一种射频超导腔用高纯铌铸锭的制备方法

文档序号:3325987阅读:321来源:国知局
一种射频超导腔用高纯铌铸锭的制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种射频超导腔用高纯铌铸锭的制备方法,该方法为:对铌板条进行3~7次真空电子束熔炼,得到高纯铌铸锭;所述真空电子束熔炼的比电能为8度/kg~12度/kg,真空度不大于5×10-3Pa。本发明设计合理、方法简单、操作简便,能有效解决传统铌铸锭生产工艺所存在的实际问题,达到稳定化、批量化生产射频超导腔用高纯铌铸锭的要求,采用3~7次真空电子束熔炼,通过控制比电能,制备的铌铸锭的RRR值和成分均符合射频超导腔用高纯铌铸锭的要求。
【专利说明】一种射频超导腔用高纯铌铸锭的制备方法

【技术领域】
[0001]本发明属于高纯铌铸锭制备【技术领域】,具体涉及一种射频超导腔用高纯铌铸锭的制备方法。

【背景技术】
[0002]射频超导腔是制作高能粒子加速器的关键部件,用于制备射频超导腔的金属铌不仅要求高纯度,还要求很高的残余电阻率(RRR)。近年来随着国内、国际对高能粒子研宄的深入,高能粒子加速装置的研宄和建设迅猛发展,用于制备射频超导腔的高纯铌的需求日趋旺盛。使用要求铸锭的RRR ^ 300,同时要求化学成分符合钽< 500ppm ;硅< 10ppm ;钨、钼、钛、错、铜、络、镲、铁均< 50ppm ;氧< 10ppm ;氮< 50ppm,碳< 20ppm,氢< lOppm。
[0003]但由于RRR ^ 300的指标要求非常高,杂质元素对RRR值的降低非常显著。传统的碳热还原法铌条杂质含量高,经过正常的两次真空电子束熔炼后,铸锭的化学成分和RRR值均达不到射频超导腔用高纯铌铸锭的技术要求。


【发明内容】

[0004]本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足,提供一种射频超导腔用高纯铌铸锭的制备方法。该方法设计合理、方法简单、操作简便,能有效解决传统铌铸锭生产工艺所存在的实际问题,达到稳定化、批量化生产射频超导腔用高纯铌铸锭的要求,采用3?7次真空电子束熔炼,通过控制比电能,制备的铌铸锭的RRR值和成分均符合射频超导腔用高纯铌铸锭的要求。
[0005]为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种射频超导腔用高纯铌铸锭的制备方法,其特征在于,该方法为:对铌板条进行3?7次真空电子束熔炼,得到高纯铌铸锭;所述真空电子束熔炼的比电能为8度/kg?12度/kg,真空度不大于5X10_3Pa ;所述高纯铌铸锭的RRR彡300,高纯铌铸锭中杂质的质量含量为:钽< 500ppm,硅< lOOppm,钨
<50ppmjg< 50ppm,钛< lppm,错< IppmdHS lppm,络< lppm,镲< lppm,铁< lppm,氧 lOppm,氮< lOppm,碳< lOppm,氢< lppm。
[0006]上述的一种射频超导腔用高纯铌铸锭的制备方法,其特征在于,所述铌板条为铝热还原法生产的铌板条。
[0007]上述的一种射频超导腔用高纯铌铸锭的制备方法,其特征在于,所述铌板条中杂质的质量含量为:钽< 420ppm,娃< lOOpprn,鹤< 50ppm,钼< 50ppm,钛< lOppm,错^ 10ppmj|^< lOppm,络 < lOppm,镲 < lOppm,铁 < lOppm,氧< 50(^口111,氮< lOOpprn,碳
<lOOppm。
[0008]上述的一种射频超导腔用高纯铌铸锭的制备方法,其特征在于,所述比电能随真空电子束熔炼次数的增加逐次增大。
[0009]上述的一种射频超导腔用高纯铌铸锭的制备方法,其特征在于,每次熔炼后将熔炼的铸锭表面扒皮去掉Imm?3mm,然后将扒皮后的铸锭用去离子水清洗干净。
[0010]本发明与现有技术相比具有以下优点:
[0011]1、本发明设计合理、方法简单、操作简便,能有效解决传统铌铸锭生产工艺所存在的实际问题,达到稳定化、批量化生产射频超导腔用高纯铌铸锭的要求。
[0012]2、本发明采用3?7次真空电子束熔炼,通过控制比电能,制备的铌铸锭的RRR值和成分均符合射频超导腔用高纯铌铸锭的要求。
[0013]下面通过实施例,对本发明技术方案做进一步的详细说明。

【具体实施方式】
[0014]实施例1
[0015]采用铝热还原法生产的铌板条做原料,经过3次真空电子束熔炼获得铌铸锭,3次真空电子束熔炼的真空度均不大于4X 10_3Pa,3次真空电子束熔炼的比电能依次9度/kg,9.5度/kg和10度/kg,且每次熔炼后将熔炼的铸锭表面扒皮去掉3mm,然后将扒皮后的铸锭用去离子水清洗干净。所用铌板条中杂质的质量含量为:钽为30ppm,硅为70ppm ;鹤< 1ppm^IK lOppm,钛< 1ppmJi^S lOppm,铜< lOppm,络< lOppm,镲< lOppm,铁^ lOppm,氧为 lOOpprn,氮为 40ppm,碳< lOppm。
[0016]本实施例制备的铌铸锭经检测,RRR值为420,杂质的质量含量为:钽为35ppm,硅(lppm, 1? ^ Ippm^IK lppm,钛 < lppm,错 <lppm,络 < lppm,镲 < lppm,铁(lppm,氧为6.5ppm,氮< 5ppm,碳< 3ppm,氢〈lppm。制备的银铸锭的RRR值和成分均符合射频超导腔用高纯铌铸锭的要求。
[0017]实施例2
[0018]采用铝热还原法生产的铌板条做原料,经过5次真空电子束熔炼获得铌铸锭,5次真空电子束熔炼的真空度均不大于3X 10_3Pa,5次真空电子束熔炼的比电能依次8度/kg、9度/kg、10度/kg、10.5度/kg和11度/kg,且每次熔炼后将熔炼的铸锭表面扒皮去掉2mm,然后将扒皮后的铸锭用去离子水清洗干净。所用铌板条中杂质的质量含量为:钽为 320ppm,娃为 10ppm ;鹤为 33ppm,钼为 40ppm,钛< lOppm,错< lOppm,铜 < lOppm,络^ lOppm^;!^ lOppm,铁< lOppm,氧为 180ppm,氮为 60ppm,碳为 35ppm。
[0019]本实施例制备的铌铸锭经检测,RRR值为380,杂质的质量含量为:钽为35ppm,钨为 28ppm,钼为 16ppm,娃< lppm,钛< lppm,错< lppm,铜< lppm,络< lppm,镲< lppm,铁(lppm,氧为8ppm,氮彡7ppm,碳彡6ppm,氢〈lppm。制备的银铸锭的RRR值和成分均符合射频超导腔用高纯铌铸锭的要求。
[0020]实施例3
[0021]采用铝热还原法生产的铌板条做原料,经过7次真空电子束熔炼获得铌铸锭,7次真空电子束熔炼的真空度均不大于5X 10_3Pa,7次真空电子束熔炼的比电能依次8度/kg、9度/kg, 10度/kg, 10.5度/kg, 11度/kg, 11.5度/kg和12度/kg,且每次熔炼后将熔炼的铸锭表面扒皮去掉1mm,然后将扒皮后的铸锭用去离子水清洗干净。所用铌板条中杂质的质量含量为:钽为420ppm,娃为90ppm ;鹤为42ppm,钼为35ppm,钛< lOppm,错< lOppm,铜^ lOppm,络< lOppm^;!^ lOppm,铁< lOppm,氧为 320ppm,氮为 80ppm,碳为 55ppm。
[0022]本实施例制备的铌铸锭经检测,RRR值为310,杂质的质量含量为:钽为345ppm,钨为 33ppm,钼为 25ppm,娃< lppm,钛< lppm,错< lppm,铜< lppm,络< lppm,镲< lppm,铁(lppm,氧为lOppm,氮彡8ppm,碳彡9ppm,氢〈lppm。制备的银铸锭的RRR值和成分均符合射频超导腔用高纯铌铸锭的要求。
[0023]以上所述,仅是本发明的较佳实施例,并非对本发明做任何限制,凡是根据发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化,均仍属于本发明技术方案的保护范围内。
【权利要求】
1.一种射频超导腔用高纯铌铸锭的制备方法,其特征在于,该方法为:对铌板条进行3?7次真空电子束熔炼,得到高纯铌铸锭;所述真空电子束熔炼的比电能为8度/kg?12度/kg,真空度不大于5X 10_3Pa ;所述高纯铌铸锭的RRR彡300,高纯铌铸锭中杂质的质量含量为:钽< 500ppm,娃< 100ppm,|^< 50ppmjg< 50ppm,钛< lppm,错< IppmdH^ lppm,络< lppm,镲< lppm,铁< lppm,氧< 1(^口!11,氮< 1(^口!11,碳< 1(^口!11,氢< lppm。
2.根据权利要求1所述的一种射频超导腔用高纯铌铸锭的制备方法,其特征在于,所述铌板条为铝热还原法生产的铌板条。
3.根据权利要求2所述的一种射频超导腔用高纯铌铸锭的制备方法,其特征在于,所述银板条中杂质的质量含量为:钽< 420ppm,娃< 100ppm,|^< 50ppm,钼< 50ppm,钛^ lOppm,错 < lOppm,铜 < lOppm,络 < lOppm,镲 < lOppm,铁 < lOppm,氧< 500ppm,氮< 100卩卩!11,碳< 10ppm0
4.根据权利要求1所述的一种射频超导腔用高纯铌铸锭的制备方法,其特征在于,所述比电能随真空电子束熔炼次数的增加逐次增大。
5.根据权利要求1所述的一种射频超导腔用高纯铌铸锭的制备方法,其特征在于,每次熔炼后将熔炼的铸锭表面扒皮去掉Imm?3mm,然后将扒皮后的铸锭用去离子水清洗干净。
【文档编号】C22B9/22GK104480319SQ201410789578
【公开日】2015年4月1日 申请日期:2014年12月17日 优先权日:2014年12月17日
【发明者】张英明, 郭学鹏, 席恩平, 王娟, 吝靖玉, 谭江 申请人:西北有色金属研究院
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