铝硅合金制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种制备铝硅合金的方法，将块状硅加热到1300~1400℃使其熔化为硅液，将铝液温度控制在760~770℃，在高纯氮气或氩气保护气氛下将硅液与铝液混合，这样配制的铝硅合金液，硅相细小均匀，分布均匀。硅明显细化，晶粒也比较细小。
【专利说明】f吕娃合金制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及金属冶炼工艺，具体地说涉及铝硅合金制备方法。
【背景技术】
[0002]传统的铝硅合金生产中，通常是将块状硅放于熔炉底部，上面再堆上铝锭，然后加热融化，搅拌让硅充分溶入铝液，达到所要求的成分。这样生产的铝液，铝液升温高，大于8500C，融化时间长，硅溶解到铝液后，极易长大，造成硅相粗大；由于搅拌不能充分均匀，溶解到铝液中的硅分布不匀，易造成局部硅偏析。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是提供一种硅相细小，溶解分布均匀的铝硅合金。
[0004]本发明的技术方案为:将块状硅熔化为硅液，铝液温度控制在76(T770°C，在高纯氮气或氩气保护气下，硅液与铝液混合。
[0005]这样配制的铝硅合金液，硅相细小均匀，分布均匀。硅明显细化，晶粒也比较细小。【专利附图】
【附图说明】
[0006]图1为采用现有技术制备的铝硅合金200倍放大后金相结构。
[0007]图2为采用本发明制备的铝硅合金200倍放大后金相结构。
[0008]图3为采用现有技术制备的铝硅合金500倍放大后金相结构。
[0009]图4为米用本发明制备的招娃合金500倍放大后金相结构。
`[0010]图5为采用现有技术制备的铝硅合金1000倍放大后金相结构。
[0011]图6为米用本发明制备的招娃合金1000倍放大后金相结构。
[0012]图7为采用现有技术制备的铝硅合金5000倍放大后金相结构。
[0013]图8为米用本发明制备的招娃合金5000倍放大后金相结构。
【具体实施方式】
[0014]实施例1:将块状硅加热到1330°C，使其熔化为硅液，将铝液温度控制在769V，在高纯氮气保护气氛下将硅液与铝液混合。
[0015]实施例2:将块状硅加热到1360°C，使其熔化为硅液，将铝液温度控制在767 V，在
高纯氩气保护气氛下将硅液与铝液混合。
[0016]实施例3:将块状硅加热到1390°C，使其熔化为硅液，将铝液温度控制在765V，在高纯氮气保护气氛下将硅液与铝液混合。
【权利要求】
1.铝硅合金制备方法，其特征在于:将块状硅加热到130(Tl4(KrC，将铝液温度控制在760^770 0C，在高纯氮气或氩气保护气下将硅液与铝液混合。
2.按照权利要求1所述的铝硅合金制备方法，其特征在于:将块状硅加热到1330°C，使其熔化为硅液，将铝液温度控制在769V，在高纯氮气保护气氛下将硅液与铝液混合。
3.按照权利要求1所述的铝硅合金制备方法，其特征在于:将块状硅加热到1360°C，使其熔化为硅液，将铝液温度控制在767 V，在高纯氩气保护气氛下将硅液与铝液混合。
4.按照权利要求1所述的铝硅合 金制备方法，其特征在于:将块状硅加热到1390°C，使其熔化为硅液，将铝液温度控制在765V，在高纯氮气保护气氛下将硅液与铝液混合。
【文档编号】C22C21/02GK103773978SQ201410038139
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2014年1月27日 优先权日:2014年1月27日
【发明者】吴群虎, 白帮伟, 王立生, 秦鹏, 阿拉腾, 王永宁, 朱志华, 李昌海, 其他发明人请求不公开姓名 申请人:中信戴卡股份有限公司