1.一种制备碳化硅纳米线薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：将单质碳、单质硅以及二氧化硅充分混合后放入陶瓷坩埚中；将所述陶瓷坩埚与经过镍盐或铁盐溶液预处理陶瓷基板一起放入微波炉的谐振腔中，抽去部分空气，在低气压状态下使用微波加热反应，快速加热至反应温度；保温一段时间后，关闭微波，自然冷却至室温，在所述陶瓷基板表面形成的产物即为碳化硅纳米线薄膜；
所述预处理过程包括将镍盐或铁盐溶解在水或乙醇中，配制盐溶液，将陶瓷基板浸泡在所述盐溶液中，取出后室温下风干。
2.根据权利要求1所述的一种制备碳化硅纳米线薄膜的方法，其特征在于：所述单质碳为人造石墨、鳞片石墨或活性炭的一种。
3.根据权利要求1或2所述的一种制备碳化硅纳米线薄膜的方法，其特征在于：所述单质碳、单质硅以及二氧化硅的摩尔比为(1-2):1:1。
4.根据权利要求1所述的一种制备碳化硅纳米线薄膜的方法，其特征在于：所述盐溶液的浓度为0.01-0.1mol/L。
5.根据权利要求1或4之一所述的一种制备碳化硅纳米线薄膜的方法，其特征在于：所述陶瓷基板在所述盐溶液中浸泡时间为4-10h。
6.根据权利要求1所述的一种制备碳化硅纳米线薄膜的方法，其特征在于：微波加热时，保持所述微波谐振腔内的气压为10-30kPa。
7.根据权利要求1所述的一种制备碳化硅纳米线薄膜的方法，其特征在于：微波加热时，在20-40min内，将陶瓷坩埚内原料加热到1200-1450℃。
8.根据权利要求1所述的一种制备碳化硅纳米线薄膜的方法，其特征在于：保温时间为20-60min。