1.一种反应腔室，包括基座和卡环，所述基座用于承载晶片，且所述基座在进行工艺时被施加有负偏压；所述卡环压住所述晶片上表面的边缘区域；其特征在于，所述反应腔室还包括检测装置和调节装置，其中，
所述检测装置用于实时检测所述基座的负偏压，并将其发送至所述调节装置；
所述调节装置用于根据所述基座的负偏压对所述卡环的电压进行调节，以使所述基座的负偏压与所述卡环的电压一致。
2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述调节装置包括可调电压模块和控制器，其中，
所述可调电压模块与所述卡环电连接，用以通过改变自身的电阻值来调节所述卡环的电压；
所述控制器用于接收由所述检测装置发送而来的所述基座的负偏压，并计算所述可调电压模块的电阻调整量，且向所述可调电压模块发送控制信号；所述可调电压模块根据该控制信号将自身的电阻值调整所述电阻调整量。
3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述可调电压模块包括电压输入端、电压输出端、第一可调元件、分压支路、第一电机和直流电源，其中，
所述第一可调元件、第一电机和直流电源相互串联，并与所述分压支路相互并联，然后串接在所述电压输入端和电压输出端之间；
所述电压输出端与所述卡环电连接；
所述第一电机用于根据由所述控制器发送而来的所述控制信号调节所述第一可调元件的电阻大小。
4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述分压支 路为一条或多条，且多条分压支路相互并联；
所述分压支路包括相互串联的第二可调元件和第二电机，所述第二电机用于根据由所述控制器发送而来的所述控制信号调节所述第二可调元件的电阻大小。
5.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述调节装置还包括用于将所述电压输出端与所述卡环电连接的连接组件，所述连接组件包括：
连接线，所述连接线的一端与所述电压输出端电连接，所述连接线的另一端贯穿所述反应腔室的腔室壁，并延伸至所述反应腔室内，且与所述卡环电连接；
接线柱，其套设在所述连接线上，且所述接线柱的两端分别位于所述腔室壁的内、外两侧；
第一绝缘件，其采用绝缘材料制作，且套设在所述接线柱上，并位于所述接线柱与所述反应腔室的腔室壁之间，用以使二者电绝缘。
6.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述连接组件还包括：
密封法兰，其与所述反应腔室的腔室壁密封连接，用于对所述接线柱与所述腔室壁之间的间隙进行密封。
7.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括内衬，所述内衬环绕设置在所述反应腔室的腔室壁内侧；
所述连接线的另一端贯穿所述内衬，且与所述卡环电连接。
8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述连接组件还包括：
第二绝缘件，其采用绝缘材料制作，且套设在所述连接线上，并位于所述连接线与所述内衬之间，用以使二者电绝缘。
9.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述控制器接收由所述检测装置发送而来的所述基座的负偏压，并判断该负偏压是否与所述卡环的电压相同；若相同，则重新接收所述基座的负偏压；若不同，则计算所述可调电压模块的电阻调整量，且向所述可调电压模块发送控制信号。
10.一种半导体加工设备，其包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室采用权利要求1-9任意一项所述的反应腔室。