缩造粒由原料粉末直接进行。造粒后的原料粉末的烧结在大气中、氧气气氛中、真空中以及非活性气体气氛中进行均可。但是，为了使以氧化物以外的形态存在的原料粉末中的元素转化成氧化物，优选在大气或氧气气氛中进行。对 烧结温度没有特别限定，优选为1000~1700°C、更优选为1100~1700°C、进一步优选为1200~1700°C。对烧结时的最高温度保持时间也没有特别限定，优选为10分钟~24小时、更优选为30分钟~24小时、进一步优选为I~24小时。
[0031]本实施方式的喷镀用粉末可以用于利用等离子体喷镀法、高速火焰喷镀法、火焰喷镀法、爆炸喷镀法、气溶胶沉积法等喷镀法在半导体设备制造装置中的构件或其它构件的表面上形成覆膜的用途。将包含稀土元素和第一稀释元素的喷镀用粉末喷镀而得到的覆膜中会以氧化物等化合物的形态包含稀土元素和第一稀释元素。将包含稀土元素、第一稀释元素和第二稀释元素的喷镀用粉末喷镀而得到的覆膜中会以氧化物等化合物的形态包含稀土元素、第一稀释元素和第二稀释元素。
[0032]喷镀覆膜中的稀土元素化合物部分在由场发射扫描电子显微镜得到的背散射电子图像中观察到的尺寸优选为20 μ m2以下、更优选为2 μ m2以下、进一步优选为0.2 μ Hi2以下、特别优选为0.02 μ Hi2以下。随着稀土元素化合物部分的尺寸变小，能够减小在受到等离子体侵蚀时由喷镀覆膜产生的颗粒的尺寸。
[0033]对喷镀覆膜的厚度没有特别限定，例如可以为30~1000 μ m。其中，优选为50~500 μ m、更优选为80~300 μ m。
[0034]根据本实施方式，可得到以下的作用和效果。
[0035].本实施方式的喷镀用粉末包含稀土元素、除稀土元素以外且除氧以外的第一稀释元素。第一稀释元素的单一氧化物的烧结体在特定的蚀刻条件下的侵蚀速率为相同蚀刻条件下的氧化钇烧结体的侵蚀速率的5倍以上。因此，关于将该喷镀用粉末喷镀而得到的包含稀土元素和第一稀释元素的覆膜，作为由稀土元素带来的效果，具有高耐等离子体侵蚀性，另一方面，作为由第一稀释元素带来的效果，具有不易产生尺寸大的颗粒的性质。换言之，根据本实施方式，能够提供适于形成在受到等离子体侵蚀时不易产生尺寸大的颗粒的喷镀覆膜的喷镀用粉末。此外，还能够提供在受到等离子体侵蚀时不易产生尺寸大的颗粒的覆膜、以及表面具备这种覆膜的构件。
[0036].本实施方式的喷镀用粉末在包含稀土元素的基础上还包含第一稀释元素，根据情况进一步包含除稀土元素和第一稀释元素以外且除氧以外的第二稀释元素。因此，能够进一步适宜地抑制尺寸大的颗粒的产生。另外，能够抑制昂贵且供给存在不稳定方面的稀土元素的用量，能够减少喷镀用粉末的原料供给风险。
[0037]前述实施方式也可以如下变更。
[0038].前述实施方式的喷镀用粉末也可以包含2种以上、优选3种以上的稀土元素。即，可以包含选自 Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb 和 Lu 中的两种以上、优选三种以上的元素。此时，将喷镀用粉末喷镀而得到的覆膜在受到等离子体侵蚀时产生的颗粒中的稀土元素的含量会分散到各个稀土元素的种类上，因此能够减少堆积在半导体基板上的颗粒中的各稀土元素的含量超过可接受的水平的担心。喷镀用粉末中的各稀土元素的含量以氧化物换算计优选为5mol%以上、更优选为10mol%以上、进一步优选为15mol%以上。另外，喷镀用粉末中的各稀土元素的含量以氧化物换算计优选为50mol%以下、更优选为40mol%以下、进一步优选为30mol%以下、特别优选为25mol%以下。
[0039].前述实施方式的喷镀用粉末也可以包含2种以上、优选3种以上的第一稀释元素。例如，可以 包含选自Zn、S1、B、P、T1、Ca、Sr、Ba和Mg中的两种以上、优选三种以上的元素。此时，将喷镀用粉末喷镀而得到的覆膜在受到等离子体侵蚀时产生的颗粒中的第一稀释元素的含量会分散到各个第一稀释元素的种类上，因此能够减少堆积于半导体基板上的颗粒中的各第一稀释元素的含量超过可接受的水平的担心。喷镀用粉末中的各第一稀释元素的含量以氧化物换算计优选为2mol%以上、更优选为5mol%以上、进一步优选为8mol%以上、特别优选为10mol%以上。另外，喷镀用粉末中的各第一稀释元素的含量以氧化物换算计优选为40mol%以下、更优选为30mol%以下、进一步优选为20mol%以下、特别优选为I Omo I % 以下。
[0040].前述实施方式的喷镀用粉末也可以包含2种以上、优选3种以上的第二稀释元素。例如，可以包含选自Al、Zr、Hf、Nb和Ta中的两种以上、优选三种以上的元素。此时，将喷镀用粉末喷镀而得到的覆膜在受到等离子体侵蚀时产生的颗粒中的第二稀释元素的含量会分散到各个第二稀释元素的种类上，因此能够减少堆积于半导体基板上的颗粒中的各第二稀释元素的含量超过可接受的水平的担心。喷镀用粉末中的各第二稀释元素的含量以氧化物换算计优选为5mol%以上、更优选为7mol%以上、进一步优选为10mol%以上、特别优选为12mol%以上。另外，喷镀用粉末中的各第二稀释元素的含量以氧化物换算计优选为50mol%以下、更优选为40mol%以下、进一步优选为30mol%以下、特别优选为20mol%以下。
[0041].包含稀土元素和第一稀释元素的覆膜或包含稀土元素、第一稀释元素和第二稀释元素的覆膜并不限定于通过前述实施方式那样的将喷镀用粉末喷镀而形成，也可以利用例如化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)那样的喷镀以外的方法形成。利用喷镀以外的方法形成的包含稀土元素和第2族元素的覆膜的厚度例如为0.1~100 μ m、优选为
0.5~50 μ m、更优选为I~30 μ m。
[0042]下面列举实施例和比较例进一步具体说明本发明。
[0043]准备含稀土元素的实施例1~5和比较例1、2的喷镀用粉末以及不含稀土元素的比较例3的喷镀用粉末。实施例1、3~5的喷镀用粉末通过将稀土元素的氧化物的粉末、除稀土元素以外且除氧以外的第一稀释元素的氧化物的粉末、和除稀土元素和第一稀释元素以外且除氧以外的第二稀释元素的氧化物的粉末混合、造粒并烧结而制造。实施例2的喷镀用粉末通过将稀土元素的氧化物的粉末和第一稀释元素的氧化物的粉末混合、造粒并烧结而制造。比较例I的喷镀用粉末通过将稀土元素的氧化物的粉末造粒并烧结而制造。比较例2的喷镀用粉末通过将稀土元素的氧化物的粉末、和第二稀释元素的氧化物的粉末混合、造粒并烧结而制造。比较例3的喷镀用粉末通过将第一稀释元素的氧化物的粉末和第二稀释元素的氧化物的粉末混合、造粒并烧结而制造。各喷镀用粉末的详细情况如表1所示。
[0044]表1的“稀土元素的种类”栏中示出各喷镀用粉末中所含的稀土元素的种类。表1的“稀土元素氧化物 的比率”栏中对每个稀土元素的种类示出各喷镀用粉末中的稀土元素氧化物的摩尔分数。
[0045]表1的“第一稀释元素的种类”栏中示出各喷镀用粉末中所含的第一稀释元素的种类。表1的“第一稀释元素氧化物的比率”栏中对每个第一稀释元素的种类示出各喷镀用粉末中的第一稀释元素氧化物的摩尔分数。
[0046]表1的“第二稀释元素的种类”栏中示出各喷镀用粉末中所含的第二稀释元素的种类。表1的“第二稀释元素氧化物的比率”栏中对每个第二稀释元素的种类示出各喷镀用粉末中的第二稀释元素氧化物的摩尔分数。
[0047]将实施例1~5和比较例I~3的各喷镀用粉末在表2中示出的喷镀条件下进行大气压等离子体喷镀，在利用棕刚玉磨料(A#40)进行了喷砂处理的20mm X 20mm X 2mm尺寸的Al合金(A6061)板的表面上形成厚200 μ m的喷镀覆膜。将评价得到的喷镀覆膜的耐等离子体侵蚀性而得到的结果示于表1的“耐等离子体侵蚀性”栏。具体而言，首先使用平均粒径0.06 μ m的胶态二氧化硅对各喷镀覆膜的表面进行镜面研磨，将研磨后的喷镀覆膜的表面的一部分用聚酰亚胺胶带遮蔽。接着，在如下的条件下将各喷镀覆膜进行等离子体蚀亥IJ，所述条件为在保持于133.3Pa的压力下的平行平板型等离子体蚀刻装置的腔室内、一边以1.055L/分钟的流量供给将四氟化碳、氩气和氧气以95:950:10的体积比混合而成的蚀刻气体，一边用20小时在13.56MHz下施加1300W的高频电力。然后，使用KLA-TencorJapan Ltd.的高度差测定装置“ a step”测定遮蔽的部分与未遮蔽的部分之间的高度差的大小，将测定的高度差的大小除以蚀刻时间，从而算出侵蚀速率。“耐等离子体侵蚀性”栏中，“良”表示侵蚀速率相对于比较例I的情况下的侵蚀速率的比例不足1.5，“不良”表示该比例为1.5以上。
[0048]将实施例1~5和比较例I~3的各喷镀用粉末在表2中示出的喷镀条件下进行大气压等离子体喷镀，在设置于硅晶圆的周围而使用的聚焦环的表面上形成厚200μπι的喷镀覆膜。针对由在各聚焦环上得到的喷镀覆膜因等离子体侵蚀而产生并堆积在硅晶圆上的颗粒的数量进行评价，将得到的结果示于表1的“颗粒数”栏。具体而言，首先，使用研磨纸研磨各聚焦环上的喷镀覆膜的表面直至表面粗糙度Ra达到0.5 μ m以下。接着，将各聚焦环与硅晶圆一起放置在平行平板型等离子体蚀刻装置的腔室内，在如下的条件下对各硅晶圆进行等离子体蚀刻，所述条件为将腔室内的压力保持在133.3Pa，并以1.055L/分钟的流量向腔室内供给将四氟化碳、氩气和氧气以95:950:10的体积比混合而成的蚀刻气体，在该状态下用20小时在13.56MHz下施加1300W的高频电力。然后，测定由各聚焦环上的喷镀覆膜因等离子体侵蚀而产生并堆积在硅晶圆上的颗粒的数量。“颗粒数”栏中，“良”表示在将等离子体蚀刻的前后使用KLA-Tencor Japan Ltd.的颗粒计数器SurfscanSP3计数的硅晶圆上的颗粒数的差视为由聚焦环上的喷镀覆膜产生并堆积在硅晶圆上的颗粒数时，颗粒数相对于比较例I的情况下的颗粒数的比例不足1.0，“不良”表示该比例为1.0以上。
[0049]表1的“风险”栏中示出各喷镀用粉末的原料供给风险、即原料的获取风险。喷镀用粉末中所含的稀土元素氧化物的比率为95mol%以下时评价为“良”，该比率大于95mol%时评价为“不良”。
[0050][表 1]
【权利要求】
1.一种喷镀用粉末，其包含稀土元素和第一稀释元素，所述第一稀释元素为除稀土元素以外且除氧以外的元素， 其中，所述第一稀释元素的单一氧化物的烧结体在如下的蚀刻条件下的侵蚀速率为在相同蚀刻条件下的氧化钇烧结体的侵蚀速率的5倍以上，所述蚀刻条件为在保持于133.3Pa的压力下的平行平板型等离子体蚀刻装置的腔室内、一边以1.055L/分钟的流量供给将四氟化碳、氩气和氧气以95:950:10的体积比混合而成的蚀刻气体，一边用20小时在13.56MHz下施加1300W的高频电力。
2.根据权利要求1所述的喷镀用粉末，其中，所述第一稀释元素为选自锌、硅、硼、磷、钛、钙、锶、钡和镁中的一种以上的元素。
3.根据权利要求1或2所述的喷镀用粉末，其中，以氧化物的形态包含所述稀土元素和所述第一稀释元素。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的喷镀用粉末，其中，还包含第二稀释元素，所述第二稀释元素为除稀土元素和所述第一稀释元素以外且除氧以外的元素，所述第二稀释元素的单一氧化物的烧结体在所述蚀刻条件下的侵蚀速率为相同蚀刻条件下的氧化钇烧结体的侵蚀速率的1.5倍以上且不足5倍。
5.根据权利要求4所述的喷镀用粉末，其中，所述第二稀释元素为选自铝、锆、铪、铌和钽中的一种以上的元素。
6.根据权利要求4或5所述的喷镀用粉末，其中，以氧化物的形态包含所述第二稀释元素。
7.一种覆膜，其是将权利要求1~6中任一项所述的喷镀用粉末喷镀而得到的。
8.一种覆膜，其包含稀土元素和第一稀释元素，所述第一稀释元素为除稀土元素以外且除氧以外的元素， 其中，所述第一稀释元素的单一氧化物的烧结体在如下的蚀刻条件下的侵蚀速率为相同蚀刻条件下的氧化钇烧结体的侵蚀速率的5倍以上，所述蚀刻条件为在保持于133.3Pa的压力下的平行平板型等离子体蚀刻装置的腔室内、一边以1.055L/分钟的流量供给将四氟化碳、IS气和氧气以95:950:10的体积比混合而成的蚀刻气体，一边用20小时在13.56MHz下施加1300W的高频电力。
9.根据权利要求8所述的覆膜，其中，还包含第二稀释元素，所述第二稀释元素为除稀土元素和所述第一稀释元素以外且除氧以外的元素，所述第二稀释元素的单一氧化物的烧结体在所述蚀刻条件下的侵蚀速率为相同蚀刻条件下的氧化钇烧结体的侵蚀速率的1.5倍以上且不足5倍。
10.一种构件，其表面具备权利要求7~9中任一项所述的覆膜。
【文档编号】C23C4/10GK103930586SQ201280046533
【公开日】2014年7月16日 申请日期:2012年9月26日 优先权日:2011年9月26日
【发明者】水野宏昭, 北村顺也, 小林义之 申请人:福吉米株式会社