磁控溅射设备的制作方法
【专利摘要】本实用新型的磁控溅射设备，包括用于容纳靶材以及工件的溅射腔室，溅射腔室的内部设置有防着板，溅射腔室内设置有用于照射靶材以及防着板以使靶材以及防着板的表面发生光致脱附的光源。在本实用新型的磁控溅射设备的工作过程中，在真空提升过程中，靶材以及防着板的表面发生光致脱附，即光源的光子能量达到跨越势垒的高度，靶材以及防着板的表面气团的逸出，由此减少粒子在靶材以及防着板上吸附，溅射腔室内的真空度迅速提升，生产效率大幅提高。
【专利说明】磁控溅射设备
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种利用溅射法对金属材料进行镀覆的装置，特别是涉及一种磁控溅射设备。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管作为关键器件直接影响薄膜场效应晶体管液晶显示器的性能。在现有TFT-LCD (薄膜场效应晶体管LCD)制造领域中，薄膜场效应晶体管制备通常采用磁控溅射镀膜的手段完成。
[0003]荷能粒子(如氩离子)轰击固体表面，引起固体表面的各种粒子(如原子、分子或分子团束)从该固体表面逸出的现象称“溅射”。在磁控溅射镀膜过程中，通常是应用氩气电离产生的正离子轰击固体(靶材)，溅出的中性原子沉积到基片(工件)上，以形成膜层。
[0004]磁控溅射镀膜需要在真空环境下完成。在现实生产过程中，通常采用分子泵作为真空泵对Chamber (?贱射腔室)进行抽真空,在真空提升过程中，Chamber (?贱射腔室)内会有粒子在靶材以及Mask (防着板)上吸附，而这些粒子在玻璃进入设备进行正常的制造过程中会造成异常的薄膜缺陷，从而降低薄膜质量，比如真空氛围较差时就有较高的几率发生膜层以及线间的短路以及开路情况；而因为靶材不断消耗，一段时间以后就需要更换新的靶材，这时候就需要把溅射腔室打开，这样腔室和新的靶材、Mask都会吸附大气的一些粒子，如果继续抽真空镀膜需要较长时间，如在时间不足情况下镀膜，则得到的薄膜上的微粒就会很多，同样造成薄膜质量的降低。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的在于提供一种有效防止粒子在靶材以及Mask (防着板)上吸附的磁控溅射设备。
[0006]本实用新型的磁控溅射设备，包括用于容纳靶材以及工件的溅射腔室，所述溅射腔室的内部设置有防着板，其特征在于，所述溅射腔室内设置有用于照射所述靶材以及所述防着板以使所述靶材以及所述防着板的表面发生光致脱附的光源。
[0007]本实用新型的磁控溅射设备，其中，所述溅射腔室的内部设置有用于安放靶材的靶材安装区域以及与所述靶材安装区域相对设置的用于安装工件的承载基板，所述防着板包括设置于所述承载基板与所述靶材安装区域之间的中空防着板，所述光源包括设置于所述承载基板外侧的第一光源。
[0008]本实用新型的磁控溅射设备，其中，所述承载基板的上方设置有磁铁，所述第一光源的下边缘低于所述磁铁的下边缘。
[0009]本实用新型的磁控溅射设备，其中，所述中空防着板通过面向所述承载基板的铜板安装于所述溅射腔室的内部，所述第一光源高于所述铜板的上边缘。
[0010]本实用新型的磁控溅射设备，其中，所述光源包括设置于所述承载基板外侧的第二光源。
[0011]本实用新型的磁控溅射设备，其中，所述溅射腔室的内部设置有用于带动所述承载基板移动的滚轮以及承托所述滚轮的导轨，所述第二光源的上边缘高于所述导轨的上边缘。
[0012]本实用新型的磁控溅射设备，其中，所述第二光源低于所述铜板的下边缘。
[0013]本实用新型的磁控溅射设备，其中，所述第一光源为用于发射紫外线的第一紫外灯，所述第二光源为用于发射紫外线的第二紫外灯。
[0014]本实用新型的磁控溅射设备，其中，所述第一紫外灯、所述紫外灯均为氙灯。
[0015]在本实用新型的磁控溅射设备的工作过程中，在真空提升过程中，靶材以及防着板的表面发生光致脱附，即光源的光子能量达到跨越势垒的高度，靶材以及防着板的表面气团的逸出，由此减少粒子在靶材以及防着板上吸附，溅射腔室内的真空度迅速提升，生产效率大幅提闻。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1为本实用新型的磁控溅射设备的结构示意图的侧剖视图；
[0017]图2为本实用新型的磁控溅射设备的结构示意图的主视图。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好的理解本实用新型并能予以实施，但所举实施例不作为对本实用新型的限定。
[0019]如图1、图2所示，本实用新型的磁控溅射设备，包括用于容纳靶材10以及工件20的溅射腔室1，溅射腔室I的内部设置有防着板2，溅射腔室I内设置有用于照射靶材10以及防着板2以使靶材10的表面以及防着板2的表面发生光致脱附的光源3。
[0020]在本实用新型的磁控溅射设备的工作过程中，真空泵对溅射腔室I进行抽真空，在真空提升过程中，溅射腔室I内会有粒子在靶材10以及防着板2上吸附，而随着光源3的启动，靶材10的表面以及防着板2的表面发生光致脱附，即光源3的光子能量达到跨越势垒的高度，靶材10以及防着板2的表面气团的逸出，由此减少粒子在靶材10以及防着板2上吸附,灘射腔室I内的真空度迅速提升，生广效率大幅提闻。
[0021]本实用新型的磁控溅射设备，其中，溅射腔室I的内部设置有用于安放靶材10的靶材安装区域4以及与靶材安装区域4相对设置的用于安装工件20的承载基板6，防着板2包括设置于承载基板6与靶材安装区域4之间的中空防着板7，光源3包括设置于承载基板6外侧的第一光源8。
[0022]本实用新型的磁控溅射设备，其中，溅射腔室I的内部设置有磁铁9，为保证第一光源8的光线在溅射腔室I的内部有效传播而不被遮挡，第一光源8的下边缘低于磁铁9的下边缘。
[0023]本实用新型的磁控溅射设备，其中，中空防着板7通过面向承载基板6的铜板11安装于溅射腔室I的内部，第一光源8高于铜板11的上边缘。
[0024]本实用新型的磁控溅射设备，其中，光源3包括设置于承载基板6外侧的第二光源12。
[0025]本实用新型的磁控溅射设备，其中，溅射腔室I的内部设置有用于带动承载基板6移动的滚轮13以及承托滚轮13的导轨14，第二光源12的上边缘高于导轨14的上边缘。
[0026]本实用新型的磁控溅射设备，其中，同样为更有效的利用第二光源12的光线，第二光源12低于铜板11的下边缘。
[0027]本实用新型的磁控溅射设备，其中，第一光源8为用于发射紫外线的第一紫外灯，第二光源12为用于发射紫外线的第二紫外灯。
[0028]本实用新型的磁控溅射设备，其中，第一紫外灯、第二紫外灯均为氙灯。光子能量E=hc/X，其中h为普朗克常量，c为光的速度，λ为光波的波长。本实用新型的磁控溅射设备，其中，第一紫外灯、第二紫外灯所发出光的峰值波长可以为147nm，计算其峰值所对应的光子能量为8.452eV，可以达到跨越势垒高度起到脱附的能量，由此靶材10以及防着板2的表面发生光致脱附。氙灯所发出的光波在波长390nm-780nm范围内是连续的，因此，第一紫外灯、第二紫外灯还可以作为溅射腔室I内用于紧急观察的光源。
[0029]本实用新型的磁控溅射设备，其中，在观察窗上加装紫外光偏振片，且在没有抽真空状态下禁止第一紫外灯、第二紫外灯工作，以防止对操作者造成损伤。
[0030]以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
【权利要求】
1.一种磁控溅射设备，包括用于容纳靶材以及工件的溅射腔室，所述溅射腔室的内部设置有防着板，其特征在于，所述溅射腔室内设置有用于照射所述靶材以及所述防着板以使所述靶材以及所述防着板的表面发生光致脱附的光源，所述光源的光子能量达到跨越势垒的高度，以使靶材以及防着板的表面气团的逸出，由此减少粒子在靶材以及防着板上吸附。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述溅射腔室的内部设置有用于安放靶材的靶材安装区域以及与所述靶材安装区域相对设置的用于安装工件的承载基板，所述防着板包括设置于所述承载基板与所述靶材安装区域之间的中空防着板，所述光源包括设置于所述承载基板外侧的第一光源。
3.根据权利要求2所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述承载基板的上方设置有磁铁，所述第一光源的下边缘低于所述磁铁的下边缘。
4.根据权利要求2所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述中空防着板通过面向所述承载基板的铜板安装于所述溅射腔室的内部，所述第一光源高于所述铜板的上边缘。
5.根据权利要求4所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述光源包括设置于所述承载基板外侧的第二光源。
6.根据权利要求5所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述溅射腔室的内部设置有用于带动所述承载基板移动的滚轮以及承托所述滚轮的导轨，所述第二光源的上边缘高于所述导轨的上边缘。
7.根据权利要求6所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述第二光源低于所述铜板的下边缘。
8.根据权利要求5所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述第一光源为用于发射紫外线的第一紫外灯，所述第二光源为用于发射紫外线的第二紫外灯。
9.根据权利要求8所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述第一紫外灯、所述紫外灯均为氙灯。
【文档编号】C23C14/35GK203923364SQ201320833018
【公开日】2014年11月5日 申请日期:2013年12月17日 优先权日:2013年12月17日
【发明者】董斌, 赵欣凯, 张立星, 付艳强, 车奉周, 贠向南, 金相起, 李正勋 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司