技术总结
涉及化学机械抛光装置及方法，化学机械抛光装置包括：抛光平板，上表面被抛光垫覆盖，并进行自转；抛光头，具有挡圈，在化学机械抛光工序中与晶片的板表面相接触来进行加压，挡圈包括第一、第二部件，第一部件由导电材料形成，并在晶片周围形成具有不同高度的第一、第二台阶面，第二部件在第一部件的下侧由非导电性部件层叠而成，在化学机械抛光工序中与抛光垫接触；厚度传感器，向晶片施加涡流信号，来获得晶片厚度信息，控制部，从厚度传感器所接收的来自第一、第二台阶面的第二输出信号获得抛光垫的厚度信息，通过厚度传感器获得来自晶片的抛光层的第三输出信号，从第三输出信号中反映抛光垫的厚度信息，来获得晶片抛光层的厚度。
技术研发人员：金钟千;金旻成;任桦爀;金志郁
受保护的技术使用者：K.C.科技股份有限公司
文档号码：201511023760
技术研发日：2015.12.30
技术公布日：2017.03.01